一种n型有机半导体晶体材料及其制备方法和用图
【专利摘要】本发明涉及一种分子自组装的n型有机半导体晶体材料，所述用于自组装的分子结构式选自结构式I，其中，R1为取代的烷基，取代基为烷基，取代位置是与氮原子相邻的前三个碳原子之一；或者R1为末端被二烷胺基取代的直链烷基；所述n型有机半导体晶体材料为二维有序的单层膜结构。本申请创造性地提出了苝酰亚胺衍生物自组装制备n型半导体晶体材料的方法，所述方法简单易操作；本发明提供的n型半导体晶体材料具有高的电子迁移率，制备得到的光电子器件和太阳能电池具有更高的效率。
【专利说明】
-种n型有机半导体晶体材料及其制备方法和用途
技术领域
[0001] 本发明本发明属于半导体领域，具体设及一种n型有机半导体晶体材料及其制备 方法和用途，特别设及一种在衬底表面利用支链调制的二维有序巧酷亚胺单层膜自组装的 n型有机半导体晶体材料。
【背景技术】
[0002] 巧类材料W花环为母体的衍生物，是一类特殊的稠环结构化合物。巧类材料具有 鲜艳的颜色，W红色为主，是一类有强烈巧光的芳香控化合物且由于其优异的耐热、耐晒、 耐溶剂性能和优越的染色性能，是具有良好稳定性和耐光牢度的优秀还原染料，常用于棉 纤维和织物的染色。此外，由于它具有极高的耐有机溶剂性和热稳定性，W及很高的耐晒和 耐气候牢度，在塑料和涂料等行业有广泛应用。
[0003] 巧酷亚胺类化合物（PDIs)均具有良好的分子平面性和很强的刚性，使得巧酷亚 胺类化合物具有很强的化学稳定性，热稳定性，其分解溫度一般都在20(TC W上。由于巧酷 亚胺具有大的n - JT共辆结构，用Guassina98程序计算其禁带宽度大约为2. 5eV，具有低 的LUMO和HOMO能级并且由于其共辆大JT键之间的JT-JT堆叠使沿堆叠方向具有很高的 电子迁移率，在可见光范围有很强的光吸收能力和光敏性，是优良的光电材料。
[0004] n-型有机半导体材料是构筑有机光电子器件如场效应晶体管、发光二极管和太阳 能电池中活性层的重要材料。相对于P-型有机半导体材料而言，n-型有机半导体材料比 较缺乏，特别是具有高电子迁移率的n-型导电材料更为少见，而具有优良的化学、热和光 稳定性，较宽吸收光谱范围（对可见区到红外区的光有很强的吸收）W及较高的巧光量子 产率（有的甚至到达100% )的巧酷亚胺及其衍生物，使其应用于光致能量转移、电子转移 机理研究W及器件制备领域。
[0005] 巧酷亚胺的酷亚胺基团具有强的吸电子效应，使巧酷亚胺具有高的电子亲和力， 是最好的n-型有机半导体材料。巧酷亚胺衍生物具有出色的光学、电化学稳定性，优异的 热和光化学稳定性，其已设及电子照相、太阳能电池、电致发光、生物巧光探针及分子光电 材料等领域。
[0006] 在有机太阳能电池领域，选择适宜的材料，优化器件结构来提高光电转换效率，W 及简化制膜工艺等方法能够有效地提高太阳能电池的实用价值，是当前研究的热点。
[0007] 巧酷亚胺及其衍生物可W大批量制备且生产成本低，分子水平可设计，被广泛应 用于有机光导材料、有机电致发光材料、液晶显示材料、激光染料、化学发光色素、染料敏化 太阳能电池和分子开关等领域，因此对巧酷亚胺类化合物的研究与应用开发是非常有意义 的。
[0008] 巧酷亚胺及其衍生物作为独特的n-型有机半导体材料，近年来受到国内外研究 者的青睐。巧酷亚胺衍生物的制备、超分子自组装和实际应用也被广泛报道，但是目前对 巧酷亚胺及其衍生物的研究，还仅限于一些简单的研究，其纳米、微米尺寸材料的性质的研 究必对其在有机场效应晶体管、气敏传感器和在生物领域中应用产生深远的影响。目前对 巧酷亚胺的研究主要集中在有机场效应管，有机太阳能电池，薄膜制备，机理研究等几个方 面，随着研究的不断深入，也逐渐发现了此类化合物与结构相关的在光电方面的巨大的潜 能并展开了广泛的研究。
