专利名称：基板处理设备的制作方法
技术领域：
本公开涉及一种基板处理设备，且特别地，涉及一种具有能够部分阻挡热量传输 到室反应空间的中心区域以均勻加热反应空间的阻挡部分的基板处理设备。
背景技术：
基板处理设备一般用于在半导体基板上沉积层或者蚀刻沉积在半导体基板上的 层。因此，通过基板处理设备形成并蚀刻层，以便制造半导体器件、平板显示面板、光学器 件、太阳能电池等。为了通过基板处理设备在基板上沉积薄膜，可将基板置于基板处理设备内部的基 板保持部分上，之后通过化学或物理沉积工艺在基板表面上形成预定膜。通常，在于基板表 面上形成预定层期间，将处理气体流入到基板处理设备的反应空间中。但是，由于目前基板尺寸的增加，在基板表面上沉积具有均勻厚度的薄膜需要较 以往更先进的技术。通常不易实现横跨基板表面均勻的处理气体分布，且因此被认为这是 大基板制造中的一个首要难题。在现有技术中，通过旋转基板改善半导体基板上沉积的薄 膜厚度均勻性。由于室的构造，室外围区域较室中心区域经受更多的热量损耗。因此也不易保持 室外围区域和中心区域的温度一致且其导致了其他难题。为了补偿室内部不均勻的温度分 布并改善室内部的加热均勻性，现有技术在室下部中设置加热部分以将位于中心区域的加 热器设置成低于位于外围区域的加热器。但是，加热器的上述布置不能完全克服由于室内部中心区域和外围区域的不均勻 温度分布和不一致热量损耗引起的难题。
发明内容
本公开提供了一种基板处理设备，其能够借助于阻挡部分来部分阻挡热量传输到 室反应空间的中心区域，该阻挡部分提供在设置于室中心区域下方的加热部分和设置于室 外围区域下方的加热部分之间。本公开还提供了一种包括阻挡部分的基板处理设备，该阻挡部分的长度和倾斜角 度根据其位置而不同。本公开还提供了一种包括阻挡部分的基板处理设备，该阻挡部分的长度和倾斜角度可变。根据示例性实施方式，一种基板处理设备包括包括反应空间的室；在反应空间 中的基板保持部分，该基板保持部分用于保持和旋转基板；在室中心区域下方的第一加热 部分，该第一加热部分用于加热反应空间的中心区域；设置于室外围区域下方的至少一个 第二加热部分，该第二加热部分用于加热反应空间的外围区域；和在第一加热部分和第二 加热部分之间的阻挡部分，该阻挡部分具有在第二加热部分上方的顶部，并被构造成阻挡 热量从第二加热部分传输到反应空间的中心区域。
阻挡部分可包括在第一加热部分和第二加热部分之间的垂直阻挡板，和在垂直 阻挡板顶端(uppermost end)上的倾斜阻挡板，其在第二加热部分上方向上延伸并倾斜。阻挡部分可包括在第一加热部分和第二加热部分之间的弯曲阻挡板，弯曲阻挡板 的上部在第二加热部分上方延伸。第二加热部分可被提供有多个且相互间隔，该基板处理设备可进一步包括在室下 方的支撑部分，该支撑部分支撑第一加热部分和第二加热部分，并且该支撑部分可包括多 个分隔板，用于至少分隔第二加热部件。阻挡部分可包括在第一加热部分和第二加热部分之间的多个垂直阻挡板，其被 多个分隔板分开；和在各个垂直阻挡板顶端上的倾斜阻挡板，其在第二加热部分上方向上 延伸并倾斜。多个垂直阻挡板中的至少一个具有与多个垂直阻挡板中的另一个不同的高度。至少一个倾斜阻挡板关于垂直阻挡板以与另一倾斜阻挡板的不同角度延伸。至少一个倾斜阻挡板具有与另一倾斜阻挡板的不同长度。倾斜阻挡板可在垂直阻挡板顶端处可绕枢轴转动。倾斜阻挡板可被固定到垂直阻挡板顶端的铰链上。倾斜阻挡板可具有可变的长度。每个倾斜阻挡板可包括在各个垂直阻挡板顶端上的滑动器主体(slidermain body)，其在第二加热部分上方向上延伸且倾斜，并包括在其端部的凹槽(groove)或开口 (opening)；和次体(sub body)，其被构造成从第二加热部分上方的滑动器凹槽或开口延伸 并收缩(retract into)到该滑动器凹槽或开口中。