显示基板及其制作方法和显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，具体而言，涉及一种显示基板、一种显示装置和一种显示基板制作方法。
【背景技术】
[0002]传统液晶显示面板的阵列基板，为了防止生产工艺及后续使用中静电过大导致阵列基板发生静电击穿，在基板中设置了静电释放单元，以避免了阵列基板的TFT结构破坏而导致显示异常。
[0003]其中一种结构是采用尖端放电原理:在强电场作用下，物体的尖锐部分电力线密集，容易发生放电现象。因此常在基板上设置相距较近的两个尖角结构单元，一个单元连接需要保护的阵列基板元件，一个单元连接公共电极线或者接地。静电产生的时候，阵列基板的电荷通过两个尖角单元释放到面积大的公共电极线或者导入地。
[0004]将连接公共电极线或者接地的尖角单元制作为孤立金属单元，可以作为静电释放诱导单元，通过诱导击穿发生达到静电能量释放的目的。但是该结构一次击穿后将失去诱导能力，后续静电产生时将失去保护效果。
【发明内容】
[0005]本发明所要解决的技术问题是，如何提高静电释放单元的使用次数，从而多次保护基板。
[0006]为此目的，本发明提出了一种显示基板，包括:
[0007]多条栅线，在每条栅线的至少一端设置有多个第一静电释放单元，用于释放所述栅线中的静电，
[0008]其中，所述多个第一静电释放单元的曲率不同。
[0009]优选地，显示基板还包括:
[0010]与所述多个第一静电释放单元对应的多个第一静电诱导单元，用于接收所述第一静电释放单元释放的静电。
[0011 ] 优选地，显示基板还包括:
[0012]至少一条与数据线平行的第一公共电极线；
[0013]多个第一薄膜晶体管，每个第一薄膜晶体管对应一条所述栅线，
[0014]其中，所述第一薄膜晶体管的漏极与所述第一公共电极线相连，所述薄膜晶体管的源极和栅极与对应的栅线相连。
[0015]优选地，在每条栅线每一端的沿着轴线两侧分别设置有所述多个第一静电释放单
J L ο
[0016]优选地，位于栅线一端的多个第一静电释放单元的曲率沿栅线中点到栅线一端的方向递增。
[0017]优选地，显示基板还包括:
[0018]多条数据线，在每条数据线的至少一端设置有多个第二静电释放单元，用于释放所述数据线中的静电，
[0019]其中，所述多个第二静电释放单元的曲率不同。
[0020]优选地，显示基板还包括:
[0021]与所述多个第二静电释放单元对应的多个第二静电诱导单元，用于接收所述第二静电释放单元释放的静电。
[0022]优选地，显示基板还包括:
[0023]至少一条与所述栅线平行的第二公共电极线；
[0024]多个第二薄膜晶体管，每个第二薄膜晶体管对应一条所述数据线，
[0025]其中，所述第二薄膜晶体管的漏极与所述第二公共电极线相连，所述第二薄膜晶体管的源极和栅极与对应的数据线相连。
[0026]优选地，在每条数据线每一端的沿着轴线两侧分别设置有所述多个第二静电释放单元。
[0027]优选地，位于数据线一端的多个第二静电释放单元的曲率沿数据线中点到数据线一端的方向递增。
[0028]本发明还提出了一种显示装置，包括上述显示基板。
[0029]本发明还提出了一种上述显示基板的制作方法，包括:
[0030]在基底上形成多条栅线的同时在每条栅线的至少一端形成多个第一静电释放单元，用于释放所述栅线中的静电；
[0031]在栅绝缘层形成多条数据线的同时在每条数据线的至少一端形成多个第二静电释放单元，用于释放所述数据线中的静电，
[0032]其中，所述多个第一静电释放单元的曲率不同，所述多个第二静电释放单元的曲率不同。
[0033]优选地，所述制作方法还包括:
[0034]在形成所述栅线的同时，在所述基底上形成与所述多个第一静电释放单元对应的多个第一静电诱导单元，用于接收所述第一静电释放单元释放的静电；
[0035]在形成所述数据线的同时，在所述栅绝缘层上形成与所述多个第二静电释放单元对应的多个第二静电诱导单元，用于接收所述第二静电释放单元释放的静电。
[0036]根据上述技术方案，通过多个静电释放单元分别释放静电，当其中一个静电释放单元被静电电流击穿后，其他静电释放单元仍能继续工作。并且由于多个静电释放单元的曲率不同，可以使得静电电流较大时，多个静电释放单元逐个被击穿，提高了静电释放单元释放静电的次数，保证了静电释放的效果。
【附图说明】
[0037]通过参考附图会更加清楚的理解本发明的特征和优点，附图是示意性的而不应理解为对本发明进行任何限制，在附图中:
