本发明涉及量子点技术领域,尤其涉及一种CdSe/CdS纳米棒、偏振薄膜及其制备方法。
背景技术:
由于液晶显示技术具有产生大幅图片、占据空间小、低能耗、平面直角显示以及影像稳定不闪烁等优点,其逐渐取代了阴极管技术。液晶显示技术采用背光源,同时采用偏振片、液晶及滤光片进行堆叠,实现光输出。其中,偏振片用来调整光的振动方向,滤光片用来过滤白光背光源从而产生其他颜色,然而这样的液晶堆叠结构会产生大量的热量,并导致能量损失。
近年来,量子点由于具有发射波长可通过尺寸调节、发射带窄、发光效率高、色纯度高以及稳定性好等特点,已成为具有巨大应用前景的新一代显示材料。目前市场上已经开始售卖量子点电视,这种量子点电视是采用蓝光LED和量子点作为背光源。与传统的液晶电视相比,虽然量子点的使用提高了电视的色域、亮度、色纯度、显色性以及发光部件的稳定性,但是其仍然需要采用偏振片、液晶及滤光片来控制光的输出,这样的堆叠结构不仅复杂且会导致大量的能量损失。
因此,现有技术还有待于改进和发展。
技术实现要素:
鉴于上述现有技术的不足,本发明的目的在于提供一种CdSe/CdS纳米棒、偏振薄膜及其制备方法,旨在解决现有的量子点电视仍然采用偏振片、液晶及滤光片来控制光的输出,这样的堆叠结构不仅复杂且会导致大量的能量损失的问题。
本发明的技术方案如下:
一种CdSe/CdS纳米棒的制备方法,其中,包括步骤:
A、按摩尔比计,将氧化镉、三辛胺、油酸以1:5~18:2~12:的比例搅拌混匀并加热,制备油酸镉的前驱溶液,备用;
B、 将与氧化镉按摩尔比计为0.5~2:1的Se粉溶解在TOP溶液中得到Se-TOP溶液,再将所述Se-TOP溶液加入到所述油酸镉的前驱溶液中,加热反应生成CdSe籽晶,离心清洗,将所述CdSe籽晶溶于TOP中得到CdSe籽晶溶液,备用;
C、将S粉溶解在TOP溶液中得到S-TOP溶液,再将所述S-TOP溶液加入到所述CdSe籽晶溶液中,搅拌混匀后备用;
D、按摩尔比计,将氧化镉、三辛胺、油酸及丙基膦酸以1:5~24:2 ~16:2~8的比例搅拌混匀并加热预定时间后,再加入S-TOP和CdSe籽晶的混合溶液,加热反应4~10min后得到最终溶液,所述最终溶液经过冷却、离心、干燥处理后制得CdSe/CdS纳米棒。
较佳地,所述的CdSe/CdS纳米棒的制备方法,其中,所述步骤A具体包括:
A1、将氧化镉、三辛胺及油酸搅拌均匀,在160~180℃下抽真空30~90min,随后在Ar气环境下加热到300℃,使氧化镉充分溶解,得到无色透明溶液;
A2、向所述无色透明溶液中加入Se粉和TOP的混合溶液,在280~350℃的温度条件下反应4~10min,得到中间混合溶液;
A3、将所述中间混合溶液冷却至80~120℃后,加入甲苯和甲醇离心1~3次后得到CdSe籽晶,将所述CdSe籽晶溶解在TOP溶液中,得到CdSe籽晶溶液,备用。
较佳地,所述的CdSe/CdS纳米棒的制备方法,其中,所述步骤D具体包括:
D1、将氧化镉、三辛胺、油酸及丙基膦酸搅拌混匀,在130~160℃下抽真空30~90min,随后在Ar气环境下加热到320~380℃,得到初步混合溶液;
D2、将S-TOP和CdSe籽晶的混合溶液加入到所述初步混合溶液中在330~380℃条件下反应4~10min后得到最终溶液;
D3、将所述最终溶液冷却80~120℃后,加入甲苯和甲醇离心1~3次后得到沉淀物,将所述沉淀物干燥4~8h后,得到CdSe/CdS纳米棒。
较佳地,所述的CdSe/CdS纳米棒的制备方法,其中,所述
一种CdSe/CdS纳米棒,其中,采用上述任意一种方法制备得到。
一种偏振薄膜的制备方法,其中,包括步骤:
将上述的CdSe/CdS纳米棒溶解在氯仿、甲苯、正己烷或者正辛烷等溶剂中,得到CdSe/CdS纳米棒溶液;