每个倾斜阻挡板可包括在垂直阻挡板顶端上的主体，该主体在第二加热部分上 方向上延伸且倾斜；和延伸次体，该延伸次体包括在其端部的凹槽或开口，该延伸次体被构 造成在第二加热部分上方沿该主体的至少一个表面滑动。阻挡部分可包括在第一加热部分和第二加热部分之间的多个弯曲阻挡板，该弯曲 阻挡板通过多个分隔板分开，该弯曲阻挡板的上部在第二加热部分上方延伸。多个弯曲阻挡板中的至少一个可具有与多个弯曲阻挡板中的另一个的不同长度。多个弯曲阻挡板中的至少一个具有与多个弯曲阻挡板中的另一个不同的曲率半径。多个弯曲阻挡板的每一个可具有在第一加热部分和第二加热部分之间的下部和 在第二加热部分上方延伸的上部，且上部关于下部可绕枢轴旋转并具有可变的倾斜角度。多个弯曲阻挡板的每一个可包括在下部和上部之间的铰链。多个弯曲阻挡板的每一个可具有在第一加热部分和第二加热部分之间的下部，和 在第二加热部分上方延伸的上部，且上部远离下部延伸，或朝下部收缩，以使得每个弯曲阻 挡板具有可变长度。基板处理设备可进一步包括在室下方的支撑部分，支撑第一加热部分和第二加热 部分，其中该支撑部分可具有阶梯式构造(stepped configuration)使得第二加热部分在 第一加热部分上方。附图简要说明根据以下描述结合附图将更详细理解示例性实施方式，附图中
图1是根据示例性实施方式基板处理设备的示意性截面图；图2是根据示例性实施方式的加热部分和阻挡部分的垂直示意截面图；图3是根据示例性实施方式修改的加热部分和阻挡部分的水平示意截面图；图4示出了图3主要部分的垂直示意截面图；图5是根据示例性实施方式另一修改的加热部分和阻挡部分的水平示意性截面 图；图6示出了根据示例性实施方式的再一修改的加热部分和阻挡部分的水平示意 截面图；图7至9是根据其他示例性实施方式的加热部分和阻挡部分的垂直示意截面图；图10是根据另一示例性实施方式的基板处理设备的示意性截面图；和图11至15是根据另一示例性实施方式的修改的加热部分和阻挡部分的垂直示意 截面图。
具体实施例方式以下，将参考附图详细描述特定实施方式。图中，相同参考数字表示相同元件。图1是根据示例性实施方式基板处理设备的示意性截面图，图2是根据示例性实 施方式的加热部分和阻挡部分的垂直示意性截面图，图3是根据示例性实施方式的修改的 加热部分和阻挡部分的水平示意性截面图，图4示出了图3主要部分的垂直示意性截面图， 图5是根据示例性实施方式另一修改的加热部分和阻挡部分的水平示意性截面图，图6示 出了根据示例性实施方式再一修改的加热部分和阻挡部分的水平示意性截面图，和图7至 9是根据其他示例性实施方式加热部分和阻挡部分的垂直示意性截面图。参考图1至9，根据示例性实施方式的基板处理设备包括具有反应空间101的室 100 ；设置在反应空间101中的基板保持部分200，被构造成保持和旋转基板10 ；第一加热 部分421，其被设置在室100的中心区域下方并被构造成加热反应空间101的中心区域；第 二加热部分423，其被设置在室100的外围区域下方并被构造成加热反应空间101的外围区 域；和阻挡部分430，其被设置在第一加热部分421和第二加热部分423之间，包括延伸到 第二加热部分423上方的顶部区域，并被构造成阻挡通过第二加热部分423所产生的热量 传输到反应空间101的中心区域。第三加热部分300可进一步提供在室100的上部区域以加热反应空间101。尽管 图中未示出，但是等离子体产生装置可提供在反应空间101中以产生等离子体。室100包括限定反应空间101的室主体110、上部圆顶120和下部圆顶130。室主体110被形成为具有在顶部和底部打开的圆柱形状。换句话说，其为圆柱带 状。但是，其不限于此，而是可形成为多面圆筒形(polyhedral barrelshape)。部分或全部 的室主体110可由金属材料形成。在当前的示例性实施方式中，使用诸如铝或不锈钢之类 的材料制成室主体110。