技术领域：
本发明涉及式I化合物，其生产方法及其在电子器件，尤其是场致发光器件中的用途。当在场致发光器件中用作空穴传输材料时，式I化合物可以提供具有改进效率、稳定性、可制造性或光谱特性的场致发光器件。
背景技术：
：Khan，MisbahulAin；Ribeiro，VeraLuciaTeixeira，PakistanJournalofScientific和IndustrialResearch43(2000)168-170描述了通过亚磷酸三烷基酯诱导脱氧和1-(邻硝基苯基)-和1-(邻叠氮基苯基)苯并咪唑的热解合成苯并咪唑并[1，2-a]苯并咪唑(R＝H、Me、Et)。PedroMolina等.Tetrahedron(1994)10029-10036报道了由二(2-氨基苯基)胺与2当量异氰酸酯衍生的二(亚氨基正磷)的氮杂Wittig类型反应直接提供苯并咪唑并[1，2，a]苯并咪唑衍生物。(R＝异丙基和R’＝乙基)Kolesnikova，I.V.；ZhurnalOrganicheskoiKhimii25(1989)1689-95描述了1，2，3，4，7，8，9，10-八氟-5-(2，3，4，5，6-五氟苯基-5H-苯并咪唑并[1，2-a]苯并咪唑)的合成。Achour，Reddouane；Zniber，Rachid，BulletindesSocietesChimiquesBelges96(1987)787-92描述了苯并咪唑并苯并咪唑(R＝H，-CH(CH3)2)的合成，其由苯并咪唑啉酮衍生物制备。Hubert，AndreJ.；Reimlinger，Hans，ChemischeBerichte103(1970)2828-35描述了苯并咪唑并苯并咪唑(R＝H，CH3，)的合成。JP2001160488描述了一种场致发光元件，其在相对的阳极和阴极之间具有发光层，其具有单层或多层有机化合物膜，其中至少一层有机化合物膜含有至少一种由式所示的化合物。明确公开如下化合物：US20100244006涉及一种有机场致发光器件，该器件包括：阴极；阳极；和在阴极和阳极之间的至少一个有机层。所述至少一个有机层包括含有至少一种发光材料的发光层。在所述至少一个有机层中含有由下式所表示的化合物：(I)，其中n为2或更大的整数，L为n价连接基团且R1、R2、R3和R4各自独立地表示氢原子或取代基。US20100244006中所述的化合物优选在发光层中用作主体。代表了US20100244006中所公开的化合物的一个实例。KR1020110008784涉及式的新型有机发光化合物和包含其的有机场致发光器件。US2005079387涉及一种含有式Ar1-Ar2-Ar3化合物的咪唑环(发蓝光主体化合物)和使用其的有机场致发光(EL)显示器件。Ar2选自Ar1和Ar3各自独立地选自其中X’为O或S。US2005074632涉及一种含有式化合物的咪唑环和使用其的有机场致发光(EL)显示器件。含咪唑环化合物尤其可以单独或与掺杂剂组合在有机膜如场致发光层中用作材料。A选自、-N(R13R14)和，B选自X选自-O-、-S-、-Se-和-NH-。JP2007180147涉及一种有机场致发光元件，其夹在阳极和阴极之间且含有至少一个发光层，其含有由通式1、2、3或4所表示的化合物：(1)、(2)、(3)或(4)。Ar1-Ar4＝芳族基团或芳族杂环基团；R1-R5＝H或取代基；Z1＝形成5或6员杂环所需残基；L1、L2＝键或偶联基团；和X1-X16＝碳或氮。在Ar1和Ar2以及Ar3和Ar4的一个部分中可以形成新环。明确公开了如下化合物：US6551723涉及一种有机场致发光元件，其在一对电极之间包含发光层或含有发光层的多个有机化合物薄层，其中有机场致发光元件中的至少一个层包含至少一种由式(I)至(VII)所表示的杂环化合物：(I)、(II)、(III)、(IV)、(V)、(VI)或(VII)。R11、R12、R13、R21、R22、R31、R32、R41、R42、R51、R61和R71各自独立地为氢原子或取代基；Z1、Z2、Z3、Z4、Z5、Z6和Z7为形成5或6员环所必需的原子的基团。