将所述CdSe/CdS纳米棒溶液旋涂在ITO玻璃片衬底上,得到旋涂样品;
将所述旋涂样品进行干燥后,制得偏振薄膜。
较佳地,所述的偏振薄膜的制备方法,其中,还包括:
预先将ITO玻璃片衬底依次放入去离子水和丙酮中清洗10~30min后,再将所述ITO玻璃片衬底放入异丙醇中超声清洗20~30min,清洗完成后烘干。
较佳地,所述的偏振薄膜的制备方法,其中,采用匀胶机将CdSe/CdS纳米棒溶液旋涂在ITO玻璃片衬底上,所述匀浆机的转速为800~1400r/min。
较佳地,所述的偏振薄膜的制备方法,其中,旋涂时间为4~8s,旋涂样品的干燥时间为20~28h。
一种偏振薄膜,其中,采用上述任意一种方法制备得到。
一种显示器件,其中,采用上述的偏振薄膜制备而成。
有益效果:本发明制备的基于CdSe/CdS纳米棒的偏振薄膜,具有量子产率高、发光效率高以及稳定性好等优点,并且CdSe/CdS纳米棒的过度偶极子沿着纳米棒的长轴排列,能使光产生偏振发射,因而可作为一种较佳的偏振光源,通过采用本发明的基于CdSe/CdS纳米棒的偏振薄膜来作为背光源,使得量子点电视可有效实现光输出,不需要通过增加偏振片来控制光的输出,从而避免能量损失并且简化背光源组件结构。
附图说明
图1为本发明一种CdSe/CdS纳米棒的的制备方法较佳实施例的流程图。
图2为本发明CdSe/CdS纳米棒的合成过程结构示意图。
图3为本发明一种偏振薄膜的制备方法较佳实施例的流程图。
具体实施方式
本发明提供一种CdSe/CdS纳米棒、偏振薄膜及其制备方法,为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确,以下对本发明进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
请参阅图1,图1为本发明一种CdSe/CdS纳米棒的制备方法较佳实施例的流程图,如图所示,其包括步骤:
S100、按摩尔比计,将氧化镉、三辛胺、油酸以1:5~18:2~12:的比例搅拌混匀并加热,制备油酸镉的前驱溶液,备用;
S200、将与氧化镉按摩尔比计为0.5~2:1的Se粉溶解在TOP溶液中得到Se-TOP溶液,再将所述Se-TOP溶液加入到所述油酸镉的前驱溶液中,加热反应生成CdSe籽晶,离心清洗,将所述CdSe籽晶溶于TOP中得到CdSe籽晶溶液,备用;
S300、将S粉溶解在TOP溶液中得到S-TOP溶液,再将所述S-TOP溶液加入到所述CdSe籽晶溶液中,搅拌混匀后备用;
S400、按摩尔比计,将氧化镉、三辛胺、油酸及丙基膦酸以1:5~24:2 ~16:2~8的比例搅拌混匀并加热预定时间后,再加入S-TOP和CdSe籽晶的混合溶液,加热反应4~10min后得到最终溶液,所述最终溶液经过冷却、离心、干燥处理后制得CdSe/CdS纳米棒。
通过本发明方法制备的CdSe/CdS纳米棒如图2所示,所述CdSe/CdS纳米棒具有核壳结构;所述核壳结构中,核为椭圆形或棒形结构,壳为棒形结构。介电限域效应使得CdSe/CdS纳米棒的过度偶极子沿着纳米棒的长轴排列,并且单向排列的纳米晶阵列能产生偏振发射,使其能作为近乎完美的偏振光源。
进一步,在本发明实施例中,所述步骤S100具体包括:
S110、将氧化镉、三辛胺及油酸搅拌均匀,在160~180℃下抽真空30~90min,随后在Ar气环境下加热到300℃,使氧化镉充分溶解,得到无色透明溶液;
较佳地,将氧化镉、三辛胺及油酸按摩尔比计以1:5~18:2~12的比例加入烧瓶中,以300r/min的搅拌速度混合均匀,先在170℃条件下抽真空60min,然后在Ar气环境下加热到300℃,使氧化镉充分溶解形成无色透明的溶液,备用。
