专利名称：低频石英晶片滚筒设计工艺的制作方法
技术领域：
本发明涉及滚筒设计工艺，具体为低频石英晶片滚筒设计工艺。
背景技术：
生产石英晶片时，需要用到滚筒，而滚筒的性能好坏，直接决定了晶片的质量，目前的滚筒由于设计精度不高，生产出的晶片性能差，达不到应该的要求，所以开发一种新型的滚筒非常有必要。发明内容
本发明所解决的技术问题在于提供低频石英晶片滚筒设计工艺，以解决上述背景技术中的缺点。
本发明所解决的技术问题采用以下技术方案来实现:
低频石英晶片滚筒设计工艺，滚筒包括外筒和内筒，所述内筒位于外筒内部，所述内筒中最小直径为78mm,最大直径为90mm,所述外筒的直径为160mm。
本发明中，加料方式为砂:晶片=10: 3000，加水时必须将滚筒中加满水。
本发明中，滚筒的转速控制在:120-180转/秒。
本发明中，装料量为2500_3500pcs/筒，加工量控制在400_500KHz。
有益效果
本发明性能优异，效果优良。
图1为本发明中，滚筒的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本发明。
参见图1，低频石英晶片滚筒设计工艺，滚筒包括外筒I和内筒2，所述内筒2位于外筒I内部，所述内筒2中最小直径为78mm,最大直径为90mm,所述外筒I的直径为160mm。
本发明中，加料方式为砂:晶片=10: 3000，加水时必须将滚筒中加满水。
本发明中，滚筒的转速控制在:120-180转/秒。
本发明中，装料量为2500_3500pcs/筒，加工量控制在400_500KHz。
本发明生产的产品产品收能不大于12M，电阻不大于30欧姆。
以上显示和描述了本发明的基本原理和主要特征及本发明的优点，本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内，本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效 物界定。
权利要求
1.低频石英晶片滚筒设计工艺，其特征在于，滚筒包括外筒和内筒，所述内筒位于外筒内部，所述内筒中最小直径为78mm,最大直径为90mm,所述外筒的直径为160mm,加料方式为砂:晶片=10: 3000，加水时必须将滚筒中加满水，滚筒的转速控制在:120-180转/秒，装料量为2500-3500pcs/筒，加工量控制在 400_500KHz。
全文摘要
低频石英晶片滚筒设计工艺，滚筒包括外筒和内筒，所述内筒位于外筒内部，所述内筒中最小直径为78mm，最大直径为90mm，所述外筒的直径为160mm，加料方式为砂∶晶片＝10∶3000，加水时必须将滚筒中加满水，滚筒的转速控制在120-180转/秒，装料量为2500-3500pcs/筒，加工量控制在400-500KHz。本发明性能优异，效果优良。
文档编号C03B20/00GK103204620SQ20121000656
公开日2013年7月17日 申请日期2012年1月11日 优先权日2012年1月11日
发明者费卫民, 黄卫龙, 周步前, 夏伟, 刘乐 申请人:湖南英思特晶体电波有限公司