尤其将由式(I)至(VII)所表示的化合物加入发光层和/或电子注入/传输层。明确公开了如下化合物：WO2011160757涉及一种电子器件，其包含阳极、阴极和至少一个有机层，该有机层含有下式化合物：(I)、(II)、(III)、(IV)，其中X可以为单键且L可以为二价基团。明确公开了如下4H-咪唑并[1，2-a]咪唑化合物：X.Wang等，Org.Lett.14(2012)452-455公开一种式化合物的高效铜催化合成，其中式化合物在乙酸铜(Cu(OAc)2)/PPh3/1，10-菲咯啉/乙酸钠和氧气存在下，在高温下于间二甲苯(1atm)中反应[网络公开：2011年12月29日]。尤其可由所述合成法制备以下化合物：WO2012/130709涉及4H-咪唑并[1，2-a]咪唑例如其制备方法及其在电子器件，尤其场致发光器件中的用途。WO2013/050401描述式的4H-咪唑并[1，2-a]咪唑，其中X6为-N＝且X7为-NR6-，或X7为＝N-且X6为-NR6-，R6为式的基团，例如其制备方法及其在电子器件，尤其场致发光器件中的用途。尽管存在这些进展，仍然需要包含新型空穴传输材料以提供具有改进效率、稳定性、可制造性和/或光谱特性的场致发光器件的有机发光器件。技术实现要素：因此，本发明的目的是相对于上述现有技术提供适合用于OLED和有机电子中的其他应用的其他材料。更特别地，应可以提供用于OLED的空穴传输材料、电子/激子阻断剂材料和基体材料。该材料应尤其适合用于包含至少一个磷光发射体，尤其是至少一个绿色发射体或至少一个蓝色发射体的OLED。此外，该材料应适合用于提供OLED，其确保OLED具有良好效率、良好操作寿命和对热应力的高稳定性以及低使用电压和操作电压。发现一些2，5-二取代的苯并咪唑并[1，2-a]苯并咪唑衍生物适合用于有机场致发光器件中。尤其是一些2，5-二取代的苯并咪唑并[1，2-a]苯并咪唑衍生物为具有良好效率和耐久性的磷光发射体的合适空穴传输材料或主体材料。该目的由式(I)化合物实现：其中R1、R2、R3、R4、R5、R6和R7相互独立地为H、可以任选地被E取代和/或被D间隔的C1-C25烷基；可以任选地被G取代的C6-C24芳基，或可以任选地被G取代的C2-C30杂芳基；X1为式-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16′的基团，o为0或1，p为0或1，q为0或1，r为0或1，A1、A2、A3和A4相互独立地为可以任选地被G取代的C6-C24亚芳基，或可以任选地被G取代的C2-C30亚杂芳基；其中基团A1、A2、A3和A4可以被一个或多个基团-(SiR17R18)-间隔；X2为式-(A5)v-(A6)s-(A7)t-(A8)u-R15、-NR10R11或Si(R12)(R13)(R14)的基团，v为0或1，s为0或1，t为0或1，u为0或1，A5、A6、A7和A8相互独立地为可以任选地被G取代的C6-C24亚芳基，或可以任选地被G取代的C2-C30亚杂芳基；其中基团A5、A6、A7和A8可以被一个或多个基团-(SiR17R18)-间隔；R10和R11相互独立地为可以任选地被G取代的C6-C24芳基；或可以任选地被G取代的C2-C30杂芳基；或R10和R11与其所键合的氮原子一起形成杂芳环或环体系；R12、R13和R14相互独立地为可以任选地被E取代和/或被D间隔的C1-C25烷基；可以任选地被G取代的C6-C24芳基；或可以任选地被G取代的C2-C30杂芳基；R15为可以任选地被G取代的C6-C24芳基；或可以任选地被G取代的C2-C30杂芳基；R16′为可以任选地被G取代的C6-C24芳基；或可以任选地被G取代的C2-C30杂芳基；R17和R18相互独立地为C1-C25烷基或C6-C24芳基，其可以任选地被一个或多个C1-C25烷基取代；D为-CO-、-COO-、-S-、-SO-、-SO2-、-O-、-NR65-、-SiR70R71-、-POR72-、-CR63＝CR64