[0009] 目前，基于纳米材料的特殊性质和其在有机场效应晶体管、二极管、有机光伏电 池、有机光电探测器中的广泛应用，二维纳米半导体材料的重要性日益突显，出现了大量的 对纳米材料的研究。由于有机半导体纳米结构在光电纳米材料上的潜在应用价值，具有优 良光电性质的n-型有机半导体分子PDIs引起科学家的广泛关注。通过在PDIs分子上引 入不同的支链或基团，得到具有不同溶解性，不同光电性质的PDIs分子来提高有机太阳能 转换、光导体、电致发光、有机无机复合半导体材料、有机光电分子器件的效率成为研究热 点。而其中具有不同官能团的PDIs分子有机半导体二维纳米结构薄膜，特别是靠近电极的 薄膜层对太阳能电池等电子器件的效率具有重要的影响。
【发明内容】
[0010] 针对现有技术的不足，本发明的目的之一在于提供一种分子自组装的n型有机半 导体晶体材料，所述用于自组装的分子为PDIs,其结构式选自：
[0011]
12345 其中，Ri为取代的烷基，所述取代的烷基中，取代基为烷基，取代位置是与氮原子 相邻的前=个碳原子之一；或者Ri为末端被二烧胺基取代的直链烷基； 2 所述n型有机半导体晶体材料为二维有序的单层膜结构。 3 本发明所述n型有机半导体晶体材料的自组装分子结构为巧酷亚胺衍生物。本发 明所述n型有机半导体晶体材料由巧酷亚胺衍生物在衬底表面沿能量最低的方向（例如在 HOPG上沿<010〉方向）上平铺而成，其中晶胞结构通过优化能够达到热力学稳定态，实现了 高密度排列。 4 作为优选方案，本发明所述Ri为取代的C4~C12烷基；所述取代基优选为Cl~ C3的烷基；取代位置优选为与氮原子相邻的第二个碳原子； 5 优选地，所述Ri为乙基己烷基。
[0017] 作为另一优选方案，所述Ri为末端被二烧胺基取代的直链C3~C7烷基；所述二 烧胺基优选二甲胺基、二乙胺基、二丙胺基、甲乙胺基、甲丙胺基或乙丙胺基中的任意1种 或至少2种的组合；
[00化]优选地，所述Ri为二甲胺基正丙基。
[0019] 在本发明所述的分子自组装的n型有机半导体晶体材料中，当所述用于自组装的 分子为PDIEH，其结构式为：
[0020]
时，自组装获得的n型有机半导体晶体材料的晶胞大小为a = 1. 40皿，b = 1. 70皿，a = 60。，或者自组装获得的n型有机半导体晶体材料的晶胞大小为 a = 1. 55nm, b = I. 30nm, 口 = 90°。
[0021] 当所述用于自组装的分子为PDIN，其结构式为：
[0022]
时，自组装获得的n型有机半导体晶体材料的晶胞大小为a = 2. 0皿，b = 1. 1皿，a = 90°，或者自组装获得的n型有机半导体晶体材料的晶胞大小为a =1. 55nm，b = 1. 2nm，口 = 90°。
[0023] 本发明的目的之二是提供了一种如目的之一所述的分子自组装的n型有机半导 体晶体材料的制备方法，所述方法为：将自组装的分子分散在烧控类溶剂中，之后滴加到衬 底上，扩散稳定后获得n型有机半导体材料。
[0024] 本发明所述方法的自组装的分子为PDIs，本发明利用溶液法采用自下而上的方 式，在衬底的晶格调制作用下，在衬底表面形成紧密排列的弥补型单层膜结构。PDIs在衬底 表面通过分子之间（包括PDIs分子之间和PDIs分子与溶剂之间）和分子与基底之间的协 同相互作用得到沿特定方向K-JT堆积而成的二维有序单层膜结构。
[00巧]其中，所述自组装的分子为PDIs,其结构式选自：
[0026]
[0027] 其中，Ri为取代的烷基，取代基为烷基，取代位置是与氮原子相邻的前=个碳原子 之一；或者Ri为末端被叔胺取代的直链烷基。
[0028] 优选地，所述自组装的分子原料纯度> 99%。
[0029] 在目的之一所述的分子自组装的n型有机半导体晶体材料所用的自组装的分子 结构的选择均适用于目的之二所述方法的自组装的分子。
[0030] 优选地，所述烧控类溶剂选自Cio~C16直链烧控，优选正癸烧、正十二烧、正十四 烧、正十五烧、正十六烧中的任意1种或至少2种的组合。
