专利名称：可挠性阵列基板的制造方法
技术领域：
本发明是有关于一种基板模块及阵列基板的制造方法，且特别是有关于一种基板模块及可挠性阵列基板的制造方法。
背景技术：
平面显示器是否具备可挠性，取决于其所使用的基板材质。当平面显示器所使用的基板为硬质基板(如玻璃基板)时，平面显示器将不具有可挠性。反之，平面显示器所使用的基板为可挠性基板(如塑胶基板)时，平面显示器便具有良好的可挠性。
目前，在硬质基板上制作薄膜晶体管的技术已渐趋成熟，但在可挠性基板上制作薄膜晶体管的技术仍有待开发。一般来说，若要在可挠性基板上制作薄膜晶体管，通常需先将可挠性基板粘着于硬质基板上，之后再进行一系列的成膜制造工艺。由于可挠性基板与硬质基板的热膨胀系数差异(thermalexpansion coefficient mis-match)很大，在可挠性基板上进行不同的成膜制造工艺(高温制造工艺)、光刻制造工艺以及刻蚀制造工艺时，常会因为操作温度升高而使可挠性基板产生翘曲。值得注意的是，在严重翘曲的可挠性基板上进行成膜制造工艺，将会使得膜层与膜层之间发生严重的误对准(mis-alignment)，进而导致制造工艺失败。因此，可挠性阵列基板的制造工艺良品率一直很难提升。
发明内容
本发明是提供一种可挠性阵列基板的制造方法，以改善可挠性基板发生翘曲的问题。
本发明是提供一种基板模块，以增进可挠性阵列基板的制造工艺良品率。
本发明提出一种可挠性阵列基板的制造方法，其包括以下步骤。首先，提供一硬质基板。然后，形成缓冲层于硬质基板上，使缓冲层以及硬质基板产生第一弯曲方向。接着，将可挠性基板粘着于缓冲层上。随之，于可挠性基板上进行成膜制造工艺。其中，进行成膜制造工艺时，可挠性基板产生第二弯曲方向，且第一弯曲方向与第二弯曲方向大致相反。
本发明另提出一种可挠性阵列基板的制造方法。首先，提供硬质基板。然后，于硬质基板上形成缓冲层，其中缓冲层的材质包括金属或金属化合物。接着，将可挠性基板粘着于缓冲层上。随之，于可挠性基板上进行成膜制造工艺。
本发明还提出一种可挠性阵列基板的制造方法。首先，提供硬质基板。接着，于硬质基板上形成缓冲层。随后，通过粘着层将可挠性基板与缓冲层接合。然后，于可挠性基板上进行成膜制造工艺。
在本发明的一实施例中，上述的缓冲层的热膨胀系数小于硬质基板的热膨胀系数或是等于硬质基板的热膨胀系数。另外，缓冲层的热膨胀系数也可以是介于硬质基板的热膨胀系数与可挠性基板的热膨胀系数之间。
在本发明的一实施例中，上述的将可挠性基板粘着于缓冲层的步骤包括先于缓冲层上形成粘着层，接着再通过粘着层接合可挠性基板以及缓冲层。或是，先于可挠性基板上形成粘着层，再通过粘着层接合可挠性基板以及缓冲层。
在本发明的一实施例中，在完成成膜制造工艺后，还包括令可挠性基板与缓冲层分离。
在本发明的一实施例中，上述的可挠性基板包括塑胶基板，而硬质基板包括玻璃基板。
在本发明的一实施例中，上述的成膜制造工艺包括主动元件阵列制造工艺、彩色滤光片制造工艺，或前述制造工艺的组合。其中，主动元件阵列制造工艺例如是非晶硅薄膜晶体管阵列制造工艺或多晶硅薄膜晶体管阵列制造工艺。
在本发明的一实施例中，上述的缓冲层的材质包括金属或金属化合物。详言之，缓冲层的材质例如是铝、铜、钼、钛、铬、钽或钨等金属或其化合物。
本发明又提出一种基板模块。此基板模块包括硬质基板、缓冲层、粘着层以及可挠性基板。缓冲层配置于硬质基板上，而粘着层配置于缓冲层上，另外可挠性基板通过粘着层与缓冲层接合。
本发明还提出一种基板模块。此基板模块包括硬质基板、缓冲层以及可挠性基板。缓冲层配置于硬质基板上，且缓冲层的材质包括金属或金属化合物。另外，可挠性基板粘着于缓冲层上。
在本发明的一实施例中，上述的缓冲层的热膨胀系数小于硬质基板的热膨胀系数或是等于硬质基板的热膨胀系数。另外，缓冲层的热膨胀系数也可以是介于硬质基板的热膨胀系数与可挠性基板的热膨胀系数之间。
在本发明的一实施例中，上述的基板模块还包括一粘着层，以使可挠性基板通过粘着层与缓冲层接合。
在本发明的一实施例中，上述的基板模块更包括一阵列结构，该阵列结构形成于可挠性基板上。另外，上述的阵列结构包括一主动元件阵列、一彩色滤光片阵列或上述组合。其中，主动元件阵列包括一非晶硅薄膜晶体管阵列或一多晶硅薄膜晶体管阵列。
在本发明的一实施例中，上述的可挠性基板包括一塑胶基板，而硬质基板包括一玻璃基板。