-或-C≡C-，E为-OR69、-SR69、-NR65R66、-COR68、-COOR67、-CONR65R66、-CN或卤素，G为E或C1-C18烷基，C6-C24芳基，被F取代的C6-C24芳基，C1-C18烷基或被O间隔的C1-C18烷基，C2-C30杂芳基或被F取代的C2-C30杂芳基，C1-C18烷基或被O间隔的C1-C18烷基；R63和R64相互独立地为H、C6-C18芳基，被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基，C1-C18烷基或被-O-间隔的C1-C18烷基；R65和R66相互独立地为C6-C18芳基，被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基，C1-C18烷基或被-O-间隔的C1-C18烷基；或者R65和R66一起形成5或6员环，R67为C6-C18芳基，被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基，C1-C18烷基或被-O-间隔的C1-C18烷基，R68为H，C6-C18芳基，被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基，C1-C18烷基或被-O-间隔的C1-C18烷基，R69为C6-C18芳基，被C1-C18烷基或C1-C18烷氧基取代的C6-C18芳基，C1-C18烷基或被-O-间隔的C1-C18烷基，R70和R71相互独立地为C1-C18烷基，C6-C18芳基或被C1-C18烷基取代的C6-C18芳基，以及R72为C1-C18烷基，C6-C18芳基或被C1-C18烷基取代的C6-C18芳基。本发明化合物可以用于电摄影感光体，光电转换器，有机太阳能电池(有机光伏器件)，开关元件，如有机晶体管，例如有机FET和有机TFT，有机发光场效应晶体管(OLEFET)，图像传感器，染料激光器和场致发光器件，例如有机发光二极管(OLED)。因此，本发明的另一主题涉及一种包含本发明化合物的电子器件。该电子器件优选为场致发光器件。式I化合物原则上可以用于EL器件的任何层，但是优选用作主体、空穴传输和电子阻断材料。特别地，式I化合物在发蓝光的磷光发射体中用作主体材料。因此，本发明的另一主题涉及一种包含本发明式I化合物的空穴传输层。本发明的另一主题涉及一种包含本发明式I化合物的发光层。在所述实施方案中，式I化合物优选作为主体材料与磷光发射体组合使用。式I化合物优选具有1500g/mol以下的分子量。本发明的另一主题涉及一种包含本发明式I化合物的电子阻断层。R1、R2、R3、R4、R5、R6和R7优选为H。因此，优选式(Ia)的化合物，其中X1和X2如上文所定义。R15和R16′(R16)可为可以任选地被G取代的C6-C24芳基或可以任选地被G取代的C2-C30杂芳基。若R16′表示直接键合至苯并咪唑并[1，2-a]苯并咪唑骨架(o＝p＝q＝r＝0)的杂芳基，则R16′优选经由杂芳基的碳原子键合至苯并咪唑并[1，2-a]苯并咪唑骨架。可以任选地被G取代的C6-C24芳基R15和R16′通常为苯基、4-甲基苯基、4-甲氧基苯基，萘基，尤其是1-萘基或2-萘基，联苯基，三联苯基，芘基，2-或9-芴基，菲基或蒽基，其可为未取代或取代的。可以任选地被G取代的C2-C30杂芳基R15和R16′表示具有5-7个环原子的环或稠合环体系，其中氮、氧或硫为可能的杂原子，并且通常为具有5-30个原子且具有至少6个共轭π-电子的杂环基，例如噻吩基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、噻蒽基、呋喃基、糠基、2H-吡喃基、苯并呋喃基、异苯并呋喃基、二苯并呋喃基、苯氧基噻吩基、吡咯基、咪唑基、吡唑基、吡啶基、联吡啶基、三嗪基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、中氮茚基、异氮茚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹嗪基、喹啉基、异喹啉基、2，3-二氮杂萘基、1，5-二氮杂萘基、喹喔啉基、喹唑啉基、肉啉基、蝶啶基、咔啉基、苯并三唑基、苯并唑基、菲啶基、吖啶基、嘧啶基、菲咯啉基、吩嗪基、异噻唑基、吩噻嗪基、异唑基、呋咱基、4-苯并咪唑并[1，2-a]苯并咪唑-5-基、苯并咪唑并[1，2-a]苯并咪唑-2-基、咔唑基或吩嗪基，其可为未取代或取代的。