[0031] 优选地，所述烧控类溶剂的纯度> 98%。
[0032] 优选地，所述分散为超声分散，超声功率优选100W，超声时间优选> lOmin。
[0033] 优选地，所述自组装的分子分散在烧控类溶剂中的浓度为0. 05~0. 5mg/血。
[0034] 优选地，所述衬底为表面原子级平整的衬底，优选高溫热解石墨HOPG衬底。
[0035] 优选地，所述方法的溫度一直是室溫或者室溫W下。
[0036] 本发明提供的n型有机半导体晶体材料的自组装分子结构中，将Ri远离酷胺氮原 子的一端定义为Ri的头部，靠近酷胺氮原子的一端定义为R 1的尾部。
[0037] 当PDIs为PDIN，衬底为高溫热解石墨HOPG衬底时，PDIN受到表面高溫热解石 墨的晶格调制作用，在衬底表面形成紧密排列的弥补型单层膜结构。在该单层膜结构中， Ri为二甲胺基正丙基，非共辆的PDIN的Ri的头部和头部靠近排列，其晶胞大小为a =2.0皿，b = 1. 1皿，a = 90。，为亚稳态结构；之后经过弛豫，在所述单层膜结构中，非 n -JT共辆的PDIN的Ri的头部和尾部靠近排列，其晶胞大小为a = 1. 55皿，b = 1. 2皿，a = 90。，为热力学稳定结构。 阳03引当PDIs为PDIEH，衬底为高溫热解石墨册PG衬底时，PDI邸受到表面高溫热解石 墨的晶格调制作用，在衬底表面形成紧密排列的弥补型单层膜结构。在该单层膜结构中， Ri为乙基己烷基，非JT-JT共辆的PDIEH的Ri的头部和头部靠近排列，其晶胞大小为a = 1.40皿，b = 1.70皿，a =60。，为亚稳态结构；之后经过弛豫，在所述单层膜结构中非 n - JT共辆的PDIEH的Ri的头部和尾部靠近排列，其晶胞大小为a = 1. 55皿，b = 1. 30皿， 曰=90°，为热力学稳定结构。
[0039] 作为可选技术方案，本发明所提供分子自组装的n型有机半导体晶体材料通过如 下步骤获得：
[0040] (1)室溫下配制含PDIS(PDI邸或PDIN)的正十四烧溶液：将纯度>98%的PDIs溶 解于正十四烧（n-CwHw，纯度> 99% )中，得到浓度为0. 05~0. 5mg/mL的PDIs的正十四 烧溶液；并在IOOW功率下超声IOmin W上，保证PDIs均匀地分散溶解于正十四烧中；
[0041] (2)清洁处理衬底：选择表面原子级平整的高溫热解石墨HOPG衬底，经过常规半 导体制造工艺的清洗工艺清洗干净备用；
[0042] (3)制备n型有机半导体分子自组装结构：将步骤（1)制备好PDIs的正十四烧溶 液，滴到步骤（2)的衬底表面，待溶液在衬底表面扩散稳定后即可得到二维有序的PDIs单 层膜纳米结构，即自组装的n型有机半导体晶体材料。
[0043] 本发明的目的之S是提供一种如目的之一所述的n型有机半导体晶体材料的用 途，所述n型有机半导体晶体材料可用于有机光导材料、有机电致发光材料、液晶显示材 料、激光染料、、染料敏化太阳能电池等光电材料。 W44] 与现有技术相比，本发明具有如下有益效果： W45] (1)创造性地提出了巧酷亚胺衍生物自组装制备n型半导体晶体材料的方法，所 述方法简单易操作；
[0046] 似本发明提供的n型半导体晶体材料具有高的电子迁移率，制备得到的光电子 器件和太阳能电池具有更高的效率。
【附图说明】
[0047] 图Ia为实施例1获得的亚稳态的n型半导体晶体材料的STM图像（20nmX 20nm); 引图化为实施例1获得的热稳定态的n型半导体晶体材料的STM图像 (IOnmXlOnm); W例 图2a为实施例2获得的亚稳态n型半导体晶体材料的STM图像（16nmX 16nm); W加]图化为实施例2获得的热稳定态的n型半导体晶体材料的STM图像 (IOnmXlOnm);
[0051] 图la、化、2日、化中的黑色线框表示一个晶胞单元。
