用于发光元件的材料的前驱体及其制备方法
【专利摘要】本发明提供一种能够溶解于溶剂，通过加热可以转变成用于发光元件材料的前驱体及其制备方法。该前驱体使用于转印法、印刷法等的涂布法制备涂布型有机发光元件的材料。本发明的用于发光元件材料的前驱体，可应用于显示元件、平面显示器、背光源、照明、室内设计、标识、广告牌、电子照相机以及光信号发生装置等领域。
【专利说明】用于发光元件的材料的前驱体及其制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及发光元件材料的前驱体及其制备方法。本发明的用于发光元件材料的前驱体，可应用于显示元件、平面显示器、背光源、照明、室内设计、标识、广告牌、电子照相机以及光信号发生装置等领域。
【背景技术】
[0002]有机发光元件发光原理是，其构造为在阴极和阳极之间夹有有机发光层，通过从阴极注入的电子与从阳极注入的电子空穴在有机发光层内再结合产生的能量而发光。该有机发光元件，由于具有薄、轻、在低驱动电压下高亮度发光，以及可以通过选择不同发光材料而发出多种颜色光的特点，因而作为下一代显示设备而备受关注。
[0003]作为有机发光元件的发光层所用材料，优选具有电化学稳定性的同时又具有良好的发光特性的材料。满足以上这些条件的多环芳香族烃类(蒽、芘、并四苯等)的衍生物作为发光材料而被众多应用(参照专利文献I~4)。
[0004]另外，蒸镀法作为有机发光元件的制备方法而被广泛应用，但由于有机EL平板的大型化趋势所需，通过转印法、印刷法等的涂布型有机发光元件制备方法正研讨中。作为适合于以上所述涂布型有机发光元件制备方法的发光元件材料之一，通过加热和/或光照可以转变成发光元件材料的发光元件用材料前驱体经常被使用(参照专利文献5)。
[0005]专利文献1:日本专利特开2007-63501号公报；
[0006]专利文献2:日本专利特开2009-246354号公报；
[0007]专利文献3:日本专利特开2002-`8867号公报；
[0008]专利文献4:国际公开W02010/084852号公报；
[0009]专利文献5:国际公开W02011/074428号公报。
【发明内容】
[0010]对于适合于涂布型有机发光元件制备方法的发光元件所用材料，其对于溶剂的可溶性经常是被作为条件，但是大多数被作为发光材料使用的多环芳香族烃类(蒽、芘、并四苯等)的衍生物难溶于溶剂，所以就很难被应用于涂布型有机发光元件的制备。
[0011]本发明的目的为:提供一种能够溶解于溶剂，通过加热可以转变成用于发光元件的材料的前驱体及其制备方法。
[0012]本发明提供一种用于发光元件材料的前驱体，其特征在于:以一般式(I)来表示:
[0013][化学式I]
[0014]
X R1 Ar1 R10 R9
⑴
R4 Ar2 R5 R6
[0015]Ar1~Ar2可以是相同的，也可以是不同的，分别表示为烯基、环烯基、芳基或杂芳基中一种或几种，但是Ar1和Ar2对相键合着的苯环的面，存在有顺反异构体；
[0016]X、Y可以分别是相同的，也可以是不同的，表示为CR11R12;
[0017]R1~Rltl可以是相同的，也可以是不同的，分别表示为氢、烷基、环烷基、烯基、环烯基、烷氧基、烷基硫酿基、芳酿基、芳香硫酿基、芳基或杂芳基中一种或几种，也可以是以相邻的取代基键合，形成环；
[0018]Rn~R12可以是相同的，也可以是不同的，分别表示为氢、烷基、环烷基、烯基、环烯基、芳基或杂芳基中一种或几种，R11和R12也可以键合而形成环。
[0019]上述基团中，对于烷基的碳原子数虽然不作特别限制，但优选碳原子数为I~20范围的烷基。进一步优选为甲基、乙基、1-丙基、2-丙基、1- 丁基、2- 丁基、或特丁基等的饱和脂肪族烃基，它们可以是未被取代的，也可以是被取代的。在被取代的情况下，对于取代基没有特定限制，如可以是烷基、芳基、或杂芳基等，关于这方面，适用于以下记载。另外，对于烷基的碳原子数虽然不作特别限制，但优选碳原子数为I~20范围。
[0020]对于环烷基的碳原子数虽然不作特别限制，但优选碳原子数为3~20范围。环烷基进一步优选为环丙基、环己基、降莰基、或金刚烷基等的饱和脂环式烃基，它们可以是未被取代的，也可以是被取代的。