C6-C24芳基和C2-C30杂芳基可以被G取代。优选的C2-C30杂芳基为吡啶基、三嗪基、嘧啶基、苯并咪唑并[1，2-a]苯并咪唑并-5-基()、苯并咪唑并[1，2-a]苯并咪唑并-2-基()、咔唑基、二苯并呋喃基，其可为未取代或被取代的，尤其是被C6-C10芳基或被C1-C4烷基取代的C6-C10芳基；或C2-C14杂芳基取代。A1、A2、A3、A4、A5、A6、A7和A8相互独立地为可以任选地被G取代的C6-C24亚芳基，或可以任选地被G取代的C2-C30亚杂芳基。可以任选地被G取代的C6-C24亚芳基A1、A2、A3、A4、A5、A6、A7和A8通常为亚苯基，4-甲基亚苯基，4-甲氧基亚苯基，亚萘基，尤其是1-亚萘基或2-亚萘基，亚联苯基，三亚联苯基，亚芘基，2-或9-亚芴基，亚菲基或亚蒽基，其可为未取代或取代的。可以任选地被G取代的C2-C30亚杂芳基A1、A2、A3、A4、A5、A6、A7和A8表示具有5-7个环原子的环或稠合环体系，其中氮、氧或硫为可能的杂原子，并且通常为具有5-30个原子且具有至少6个共轭电子的杂环基，例如亚噻吩基、亚苯并噻吩基、亚二苯并噻吩基、亚噻蒽基、亚呋喃基、亚糠基、2H-亚吡喃基、亚苯并呋喃基、亚异苯并呋喃基、亚二苯并呋喃基、亚苯氧基噻吩基、亚吡咯基、亚咪唑基、亚吡唑基、亚吡啶基、亚联吡啶基、亚三嗪基、亚嘧啶基、亚吡嗪基、亚哒嗪基、亚中氮茚基、亚异氮茚基、亚吲哚基、亚吲唑基、亚嘌呤基、亚喹嗪基、亚喹啉基、亚异喹啉基、2，3-亚二氮杂萘基、1，5-亚二氮杂萘基、亚喹喔啉基、亚喹唑啉基、亚肉啉基、亚蝶啶基、亚咔啉基、亚苯并三唑基、亚苯并唑基、亚菲啶基、亚吖啶基、亚嘧啶基、亚菲咯啉基、亚吩嗪基、亚异噻唑基、亚吩噻嗪基、亚异唑基、亚呋咱基、亚咔唑基、苯并咪唑并[1，2-a]苯并咪唑并-2，5-亚基或亚吩嗪基，其可为未取代或取代的。优选的C6-C24亚芳基为1，3-亚苯基、3，3’-亚联苯基、3，3’-亚间三联苯基、2-或9-亚芴基，亚菲基，其可为未取代或取代的。优选的C2-C30亚杂芳基为亚吡啶基、亚三嗪基、亚嘧啶基、亚咔唑基、亚二苯并呋喃基和苯并咪唑并[1，2-a]苯并咪唑并-2，5-亚基()，其可为未取代或被取代的，尤其是被C6-C10芳基或被C1-C4烷基取代的C6-C10芳基或C2-C14杂芳基取代。苯并咪唑并[1，2-a]苯并咪唑并-5-基、苯并咪唑并[1，2-a]苯并咪唑并-2-基、咔唑基和二苯并呋喃基为C2-C14杂芳基的实例。苯基、1-萘基和2-萘基为C6-C10芳基的实例。更优选C2-C30亚杂芳基为苯并咪唑并[1，2-a]苯并咪唑并-2，5-亚基、亚咔唑基和亚二苯并呋喃基，其可以任选地被可以任选地被一个或多个C1-C4烷基取代的C6-C10芳基，或二苯并呋喃基取代。C6-C24亚芳基和C2-C30亚杂芳基可以被G取代。X1优选为式-A1-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16或-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16′的基团，o为0或1，p为0或1，q为0或1，r为0或1，A1、A2、A3和A4相互独立地为下式的基团：R16为下式的基团：R16′为下式的基团：R21和R21′相互独立地为H、苯基或C1-C18烷基；R22和R23相互独立地为H或式的基团；X为O、S或NR24，且R24为可以任选地被G取代的C6-C24芳基或C2-C30杂芳基，其中G如权利要求1中所定义。