S120、向所述无色透明溶液中加入Se粉和TOP的混合溶液,在280~350℃的温度条件下反应4~10min,得到中间混合溶液;
具体地,先将适量三辛基膦(Trioctylphosphine, TOP)快速加入到所述无色透明溶液中,待温度重新恢复到300℃时,再向所述无色透明溶液中加入硒粉和TOP的混合溶液,并维持在280~350℃的温度条件下反应4~10min,得到中间混合物。较佳地,将所述无色透明溶液中加入硒粉和TOP的混合溶液后,维持在300℃的温度条件下反应7min,可得到效果更佳的中间混合物。
S130、将所述中间混合溶液冷却至80~120℃后,加入甲苯和甲醇离心1~3次后得到CdSe籽晶,将所述CdSe籽晶溶解在TOP溶液中,得到CdSe籽晶溶液,备用。
较佳地,将所述中间混合溶液冷却至100℃后倒入离心管中,首先向离心管中加入乙酸乙酯和甲醇得到沉淀物,随后加入甲苯和甲醇反复离心2次后得到CdSe籽晶,将所述述CdSe籽晶溶解在TOP溶液中,得到CdSe籽晶溶液,备用。
进一步,在本发明实施例中,所述步骤S300具体包括:
S410、将氧化镉、三辛胺、油酸及丙基膦酸搅拌混匀,在130~160℃下抽真空30~90min,随后在Ar气环境下加热到320~380℃,得到初步混合溶液;
较佳地,将氧化镉、三辛胺、油酸及丙基膦酸按摩尔比计以1:5~24:2 ~16:2~8的比例加入烧瓶中,以100r/min的搅拌速度混合均匀,先在150℃下抽真空60min,随后在Ar气环境下加热到360℃,得到初步混合溶液。
S420、将S-TOP和CdSe籽晶的混合溶液加入到所述初步混合溶液中在330~380℃条件下反应4~10min后得到最终溶液;
较佳地,将S-TOP和CdSe籽晶的混合溶液加入到所述初步混合溶液中在360℃条件下反应6min后得到最终溶液。
S430、将所述最终溶液冷却至80~120℃后倒入离心管中,并加入甲苯和甲醇反复离心1~3次后得到沉淀物,将所述沉淀物干燥4~8h后,得到CdSe/CdS纳米棒。
较佳地,将所述将所述最终溶液冷却至100℃后倒入离心管中,首先向离心管中加入乙酸乙酯和甲醇得到沉淀物,随后加入甲苯和甲醇反复离心2次后得到沉淀物,再将所述沉淀物放置在真空干燥箱中干燥6h后,得到CdSe/CdS纳米棒。
基于上述方法,本发明还提供一种CdSe/CdS纳米棒,其中,采用上述任意一种方法制备得到。
进一步,本发明还提供一种偏振薄膜的制备方法,其中,如图3所示,包括步骤:
S1、将上述的CdSe/CdS纳米棒溶解在氯仿、甲苯、正己烷或者正辛烷等溶剂中,得到CdSe/CdS纳米棒溶液;
S2、将所述CdSe/CdS纳米棒溶液旋涂在ITO玻璃片衬底上,得到旋涂样品;
具体来说,本发明采用匀浆机将CdSe/CdS纳米棒溶液旋涂在ITO玻璃片衬底上,所述匀胶机的转速为800~1400r/min,旋涂时间为4~8s。
优选地,将CdSe/CdS纳米棒溶液旋涂在ITO玻璃片衬底上的过程中,设置匀浆机的转速为1000 r/min,旋涂时间为6s,通过这种方式制得的偏振薄膜厚度均匀,且发光效率高。
S3、将所述旋涂样品进行干燥后,制得偏振薄膜。
具体地,旋涂样品在真空干燥箱中的干燥时间为20~28h,优选干燥时间为24h,在此条件下可使得溶剂挥发完全,制得发光效率高、稳定性较佳的偏振薄膜。
进一步,在本发明实施例中,所述步骤S1之前还包括:
预先将ITO玻璃片依次放入去离子水和丙酮中清洗10~20min后,再将所述ITO玻璃片放入异丙醇中超声清洗20~30min,清洗完成后放入烘箱中烘干。
优选地,预先将ITO玻璃片依次放入去离子水和丙酮中清洗20min后,再将所述ITO玻璃片放入异丙醇中超声清洗30min,清洗完成后放入120℃的烘箱中烘干。通过上述方法处理后可使得ITO玻璃片与偏振薄膜贴合紧密,更有利于制备出厚度均匀、发光效率高、稳定性强的偏振薄膜。
