聚酰亚胺膜及由该膜制成挠性电路板的方法
【技术领域】
[0001] 本发明是关于一种聚酷亚胺膜及由该膜制成提性电路板的方法，特别系指一种用 来制成内埋式提性电路板的聚酷亚胺膜，及由该膜制成提性电路板的方法。
【背景技术】
[0002] 传统传统金属积层板由聚酷亚胺膜与设置于其上的金属巧层所构成，其电路 通常利用蚀刻方式移除部分的金属巧层而形成，此种电路形成方式通常称为消去法 (Substring)。
[0003] 然而，W此种消去法于金属金属积层板上形成电路的方法中所使用的蚀刻步骤通 常为湿式蚀刻制程，由于此种制程的等向（isotropic)，会使所形成的电路截面轮廓的形状 成为梯形结构，因此在制作间隙狭窄的微细电路时可能会发生所制得的电子元件在电性上 可靠度不佳的问题。具体而言，将预定行程的梯型结构电路的顶部的线宽采用设计值尺寸， 则所形成的相邻电路的梯型结构的底部可能会部分地连接，因而降低电子元件的电气性质 的可靠度。反之，若将预定形成的梯形结构电路的底部采用设计值尺寸，则所形成的梯型结 构电路的顶部可能会过窄，而使得电子元件的安装时产生接触不良情况。
[0004] 此外，随着电子元件多功能性要求W及轻薄短小的发展趋势，印刷电路板的线路 的细微化逐渐成为近年来技术发展重点。然而，传统的金属线路制程细微化后的金属线路 与PI膜基材之间仅有单面接触，容易造成金属线路断裂、剥落而使电子元件失效。为了解 决此问题，业界开发出内埋式线路，内埋式线路因金属线与基材间有=面相接，因而提供了 强大的接着力，可避免细微线路发生断线或剥落。
[0005] 为解决上述消去法制作细微线路可能发生电性可靠度不佳及金属线路与PI膜之 间结合路不足等问题，W激光直接成型线路（LaserDirectStructuring,简称LDS))技术 制作细微电路的形成方法已受到瞩目。
[0006] LDS技术提供了制备内埋式线路的方式，一般而言，LDS是使用含金属成分的光活 化性材料，例如：将尖晶石（Spinel)分散于高分子基材所形成（如PI膜）所形成的材料， W激光光照射此光活性材料，并进行电锻制程，从而形成内埋式线路。然而，W前述方法制 成的线路，常因光活化性材料分散不均而造成所得线路宽窄不均，容易造成短路。此外，激 光活化后所形成的金属寿命较短，必须在短时间内完成后续电锻步骤，方能形成金属图案， 不利于制程。
[0007] 因此，发明人于2012年7月27日申请中国台湾专利第101127310号专利，并已核 准公告在案，其制程内埋式电路的制造方式可解决上述的缺点，其系提供一聚酷亚胺膜，该 聚酷亚胺膜由聚酷亚胺高分子聚合W及分散于其中的有机粒子构成，该聚酷亚胺膜上形成 一保护层，该保护层系离型膜或溶解型干膜，在制成内埋式线路的提性电路板的制程中，是 于该设有保护层的聚酷亚胺层上W激光方式形成一图案化沟道，且该图案化沟道贯穿该保 护层与该聚酷亚胺膜的一部分，进行表面粗化处理，W于该沟道表面形成凹凸微结构，于该 沟道的表面形成一第一金属层，W及于该第一金属层表面形成第二金属层，该第二金属层 填满该沟道w形成内埋式电路。
[0008] 然而，上述第101127310号专利所述的内埋式电路的制程方式存在有缺点，亦即， 形成于聚酷亚胺膜上的保护层通常具有较大的厚度，而后W激光贯穿保护层时必须耗费较 大的能量损失，如何能形成一较薄的保护层于聚酷亚胺膜上，又容易自聚酷亚胺层上剥离， 实为有待克服的议题。
【发明内容】
[0009] 为了解决现有技术问题，本发明的目的是提供一种聚酷亚胺膜及由该膜制成提性 电路板的方法。
[0010] 本发明是提供一种聚酷亚胺膜，包括；一聚酷亚胺层，其系由聚酷亚胺高分子聚合 物、W及分布于其中的有机粒子所构；及一保护层，其附着在该聚酷亚胺层的一表面，且包 括构成该基底层主结构的聚酷亚胺、及分布于其中的低表面能的高分子。