[0021]对于烯基的碳原子数虽然不作特别限制，但优选碳原子数为2~20范围。烯基进一步优选为乙烯基、稀丙基、或丁间二烯基等的包含双键的不饱和脂肪族经基，它们可以是未被取代的，也可以是被取代的。
[0022]对于环烯基的碳原子数虽然不作特别限制，但优选碳原子数为2~20范围。环烯基进一步优选为环戍烯基、环戍 二烯基、或环己基等的包含双键的不饱和脂肪族经基，它们可以是未被取代的，也可以是被取代的。
[0023]对于烷氧基的碳原子数虽然不作特别限制，但优选碳原子数为I~20范围。烷氧基进一步优选为甲氧基、乙氧基、或丙氧基等的通过醚键结合有脂肪族烃基的官能团，所述脂肪族烃基可以是未被取代的，也可以是被取代的。
[0024]烷基硫酿基为烷氧基的酿键的氧原子被硫原子所取代，烷基硫酿基的脂肪族经基可以是未被取代的，也可以是被取代的。对于烷基硫醚基的碳原子数虽然不作特别限制，但优选碳原子数为I~20范围。
[0025]对于芳基的碳原子数虽然不作特别限制，但优选碳原子数为6~40范围。芳基进一步优选为苯基、萘基、联苯基、芴基、菲基、三联苯、蒽基、或芘基等的芳香族烃基或者是它们的多个连接在一起的基团，可以是未被取代的，也可以是被取代的。
[0026]杂芳基优选为呋喃基、苯硫基、吡咯基、氧氮茂基、噻唑基、咪唑基、吡啶基、苯并呋喃基、苯并苯硫基、吲哚基、苯并氧氮茂基、苯并噻唑基、苯并咪唑基、喹啉基、或咔唑基等的环内具有除碳元素以外的原子的芳香族基团，可以是未被取代的，也可以是被取代的。
[0027]芳醚基表示如苯氧基、或萘氧基等，通过醚键连接有芳香族烃基、或者是多个芳香族烃基的连接基团的官能团，它们可以是未被取代的，也可以是被取代的。对于芳醚基的碳原子数虽然不作特别限制，但优选碳原子数为6~40范围。
[0028]芳香硫醚基为芳醚基的醚键的氧原子被硫原子所取代，芳香硫醚基的脂肪族烃基可以是未被取代的，也可以是被取代的。对于芳香硫醚基的碳原子数虽然不作特别限制，但优选碳原子数为6~40范围。[0029]所谓相邻取代基键合，形成环，使用所述一般式(I)进行说明的情况下，从R1~Rki中选出的任意两个相邻的取代基(如R2和R3)相互键合，形成共轭或非共轭的缩合环。这些缩合环，可以是环内结构中包含有氮、氧或硫原子中的一种以上原子，也可以再进一步与其它环进行缩合。
[0030]上述取代基优选为烷基、环烷基、烯基、炔基、烷氧基、芳酿基、烧硫基、卤素、氛基、氣基、甲娃烷基、或氧砸基等。
[0031]所述一般式(I)中，作为Ar1~Ar2，可以是相同的，也可以是不同的，分别优选为芳
基或杂芳基。
[0032]以下列出了 Ar1~Ar2的最优选方案。
[0033]-Arn(n=l, 2):
[0034]`
【权利要求】
1.一种用于发光兀件材料的前驱体，其特征在于:以一般式(I)来表不:
2.根据权利要求1所述的用于发光元件材料的前驱体，其特征在于:在一般式(I)中，Ar1~Ar2可以是相同的，也可以是不同的，分别表示为芳基或杂芳基。
3.根据权利要求2所述的用于发光元件材料的前驱体，其特征在于:在一般式(I)中，Ar1~Ar2选自于以下结构式所示:Arn(n=l，2)
4.根据权利要求1~3中任一项所述的用于发光元件材料的前驱体，其特征在于:在一般式(I)中，Rn~R12可以是相同的，也可以是不同的，分别表示为氢或烷基。
5.一种制备一般式(I)所不的用于发光兀件材料的前驱体的方法，其特征在于:在一般式(2)所表示的化合物上加成一般式(3)所表示的化合物后，还原制备一般式(I)所示的用于发光元件材料的前驱体:
6.根据权利要求5所述的用于发光元件材料的前驱体的制备方法，其特征在于:使用以一般式(4)所表不的化合物和以一般式(5)所表不的化合物制备一般式(2)所表不的化合物的工序，
【文档编号】C07C13/64GK103880796SQ201210555577
【公开日】2014年6月25日 申请日期:2012年12月19日 优先权日:2012年12月19日
【发明者】金光男, 石垣刚 申请人:东丽先端材料研究开发（中国）有限公司