室主体110可用作室100的反应空间101的侧壁。尽管未示出，但 是可将用于装载/卸载基板的基板装载开口，和用于提供气体至反应空间的气体提供装置 的端子连接部分形成在室主体110上。上部圆顶120是室主体110的顶盖(也就是，室100的上壁)。下部区域即上部圆 顶120的外围区域附接到室主体110的顶表面上并密封反应空间101的顶部区域。将上部圆顶120附接到室主体110上是有效的，以使其可附接和可拆卸。上部圆顶120由具有良好导热性的材料制成以将自第三加热部分300的热量有效 传送到反应空间101。也就是，上部圆顶120可由能有效传送幅射热量至反应空间的透明材 料(例如石英)制成。由此，从室100的反应空间传导至上部圆顶120的幅射热量通过上 部圆顶120。通过上部圆顶传送的热量可通过第三加热部分300向回反射，使得其能够再次 通过上部圆顶120并被传导至室100的反应空间。但是其不限于此，并且上部圆顶120可 由陶瓷材料制成。下部圆顶130是室主体110的底盖(即室100的底板(floor))。下部圆顶130附 接到室主体110的底表面上以密封反应空间的下部区域。下部圆顶130由透明材料制成。下部圆顶可被构造成有效传送自室100外部的第 一加热部分421和第二加热部分423的幅射热量至室100内部的反应空间。在当前的示 例性实施方式中，可将石英有效用作下部圆顶130。因此，下部圆顶130可用作窗口。可选 地，一部分下部圆顶130可由透明材料制成使得其他部分由具有优良导热性的不透光材料 制成。如图1中所示，下部圆顶130包括向下倾斜的底板131，和从底板131中心向下突 出的延伸管132。底板131被形成为具有顶部和底部打开的倒圆锥(upside-down conical) 形状。这样，通过耦合室主体110、上部圆顶120和下部圆顶130制造具有反应空间101 的室100。室100具有压力控制器、压力传感器和用于监控室内部的各种装置。可安装用以 观测反应空间的观测端口。可进一步提供排气部分以排空杂质和未反应的材料。基板保持部分200被提供在室100的反应空间101中以保持基板10于其上。基板保持部分200包括其上固定有基板的基座210、连接到基座210并延伸到反应 空间101外部的传动轴(driveshaft)220，和用于升高和/或旋转传动轴220的驱动装置 230。基座210可被制成与基板10形状相似的板状。优选用具有良好导热性的材料制 造基座210。基座210具有一个或多个基板保持区域，以使一个或多个基板10能够固定在 基座210上。传动轴220通过延伸管132延伸到室100的外部，并且驱动装置230可是能够升 高和/或旋转传动轴220的任一装置。例如，在当前示例性实施方式中，平台(stage)被用 作驱动装置230，并且平台可具有用于升高和/或旋转的电机。尽管未示出，但是基板保持 部分200可进一步包括多个升降销(lift pin)，用于帮助装载和卸载基板10。在当前的示例性实施方式中，第一加热部分421设置在室100的下部部分以加热 室反应空间101的中心区域，并且提供第二加热部分423用于加热反应空间101的外围区 域。第一加热部分421和第二加热部分423分别由至少一个灯加热器组成。灯加热器 可采用灯泡状(bulb-shaped)或圆柱状灯加热器。在当前的示例性实施方式中，第一加热 部分421和第二加热部分423分别使用多个灯泡状灯加热器。灯加热器相互间隔开且被设 置成以不同直径同心排列。第二加热部分423可设置在第一加热部分421上方。第一加热部分421和第二加热部分423借助于支撑部分410被固定到室的下部。支撑部分410可具有阶梯式构造以将第二加热部分423定位在第一加热部分421上方。