聚酷亚胺薄膜上的催化剂皆可使用，例如 SLP-500Accelerator(奥野制药工业（股）制）。接着参见图2E，执行镶-钮金属层的沉积 步骤，将前述聚酷亚胺膜浸泡于含有镶金属的溶液内进行电锻，W在钮层26上形成一镶金 属层27。本发明所使用的无电解锻镶液可为无电解镶-棚锻敷液、低磯型无电解锻镶液、中 磯型无电解锻镶液或高磯型无电解锻镶液。值得一提，如图2E所示的实施例是在电锻镶时 便可直接形成镶金属层27于钮层26的表面上，两者为分开的两层（即镶金属层27完全覆 盖钮层26)。然而，在特定制程条件下，钮层26与镶金属层27亦可能发生全部或部份区域 形成两者混合的情形（即，形成镶-钮合金）。
[0067] 如图2F所示，于镶-钮金属层的沉积步骤之后，可利用机械剥离方式或溶液溶解 方式移除保护层22。
[0068] 参见图2G，为绘示无电解电锻铜线路的示意图。将移除保护层22后的聚酷亚胺膜 浸泡于含有铜金属的电锻液中，进行无电解电锻，从而于沟道25中填入一铜层28。经此步 骤，将铜于激光烧蚀所形成的线路图案内形成埋藏式金属线路，从而获得提性印刷电路板。
[0069] 图3A图至图3G为绘示依据本发明制备提性印刷电路板的另一实施例，其中有部 分步骤采用与图2A-图2G所示制备方法相同或类似的步骤、参数、条件等，于此实施例中则 不加W寶述。
[0070] 参照图3A，W本发明聚酷亚胺膜3为例，其包括聚酷亚胺层31、金属层35、及保护 层32,而聚酷亚胺层31包含聚酷亚胺聚合物33及有机粒子34。
[0071] 接着参考图3B，进行电子线路图案化及表面粗化（micro-etching)处理。W激光 烧蚀（即激光I)形成沟道36,接着W表面处理液清洗经激光烧蚀的聚酷亚胺膜，由此移除 沟道36表面所暴露的有机纳米粒子34,进而形成纳米尺寸的微凹凸表面36A。
[0072] 参考图3C，执行钮触媒的沉积步骤，W形成钮层37。接着参见图3D，执行镶-钮金 属层的沉积步骤，W在钮层37上形成一镶金属层38。
[007引参见图3E，将该聚酷亚胺膜浸泡于含有铜金属的电锻液中进行电解电锻，W于沟 道36中填入一铜层39,从而形成埋藏式金属线路。
[0074]接着，如图3F所示，利用机械剥离方式或溶液溶解方式移除保护层32,暴露出该 金属层35的表面及该铜层39的部分侧面。续参见图3G，利用干式或湿式蚀刻制程移除该 金属层35及部分铜层39,经此步骤，将铜于激光烧蚀所形成的线路图案内形成埋藏式金属 线路，从而获得提性印刷电路板。
[0075] 此实施例中，是先利用无电解电锻制程，于经渗杂有机娃氧化物或有机金属氧化 物的聚酷亚胺层31上形成一金属层35,使得激光图案化制程后的金属化步骤（即，形成镶 层及铜层）皆可使用电解电锻制程。
[0076] 因此，由上述实施例可证，本发明提性电路板的制程，于激光烧蚀步骤后，可使用 电解电锻或无电解电锻W形成埋藏式金属线路，提升了制程步骤的操作灵活性。且保护层 32具有较薄的厚度，在激光蚀刻形成图案化沟道时，可W较低的能量进行，不但可缩减制造 时程，且可降低能源的耗损。
[0077] 上述特定实施例的内容是为了详细说明本发明，然而，所述实施例是仅用于说明， 并非意欲限制本发明。熟悉本领域的技艺者可理解，在不惇离后附申请专利范围所界定的 范畴下针对本发明所进行的各种变化或修改系落入发明的一部分。
【主权项】
1. 一种聚酰亚胺膜，其特征在于包括： 一聚酰亚胺层，其由聚酰亚胺高分子聚合物、以及分布于其中的有机粒子所构；及 一保护层，其附着在该聚酰亚胺层的一表面，且包括构成该基底层主结构的聚酰亚胺、 及分布于其中的低表面能的高分子。2. 如权利要求1所述的聚酰亚胺膜，其特征在于，该低表面能的高分子为含氟高分子 或含硅氧烷的高分子。3. 如权利要求1所述的聚酰亚胺膜，其特征在于，该保护层具有6微米以下的厚度。4. 如权利要求2所述的聚酰亚胺膜，其特征在于，该含氟的高分子选自由聚氟乙烯 (PVF)、全氟亚乙烯基（PVDF)聚合物、聚四氟乙烯（PTFE)、聚全氟乙丙烯（FEP)、全氟聚醚 (PEPE)、全氟磺酸（PFSA)聚合物、全氟烷氧基（PFA)聚合物、三氟氯乙烯（CTFE)聚合物、及 乙烯-三氟氯乙烯（ECTFE)聚合物所成群组的一种或多种。