【具体实施方式】
[0052] 为便于理解本发明，本发明列举实施例如下。本领域技术人员应该明了，所述实施 例仅仅是帮助理解本发明，不应视为对本发明的具体限制。 阳〇5引 实施例1
[0054] 一种n型有机半导体晶体材料通过如下方法制备得到： W55] (I)配制PDIs溶液：在I. 5血离屯、管中，加入PDIN(大约0. 5mg)到 I血的正十四 烧中，超声分散大约IOmin使PDIN完全溶解，获得PDIs的正十四烧溶液；
[0056] (2)准备衬底：取新解理的H0PG，并进行清洗，获得HOPG衬底； W57] 0)自组装：将步骤（1)得到的PDIs的正十四烧溶液滴一滴（大约1 y L)至步骤 (2)得到的HOPG衬底表面，由于石墨与溶液都是疏水的，溶液在石墨表面扩散形成厚度均 匀的膜，PDIN分子吸附在HOPG表面形成二维矩形排列单层膜纳米结构，即亚稳态的n型半 导体晶体材料；经过弛豫后获得热稳定态的n型有机半导体晶体材料。 阳〇5引 性能表征：
[0059] 用扫描隧道显微镜（STM)测量获得的n型有机半导体晶体材料： W60] 将步骤做的滴有溶液的册PG固定到样品台上，再操纵STM针尖（Pt/Ir，80:20) 使其缓慢逼近样品表面直至浸入到膜中但未接触到石墨表面，然后进行扫描测量，得到固 液界面吸附的PDIN的STM图像，如图Ia和图化所示，图中较亮的部分是PDI分子主体，因 为31共辆体系在STM测量中产生较高的隧道电流，测量的长度为1.2 + 0.1 nm(理论值为 1. 13nm)，而图像中亮度较暗的部分是二甲胺支链，由于其链长度较短，所W其STM图像较 暗；
[OOW] 图Ia为实施例1获得的亚稳态的n型半导体晶体材料的STM图像，从图Ia可W 看出，亚稳态的n型半导体晶体材料具有有序排列的矩形结构；PDIN分子之间紧密排列，形 成矩形晶胞结构，晶胞大小为a = 2. 0皿，b = 1. 1皿，a = 90。，一个单胞中只包含一个 PDIN分子，分子堆积密度为0. 45/nm2,分子之间通过烷基链之间的范德华作用力，使分子与 基底的相互作用形成二维有序纳米结构。通过DFT分子模拟和理论计算得知，实施例1获 得的亚稳态的n型半导体晶体材料的每个晶胞的能量为-0Jl6kcd.m〇ri.又-2 (包括晶胞 内部相互作用和晶胞与基地的相互作用）。
[00创图化为实施例1获得的热稳定态的n型半导体晶体材料的STM图像，从图化可W 看出，热稳定态的n型半导体晶体材料具有有序排列的矩形结构；PDIN分子之间紧密排列， 呈矩形晶胞，晶胞参数为a =1.55皿，b= 1.2皿，a =90。，一个单胞中包含一个PDIN分 子，分子堆积密度为0. 54/nm2,分子晶胞为矩形结构。通过DFT分子模拟和理论计算得知， 每个晶胞的能量为-0.36化cal-m0r，A-\
[0063] 通过比较图Ia和化中PDIN分子的两种不同的自组装结构，得知图化的分子排列 方式使每个晶胞具有更低的能量和更高的分子堆积密度，除此之外，图化自组装结构成像 稳定，不易随时间发生变化。因此可知，图化中具有a = 1. 55皿，b = 1. 2皿，a = 90°晶 胞参数的PDIN分子矩形自组装结构为热力学稳定态，而图Ia具有a = 2. 0皿，b = 1. 1皿， a =90°晶胞参数的PDIN的矩形自组装结构为亚稳态结构，而运两种皆为有序的二维矩 形纳米结构。
[0064] n型半导体分子的有序的纳米结构由于其高度有序性，能够显著降低其电阻，能够 显著改善PDIN单分子膜的电子迁移率，使光电子器件和太阳能电池具有更高的效率，其太 阳能光电转化率能够达到10%，因此PDIN分子的矩形亚稳态自组装结构和PDIN分子的矩 形热力学稳定自组装结构的发现具有重要意义。 W65] 实施例2