基于上述方法,本发明还提供一种偏振薄膜,其中,采用上述任意一种方法制备得到。
进一步,本发明还提供一种显示器件,其中,采用上述的偏振薄膜制备而成。
下面通过具体实施例来对本发明上述方案做进一步的讲解:
实施例1
1. CdSe/CdS核壳结构纳米棒制备:
(1) CdSe籽晶的制备:60 mg氧化镉(Cadmium oxide, CdO)、2.8 g三辛胺(Trioctylamine, TOA)、1.2 g油酸(Oleic acid, OA)在50 mL三口烧瓶中混合搅拌均匀,真空下加热到170 ℃并脱气1 h。在Ar气氛下,将溶液加热到300℃,使氧化镉充分溶解,形成无色透明的溶液。随后将1.5 g三辛基膦(Trioctylphosphine, TOP)快速注入烧瓶中,溶液温度稍有降低。待溶液温度回升到300 ℃时,往烧瓶中注入40 mg Se和2 mL TOP的混合溶液,使反应维持在300℃下维持5 min。反应完成后,将溶液冷却至100 ℃倒入离心管中,加入乙酸乙酯和甲醇使之沉淀,取出沉淀物,随后用甲苯和甲醇反复2次离心得到CdSe籽晶。最后将CdSe籽晶溶解在TOP中配置浓度为0.4 mmol/mL的溶液备用。
(2) CdSe/CdS纳米棒的制备。称取128 mg S粉溶解在TOP中得到S-TOP溶液,再将S-TOP加入到100 μL上述CdSe溶液中备用。称量96.3 mg CdO、3.0 g三辛胺、1.2 g油酸、360 mg丙基膦酸混合在三口烧瓶中,溶液在150℃下抽真空1 h。随后将溶液在Ar气氛下加热到360 ℃,注入1.5 g TOP,待温度回升到360℃,将S-TOP与CdSe的混合溶液迅速注入三口烧瓶中,反应持续6 min后,去除加热套使溶液冷却。加入乙酸乙酯和甲醇使之沉淀,随后用甲苯和甲醇反复离心得到沉淀,将沉淀的甲苯溶液置于真空干燥箱中干燥6 h,得到CdSe/CdS纳米棒晶体。
2. 纳米棒的增强薄膜的制备方法如下:
CdSe/CdS薄膜是通过在商用ITO镀膜玻璃基板上旋涂CdSe/CdS溶液得到的。具体过程为:将4*4 cm2的ITO玻璃片分别放入去离子水、丙酮中清洗20 min,然后放入异丙醇中超声清洗30 min,取出在120℃烘箱中烘干。配置20 mg/mL的CdSe/CdS纳米棒的氯仿溶液,采用旋涂法将溶液旋涂在已经清洗烘干的ITO玻璃片衬底上旋涂过程中设置匀胶机的转速为1000 r/min,旋转时间为5 s,将刚旋涂好的样品放置在真空干燥箱中,在室温下干燥24 h使溶剂挥发完全。
实施例2
1. CdSe/CdS核壳结构纳米棒制备:
(1) CdSe籽晶的制备:128.4 mg氧化镉(Cadmium oxide, CdO)、3.53 g三辛胺(Trioctylamine, TOA)、2.06 g油酸(Oleic acid, OA)在50 mL三口烧瓶中混合搅拌均匀,真空下加热到170 ℃并脱气1 h。在Ar气氛下,将溶液加热到300℃,使氧化镉充分溶解,形成无色透明的溶液。随后将1.5 g三辛基膦(Trioctylphosphine, TOP)快速注入烧瓶中,溶液温度稍有降低。待溶液温度回升到320 ℃时,往烧瓶中注入79 mg Se和2 mL TOP的混合溶液,使反应维持在320℃下维持5 min。反应完成后,将溶液冷却至100 ℃倒入离心管中,加入乙酸乙酯和甲醇使之沉淀,取出沉淀物,随后用甲苯和甲醇反复2次离心得到CdSe籽晶。最后将CdSe籽晶溶解在TOP中配置浓度为0.8 mmol/mL的溶液备用。
