栅极驱动装置及其阵列基板的制作方法

文档序号:9647353阅读:251来源:国知局
栅极驱动装置及其阵列基板的制作方法
【专利说明】
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种液晶显示器技术领域,且特别是涉及一种栅极驱动装置及其阵列基板,用于液晶显示器。
【【背景技术】】
[0002]由于液晶显示器(liquid crystal display, LCD)具有低福射、体积小及低耗能等优点,因此逐渐取代传统的阴极射线管(cathode ray tube, CRT)显示器,广泛地应用在笔记型计算机、个人数字助理(personal digital assistant, PDA)、平面电视,或行动电话等
?目息广品上。
[0003]薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor IXD,TFT-1XD)是当前平板显示的主要产品之一,已经成为了现代信息科技产品(IT)以及视讯产品中重要的显示平台。近年来,为了满足较窄的显示边框以及成本降低的需求,栅级驱动芯片集成于阵列基板(GateOn Array, GOA)上之技术快速发展。
[0004]在实际运行中,栅极电压输出的下降沿变化过快(例:由33V下降至-7V)会影响面板内部的基准电压。传统的显示架构是通过连接阵列基板的外部印刷电路板(PCB)端来处理栅极的电压输出,但是无法在阵列基板上处理栅极的电压输出,而且所述印刷电路板(PCB)的栅极电压输出之电路较为复杂,因此需要发展一种新式的栅极驱动装置,以解决上述问题。

【发明内容】

[0005]有监于此,本发明的目的在于提供一种栅极驱动装置及其阵列基板,通过栅极信号处理模块实现栅极电压至少分成两级关启与关闭,使在单位时间内电压电平的变化减小,最终达到减少对基准电压影响的目的。
[0006]为达到上述发明目的,本发明第一实施例中提供一种栅极驱动装置及其阵列基板,设置于液晶面板的阵列基板上,其特征在于,所述栅极驱动装置包括:一驱动电路,用以在一信号周期之内输出第一栅极信号,所述信号周期包括关闭周期以及邻接所述关闭周期的开启周期;一栅极信号处理模块,电性连接所述驱动电路,用以在所述信号周期接收所述第一栅极信号,并且处理接收的所述第一栅极信号以形成一第二栅极信号,所述第二栅极信号在所述关闭周期具有第一电平;一控制元件,电性连接所述栅极信号处理模块,用以产生一控制信号,通过所述控制信号在所述开启周期开启所述栅极信号处理模块或是在所述关闭周期内关闭所述栅极信号处理模块;其中,当所述控制元件在所述开启周期内开启所述栅极信号处理模块时,所述栅极信号处理模块形成一第一电阻值,使所述栅极信号处理模块通过所述第一电阻值以调整接收的所述第一栅极信号,所述第二栅极信号在所述开启周期具有第二电平,其中所述第二电平小于所述第一电平。
[0007]在一实施例中,所述栅极信号处理模块包括:一电阻元件,具有一第二电阻值,所述电阻元件用以接收所述第一栅极信号;以及一晶体管,设有源极端、栅极端以及漏极端,所述源极端连接所述电阻元件,所述栅极端电性连接所述控制元件以接收控制信号,所述漏极端连接一接地端,所述源极端与所述电阻元件的电性连接处用以输出所述第二栅极信号。其中,所述控制信号用以控制所述晶体管的开启与关闭的状态,当所述控制信号开启所述晶体管时,所述晶体管在所述源极端与所述漏极端之间形成所述第一电阻值。
[0008]在一实施例中,所述晶体管为N型金属氧化物半导体场效晶体管。
[0009]在一实施例中,所述控制信号包括周期性方波信号。
[0010]在一实施例中,所述电阻元件的第二电阻值等于所述驱动电路的输出端与所述晶体管的源极端之间的阻抗值。
[0011]在一实施例中,所述第二栅极信号在所述开启周期的第二电平与所述第一电阻值正相关。
[0012]在一实施例中,当所述控制元件在所述开启周期内开启所述晶体管时,所述第二栅极信号以下列公式表示,S_out = S_in*(Rl/(Rl+R2),其中S_out表示所述第二栅极信号,S_in表示所述第一栅极信号,R1表示所述第一电阻值,R2表示所述第二电阻值。
[0013]在一实施例中,所述第一栅极信号的电平等于所述第二栅极信号在所述关闭周期的第一电平。
[0014]本发明第二实施例中提供一种阵列基板,包括栅极驱动装置,其特征在于,所述栅极驱动装置采用上述第一的栅极驱动装置。
[0015]在一实施例中,所述栅极信号处理模块包括:一电阻元件,具有一第二电阻值,所述电阻元件用以接收所述第一栅极信号;以及一晶体管,设有源极端、栅极端以及漏极端,所述源极端连接所述电阻元件,所述栅极端电性连接所述控制元件以接收控制信号,所述漏极端连接一接地端,所述源极端与所述电阻元件的电性连接处用以输出所述第二栅极信号。其中,所述控制信号用以控制所述晶体管的开启与关闭的状态,当所述控制信号开启所述晶体管时,所述晶体管在所述源极端与所述漏极端之间形成所述第一电阻值。
[0016]在一实施例中,所述晶体管为N型金属氧化物半导体场效晶体管。
[0017]在一实施例中,所述控制信号包括周期性方波信号。
[0018]在一实施例中,所述电阻元件的第二电阻值等于所述驱动电路的输出端与所述晶体管的源极端之间的阻抗值。
[0019]在一实施例中,所述第二栅极信号在所述开启周期的第二电平与所述第一电阻值正相关。
[0020]在一实施例中,当所述控制元件在所述开启周期内开启所述晶体管时,所述第二栅极信号以下列公式表示,S_out = S_in*(Rl/(Rl+R2),其中S_out表示所述第二栅极信号,S_in表示所述第一栅极信号,R1表示所述第一电阻值,R2表示所述第二电阻值。
[0021]在一实施例中,所述第一栅极信号的电平等于所述第二栅极信号在所述关闭周期的第一电平。
【【附图说明】】
[0022]图1:为根据本发明实施例中栅极驱动装置的电路示意图。
[0023]图2:为根据本发明实施例中栅极驱动装置的栅极信号处理模块的等效电路示意图。
[0024]图3:为根据本发明实施例中栅极信号处理模块的等效电阻电路之示意图。
[0025]图4:为根据本发明实施例中栅极信号处理模块的波形信号时序图。
【【具体实施方式】】
[0026]本发明说明书提供不同的实施例来说明本发明不同实施方式的技术特征。实施例中的各元件的配置是为了清楚说明本发明揭示的内容,并非用以限制本发明。在不同的图式中,相同的元件符号表示相同或相似的元件。
[0027]参考图1至图4,图1为根据本发明实施例中栅极驱动装置的电路示意图。图2为根据本发明实施例中栅极驱动装置的栅极信号处理模块的等效电路示意图。图3为根据本发明实施例中栅极信号处理模块的等效电阻电路之示意图。图4为根据本发明实施例中栅极信号处理模块的波形信号时序图。栅极驱动装置包括驱动电路100、栅极信号处理模块102以及控制元件104,所述驱动电路100电性连接所述栅极信号处理模块102,所述栅极信号处理模块102电性连接所述控制元件104。
[0028]驱动电路100用以在一信号周期T之内输出第一栅极信号SG1,所述信号周期T包括关闭周期TC以及邻接所述关闭周期TC的开启周期T0。栅极信号处理模块102用以在所述信号周期T接收所述第
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