在本发明的一实施例中，上述的缓冲层的材质包括金属或金属化合物。实质上，缓冲层的材质例如是铝、铜、钼、钛、铬、钽或钨等金属或其化合物。
由于本发明将可挠性基板粘着在一缓冲层上，因此可挠性基板因温度改变而膨胀收缩所产生的应力能够被缓冲层的内应力抵消。如此，可挠性基板在进行成膜制造工艺当中，不易因为可挠性基板的翘曲或形变而导致制造工艺失败。
图1A到图1D为本发明的一实施例的可挠性阵列基板的制造流程剖面图。
图1E为本发明的一实施例的基板模块的立体图。
附图标号100基板模块110硬质基板120缓冲层130可挠性基板132面板140粘着层150成膜制造工艺160阵列结构B1第一弯曲方向B2第二弯曲方向具体实施方式
为让本发明的目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图，作详细说明如下。
图1A到图1D为本发明的一实施例的可挠性阵列基板的制造流程剖面图，而图1E为本发明的一实施例的基板模块的立体图。
请参照图1A，首先，提供一硬质基板110，此硬质基板110例如是玻璃基板、石英基板或是硅基板等。接着，在硬质基板110上形成缓冲层120。具体来说，缓冲层120例如是由铝、铜、钼、钛、铬、钽或钨等金属或其化合物所组成的。在本实施例中，缓冲层120的形成方式例如是通过物理汽相沉积(如溅射)或是化学汽相沉积等方式将金属或是金属化合物形成于硬质基板110上。在形成缓冲层120的过程中，本实施例可以通过调整物理汽相沉积或化学汽相沉积的制造工艺条件，例如制造工艺温度、反应气体流量、制造工艺压力等，以使形成于硬质基板110上的金属或是金属化合物具有不同的应力状态。在本实施例中，通过形成缓冲层120时的制造工艺调整可使缓冲层120与硬质基板110产生向第一弯曲方向B1的弯曲。
接着请参照图1B，接合可挠性基板130以及缓冲层120，例如是将可挠性基板130粘着于缓冲层120上。具体而言，本实施例可先于缓冲层120上形成粘着层140，再通过粘着层140接合可挠性基板130以及缓冲层120。然而，在其他实施例中，也可先将粘着层140形成于可挠性基板130上，再通过粘着层140接合可挠性基板130以及缓冲层120。其中，可挠性基板130例如是具备良好的可挠性(flexibility)的塑胶基板。
接着请参照图1C，在可挠性基板130上进行成膜制造工艺150，以于可挠性基板130上形成阵列结构160。一般而言，成膜制造工艺150例如是主动元件阵列制造工艺、彩色滤光片制造工艺，或前述制造工艺的组合。当所进行的成膜制造工艺150为主动元件阵列制造工艺时，可挠性基板130上所形成的阵列结构160为主动元件阵列；当所进行的成膜制造工艺150为彩色滤光片制造工艺时，可挠性基板130上所形成的阵列结构160即为彩色滤光片阵列。另一方面，当所进行的成膜制造工艺150同时包含主动元件阵列制造工艺以及彩色滤光片制造工艺时，可挠性基板130上所形成的阵列结构160则为COA(color filter on Array)阵列结构或AOC(array on color filter)阵列结构。承上述，主动元件阵列制造工艺例如是非晶硅薄膜晶体管阵列制造工艺或多晶硅薄膜晶体管阵列制造工艺。
一般而言，成膜制造工艺150在进行时，常会伴随温度的变化，而可挠性基板130具有较大的膨胀系数，在升温降温的过程当中常会有显著的体积变化。行成膜制造工艺150时，常因为粘着于硬质基板110上的可挠性基板130的膨胀或收缩而使可挠性基板130产生第二弯曲方向B2的翘曲或变形，进而造成曝光或是焦聚不良等问题。因此，本发明提出通过缓冲层120的配置以减小可挠性基板130在成膜制造工艺150中产生翘曲的程度。具体来说，当缓冲层120的热膨胀系数介于可挠性基板130及硬质基板110之间，则缓冲层120的热膨胀与收缩可以减缓可挠性基板130在成膜制造工艺150中产生的翘曲现象。然而，缓冲层120的热膨胀系数若是小于或等于硬质基板110的热膨胀系数，则可通过形成缓冲层120时产生的应力表现抵消可挠性基板130在成膜制造工艺150中产生热膨胀收缩的应力表现。在本实施例中，形成缓冲层120时，可以通过制造工艺条件的控制使缓冲层120与硬质基板110产生弯曲的第一弯曲方向B1与可挠性基板130产生翘曲的第二弯曲方向B2大致相反。如此一来，可挠性基板130因温度改变发生体积变化而造成朝向第二弯曲方向B2翘曲的量可以大幅减少，也因此使得可挠性阵列基板的制造工艺良品率有效地被提升。