[0038]图1不出了根据本发明一个实施例的显不基板的结构不意图；
[0039]图2示出了图1中虚线处的放大示意图；
[0040]图3示出了根据本发明一个实施例的第一静电诱导单元的示意图；
[0041]图4示出了根据本发明一个实施例的第一公共电极线的示意图；
[0042]图5示出了根据本发明一个实施例的栅线的结构示意图；
[0043]图6示出了根据本发明又一个实施例的显示基板的结构示意图；
[0044]图7示出了图6中虚线处的放大示意图；
[0045]图8示出了根据本发明一个实施例的第二静电诱导单元的示意图；
[0046]图9示出了根据本发明一个实施例的第二公共电极线的示意图；
[0047]图10示出了根据本发明一个实施例的数据线的结构示意图；
[0048]图11示出了根据本发明一个实施例的显示基板的制作方法的示意流程图；
[0049]附图标号说明:
[0050]1-栅线；11_第一静电释放单元；12_第一静电诱导单元；13_第一公共电极线；14-第一薄膜晶体管；2_数据线；21_第二静电释放单元；22_第二静电诱导单元；23_第二公共电极线；24_第二薄膜晶体管。
【具体实施方式】
[0051]为了能够更清楚地理解本发明的上述目的、特征和优点，下面结合附图和【具体实施方式】对本发明进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0052]在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是，本发明还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本发明的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。
[0053]如图1和图2所示，根据本发明一个实施例的显示基板，包括:
[0054]多条栅线1，在每条栅线I的至少一端设置有多个第一静电释放单元11，用于释放栅线I中的静电，
[0055]其中，多个第一静电释放单元11的曲率不同。
[0056]本实施例可以通过多个第一静电释放单元11分别释放栅线中的静电，当其中一个第一静电释放单元11被静电电流击穿后，其他第一静电释放单元11仍能继续工作。并且由于多个第一静电释放单元11的曲率不同，可以使得静电电流较大时，多个第一静电释放单元11逐个被击穿，例如图2中所示的4个第一静电释放单元11，曲率沿栅线中点到栅线一端的方向递增，其中最靠近栅线一端的第一静电释放单元11曲率最大，当静电电流较大时，会首先击穿该第一静电释放单元11，而其他第一静电释放单元11则可以继续正常工作，从而提高了第一静电释放单元11释放静电的次数，保证了栅线I的静电释放效果。
[0057]需要说明的是，图中仅示出了在栅线I的一端设置第一静电释放单元，实际上可以根据需要量栅线I的两端都设置静电释放单元U。
[0058]如图3所示，优选地，显示基板还包括:
[0059]与多个第一静电释放单元11对应的多个第一静电诱导单元12，用于接收第一静电释放单元11释放的静电，其中，第一静电诱导单元12可以设置在栅线所在的层结构上，例如栅线设置在玻璃基底上，那么第一静电诱导单元12也可以设置在玻璃基底上，第一静电诱导单元12的形状可以与第一静电释放单元11相对应。
[0060]对第一静电释放单元11对应设置第一静电诱导单元12，可以保证第一静电释放单元11中的静电快速释放，减少静电荷在第一静电释放单元11堆积的时间，以避免静电荷产生湍流而发热熔毁第一静电释放单元11。
[0061 ] 如图4所示，优选地，显示基板还包括:
[0062]至少一条与数据线2平行的第一公共电极线13 ;
[0063]多个第一薄膜晶体管14，每个第一薄膜晶体管14对应一条栅线，
[0064]其中，第一薄膜晶体管14的漏极与第一公共电极线13相连，薄膜晶体管的源极和栅极与对应的栅线I相连。
[0065]当栅线I中的静电荷无法导出时，例如所有第一静电释放单元11都被击穿后，那么栅线I中的静电荷可以传输至第一薄膜晶体管13的栅极，使得第一薄膜晶体管14开启，并通过第一薄膜晶体管14的源极和漏极传输至第一公共电极线13，进而完成静电的释放，进一步保证了栅线I释放静电的效果。
[0066]如图5所示，优选地，在每条栅线I每一端的沿着轴线两侧分别设置有多个第一静电释放单元11。通过将第一静电释放单元11分别设置在栅线I轴线的两侧，可以保证快速地释放静电。其中，可以设置一侧的第一静