(2) CdSe/CdS纳米棒的制备:称取128 mg S粉溶解在TOP中得到S-TOP溶液,再将S-TOP加入到200 μL上述CdSe溶液中备用。称量128.4 mg CdO、3.0 g三辛胺、1.5 g油酸、744 mg丙基膦酸混合在三口烧瓶中,溶液在150℃下抽真空1 h。随后将溶液在Ar气氛下加热到320 ℃,注入1.5 g TOP,待温度回升到320℃,将S-TOP与CdSe的混合溶液迅速注入三口烧瓶中,反应持续6 min后,去除加热套使溶液冷却。加入乙酸乙酯和甲醇使之沉淀,随后用甲苯和甲醇反复离心得到沉淀,将沉淀的甲苯溶液置于真空干燥箱中干燥6 h,得到CdSe/CdS纳米棒晶体。
2. 纳米棒的增强薄膜的制备方法如下:
CdSe/CdS薄膜是通过在商用ITO镀膜玻璃基板上旋涂CdSe/CdS溶液得到的。具体过程为:将4*4 cm2的ITO玻璃片分别放入去离子水、丙酮中清洗20 min,然后放入异丙醇中超声清洗30 min,取出在120℃烘箱中烘干。配置10 mg/mL的CdSe/CdS纳米棒的甲苯溶液,采用旋涂法将溶液旋涂在已经清洗烘干的ITO玻璃片衬底上,旋涂过程中设置匀胶机的转速为1000 r/min,旋转时间为5 s,将刚旋涂好的样品放置在真空干燥箱中,在室温下干燥24 h使溶剂挥发完全。
实施例3
1、一种CdSe/CdS纳米棒的制备方法:
按摩尔比计,将氧化镉、三辛胺及油酸以1:5:2的比例加入烧瓶中搅拌均匀,在160℃下抽真空50min,随后在Ar气环境下加热到300℃,使氧化镉充分溶解,得到无色透明溶液;向所述无色透明溶液中加入硒粉和TOP的混合溶液,在280℃的温度条件下反应4min,得到中间混合溶液;将所述中间混合溶液冷却至80℃后倒入离心管中,加入乙酸乙酯和甲醇使之沉淀,取出沉淀物,并加入甲苯和甲醇离心1次后得到CdSe籽晶,将所述CdSe籽晶溶解在TOP溶液中,得到CdSe籽晶溶液,备用;将S粉溶解在TOP溶液中得到S-TOP溶液,再将所述S-TOP溶液加入到所述CdSe籽晶溶液中,搅拌混匀后备用;按摩尔比计,将氧化镉、三辛胺、油酸及丙基膦酸以1:5:2:2的比例加入烧瓶中搅拌混匀,在130℃下抽真空50min,随后在Ar气环境下加热到360℃,得到初步混合溶液;将S-TOP和CdSe籽晶的混合溶液加入到所述初步混合溶液中在330℃条件下反应4min后得到最终溶液;将所述最终溶液冷却80℃后倒入离心管中,加入乙酸乙酯和甲醇使之沉淀,取出沉淀物,并加入甲苯和甲醇反复离心1次后得到沉淀物,将所述沉淀物放置在真空干燥箱中干燥4h后,得到CdSe/CdS纳米棒;
2、一种偏振薄膜的制备方法:
预先将ITO玻璃片依次放入去离子水和丙酮中清洗10min后,再将所述ITO玻璃片放入异丙醇中超声清洗20min,清洗完成后放入烘箱中烘干;将上述的CdSe/CdS纳米棒溶解在正辛烷中,得到CdSe/CdS纳米棒溶液;采用匀浆机将CdSe/CdS纳米棒溶液旋涂在ITO玻璃片衬底上,所述匀浆机的转速为800r/min,得到旋涂样品;旋涂时间为4s;将所述旋涂样品放在真空干燥箱中进行干燥后,干燥时间为20h,制得偏振薄膜。
实施例4
1、一种CdSe/CdS纳米棒的制备方法:
按摩尔比计,将氧化镉、三辛胺及油酸以1:12:7的比例加入烧瓶中搅拌均匀,在170℃下抽真空60min,随后在Ar气环境下加热到300℃,使氧化镉充分溶解,得到无色透明溶液;向所述无色透明溶液中加入硒粉和TOP的混合溶液,在320℃的温度条件下反应6min,得到中间混合溶液;将所述中间混合溶液冷却至100℃后倒入离心管中,加入乙酸乙酯和甲醇使之沉淀,取出沉淀物,并加入甲苯和甲醇反复离心2次后得到CdSe籽晶,将所述CdSe籽晶溶解在TOP溶液中,得到CdSe籽晶溶液,备用;将S粉溶解在TOP溶液中得