更优选X1为式-A1-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16或-(A1)o-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16′的基团，o为0或1，p为0或1，q为0或1，r为0或1，A1、A2、A3和A4相互独立地为下式的基团：尤其R16为下式的基团：R16′为下式的基团：且R21为式的基团。最优选X1为下式的基团：尤其X2优选为式-(A5)v-(A6)s-(A7)t-(A8)u-R15的基团，v为0或1，s为0或1，t为0或1，u为0或1，A5、A6、A7和A8相互独立地为R15为下式的基团：R26、R27、R29和R32相互独立地为H或下式的基团：R30和R33相互独立地为下式的基团：且R31为下式的基团：更优选X2为式-(A5)v-(A6)s-(A7)t-(A8)u-R15的基团，v为0或1，s为0或1，t为0或1，u为0或1，A5、A6、A7和A8相互独立地为R15为下式的基团：X2的实例为式的基团。最优选X2为下式的基团：优选式(Ia)化合物，其中X1和X2具有以上给出的优选含义。更优选式(Ia)化合物，其中X1和X2具有以上给出的更优选含义。最优选式(Ia)化合物，其中X1和X2具有以上给出的最优选含义。在另一优选实施方案中，本发明涉及包含两个基团的式(Ia)化合物；即式(Ib)化合物，其中X2′为式-(A8)u-R15、-NR10R11或Si(R12)(R13)(R14)的基团，X4为式-A1-(A2)p-的基团；且p、u、A1、A2、A8、R10、R11、R12、R13、R14和R15如上所定义。基团X2′可不同，但优选相同。关于p、u、A1、A2、A8、R10、R11、R12、R13、R14和R15，与分别关于式(I)和(Ia)的化合物相同的优选情形适用。在另一优选实施方案中，本发明涉及包含两个基团的式(Ia)化合物，即式(Ic)化合物，其中X1′为式-A1-R16或-(A4)r-R16′的基团；X5为式-A5-(A6)s-的基团，且r、s、A1、R16、A4、R16′、A5和A6如上文所定义。基团X1′可不同，但优选相同。关于r、s、A1、R16、A4、R16′、A5和A6，与分别关于式(I)和(Ia)的化合物相同的优选情形适用。尤其优选的化合物的实例为权利要求8中所示的化合物A-1至A-45，其特别适合用作主体和空穴传输材料。最优选化合物A-1、A-2、A-9、A-10、A-11、A-24、A-42、A-43、A-44和A-45。优选化合物的其他实例为权利要求8中所示的A-46至A-51。卤素为氟、氯、溴和碘。C1-C25烷基(C1-C18烷基)通常为线性的或可能的话为支化的。实例是甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、2-戊基、3-戊基、2，2-二甲基丙基、1，1，3，3-四甲基戊基、正己基、1-甲基己基、1，1，3，3，5，5-六甲基己基、正庚基、异庚基、1，1，3，3-四甲基丁基、1-甲基庚基、3-甲基庚基、正辛基、1，1，3，3-四甲基丁基和2-乙基己基、正壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基或十八烷基。C1-C8烷基通常为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、2-戊基、3-戊基、2，2-二甲基丙基、正己基、正庚基、正辛基、1，1，3，3-四甲基丁基和2-乙基己基。C1-C4烷基通常为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基。C1-C25烷氧基(C1-C18烷氧基)是直链或支化烷氧基，例如甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基、戊氧基、异戊氧基或叔戊氧基、庚氧基、辛氧基、异辛氧基、壬氧基、癸氧基、十一烷氧基、十二烷氧基、十四烷氧基、十五烷氧基、十六烷氧基、十七烷氧基和十八烷氧基。