例的俯视图。
[0032]图2B是示出图1所示的有机半导体元件的辅助电极、突起部以及有机半导体层的布局的其他例子的俯视图。
[0033]图2C是示出辅助电极上的有机半导体层中被去除的部分的一例的俯视图。
[0034]图2D是示出辅助电极上的有机半导体层中被去除的部分的一例的俯视图。
[0035]图3是示出本发明的实施方式的元件制造装置的图。
[0036]图4的(a)?(g)是示出本发明的实施方式的元件制造方法的图。
[0037]图5是示出用于去除辅助电极上的有机半导体层的中间制品处理装置的图。
[0038]图6是示出通过使用图5所示的中间制品处理装置来去除辅助电极上的有机半导体层的情形的图。
[0039]图7的(a)?(g)是示出在本发明的实施方式的变形例中去除辅助电极上的有机半导体层的方法的图。
[0040]图8的(a)、(b)是示出为了将蒸镀用材料蒸镀到基材上而利用中间制品处理装置的例子的图。
[0041]图9是示出配置于辊的内部的空间的光学系统的一个变形例的图。
[0042]图10是示出辊的一个变形例的图。
[0043]图11是示出辊的一个变形例的图。
[0044]图12A是示出盖材按压机构具有加压膜的例子的图。
[0045]图12B是示出盖材被图12A所示的加压膜按压的情形的图。
[0046]图13A是示出辊的表面作为紧贴在中间制品的一部分上的盖材的第1面而发挥功能的例子的图。
[0047]图13B是示出图14A所示的辊的表面紧贴在中间制品的一部分上的情形的图。
[0048]图14的(a)、(b)是示出光从基材侧朝向有机半导体层照射的例子的图。
【具体实施方式】
[0049]以下，参照图1至图6对本发明的实施方式进行说明。另外，在本说明书中添加的附图中，为了便于图示以及理解的容易性，根据实物的比例尺以及纵横的尺寸比等适当变更并放大比例尺以及纵横的尺寸比等。
[0050]首先根据图1对本实施方式的有机半导体元件40的层结构进行说明。这里作为有机半导体元件40的一例，对顶部发光型的有机EL元件进行说明。
[0051]有机半导体元件
[0052]如图1所示，有机半导体元件40具备:基材41 ;多个第1电极42，它们设于基材41上；辅助电极43以及突起部44，它们设于第1电极42之间；有机半导体层45，其设于第1电极42上；以及第2电极46，其设于有机半导体层45上以及辅助电极43上。
[0053]有机半导体层45至少包含通过有机化合物中的电子与空穴的重新组合而发光的发光层。此外，有机半导体层45可以进一步包含空穴注入层、空穴输送层、电子输送层或者电子注入层等在有机EL元件中通常设置的各种层。作为有机半导体层的构成要素能够使用公知的构成要素，能够使用例如日本特开2011-9498号公报中记载的构成要素。
[0054]与各个有机半导体层45相对应地设置第1电极42。第1电极42还作为使产生在有机半导体层45上的光发生反射的反射电极而发挥功能。作为构成第1电极42的材料，能够列举出招、络、钛、铁、钴、镍、钼、铜、钽、妈、白金、金、银等金属元素的单质或者它们的
1=1Ο
[0055]第2电极46作为针对多个有机半导体层45的共用电极而发挥功能。此外，第2电极46构成为使产生在有机半导体层45上的光透过。作为构成第2电极46的材料，能够使用薄到能够使光透过的程度的金属膜或者ΙΤ0等氧化物导电性材料。
[0056]辅助电极43用于确保不产生由从未图示的电源至各个有机半导体层的距离的差引起的电压下降的偏差，由此抑制使用有机EL元件的显示装置的亮度的偏差。如图1所示，各辅助电极43与第2电极46连接。作为构成辅助电极43的材料，能够列举出与第1电极42相同的金属元素的单质或者合金。辅助电极43既可以包含与第1电极42相同的材料，或者，也可以包含与第1电极42不同的材料。
[0057]突起部44包含具有绝缘性的材料。在图1所示的例子中，突起部44设于第1电极42与辅助电极43之间。通过设置这样的突起部44，能够确保第1电极42与辅助电极43以及第2电极46之间的绝缘性。此外，能够适当确定设于突起部44之间的有机半导体层45的形状。作为构成突起部44的材料，能够使用聚酰亚胺等有机材料或者氧化硅等无机绝缘性材料。此外突起部44构成为沿基材41的法线方向延伸，因此突起部44还能够作为当使后述的盖材与基材41紧贴时用于在盖材与基材41之间确保空间的间隔件而发挥功會泛。
[0058]如图1所示，有机半导体层45以及第2电极46不仅可以在第1电极42上连续设置，也可以在突起部44上连续设置。另外，在有机半导体层45中，电流流过而发光的部分是被第1电极42与第2电极46上下夹持的部分，在位于突起部44上的有机半导体层45中不产生发光。在后述的图2Α以及图2Β中示出了有机半导体层45中的产生发光的部分，即设于第1电极42上的有机半导体层45。
[0059]接下来，对从基材41的法线方向观察的情况下的有机半导体元件40的结构进行说明。特别地对有机半导体元件40的辅助电极43、突起部44以及有机半导体层45的布局进行说明。图2A是示出辅助电极43、突起部44以及有机半导体层45的布局的一例的俯视图。如图2A所示，有机半导体层45是以矩阵状按顺序而配置的，可以包含分别具有矩形形状的红色有机半导体层45R、绿色有机半导体层45G以及蓝色有机半导体层45B。在这种情况下，红色有机半导体层45R、绿色有机半导体层45G以及蓝色有机半导体层45B的各个构成子像素。此外，相邻的有机半导体层45R、45G、45B的组合构成了 1个像素。