例 如，支撑部分410包括支撑第一加热部分421下部的第一下部支架411 ；支撑第二加热部 分423下部的第二下部支架413 ；自第一下部支架411向上安装的第一内部支架415和第 一外部支架417，分别支撑第一加热部分421的内部区域和外部区域；和自该第二下部支架 向上安装的第二外部支架419，该第二外部支架419覆盖第二加热部分423的外部区域。例如，第一下部支架411和第二下部支架413可具有水平环形带状，第一内部支架 415和第一外部支架417可具有垂直于第一下部支架的环形带状，并且第二外部支架419可 具有垂直于第二下部支架413的环形带状。此外，支撑部分410还包括分隔板440，该分隔板440分别分隔第一下部支架411 和第二下部支架413上的多个第一加热部分421和第二加热部分423。例如，可围绕支撑 部分410的中心区域放射状形成8个分隔板。这样，通过第一加热部分421和第二加热部 分423所加热的加热区域(以下称作“加热区”)被分隔成8个区域。这8个加热区提供有 第一加热部分421和第二加热部分423。在每个加热区中第一加热部分421和第二加热部 分423的功率输出在处理期间可被设置成相互不同且受控，以保持反应空间101内部的中 心区域和外围区域的温度是均勻。即使提供在8个加热区中的第一加热部分421和第二加 热部分423的输出被设置成相互不同，由于室100反应空间101中的基板10通过基板保持 部分200旋转同时实施沉积工艺，因此也可保持横跨基板10的温度是均勻的。支撑部分410还包括在第一加热部分421和第二加热部分423之间的阻挡部分 430。由于能够部分防止从第二加热部分423产生的热量被传送到反应空间的中心区域，因 此在处理期间能保持反应空间101的中心区域和外围区域的温度是均勻的。因此，能够保 持基板10的中心部分和外围部分的温度是均勻的。阻挡部分430的顶部区域或更多区域向着第二加热部分423的上方延伸，并部分 阻挡通过第二加热部分423产生的热量传送到反应空间101的中心区域。如图1中所示，阻 挡部分430上部关于阻挡部分430的中心轴S向着第二加热部分423上方倾斜。这可通过 倾斜、弯曲、曲折阻挡部分430的上部，或者使用另一构件(member)向着第二加热部分423 上方延伸上部来实现。例如，阻挡部分430包括在第一外部支架417的顶部上垂直安装，即在第一加热 部分421和第二加热部分423之间的垂直阻挡板431 ；和形成在垂直阻挡板431的顶部上 并向着第二加热部分423上方向上延伸的倾斜阻挡板433。该垂直阻挡板431和倾斜阻挡 板433可分别通过分隔板440被分隔成多个。例如，如果加热区通过如上所述的8个分隔 板分隔成8个区，则可提供8个垂直阻挡板431和8个倾斜阻挡板433。这样，通过第二加 热部分423所产生的热量可通过垂直阻挡板431和倾斜阻挡板433阻挡，使得部分阻挡了 热量向反应空间101的中心区域传送。通过均勻保持反应空间101中心区域和外围区域的温度，可保持在基座210中心 和外围部分的温度均勻，且因此能够保持基板10中心和外围部分的温度均勻。结果，能在 均勻条件下实施膜沉积工艺。可调整多个垂直阻挡板431和倾斜阻挡板433的长度和倾斜角度以在处理期间保 持反应空间101内部的中心区域和外围区域温度均勻。具体地，参考图3和4中的修改实例，通过改变提供在每个加热区中的倾斜阻挡板433a至433d的长度，能够发现，根据倾斜阻挡板的长度，阻挡和传输了至反应空间101中心 区域的不同数量的热量。例如，通过改变提供在与区域A至D对应的加热区的倾斜阻挡板433a至433d的长 度，可控制通过第二加热部分423产生且被传输到加热空间101中心区域的热量的阻挡等 级。在这点上，在处理期间当反应空间101中心区域的温度相对高于外围区域的温度时，降 低以相对较低阻挡等级提供在加热区域A和B的第二加热部分423的输出，并且升高以相 对较高阻挡等级提供在加热区C和D的第二加热部分423的输出以均勻控制反应空间101 内部的温度。