到S-TOP溶液,再将所述S-TOP溶液加入到所述CdSe籽晶溶液中,搅拌混匀后备用;按摩尔比计,将氧化镉、三辛胺、油酸及丙基膦酸以1:14:9:5的比例加入烧瓶中搅拌混匀,在145℃下抽真空60min,随后在Ar气环境下加热到360℃,得到初步混合溶液;将S-TOP和CdSe籽晶的混合溶液加入到所述初步混合溶液中在360℃条件下反应7min后得到最终溶液;将所述最终溶液冷却100℃后倒入离心管中,加入乙酸乙酯和甲醇使之沉淀,取出沉淀物,并加入甲苯和甲醇反复离心2次后得到沉淀物,将所述沉淀物放置在真空干燥箱中干燥6h后,得到CdSe/CdS纳米棒;
2、一种偏振薄膜的制备方法:
预先将ITO玻璃片依次放入去离子水和丙酮中清洗15min后,再将所述ITO玻璃片放入异丙醇中超声清洗25min,清洗完成后放入烘箱中烘干;将上述的CdSe/CdS纳米棒溶解在正己烷中,得到CdSe/CdS纳米棒溶液;采用匀浆机将CdSe/CdS纳米棒溶液旋涂在ITO玻璃片衬底上,所述匀浆机的转速为1100r/min,得到旋涂样品;旋涂时间为6s;将所述旋涂样品放在真空干燥箱中进行干燥后,干燥时间为24h,制得偏振薄膜。
实施例5
1、一种CdSe/CdS纳米棒的制备方法:
按摩尔比计,将氧化镉、三辛胺及油酸以1:18:12的比例加入烧瓶中搅拌均匀,在180℃下抽真空90min,随后在Ar气环境下加热到300℃,使氧化镉充分溶解,得到无色透明溶液;向所述无色透明溶液中加入硒粉和TOP的混合溶液,在350℃的温度条件下反应10min,得到中间混合溶液;将所述中间混合溶液冷却至120℃后倒入离心管中,加入乙酸乙酯和甲醇使之沉淀,取出沉淀物,并加入甲苯和甲醇反复离心3次后得到CdSe籽晶,将所述CdSe籽晶溶解在TOP溶液中,得到CdSe籽晶溶液,备用;将S粉溶解在TOP溶液中得到S-TOP溶液,再将所述S-TOP溶液加入到所述CdSe籽晶溶液中,搅拌混匀后备用;按摩尔比计,将氧化镉、三辛胺、油酸及丙基膦酸以1:24:16:8的比例加入烧瓶中搅拌混匀,在160℃下抽真空90min,随后在Ar气环境下加热到360℃,得到初步混合溶液;将S-TOP和CdSe籽晶的混合溶液加入到所述初步混合溶液中在380℃条件下反应10min后得到最终溶液;将所述最终溶液冷却120℃后倒入离心管中,加入乙酸乙酯和甲醇使之沉淀,取出沉淀物,并加入甲苯和甲醇反复离心3次后得到沉淀物,将所述沉淀物放置在真空干燥箱中干燥8h后,得到CdSe/CdS纳米棒;
2、一种偏振薄膜的制备方法:
预先将ITO玻璃片依次放入去离子水和丙酮中清洗20min后,再将所述ITO玻璃片放入异丙醇中超声清洗30min,清洗完成后放入烘箱中烘干;将上述的CdSe/CdS纳米棒溶解在氯仿中,得到CdSe/CdS纳米棒溶液;采用匀浆机将CdSe/CdS纳米棒溶液旋涂在ITO玻璃片衬底上,所述匀浆机的转速为1400r/min,得到旋涂样品;旋涂时间为8s;将所述旋涂样品放在真空干燥箱中进行干燥后,干燥时间为28h,制得偏振薄膜。
综上所述,本发明制备的基于CdSe/CdS纳米棒的偏振薄膜,具有量子产率高、发光效率高以及稳定性好等优点,并且CdSe/CdS纳米棒的过度偶极子沿着纳米棒的长轴排列,能使光产生偏振发射,因而可作为一种较佳的偏振光源,通过采用本发明的基于CdSe/CdS纳米棒的偏振薄膜来作为背光源,使得量子点电视可有效实现光输出,不需要通过增加偏振片来控制光的输出,从而避免能量损失并且简化背光源组件结构。
应当理解的是,本发明的应用不限于上述的举例,对本领域普通技术人员来说,可以根据上述说明加以改进或变换,所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。