专利名称：硅片清洗装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及硅片领域，特别是涉及一种硅片清洗装置。
背景技术：
硅是太阳能光伏行业中的重要材料。太阳电池生产过程中，当使用P型硅作为电池基体材料时，在扩散过程中，磷和娃会在娃片表面形成一层化合物，我们称之为磷娃玻璃。这层物质会影响太阳光的入射，而且也会降低硅片表面和电极的接触性能，导致电池质量下降，所以需要去除这层磷硅玻璃。在实际生产中一般是利用稀氢氟酸溶液与磷硅化合物反应来去除磷硅玻璃，然后再经过去离子水漂洗。目前，太阳电池生产厂家一般都使用水平式去磷硅玻璃清洗机，采用将硅片在清洗槽中浸泡的方式来去除磷硅玻璃，为了实现浸泡的目的，通常在硅片进清洗槽处有一个下坡过程，在出清洗槽处有一个上坡的过程，并加装了多个上下辊轴组来使硅片顺利的在清洗槽内进出，通过氢氟酸清洗去除硅片表面的磷硅玻璃杂质。采用氢氟酸浸泡的方式决定了硅片刚进清洗槽体的时候会有个下坡的过程，出清洗槽体的时候会有上坡的过程，所以硅片受力比一般水平传动复杂，而且前后槽会有溢流，溢流方向与硅片前进方向正好相反，就会使硅片受到冲力，硅片在槽内前进的时候山于浸没在氢氟酸液体内，会受到氢氟酸的浮力，为了硅片正常的前进，需要在清洗槽内加上多个上下辊轴组作为驱动硅片前进的动力，所以，硅片又受到了辊轴组的上辊轴的压力。所以，在整个氢氟酸浸泡过程中硅片的受力情况非常复杂，也导致了采用目前的氢氟酸浸泡方式会产生碎片。采用如上所述的硅片浸泡清洗方式会导致硅片在氢氟酸清洗槽内受到很多的外力，包括氢氟酸的浮力、上辊轴的压力、溶液溢流的冲力、上下坡时受到的外力。硅片复杂的受力情况导致其很容易在氢氟酸清洗槽内碎片。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种硅片清洗装置，能够克服现有技术中存在的不足，使硅片在清洗过程中的受力情况简单化，减少硅片在清洗过程中的碎片概率。为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是:提供一种硅片清洗装置，包括:清洗槽和漂洗槽，所述清洗槽上设有进槽口，所述漂洗槽上设有出槽口，所述清洗槽和漂洗槽内均设有用于输送硅片的输送辊轮组，所述输送辊轮组的上方和下方分别设有用于喷射清洗硅片的多个上喷头和下喷头，所述清洗槽与漂洗槽之间设有过渡槽口和隔板。在本发明一个较佳实施例中，所述上喷头和下喷头均为斜向设置，且向硅片传输方向偏斜。在本发明一个较佳实施例中，所述清洗槽与漂洗槽内的液体平面均低于所述输送辊轮组上的硅片所在水平面。在本发明一个较佳实施例中，在靠近所述进槽口和出槽口处的输送辊轮组仅包括下辊轮。在本发明一个较佳实施例中，所述过渡槽口两侧的输送辊轮组仅包括下辊轮。在本发明一个较佳实施例中，所述隔板的高度低于下辊轮的高度。在本发明一个较佳实施例中，所述清洗槽内的溶液为碱性溶液。在本发明一个较佳实施例中，所述漂洗槽内为去离子水。本发明的有益效果是:本发明揭示的硅片清洗装置，将硅片清洗方式由浸泡式改为喷淋式，使硅片在清洗过程中的受力情况简单化，减少硅片在清洗过程中的碎片概率，结构简单，易实施。
图1是本发明硅片清洗装置的一较佳实施例的结构示意图；附图中各部件的标记如下:1、出槽口，2、漂洗槽，3、上辊轮，4、下辊轮，5、下喷头，
6、清洗槽，7、上喷头，8、进槽口，9、隔板，10、过渡槽口。