[0066] 一种n型有机半导体晶体材料通过如下方法制备得到： W67] (1)配制PDIs溶液：在1. 5血离屯、管中，加入PDIEH(大约0. 5mg)至Ij 1血的正十四 烧中，超声分散大约IOmin使PDI邸完全溶解，获得PDIs的正十四烧溶液；
[0068] (2)准备衬底：取新解理的H0PG，并进行清洗，获得HOPG衬底； W例 做自组装：将步骤（1)得到的PDIs的正十四烧溶液滴一滴（大约1 y L)至步骤 (2)得到的HOPG衬底表面，由于石墨与溶液都是疏水的，溶液在石墨表面扩散形成厚度均 匀的膜，PDI邸分子吸附在HOPG表面形成二维单层膜纳米结构，即亚稳态的n型半导体晶 体材料；经过弛豫后获得热稳定态的n型有机半导体晶体材料。
[0070] 性能表征：
[0071] 用扫描隧道显微镜（STM)测量获得的n型有机半导体晶体材料：
[0072] 测试方法与实施例1相同，先将滴有上述溶液的HOPG固定到样品台上，再操纵STM 针尖（Pt/Ir，80:20)使其缓慢逼近样品表面直至浸入到膜中但未接触到石墨表面，然后进 行扫描，得到固液界面吸附的PDIEH分子的STM图像，如图2a和图化所示，同样的，图中较 亮的部分是PDI分子主体，因为JT共辆体系在STM测量中产生较高的隧道电流，测量的长 度为1. 2 + 0. 1 (理论值为1. 13nm)，而图像中亮度较暗的部分是烧控支链，由于其链长度较 短，所W其STM图像较暗； 阳07引图2a为实施例2获得的亚稳态n型半导体晶体材料的STM图像，从图2a可W看 出，亚稳态的n型半导体晶体材料具有有序排列的菱形结构；PDI邸分子之间紧密排列，形 成菱形晶胞结构，晶胞大小为a = 1. 40皿，b = 1. 70皿，a = 60。，一个单胞中只包含一个 PDI邸分子，分子堆积密度为0. 42/nm2,分子之间通过烷基链之间的范德华作用力，使分子 与基底的相互作用形成二维有序纳米结构。通过DFT分子模拟和理论计算得知，每个晶胞 的能量为-0.31;3k城1?抑抽'I-A 4 (包括晶胞内部相互作用和晶胞与基地的相互作用）。 阳074] 图化为实施例2获得的热稳定态的n型半导体晶体材料的STM图像，从图化可 W看出，热稳定态的n型半导体晶体材料具有有序排列的矩形结构；PDIEH分子呈现与图2a 不同方式的紧密排列，呈矩形晶胞，晶胞参数为a = 1. 55皿，b = 1. 30皿，a = 90。，一个 单胞中包含一个PDIEH分子，分子堆积密度为0. 50/nm2,分子晶胞为矩形结构。通过DFT分 子模拟和理论计算得知，每个晶胞的能量为-〇.4〇3kcalMTi〇ri ? A-2。
[0075] 通过比较图2a和化中PDI邸分子的两种不同的自组装结构，得知图化的分子 排列方式使每个晶胞具有更低的能量和更高的分子堆积密度，除此之外，图化自组装结构 成像稳定，不易随时间发生变化。因此可知，图化中具有a = 1. 55nm，b = 1. 30nm，a = 90°晶胞参数的PDI邸分子矩形自组装结构为热力学稳定态，而图2a具有a = I. 40nm，b = 1.70皿，a =60。晶胞参数的PDIEH的菱形自组装结构为亚稳态结构。而运两种皆为 有序的二维矩形纳米结构。
[0076] n型半导体分子的有序的纳米结构能够显著改善PDI邸单分子膜的电子迁移率， 使光电子器件和太阳能电池具有更高的效率，因此PDI邸分子的矩形亚稳态自组装结构和 PDI邸分子的矩形热力学稳定自组装结构的发现具有重要意义。
[0077] 由于PDIN和PDI邸分子为巧酷亚胺分子带有不同的支链，但是却具有不同的亚稳 态和热力学稳定态自组装结构。因此可知，带有不同的支链的巧酷亚胺分子，由于取代基的 不同造成其空间位阻，其分子间作用力，分子与HOPG基底作用力不同，从而得到具有不同 结构的二维分子自组装单层膜结构。支链对其自组装的二维有序纳米结构具有支配调节的 作用。通过分子层面的研究，得到巧酷亚胺系化合物的支链是怎样调节分子自组装结构，而 有序的自组装结构对微纳米器件和分子器件的开发具有十分重要的应用价值。
