一种基板的制作方法、基板和显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种基板的制作方法、基板和显示装置。
【背景技术】
[0002]现有的显示面板通常包括阵列基板和彩膜基板，彩膜基板又通常包括彩色滤光单元和位于相邻的彩色滤光单元之间的黑矩阵，黑矩阵用于防止相邻的彩色滤光单元之间发生漏光。黑矩阵也可以采用金属材料来制作。当采用金属材料来制作黑矩阵时，由于金属材料具有一定的反射率，因此黑矩阵会反光，从而造成显示面板的显示对比度下降，影响画面质量。
【发明内容】
[0003]有鉴于此，本发明提供一种基板的制作方法、基板和显示装置，用于解决现有的金属黑矩阵反光，造成显示面板显示对比度下降的问题。
[0004]为解决上述技术问题，本发明提供一种基板，包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上的金属黑矩阵和用于降低所述金属黑矩阵的反射率的减反图形，所述减反图形设置于所述金属黑矩阵的靠近所述基板出光侧的一侧。
[0005]优选地，所述减反图形为设置于所述金属黑矩阵的靠近所述基板出光侧的一侧表面上的多个凸点。
[0006]优选地，所述减反图形为半透明减反图形，所述金属黑矩阵在所述衬底基板上的正投影完全落入所述半透明减反图形在所述衬底基板上的正投影区域范围内。
[0007]优选地，所述金属黑矩阵在所述衬底基板上的正投影与所述半透明减反图形在所述衬底基板上的正投影完全重叠。
[0008]优选地，所述半透明减反图形由氧化铟锡和单质铟锡混合形成。
[0009]优选地，所述金属黑矩阵的厚度范围为50-200nm，所述半透明减反图形的厚度范围为 20-50nm。
[0010]优选地，所述基板还包括:公共电极以及与所述公共电极连接的公共电极线，所述公共电极线与所述金属黑矩阵同层同材料设置。
[0011]优选地，所述基板为阵列基板或彩膜基板。
[0012]本发明还提供一种显示装置，包括上述基板。
[0013]本发明还提供一种基板的制作方法，包括:
[0014]提供一衬底基板；
[0015]在所述衬底基板上形成金属黑矩阵和用于降低所述金属黑矩阵的反射率的减反图形，所述减反图形设置于所述金属黑矩阵的靠近所述基板出光侧的一侧。
[0016]优选地，所述减反图形为半透明减反图形，所述金属黑矩阵和半透明减反图形通过一次构图工艺形成。
[0017]优选地，所述半透明减反图形由氧化铟锡和单质铟锡混合形成。
[0018]优选地，所述基板为阵列基板，所述形成半透明减反图形的步骤包括:
[0019]沉积金属薄膜和氧化铟锡膜层；
[0020]采用一次构图工艺对所述金属薄膜和氧化铟锡膜层进行构图，形成金属黑矩阵和氧化铟锡导电图形；
[0021]采用氢气等离子体对所述氧化铟锡导电图形进行处理，将裸露的氧化铟锡导电材料至少部分转换为单质铟锡，形成由氧化铟锡和单质铟锡混合形成的半透明减反图形。
[0022]优选地，所述基板为彩膜基板，所述形成半透明减反图形的步骤包括:
[0023]沉积氧化铟锡膜层；
[0024]采用氢气等离子体对所述氧化铟锡膜层进行处理，将裸露的氧化铟锡导电材料至少部分转换为单质铟锡，形成由氧化铟锡和单质铟锡混合形成的半透明减反薄膜；
[0025]沉积金属薄膜；
[0026]采用一次构图工艺对所述半透明减反薄膜和金属薄膜进行构图，形成半透明减反图形和金属黑矩阵。
[0027]优选地，采用氢气等离子体对所述氧化铟锡导电图形进行处理的时长为0.5-2分钟。
[0028]本发明的上述技术方案的有益效果如下:
[0029]由于在金属黑矩阵靠近基板出光侧的一侧设置减反图形，可降低金属黑矩阵对外界环境光的反射率，提高了具有该基板的显示装置的显示对比度，改善了画面质量。
【附图说明】
[0030]图1为本发明实施例一的基板的俯视图；
[0031]图2为本发明实施例一的基板的剖视图；
[0032]图3为本发明实施例二的基板的剖视图；