[0011] 本发明还提供一种提性电路板的制成方法，于聚酷亚胺膜上形成电路，其包括：形 成一聚酷亚胺层，其由聚酷亚胺高分子聚合及分布于其中的有机粒子构成；于该聚酷亚胺 层上形成一保护层，其由构成该层主结构的聚酷亚胺、及分布于其中的低表面能的高分子 构成；于该设有保护层的聚酷亚胺层上形成一图案化沟道，且该图案化沟道贯穿该保护层 与该聚酷亚胺层的一部分；进行表面粗化处理，W于该沟道表面形成凹凸结构，其中该凹凸 结构的凹陷大约为该有机粒子大小；于该沟道的表面形成第一金属层；及于该第一金属层 表面形成第二金属层，该第二金属层细填满该沟道W形成一电路。
【附图说明】
[0012] 图1A图与图1B是本发明聚酷亚胺膜的实施例的示意图。
[0013] 图2A-图2G是W聚酷亚胺膜制备提性印刷电路板的流程示意图。
[0014] 图3A-图3G是W聚酷亚胺膜制备提性印刷电路板的另一流程示意图。
[0015]【符号说明】
[0016] 1、2、3经渗杂有机娃氧化物或有机金属氧化物的聚酷亚胺膜
[0017] 11、21、31聚酷亚胺膜
[0018] 12、22、32 保护层
[0019] 13、23、33聚酷亚胺聚合物
[0020] 14、24、34有机纳米粒子 16低表面能的高分子
[0021] 15、35 金属层
[0022] 25、36 沟道
[0023] 26、37 钮层
[0024] 27、38镶金属层 [00巧]28、39铜层
[0026]I激光
[0027] 25A、36A微凹凸表面
【具体实施方式】
[0028] 本发明是W有机-无机混合技术，将有机粒子均匀分散于聚酷亚胺膜中，再经由 LDS技术及表面处粗化技术制作埋藏式电路于该聚酷亚胺膜上，由此制成提性印刷电路板。
[0029] 本发明聚酷亚胺膜除了大幅增加薄膜尺寸安定性与金属接着力之外，同时亦可解 决一般激光技术中添加剂分散不佳及金属活化后的活性寿命短等问题。
[0030] 本发明的聚酷亚胺膜的实施例中，可参阅图1A，聚酷亚胺膜1包括有一聚酷亚胺 层11及设于聚酷亚胺层11上的保护层12。
[0031] 本发明的聚酷亚胺膜的另一实施例，可参阅图1B，
[0032] 聚酷亚胺膜1包括有一聚酷亚胺层11、设置于聚酷亚胺层11上的金属层15、及设 置于金属层15上的保护层12。
[0033] 聚酷亚胺层11包括有聚酷亚胺聚合物13、及分布于聚酷亚胺聚合物13中的有机 粒子14。于一实施例中，有机粒子14可为有机娃氧化物、有机金氧化物等、或其组合。于一 较佳实施例中，有机粒子14可选自有机二氧化娃、有机二氧化铁、有机氧化侣、有机氧化错 等，但不W此为限。
[0034] 保护层12包括构成该层主结构的聚酷亚胺、及分布于其中的低表面能的高分子 16,其厚度可为8微米W下，视需要，可于形成聚酷亚胺膜1 (包括该保护层12及聚酷亚胺 层11)后，进一步进行双轴延伸处理，据此可增进该聚酷亚胺膜1的强度。由于聚酷亚胺膜 厚度越薄则越难W进行双轴延伸处理，因此，已知目前市售的超薄聚酷亚胺膜几乎无法于 制程中进行双轴延伸处理，对于其薄膜强度会造成不利的影响，例如破裂。
[0035] 于实施例中，分布于保护层12中的低表面能的高分子16可为含氣的高分子， 举例但非限定，氣姪类（fluorocarbons)。具体而言，含氣的高分子例如包括氣化聚 締（fluorinatedpolyalkene)、具有氣取代基的聚烧、具有氣取代基的聚烧氧、氯氣姪 (chlorofluorocarbons)等。
[0036]于部分实施例中，含氣的高分子为聚氣己締（polyvin^fluoride(PVF))、 全氣亚己締基（polrfluorinatedvinylidenefyDFO)的聚合物、聚四氣己締 (polytetrafluoroeth5dene(PT阳））、聚全氣己丙締（polWluorinatedeth}dene proP5dene(阳巧）、全氣聚離（perfluoropolyether(阳阳)）、全氣横酸（PFSA)聚合物及己 締氣氯己締（eth}denechlorotrifuloroethylene巧CT阳)）的聚合物等，可单独使用 或组合使用。
[0037] 于实施例中，W保护层12的总重量为基础，含氣的高分子比例为45