用于改变倾斜阻挡板433a至433d的长度的方法包括，如图3中所示，顺序增加提 供在加热区A至D的倾斜阻挡板433a至433d的长度，同时使得相对区域中的倾斜阻挡板 433a至433d的长度相同。而且，如图5的修改实例中所示，可使得提供在8个加热区中的倾斜阻挡板433的 长度全部不同。用于改变倾斜阻挡板433的长度的方法不限于此，且可实施各种修改，诸如改变 倾斜阻挡板433的长度为任何各种数值。可选地，可改变倾斜阻挡板433的倾斜角度以控制从第二加热部分423产生并被 传送到反应空间101中心区域的热量的阻挡等级，同时保持倾斜阻挡板433的长度相同。而且，如图6中所示，代替改变倾斜阻挡板433的长度或倾斜角度，可改变提供在 各自加热区的垂直阻挡部分431a至431d的长度以控制通过第二加热部分423所产生的热 量的阻挡等级(blocking level)。例如，如图6的㈧至⑶中所示，通过改变提供在与图2的A至D相对应的加热 区的垂直阻挡板431a至431d的长度，可控制从第二加热部分423产生并被传送到反应空 间101中心区域的热量的阻挡等级。与上述的示例性实施方式和修改实例相同，代替不同地改变垂直阻挡板431和倾 斜阻挡板433的长度或倾斜角度并将其固定，可控制倾斜阻挡板433的倾斜角度和长度以 在处理期间均勻控制反应空间101内部的中心和外围区域处的温度。与图7的示例性实施方式相同，通过能够调整倾斜阻挡板433的倾斜角度，可控制 从第二加热部分423产生的热量的阻挡等级，并且接着受控的热量被传送到反应空间101 的中心和外围区域。例如，倾斜阻挡板433可固定在分别提供于每个垂直阻挡板431端部上的铰链435 上。可优选提供借助于单独的驱动装置具有用于绕枢轴旋转倾斜阻挡板433的绕枢轴旋转 力的铰链435。如图8和9的实施方式中所示，通过能够调整倾斜阻挡板433的延伸长度，可控制 从第二加热部分423产生的热量的阻挡等级，并且受控的热量被传送到反应空间101的中 心区域。例如，在图8的示例性实施方式中的倾斜阻挡板433A形成于垂直阻挡板431的顶 端上并向着第二加热部分423上方向上延伸和倾斜。倾斜阻挡板433A包括具有在其端部 打开的滑动器凹槽433al的滑动器主体433a，和沿着滑动器凹槽433al向着第二加热部分 423上方滑动的滑动器次体43 。由此，随着滑动器次体43 沿着滑动器凹槽433al插入到滑动器主体或从滑动器主体拉出，改变了倾斜阻挡板433A的长度。可通过单独的驱动装 置提供滑动入滑动器次体43 中和从滑动器次体43 滑出所需的驱动功率。改变倾斜阻挡板433长度的方法不限于此。参考图9的示例性实施方式，倾斜阻 挡板43 可包括形成在垂直阻挡板431的顶端上并向着第二加热部分423上方倾斜延伸 的延伸主体433c ；和安装在延伸主体433c的顶表面和/或底表面上以向第二加热部分423 上方滑动出来的延伸次体433d。根据沿着延伸主体433c的顶表面和/或底表面滑动延伸 次体433d，可改变倾斜阻挡板433的长度。可通过单独的驱动装置来提供滑动入延伸主体 433d中和从延伸主体433滑出所需的驱动功率。可选地，阻挡部分可被构造成弯曲形状。图10是根据另一示例性实施方式的基板处理设备的示意性截面图，图11至15是 根据另一示例性实施方式的修改的加热部分和阻挡部分的垂直示意性截面图。如图10中所示，阻挡部分作为弯曲阻挡板460安装在第一加热部分421和第二加 热部分423之间，弯曲阻挡板460上部弯曲且向第二加热部分423上方延伸。借助于分隔 板450弯曲阻挡板460可被分成多个。由此，第二加热部分423所产生的热量通过弯曲阻 挡板460阻挡并部分限制该热量向反应空间101中心区域的传送。可不同地改变弯曲阻挡板460的长度和曲率半径，如上述的垂直阻挡板431和倾 斜阻挡板433中一样，以在处理期间均勻控制反应空间101内部的中心和外围区域的温度。