[0060]如图2A所示，辅助电极43在配置为矩阵状的有机半导体层45之间延伸而配置为格子状。通过像这样配置辅助电极43，能够抑制在与各有机半导体层45连接的第2电极46的电压下降中产生根据位置的差。此外如图2A所示，突起部44设于有机半导体层45与辅助电极43之间，来从侧方包围设于第一电极42上的有机半导体层45。S卩，突起部44沿设于第一电极42上的有机半导体层45的四边连续设置。由此，在去除辅助电极43上的有机半导体层45的工序中，能够防止飞散的有机半导体材料到达第1电极42上的有机半导体层45。
[0061]另外只要能够适当降低电压下降，辅助电极43便不需要在其整个区域内与第2电极46连接。S卩，在后述的去除工序中，不需要去除辅助电极43上的有机半导体层45的全部。因此突起部44可以如图2B所示，沿有机半导体层45的四边中的任意的边非连续地设置。同样在图2B所示的例子中，在去除被突起部44夹着的位置处的辅助电极43上的有机半导体层45的工序中，能够防止飞散的有机半导体材料到达第1电极42上的有机半导体层45，其中，该第1电极42位于至少局部被突起部44夹着的区域内。此外，通过将被突起部44夹着的位置处的辅助电极43与第2电极46连接，能够适当地抑制电压下降。
[0062]此外，只要能够适当抑制第2电极46的电压下降，则辅助电极43的配置没有特别限定。例如也可以如图2C以及图2D所示，辅助电极43沿着由与多个子像素对应的有机半导体层45R、45G、45B、45W构成的各像素设置。S卩，也可以在作为子像素的有机半导体层45R、45G、45B、45W之间不形成辅助电极43，而在由有机半导体层45R、45G、45B、45W构成的1个像素与其他的同样的像素之间形成辅助电极43。另外在图2C以及图2D中示出了各像素除了包含红色有机半导体层45R、绿色有机半导体层45G以及蓝色有机半导体层45B之外还包含白色有机半导体层45W来作为子像素的例子。
[0063]此外，只要能够适当抑制第2电极46的电压下降，则连接辅助电极43以及第2电极46的位置的配置没有特别限定。在图2C以及图2D中，连接辅助电极43以及第2电极46的位置由带有标号43x的虚线表示。如图2C所示，辅助电极43以及第2电极46可以在多个位置离散地连接。即，辅助电极43上的有机半导体层45可以在多个位置被离散地去除。此外，如图2D所示，辅助电极43以及第2电极46可以沿着辅助电极43延伸的方向线状地连接。即，辅助电极43上的有机半导体层45可以沿着辅助电极43延伸的方向被线状地去除。在图2D中，作为一例，示出了辅助电极43上的有机半导体层45沿着后述的输送盖材21的方向D1被线状地去除的例子。
[0064]另外，在图2A至图2D中，作为有机半导体层45，示出了使用多个种类的有机半导体层45R、45G、45B、45W的例子，但是不限于此。例如，构成子像素的有机半导体层45也可以都构成为生成同样的白色光。在这种情况下，作为进行各子像素的颜色区分的单元，例如能够使用彩色滤光器等。
[0065]接下来，对基于本实施方式的用于在基材41上形成有机半导体元件40的元件制造装置10以及元件制造方法进行说明。只要能够充分地防止杂质混入有机半导体元件40，实施元件制造方法的环境没有特别限定，例如元件制造方法有一部分是在真空环境下实施的。另外只要是至少比大气压低压的环境，真空环境中的具体的压力没有特别的限定，例如元件制造装置10的内部的压力为1.0X104Pa以下。
[0066]元件制造装置
[0067]图3是概略地示出元件制造装置10的图。如图3所示，元件制造装置10具备:第1电极形成装置11，其在基材41上形成多个第1电极42 ;辅助电极形成装置12，其在第1电极42之间形成辅助电极43 ;突起部形成装置13，其在第1电极42与辅助电极43之间形成突起部44 ;以及有机半导体层形成装置14，其在第1电极42、辅助电极43上以及突起部44上形成有机半导体层45。在以下的说明中，有时也将通过使用了各装置11、12、13、14的工序而得到的制品称为中间制品50。
[0068]元件制造装置10进一步具备在后述的盖材相对于中间制品50的一部分紧贴的期间内实施规定的处理的中间制品处理装置15。在本实施方式中，对中间制品处理装置15作为将设于辅助电极43上的有机半导体层45去除的去除装置而构成的例子进行说明。中间制品处理装置15具有平台18、盖材供给机构20、盖材按压机构30以及照射机构25。在下文叙述中间制品处理装置15的各构成要素。盖材21或者元件制造装置10进一步具备第2电极形装置16，该第2电极形装置16在辅助电极43上的有机半导体层45被去除之后在辅助电极43以及有机半导体层45上形成第2电极46。
[0069]如图3所示，元件制造装置10可以还具备输送装置17，该输送装置17为了在各装置11?16之间输送基材41以及中间制品50而与各装置11?16连接。
[0070]另外图3是从功能性角度来对各装置进行分