[0033]图4-11为本发明实施例的ADS模式的阵列基板的制作方法示意图。
【具体实施方式】
[0034]下面将结合附图和实施例，对本发明的【具体实施方式】作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
[0035]本发明提供一种基板，包括衬底基板以及设置于所述衬底基板上的金属黑矩阵和用于降低所述金属黑矩阵的反射率的减反图形，所述减反图形设置于所述金属黑矩阵的靠近所述基板出光侧的一侧。
[0036]所述金属黑矩阵可采用金属、金属合金或金属氧化物等材料制成，该金属可以为钥、络、招、钦或铜等。
[0037]由于在金属黑矩阵靠近基板出光侧的一侧设置减反图形，从而可降低金属黑矩阵对外界环境光的反射率，提高了具有该基板的显示装置的显示对比度，改善了画面质量。
[0038]上述减反图形可以采用多种结构，下面举例进行说明。
[0039]在本发明的一实施例中，所述减反图形为设置于所述金属黑矩阵表面的多个凸点，例如可以为半球状或类半球状凸点，所述凸点可以采用容易造型的树脂等材料制成。由于在所述金属黑矩阵的表面设置上述多个凸点，使得金属黑矩阵的表面不再是平整结构，从而可大大降低金属黑矩阵的反射率。
[0040]请参考图1和图2，图1和图2所示的实施例中，金属黑矩阵111表面设置有由多个凸点构成的减反图形112A。
[0041]在本发明的另一实施例中，所述减反图形也可以为半透明减反图形，优选地，所述金属黑矩阵在所述衬底基板上的正投影完全落入所述半透明减反图形在所述衬底基板上的正投影区域范围内，即半透明减反图形可完全覆盖住金属黑矩阵朝向基板出光侧的表面，由于金属黑矩阵朝向基板出光侧的表面覆盖有模糊度较高的半透明膜层，从而可大大降低金属黑矩阵的反射率。
[0042]请参考图3，图3所示的实施例中，金属黑矩阵111表面设置有半透明减反图形112Bo
[0043]进一步优选地，所述金属黑矩阵在所述衬底基板上的正投影与所述半透明减反图形在所述衬底基板上的正投影完全重叠，即金属黑矩阵的图形与半透明减反图形一致，半透明减反图形不覆盖除金属黑矩阵之外其他区域，从而不影响基板的开口率，且另一方面，金属黑矩阵和半透明减反图形也可以通过一次构图工艺形成，降低生产成本。
[0044]优选地，所述半透明减反图形由氧化铟锡(ITO)和单质铟锡混合形成。其中，可通过氢气等离子体对氧化铟锡的表面进行处理，在氧化铟锡表面形成单质铟锡，从而形成氧化铟锡和单质铟锡的混合物，该混合物为模糊度较高的半透明体。当然，在本发明的其他一些实施例中，也不排除采用其他现有的半透明材料制成半透明减反图形。
[0045]优选地，所述金属黑矩阵的厚度范围为50_200nm，所述半透明减反图形的厚度范围为 20-50nm。
[0046]本发明实施例的基板还可以包括公共电极，公共电极通常采用ITO等透明氧化物导电材料制成，该些透明氧化物导电材料的电阻通常较大，从而会造成信号延迟，影响显示效果。为降低公共电机的电阻，本发明实施例中的基板还可以包括与所述公共电极连接的公共电极线，优选地，所述公共电极线可与所述金属黑矩阵同层同材料设置，通过一次构图工艺形成，从而降低生产成本。
[0047]本发明实施例中的基板可以为彩膜基板，即金属黑矩阵位于彩膜基板上，当然，基板也可以为阵列基板，即金属黑矩阵位于阵列基板上。所述阵列基板可以为COA基板，即金属黑矩阵和彩色滤光单元均设置于阵列基板上，COA基板能够减小成盒时阵列基板与彩膜基板对应的图形之间的偏差，提尚开口率，降低成本，提尚广品显不品质。
[0048]本发明实施例还提供一种显示装置，包括上述任一实施例中的基板。
[0049]本发明实施例还提供一种基板的制作方法，包括以下步骤:
[0050]步骤11:提供一衬底基板；
[0051]步骤12:在所述衬底基板上形成金属黑矩阵和用于降低所述金属黑矩阵的反射率的减反图形，所述减反图形设置于所述金属黑矩阵的