接下来，请参照图1D，在完成成膜制造工艺150之后，本实施例可采用加热、降温或是光照等处理方式使可挠性基板130与硬质基板110分离。具体而言，本实施例可先利用加热、降温或是光照等处理方式使粘着层140粘性降低后，再将可挠性基板130自硬质基板110上取下。实际上，请参照图1E所绘示的基板模块100的立体图，可挠性基板130例如可以再切成多个较小尺寸的面板132。详言之，将可挠性基板130自硬质基板110上取下前，例如可以先将可挠性基板130切割成多个面板132，再使可挠性基板130与硬质基板110分离。或是，于可挠性基板130与硬质基板110分离之后，再将可挠性基板130切割成多个面板132。其中，切割可挠性基板130的方法例如是采用激光切割或是机械切割的方式。
综上所述，本发明的基板模块以及可挠性阵列基板的制造方法中，可通过不同制造工艺条件使缓冲层沉积在硬质板板上所形成的应力状态依照不同需求而有所调整。当缓冲层因热膨胀系数小于或等于硬质基板的热膨胀系数时，通过制造工艺条件的调整可使缓冲层于硬质基板上产生的应力表现与可挠性基板在成膜制造工艺之中热膨胀收缩所产生的应力表现相互抵消。另一方面，当缓冲层的热膨胀系数介于可挠式基板及硬质基板之间，则可挠性基板在经过成膜制造工艺中所导致的挠曲现像可以有效减小。因此，可挠性基板随着温度上升或下降而产生的翘曲或变形量可以大幅减少，使得成膜制造工艺的对位精准度提高，且可挠性阵列基板的制造工艺良品率也会随之提高。
虽然本发明已以实施例揭露如上，然而其并非用以限定本发明，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当以权利要求所界定的为准。
权利要求
1.一种可挠性阵列基板的制造方法，其特征在于，该方法包括提供一硬质基板；于所述的硬质基板上形成一缓冲层，使得所述的缓冲层以及所述的硬质基板产生一第一弯曲方向；接合一可挠性基板以及所述的缓冲层；以及于所述的可挠性基板上进行一成膜制造工艺，其中进行所述的成膜制造工艺时，所述的可挠性基板产生一第二弯曲方向，且所述的第一弯曲方向以及所述的第二弯曲方向大致相反。
2.如权利要求1所述的可挠性阵列基板的制造方法，其特征在于，所述的缓冲层的热膨胀系数小于或等于所述的硬质基板的热膨胀系数。
3.如权利要求1所述的可挠性阵列基板的制造方法，其特征在于，所述的缓冲层的热膨胀系数介于所述的硬质基板的热膨胀系数与所述的可挠性基板的热膨胀系数之间。
4.如权利要求1所述的可挠性阵列基板的制造方法，其特征在于，接合所述的可挠性基板以及所述的缓冲层的步骤包括形成一粘着层于所述的缓冲层上；以及通过所述的粘着层接合所述的可挠性基板以及所述的缓中层。
5.如权利要求1所述的可挠性阵列基板的制造方法，其特征在于，接合所述的可挠性基板以及所述的缓冲层的步骤包括形成一粘着层于所述的可挠性基板上；以及通过所述的粘着层接合所述的可挠性基板以及所述的缓冲层。
6.如权利要求1所述的可挠性阵列基板的制造方法，其特征在于，在完成所述的成膜制造工艺后，还包括令所述的可挠性基板与所述的缓冲层分离。
7.如权利要求1所述的可挠性阵列基板的制造方法，其特征在于，所述的可挠性基板包括一塑胶基板或一玻璃基板。
8.如权利要求1所述的可挠性阵列基板的制造方法，其特征在于，所述的成膜制造工艺包括主动元件阵列制造工艺、彩色滤光片制造工艺或前述制造工艺的组合。
9.如权利要求1所述的可挠性阵列基板的制造方法，其特征在于，所述的缓冲层的材质包括金属或金属化合物。
10.如权利要求1所述的可挠性阵列基板的制造方法，其特征在于，所述的缓冲层的材质包括铝、铜、钼、钛、铬、钽或钨。
全文摘要
本发明为一种可挠性阵列基板的制造方法。首先，提供一硬质基板。然后，于硬质基板上形成缓冲层。接着，将可挠性基板粘着于缓冲层上，以形成一基板模块。随之，于可挠性基板上进行成膜制造工艺。值得注意的是，形成缓冲层于硬质基板上时所产生的应力状态及缓冲层的物理性质可使可挠性基板在经过成膜制造工艺所导致的热膨胀收缩后所产生的翘曲减小。在经过成膜制造工艺之后，可挠性基板不易产生翘曲或是变形，因而提升可挠性阵列基板的制造工艺良品率。
文档编号G02F1/13GK101026090SQ200710091508
公开日2007年8月29日 申请日期2007年3月26日 优先权日2007年3月26日
发明者方国龙, 黄俊杰, 林汉涂, 蔡佳琪 申请人:友达光电股份有限公司