具体地，如图11的修改实例中所示，通过不同地改变提供在加热区A至D中的弯 曲阻挡板460a至460d的长度，可变化地控制从第二加热部分423产生的热量的阻挡等级， 并且受控的热量被传送到反应空间101的中心区域。可选地，如图12的修改实例中所示，通过不同地改变弯曲阻挡板460A至460D的 曲率半径同时保持弯曲阻挡板460A-D的整个长度是相同的，可变化地控制从第二加热部 分423产生的热量的阻挡等级，因此受控的热量被传送到反应空间101的中心区域。参考图13至15的修改实例，与垂直阻挡板431和倾斜阻挡板433中相同，可调整 弯曲阻挡板460的倾斜角度和长度以在处理期间均勻控制反应空间101内部的中心和外围 区域的温度。弯曲阻挡板460被分成安装在第一加热部分421和第二加热部分423之间的下部 461和向着第二加热部分423上方延伸的上部463。在图13的修改实例中，上部463提供在下部461处使得其能绕枢轴旋转以调整倾 斜角度。这样，可控制通过第二加热部分423产生的热量的阻挡等级，因此受控的热量被传 送到反应空间101的中心区域。例如，弯曲阻挡板460包括设置在下部461和上部463之间的铰链(hinge) 465以 将绕枢轴旋转力施加到上部463。绕枢轴旋转弯曲阻挡板460的上部463所需的绕枢轴旋 转力可通过单独的驱动装置提供。参考图14和15的修改实例，通过能够调整弯曲阻挡板460的延伸长度，可控制通 过第二加热部分423产生的热量的阻挡等级，并且受控的热量被传送到反应空间101的中 心区域。参考图14的修改实例，由于上部463滑动入下部461的内部或从下部461的内部 滑出，因此可改变弯曲阻挡板460的长度。可通过单独的驱动装置提供滑动入或滑出上部463所需的驱动功率。参考图15中弯曲阻挡板460的修改实例，上部463可被构造成在下部461外部上 方滑动。也就是，通过沿着下部461顶表面和/或底表面向第二加热部分423上方滑动上 部463，而改变弯曲阻挡板460的长度。可通过单独的驱动装置提供滑动上部463所需的驱 动功率。本公开的示例性实施方式提供了相互分开且设置成以不同直径同心排列的第一 加热部分和第二加热部分，作为室下部的加热部分。但是加热部分的数量不限于此，且可以 不同方式修改。可优选阻挡部分提供在每个加热部分之间。根据本公开的示例性实施方式，可控制自室下部外围区域向室内部中心区域的热 传送，使得保持室内部、特别室基座的温度均勻。具体地，阻挡部分提供在设置于室中心区域下方的加热部分和设置于室外围区域 下方的加热部分之间，且阻挡部分的长度和倾斜角度可改变。结果，能迅速调整室内部温度 的均勻分布。尽管已经参考具体实施方式
描述了基板处理设备，但是其不限于此且可体现为各 种不同形式。提供上述实施方式以向本领域技术人员全部公开本发明以及其主题，和通过 所附权利要求限定本公开的精神和范围。1权利要求
1.一种基板处理设备，包括 包括反应空间的室；在该反应空间中的基板保持部分，该基板保持部分用于保持和旋转基板；在室中心区域下方的第一加热部分，该第一加热部分用于加热该反应空间的中心区域；在室外围区域下方的至少一个第二加热部分，该第二加热部分用于加热该反应空间的 外围区域；和在该第一加热部分和该第二加热部分之间的阻挡部分，该阻挡部分具有在第二加热部 分上方的顶部，并被构造成阻挡热量从第二加热部分传送到该反应空间的中心区域。
2.如权利要求1的基板处理设备，其中该阻挡部分包括 在该第一加热部分和该第二加热部分之间的垂直阻挡板；和在该垂直阻挡板顶端上的倾斜阻挡板，该倾斜阻挡板在该第二加热部分上方向上延伸 并倾斜。
3.如权利要求1的基板处理设备，其中阻挡部分包括在该第一加热部分和该第二加热 部分之间的弯曲阻挡板，该弯曲阻挡板的上部在该第二加热部分上方延伸。