5. 如权利要求2所述的聚酰亚胺膜，其特征在于，该含氟的高分子具有20微米以下的 平均粒径。6. 如权利要求2所述的聚酰亚胺膜，其特征在于，以该保护层的总重量为基础，该含氟 的高分子为45wt%至60wt%。7. 如权利要求1所述的聚酰亚胺膜，其特征在于，构成该保护层主结构的该聚酰亚胺 由选自4，f-二胺基二苯醚（4，f-ODA)、对苯二胺（p-PDA)、2,2'_双（三氟甲基）联 苯胺（TFMB)所成群组的二胺及选自由均苯四甲酸二酐（PMDA)、3,3'，4,4'-联苯四羧酸 二酐（BPDA)、2,2-双[4-(3,4_二羧基苯氧基）苯基]丙烷二酐（BPADA)所成群组的二酐 反应而得。8. 如权利要求1所述的聚酰亚胺膜，其特征在于，该聚酰亚胺层由选自4,4二胺基 二苯醚（4,4' -ODA)、对苯二胺（p-PDA)、2,2' -双（三氟甲基）联苯胺（TFMB)所成群组 的二胺及选自由均苯四甲酸二酐（PMDA)、3,3'，4,4'-联苯四羧酸二酐（BPDA)、2,2-双 [4-(3,4_二羧基苯氧基）苯基]丙烷二酐（BPADA)所成群组的二酐反应而得。9. 如权利要求1所述的聚酰亚胺膜，其特征在于，该有机粒子可选自有机二氧化硅、有 机二氧化钛、有机氧化锆或其组成。10. 如权利要求1所述的聚酰亚胺膜，其特征在于，该聚酰亚胺层与该保护层间设有一 金属层。11. 如权利要求2所述的聚酰亚胺膜，其特征在于，该含硅氧烷高分子的结构为：该n为重复单元，其中Y可为二胺或二酐。12. 如权利要求11所述的聚酰亚胺膜，其特征在于，还可包括有一R，该R为一碳数为 1-10的脂肪族，所述脂肪族为甲基、乙基或丙基；该R也可为芳香族，可形成一聚酰亚胺结 构为：o13. -种挠性电路板的制成方法，于聚酰亚胺膜上形成电路，其包括： 形成一聚酰亚胺层，其由聚酰亚胺高分子聚合及分布于其中的有机粒子构成； 于该聚酰亚胺层上形成一保护层，其由构成该层主结构的聚酰亚胺、及分布于其中的 低表面能的高分子构成； 于该设有保护层的聚酰亚胺层上形成一图案化沟道，且该图案化沟道贯穿该保护层与 该聚酰亚胺层的一部分； 进行表面粗化处理，以于该沟道表面形成凹凸结构，其中该凹凸结构的凹陷大约为该 有机粒子大小； 于该沟道的表面形成第一金属层；及 于该第一金属层表面形成第二金属层，该第二金属层细填满该沟道以形成一电路。14. 如权利要求13所述的制成方法，其中，该低表面能高分子为含氟高分子或含硅氧 烧的高分子。15. 如权利要求13所述的制成方法，其中，该保护层具有6微米以下的厚度。16. 如权利要求13所述的制成方法，其中，该图案化沟道是以激光烧蚀形成，该第一金 属层则由电镀形成。17. 如权利要求13的制成方法，进一步包括：对该保护层及该聚酰亚胺层进行双轴延 伸处理。18. 如权利要求13所述的制成方法，其中，该聚酰亚胺膜还进一步包括有一第三金属 层，其设置于聚酰亚胺层与保护层间；且该图案化沟道为贯穿该保护层、该第三金属层及聚 酰亚胺层的一部分。19. 如权利要求18的制成方法，其中，该第三金属层及该保护层于该第二金属层形成 后移除。
【专利摘要】本发明提供一种聚酰亚胺膜及由该膜制成桡性电路板的方法，该聚酰亚胺膜包括一聚酰亚胺层，其具有相对的第一、第二表面；及一保护层，其附着在该聚酰亚胺层的第一表面，其包括聚酰亚胺、及分布于其中的低表面能的高分子。制成该挠性电路板的方法是于该设有保护层的聚酰亚胺层上形成一图案化沟道，且该图案化沟道贯穿该保护层与该聚酰亚胺层的一部分；进行表面粗化处理，以于该沟道表面形成凹凸结构，其中该凹凸结构的凹陷大约为该有机粒子大小；于该沟道的表面形成第一金属层；及于该第一金属层表面形成第二金属层，该第二金属层细填满该沟道以形成一电路。
【IPC分类】H05K1/03, H05K3/10
【公开号】CN104918406
【申请号】CN201510277792
【发明人】林志维, 赖俊廷, 黄彦博
【申请人】达迈科技股份有限公司
【公开日】2015年9月16日
【申请日】2015年5月27日