，显示装置同样具有上 述显示面板相同的有益效果。
[0094] 注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解， 本发明不限于该里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、 重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过w上实施例对本发明进行 了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于W上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还 可W包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
【主权项】
1. 一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括： 在衬底基板上顺序形成多个间隔设置且以阵列方式排列的薄膜晶体管、第一钝化层、 多条触控信号线和像素电极层； 其中，所述像素电极层形成多个间隔设置且以阵列方式排列的像素电极，所述像素电 极层与所述触控信号线同层绝缘设置。
2. 根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在形成第一钝化层之后，形成多条触 控信号线之前，还包括： 在所述第一钝化层中形成像素电极接触孔，以使所述像素电极与所述薄膜晶体管的漏 极电连接； 在形成像素电极层之后，还包括： 在所述触控信号线和所述像素电极所在膜层上方形成第二钝化层； 在所述第二钝化层中形成公共电极接触孔； 在所述第二钝化层上方形成多个间隔设置且以阵列方式排列的公共电极块，所述公 共电极接触孔使每条触控信号线与其对应的公共电极块电连接，并与其他公共电极块电绝 缘。
3. 根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在形成第一钝化层之后，形成多条触 控信号线之前，还包括： 在所述第一钝化层上形成多个间隔设置且以阵列方式排列的公共电极块； 在所述公共电极块所在膜层上方形成第二钝化层； 同时形成具有不同深度的公共电极接触孔和像素电极接触孔； 其中，所述公共电极接触孔贯穿所述第二钝化层，以使所述触控信号线与其对应的公 共电极块电连接，并与其他公共电极块电绝缘；所述像素电极接触孔贯穿所述第一钝化层 和所述第二钝化层，以使所述像素电极与对应的薄膜晶体管的漏极电连接。
4. 根据权利要求1-3任一所述的制备方法，其特征在于，所述像素电极层还包括： 多条相互绝缘的保护线，每条保护线覆盖每条触控信号线的输出端。
5. 根据权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于，所述第一钝化层的厚度范围为 3000A-35000 L
6. 根据权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于，所述第二钝化层的厚度范围为 lOOOA-nOOO Ao
7. 根据权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于，所述第一钝化层和/或第二钝化 层的材料为氮化硅和氧化硅中的任意一种或一种以上。
8. 根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在衬底基板上形成多个间隔设置且以阵 列方式排列的薄膜晶体管包括： 在所述衬底基板上顺序形成栅极、栅极绝缘层、半导体层、源极和漏极。
9. 根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在衬底基板上形成多个间隔设置且 以阵列方式排列的薄膜晶体管包括： 在所述衬底基板上顺序形成半导体层、源极、漏极、栅极绝缘层和栅极。
10. 根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在衬底基板上形成多个间隔设置且 以阵列方式排列的薄膜晶体管的同时，还包括：形成多条数据线和多条扫描线，所述触控信 号线在所述衬底基板上的投影位于所述数据线或扫描线在所述衬底基板上的投影内。
11. 根据权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于，相邻公共电极块的间隙在所述 衬底基板上的投影位于相邻像素电极的间隙在所述衬底基板上的投影内。
12. 根据权利要求2或3所述的制备方法，其特征在于，相邻公共电极块的间隙在所述 衬底基板上的投影位于所述像素电极在所述衬底基板上的投影内。
13. -种阵列基板，其特征在于，包括： 一衬底基板； 位于所述衬底基板上方的多个间隔设置且以阵列方式排列的薄膜晶体管； 位于所述薄膜晶体管所在膜层上方上的第一钝化层； 位于所述第一钝化层上方的多条触控信号线和像素电极层； 其中，所述像素电极层包括多个间隔设置且以阵列方式排列的像素电极，所述像素电 极层与所述触控信号线同层绝缘设置。
14. 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括： 位于所述触控信号线和所述像素电极所在膜层上方的第二钝化层； 位于所述第二钝化层上方的多个间隔设置且以阵列方式排列的公共电极块； 其中，所述像素电极通过第一钝化层中的像素电极接触孔与所述薄膜晶体管的漏极电 连接； 每条触控信号线通过第二钝化层中的公共电极接触孔与其对应的公共电极块电连接， 并与其他公共电极块电绝缘。
15. 根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括： 位于所述第一钝化层上方的多个间隔设置且以阵列方式排列的公共电极块； 位于所述公共电极块所在膜层以及所述触控信号线和所述像素电极所在膜层之间的 第二钝化层； 其中，所述像素电极通过第一钝化层和第二钝化层中的像素电极接触孔与所述薄膜晶 体管的漏极电连接； 每条触控信号线通过第二钝化层中的公共电极接触孔与其对应的公共电极块电连接， 并与其他公共电极块电绝缘； 所述公共电极接触孔和像素电极接触孔具有不同深度，且在同一工艺中同时形成。
16. 根据权利要求13-15任一所述的阵列基板，其特征在于，所述像素电极层还包括： 多条相互绝缘的保护线，每条保护线覆盖每条触控信号线的输出端。
17. 根据权利要求14或15所述的阵列基板，其特征在于，所述第一钝化层的厚度范围 为:3000A-;i5000 Λ。
18. 根据权利要求14或15所述的阵列基板，其特征在于，所述第二钝化层的厚度范围 为ioooA-5000 A。
19. 根据权利要求14或15所述的阵列基板，其特征在于，相邻公共电极块的间隙在所 述衬底基板上的投影位于相邻像素电极的间隙在所述衬底基板上的投影内。
20. 根据权利要求14或15所述的阵列基板，其特征在于，相邻公共电极块的间隙在所 述衬底基板上的投影位于所述像素电极在所述衬底基板上的投影内。
21. -种显示面板，其特征在于，包括： 权利要求13-20任一所述的阵列基板， 与所述阵列基板相对设置的彩膜基板； 位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的显示介质层。
22. -种显示装置，其特征在于，包括： 驱动芯片，以及权利要求21所述的显示面板，所述驱动芯片用于显示驱动和触控驱 动。
【专利摘要】本发明公开了一种阵列基板、显示面板、显示装置以及制备方法，制备方法包括：在衬底基板上顺序形成多个间隔设置且以阵列方式排列的薄膜晶体管、第一钝化层、多条触控信号线和像素电极层；其中像素电极层形成多个间隔设置且以阵列方式排列的像素电极，像素电极层与触控信号线同层绝缘设置，阵列基板包括：一衬底基板；位于衬底基板上方的多个间隔设置且以阵列方式排列的薄膜晶体管；位于薄膜晶体管所在膜层上方上的第一钝化层；位于第一钝化层上方的多条触控信号线和像素电极层；其中像素电极层包括多个间隔设置且以阵列方式排列的像素电极，像素电极层与触控信号线同层绝缘设置，实现了减少内嵌式触摸屏制程数量，优化膜层布局，降低成本的效果。
【IPC分类】G02F1-1333, G02F1-1362
【公开号】CN104865726
【申请号】CN201510306302
【发明人】周星耀, 姚绮君, 马骏
【申请人】上海天马微电子有限公司, 天马微电子股份有限公司
【公开日】2015年8月26日
【申请日】2015年6月4日