一种阵列基板及液晶显示面板的制作方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及显示领域，特别是涉及一种阵列基板及包含该阵列基板的液晶显示面 板。
【背景技术】
[0002] 平板显示器以其轻薄、省电等优点受到人们的欢迎，其中以液晶显示装置最为常 见。液晶显示面板一般包括有阵列基板、彩膜基板及填充在阵列基板以及彩膜基板之间的 液晶层。阵列基板和彩膜基板的至少一者上形成有像素电极和公共电极，在加电在像素电 极和公共电极间形成电场，通过控制电场强度的变化调制液晶分子的取向角度，从而使背 光源的光透过率发生变化。
[0003] 液晶显示面板（LiquidCrystalDisplay,LCD)按照其液晶的工作模式，主要包 括如下两种：一种是纵电场方式，在该方式中，利用与基板面实质上垂直的方向的电场驱 动液晶层，对入射到液晶层的光进行调制从而实现显示，该种显示模式的主要有扭曲向列 (TwistedNematic，TN)模式、多畴垂直取向（Multi-domainVerticalAlignment，MVA)模 式等；另一种是横电场方式，在该方式中，利用与基板面实质上平行的方向的电场驱动液晶 层，对入射到液晶层的光进行调制从而实现显示，该种显示模式主要有平面转换（In-plane Switching，IPS)型、边缘场转换（FringeFieldSwitching，FFS)型等。
[0004] 由于横电场模式液晶显示面板在个方向观察时色偏较小，以及色彩还原性高、响 应速度快、对比度高、视角宽等特点，在实际应用中越来越广泛。在实际使用过程中，为了进 一步改善在大视角下的色偏及灰阶反转问题，通常采用双畴或者伪双畴的像素结构，即在 一个像素或者沿数据线延伸方向相邻的两个像素中，使得像素的像素电极或者公共电极具 有沿两个方向延伸的条形电极，使得任一行或者相邻两行像素中，任意一种颜色的子像素 在不同的视角方向上，灰阶和透过率的关系由于都是经条状电极倾斜方向不同的两个区域 或者像素之间补偿后得到的综合效果，可以改善色偏和灰阶反转现象。
[0005] 当采用伪双畴结构时，虽然可以改善色偏和灰阶反转现象，然而由于工艺精度等 原因，在阵列基板制备取向层取向过程中，以及显示面板偏光片贴附过程中，总是会出现一 定的角度偏差。进而造成了相邻两行像素之间透过率的微小差异，导致在灰阶显示时相邻 两行像素之间显示亮度不同，造成了横条纹显示不良。
【发明内容】
[0006] 有鉴于此，本发明提供一种阵列基板，以及包含该阵列基板的液晶显示面板。
[0007] 本发明提供了一种阵列基板，包括：基板；设置在所述基板上的多条扫描线和多 条数据线，多条所述扫描线和所述数据线彼此交叉限定多个像素区域；开关元件，靠近所述 扫描线与所述数据线的交叉处；像素电极和公共电极，所述像素电极和/或公共电极包括 条形电极，所述条形电极位于所述像素区域内且包括直线部；沿所述数据线延伸方向相邻 的两个所述像素区域，所述条形电极的所述直线部关于扫描线延伸方向实质上对称；设置 在所述基板上的取向层，所述取向层的取向方向实质上垂直于所述扫描线的延伸方向；所 述直线部延伸方向与所述取向层的取向方向的夹角大于等于4度小于等于6度。
[0008] 本发明还提供了一种包含上述阵列基板的液晶显示面板，所述液晶显示面板包括 上述阵列基板，与所述阵列基板相对设置的彩膜基板，以及夹持于所述阵列基板与所述彩 膜基板之间的液晶层。
[0009] 与现有技术相比，本发明至少具有如下突出的优点之一：
[0010] 本发明的条形电极直线部的延伸方向与取向层的取向方向夹角大于等于4度且 小于等于6度，可以改善在对位偏差时沿数据线延伸方向相邻的两个像素区域的透过率差 异，使得在产生对位偏差时，沿数据线延伸方向相邻的两个像素区域透过率大体上相当，改 善横条纹显示不均。
【附图说明】
[0011] 图la为本发明实施例提供的一种阵列基板的俯视结构示意图；
[0012] 图lb为图la中沿AA'截面的剖视结构示意图；
[0013] 图2a本发明实施例提供的另一种阵列基板的俯视结构示意图；
[0014] 图2b为图2a中沿BB'截面的剖视结构示意图；
[0015] 图3a本发明实施例提供的又一种阵列基板的俯视结构示意图；
[0016] 图3b为图3a中沿CC'截面的剖视结构示意图；
[0017] 图4a本发明实施例提供的再一种阵列基板的俯视结构示意图；
[0018] 图4b为图4a中沿DD'截面的剖视结构示意图；
[0019] 图5a本发明实施例提供的又一种阵列基板的俯视结构示意图；
[0020] 图5b为图5a中沿EE'截面的剖视结构示意图；
[0021] 图6是本发明实施例提供的一种液晶显示面板的结构示意图。
【具体实施方式】
[0022] 为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面将结合附图和实施 例对本发明做进一步说明。
[0023] 需要说明的是，在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本发明。但是本发 明能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内 涵的情况下做类似推广。因此本发明不受下面公开的【具体实施方式】的限制。
[0024] 请参考图la与图lb，图la为本发明实施例提供的一种阵列基板的俯视结构示意 图，图lb为图la中沿AA'截面的剖视结构示意图。
[0025] 结合参考图la与图lb，本实施例提供的一种阵列基板包括：基板100 ;设置在所 述基板100上的多条扫描线105和多条数据线107,多条所述扫描线105和所述数据线107 彼此交叉限定多个像素区域；开关元件103,靠近所述扫描线105与所述数据线107的交 叉处；像素电极111和公共电极109,所述像素电极111包括条形电极1111，所述条形电极 1111位于所述像素区域内且包括直线部1111a;沿所述数据107线延伸方向相邻的两个所 述像素区域，所述条形电极1111的所述直线部1111a关于扫描线105延伸方向实质上对 称；设置在所述基板100上的取向层112,所述取向层112的取向方向OR实质上垂直于所 述扫描线105的延伸方向；所述直线部111la延伸方向与所述取向层112的取向方向OR的 夹角9等于4度。
[0026] 具体地，请继续参考图la与图lb，本实施例提供的阵列基板包括基板100和依次 设置在基板100上的半导体层、第一绝缘层104、栅极金属层、第二绝缘层106、源漏极金属 层、平坦化层108、公共电极109、第三绝缘层110、像素电极111和取向层112。本实施例中， 采用多晶硅作为半导体层，并且本实施例中，栅极金属层包括扫描线105和与扫描线105电 连接的栅极，源漏极金属层包括数据线107和与数据线电连接的源极和与像素电极111电 连接的漏极，其中栅极、半导体层、源极和漏极构成本实施例中所述的开关元件103。需要说 明的是，本实施例中是以多晶硅为例来说明的，在本发明的其他实施例中，也可以采用非晶 硅或者氧化物半导体来作为半导体层。
[0027] 本实施例中，在基板100上设置有多条沿水平方向延伸的扫描线105和多条实质 上沿垂直方向延伸的数据线107,多条该扫描线105和数据线107彼此交叉限定多个像素区 域，即相邻的两条扫描线105与相邻的两条数据线107交叉限定一个像素区域。如la