[0078]
【申请人】声明，本发明通过上述实施例来说明本发明的详细工艺设备和工艺流程， 但本发明并不局限于上述详细工艺设备和工艺流程，即不意味着本发明必须依赖上述详细 工艺设备和工艺流程才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了，对本发明的任何改进， 对本发明产品各原料的等效替换及辅助成分的添加、具体方式的选择等，均落在本发明的 保护范围和公开范围之内。
【主权项】
1. 一种分子自组装的η型有机半导体晶体材料，其特征在于，所述用于自组装的分子 结构式选自：其中，&为取代的烷基，所述取代的烷基中，取代基为烷基，取代位置是与氮原子相邻 的前三个碳原子之一；或者&为末端被二烷胺基取代的直链烷基； 所述η型有机半导体晶体材料为二维有序的单层膜结构。2. 如权利要求1所述的η型有机半导体晶体材料，其特征在于，所述R 取代的C4~ C12烷基；所述取代基优选为C1~C3的烷基；取代位置优选为与氮原子相邻的第二个碳原 子； 优选地，所述&为乙基己烷基。3. 如权利要求1所述的η型有机半导体晶体材料，其特征在于，所述R i为末端被二烷 胺基取代的直链C3~C7烷基；所述二烷胺基优选二甲胺基、二乙胺基、二丙胺基、甲乙胺 基、甲丙胺基或乙丙胺基中的任意1种或至少2种的组合； 优选地，所述&为二甲胺基正丙基。4. 如权利要求1所述的η型有机半导体晶体材料，其特征在于，当所述用于自组装的分 子结构式为：时，自组装获得的η型有机半导体晶体材料的晶胞大小为a = 1. 40nm，b = 1. 70nm，α = 60°，或者自组装获得的η型有机半导体晶体材料的晶胞大小为 a = L 55nm，b = L 30nm，α = 90° 〇5. 如权利要求1所述的n型有机半导体晶体材料，其特征在于，当所述用于自组装的分 子结构式为：寸，自组装获得的η型有机半导体晶体材料的晶胞大小为a = 2. 0nm，b = 1. lnm，α = 90°，或者自组装获得的η型有机半导体晶体材料的晶胞大小为a =1. 55nm, b = 1. 2nm, α = 90° 。6. -种如权利要求1~5之一所述的分子自组装的η型有机半导体晶体材料的制备方 法，其特征在于，所述方法为：将自组装的分子分散在烷烃类溶剂中，之后滴加到衬底上，扩 散稳定后获得η型有机半导体材料。7. 如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述自组装的分子结构式选自：其中，Ri为取代的烷基，取代基为烷基，取代位置是与氮原于相邻的前三个碳原子之 一；或者&为末端被叔胺取代的直链烷基； 优选地，所述自组装的分子原料纯度多99%。8. 如权利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述烷烃类溶剂选自CIO~C16直链 烷烃，优选正癸烷、正十二烷、正十四烷、正十五烷、正十六烷中的任意1种或至少2种的组 合； 优选地，所述烷烃类溶剂的纯度多98% ; 优选地，所述分散为超声分散，超声功率优选100W，超声时间优选多lOmin ; 优选地，所述自组装的分子分散在烷烃类溶剂中的浓度为0. 05~0. 5mg/mL。9. 如权利要求6~8之一所述的方法，其特征在于，所述衬底为表面原子级平整的衬 底，优选高温热解石墨H0PG衬底。10. -种如权利要求1~5之一所述的η型有机半导体晶体材料的用途，其特征在于， 所述η型有机半导体晶体材料可用于有机光导材料、有机电致发光材料、液晶显示材料、激 光染料、染料敏化太阳能电池等光电材料。
【文档编号】H01L51/00GK105862133SQ201510035770
【公开日】2016年8月17日
【申请日】2015年1月23日
【发明人】王伟, 江鹏
【申请人】国家纳米科学中心