具体实施例方式下面结合附图对本发明的较佳实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。请参阅图1，本发明实施例包括:一种硅片清洗装置，包括:清洗槽6和漂洗槽2，所述清洗槽6上设有进槽口 8，所述漂洗槽2上设有出槽口 1，所述清洗槽6和漂洗槽2内均设有用于输送硅片的输送辊轮组，所述输送辊轮组的上方和下方分别设有用于喷射清洗硅片的多个上喷头7和下喷头5，所述清洗槽6与漂洗槽2之间设有过渡槽口 10和隔板9。所述上喷头7和下喷头5均为斜向设置，且向硅片传输方向偏斜。这样当清洗液喷淋下来时，可以减少硅片所受的正向压力，清洗液斜向喷淋，更有助于清洗效果。所述清洗槽6与漂洗槽2内的液体平面均低于所述输送辊轮组上的硅片所在水平面。这样可以避免槽内液体给硅片带来的浮力和阻力。在靠近所述进槽口 8和出槽口 I处的输送辊轮组仅包括下辊轮4，有助于硅片的传入和传出。所述过渡槽口 10两侧的输送辊轮组仅包括下辊轮4，有助于硅片从清洗槽6过渡到漂洗槽2。所述隔板9的高度低于下辊轮4的高度，这样有助于硅片从清洗槽6过渡到漂洗槽2,不会卡住娃片。所述清洗槽6内的溶液为碱性溶液。优选氢氧化钠溶液，有助于去除硅片上的污染物、黑斑等。所述漂洗槽2内为去离子水，对硅片进行漂洗，洗去硅片上的碱性溶液。本发明的工作原理如下:待喷淋清洗的硅片从进槽口 8进入清洗槽6内，在输送辊轮组的传动下硅片依次进入清洗槽6内，上喷头7与下喷头5对硅片的上下表面喷淋清洗液，完成清洗；然后硅片继续在输送辊轮组的传动下进入漂洗槽2，上喷头7与下喷头5对硅片的上下表面进行喷淋漂洗；最后硅片通过出槽口 I将漂洗好的硅片输送出去，进行后道工序。本发明硅片清洗装置，将硅片清洗方式由浸泡式改为喷淋式，使硅片在清洗过程中的受力情况简单化，减少硅片在清洗过程中的碎片概率，结构简单，易实施。以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
权利要求
1.一种硅片清洗装置，其特征在于，包括:清洗槽和漂洗槽，所述清洗槽上设有进槽口，所述漂洗槽上设有出槽口，所述清洗槽和漂洗槽内均设有用于输送硅片的输送辊轮组，所述输送辊轮组的上方和下方分别设有用于喷射清洗硅片的多个上喷头和下喷头，所述清洗槽与漂洗槽之间设有过渡槽口和隔板。
2.根据权利要求1所述的硅片清洗装置，其特征在于，所述上喷头和下喷头均为斜向设置，且向娃片传输方向偏斜。
3.根据权利要求1所述的硅片清洗装置，其特征在于，所述清洗槽与漂洗槽内的液体平面均低于所述输送辊轮组上的硅片所在水平面。
4.根据权利要求1所述的硅片清洗装置，其特征在于，在靠近所述进槽口和出槽口处的输送辊轮组仅包括下辊轮。
5.根据权利要求1所述的硅片清洗装置，其特征在于，所述过渡槽口两侧的输送辊轮组仅包括下辊轮。
6.根据权利要求1所述的硅片清洗装置，其特征在于，所述隔板的高度低于下辊轮的高度。
7.根据权利要求1所述的硅片清洗装置，其特征在于，所述清洗槽内的溶液为碱性溶液。
8.根据权利要求1所述的硅片清洗装置，其特征在于，所述漂洗槽内为去离子水。
全文摘要
本发明公开了一种硅片清洗装置，包括清洗槽和漂洗槽，所述清洗槽上设有进槽口，所述漂洗槽上设有出槽口，所述清洗槽和漂洗槽内均设有用于输送硅片的输送辊轮组，所述输送辊轮组的上方和下方分别设有用于喷射清洗硅片的多个上喷头和下喷头，所述清洗槽与漂洗槽之间设有过渡槽口和隔板。通过上述方式，本发明将硅片清洗方式由浸泡式改为喷淋式，使硅片在清洗过程中的受力情况简单化，减少硅片在清洗过程中的碎片概率，结构简单，易实施。
文档编号B08B13/00GK103121018SQ20111037046
公开日2013年5月29日 申请日期2011年11月21日 优先权日2011年11月21日
发明者李川川 申请人:常州市万阳光伏有限公司