4.如权利要求1的基板处理设备，其中 该第二加热部分被提供有多个且相互间隔；该基板处理设备进一步包括在室下方的支撑部分，该支撑部分支撑该第一加热部分和 该第二加热部分，和该支撑部分包括多个分隔板，用于至少分隔该第二加热部分。
5.如权利要求4的基板处理设备，其中该阻挡部分包括在该第一加热部分和该第二加热部分之间的多个垂直阻挡板，该多个垂直阻挡板通过 该多个分隔板分开；和在各个垂直阻挡板的顶端上的倾斜阻挡板，该倾斜阻挡板在该第二加热部分上方向上 延伸并倾斜。
6.如权利要求5的基板处理设备，其中多个垂直阻挡板中的至少一个具有与该多个垂 直阻挡板中的另外一个的不同高度。
7.如权利要求5的基板处理设备，其中至少一个倾斜阻挡板关于该垂直阻挡板以与另 一倾斜阻挡板不同的角度延伸。
8.如权利要求5的基板处理设备，其中至少一个倾斜阻挡板具有与另一倾斜阻挡板不 同的长度。
9.如权利要求5的基板处理设备，其中该倾斜阻挡板在垂直阻挡板的顶端处可绕枢轴旋转。
10.如权利要求9的基板处理设备，其中该倾斜阻挡板被固定到在该垂直阻挡板顶端 处的铰链。
11.如权利要求5的基板处理设备，其中该倾斜阻挡板具有可变长度。
12.如权利要求11的基板处理设备，其中每个倾斜阻挡板包括在各个垂直阻挡板顶端上的滑动器主体，该滑动器主体在该第二加热部分上方向上延 伸并倾斜，并其包括在其端部处的滑动器凹槽或开口 ；和滑动器次体，其被构造成在该第二加热部分上方从该滑动器凹槽或开口延伸并收缩到 该滑动器凹槽或开口中。
13.如权利要求11的基板处理设备，其中每个倾斜阻挡板包括在该垂直阻挡板顶端上的主体，该主体在该第二加热部分上方向上延伸并倾斜；和延伸次体，包括在其端部的凹槽或开口，该延伸次体被构造成在该第二加热部分上方 沿着该主体的至少一个表面滑动。
14.如权利要求4的基板处理设备，其中该阻挡部分包括在第一加热部分和第二加热 部分之间的多个弯曲阻挡板，该弯曲阻挡板通过该多个分隔板分隔开，且该弯曲阻挡板的 上部在该第二加热部分上方延伸。
15.如权利要求14的基板处理设备，其中该多个弯曲阻挡板中的至少一个具有与该多 个弯曲阻挡板的另一个不同的长度。
16.如权利要求14的基板处理设备，其中该多个弯曲阻挡板中的至少一个具有与该多 个弯曲阻挡板的另一个不同的曲率半径。
17.如权利要求14的基板处理设备，其中该多个弯曲阻挡板的每个具有在该第一加热 部分和该第二加热部分之间的下部和在该第二加热部分上方延伸的上部；和该上部关于下部可绕枢轴旋转并具有可变的倾斜角度。
18.如权利要求17的基板处理设备，其中该多个弯曲阻挡板的每个包括在该下部和该 上部之间的铰链。
19.如权利要求14的基板处理设备，其中该多个弯曲阻挡板的每个具有在第一加热部 分和第二加热部分之间的下部和在该第二加热部分上方延伸的上部，和该上部远离该下部延伸，或者朝该下部收缩，以使得每个弯曲阻挡板具有可变长度。
20.如权利要求1的基板处理设备，进一步包括在该室下方的支撑部分，该支撑部分支撑该第一加热部分和该第二加热部分，其中该 支撑部分具有阶梯式结构以使该第二加热部分在该第一加热部分上方。
全文摘要
提供了一种基板处理设备，其具有能够部分阻挡热量传送到室反应空间中心区域以均匀加热反应空间的阻挡部分。该设备包括室；基板保持部分，其设置在反应空间中以保持并旋转基板；设置在室中心区域下方以加热反应空间中心区域的第一加热部分；设置在室外围区域下方以加热反应空间外围区域的第二加热部分；和阻挡部分。该阻挡部分设置在第一和第二加热部分之间，并且其顶部向着第二加热部分上方延伸以阻挡由第二加热部分产生的热量传送到反应空间的中心区域。
文档编号C23C16/46GK102041486SQ20101051624
公开日2011年5月4日 申请日期2010年10月22日 优先权日2009年10月23日
发明者李义揆 申请人:周星工程股份有限公司