C1-C8烷氧基的实例是甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、仲丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基、正戊氧基、2-戊氧基、3-戊氧基、2，2-二甲基丙氧基、正己氧基、正庚氧基、正辛氧基、1，1，3，3-四甲基丁氧基和2-乙基己氧基，优选C1-C4烷氧基，如通常是甲氧基、乙氧基、正丙氧基、异丙氧基、正丁氧基、仲丁氧基、异丁氧基、叔丁氧基。术语“环烷基”通常为C4-C18环烷基，尤其是C5-C12环烷基，如环戊基、环己基、环庚基、环辛基、环壬基、环癸基、环十一烷基、环十二烷基，优选环戊基、环己基、环庚基或环辛基，它们可以未被取代或被取代。可以任选地被取代的C6-C24芳基(C6-C18芳基)通常为苯基，4-甲基苯基，4-甲氧基苯基，萘基，尤其是1-萘基或2-萘基，联苯基，三联苯基，芘基，2-或9-芴基，菲基或蒽基，其可以未被取代或被取代。C2-C30杂芳基表示具有5-7个环原子的环或者稠合环体系，其中氮、氧或硫为可能的杂原子，并且通常为具有5-30个原子且具有至少6个共轭π-电子的杂环基团如噻吩基、苯并噻吩基、二苯并噻吩基、噻蒽基、呋喃基、糠基、2H-吡喃基、苯并呋喃基、异苯并呋喃基、二苯并呋喃基、苯氧基噻吩基、吡咯基、咪唑基、吡唑基、吡啶基、联吡啶基、三嗪基、嘧啶基、吡嗪基、哒嗪基、中氮茚基、异氮杂茚基、吲哚基、吲唑基、嘌呤基、喹嗪基、喹啉基、异喹啉基、2，3-二氮杂萘基、1，5-二氮杂萘基、喹喔啉基、喹唑啉基、噌啉基、蝶啶基、咔唑基、咔啉基、苯并三唑基、苯并唑基、菲啶基、吖啶基、嘧啶基、菲咯啉基、吩嗪基、异噻唑基、吩噻嗪基、异唑基、呋咱基、4-咪唑并[1，2-a]苯并咪唑基、5-苯并咪唑并[1，2-a]苯并咪唑基、咔唑基或吩嗪基，其可以未被取代或被取代。上述基团的可能取代基是C1-C8烷基，羟基，巯基，C1-C8烷氧基，C1-C8烷硫基，卤素，卤代-C1-C8烷基或氰基。C6-C24芳基(C6-C18芳基)和C2-C30杂芳基优选被一个或多个C1-C8烷基取代。若取代基在基团中不止一次出现，则在每次出现时可能不同。术语“被G取代”是指可能存在一个或多个，尤其是1-3个取代基G。如上所述，上述基团可以被E取代和/或需要的话被D间隔。间隔当然仅在含有至少两个通过单键相互连接的碳原子的基团情况下是可能的；C6-C18芳基不被间隔；间隔的芳基烷基在烷基结构部分中含有单元D。被一个或多个E取代和/或被一个或多个单元D间隔的C1-C18烷基例如为(CH2CH2O)1-9-Rx，其中Rx为H或C1-C10烷基或C2-C10链烷酰基(例如CO-CH(C2H5)C4H9)，CH2-CH(ORy′)-CH2-O-Ry，其中Ry为C1-C18烷基、C5-C12环烷基、苯基、C7-C15苯基烷基，以及Ry′包括与Ry相同的定义或为H；C1-C8亚烷基-COO-Rz，例如CH2COORz、CH(CH3)COORz、C(CH3)2COORz，其中Rz为H，C1-C18烷基，(CH2CH2O)1-9-Rx，并且Rx包括上面所示定义；CH2CH2-O-CO-CH＝CH2；CH2CH(OH)CH2-O-CO-C(CH3)＝CH2。的合成例如描述于Achour，Reddouane；Zniber，Rachid，BulletindesSocietesChimiquesBelges96(1987)787-92中。式的合适基础骨架可市购(尤其是在X为S、O、NH的情况下)或可以通过本领域熟练技术人员已知的方法得到。参考WO2010079051和EP1885818。卤化可以通过本领域熟练技术人员已知的方法进行。优选在式(II)2，8位(二苯并呋喃和二苯并噻吩)或3，6位(咔唑)的基础骨架的3和6位(二溴化)或3或6位(单溴化)溴化或碘化。任选取代的二苯并呋喃、二苯并噻吩和咔唑可以用溴或NBS在冰乙酸或氯仿中进行2，8位(二苯并呋喃和二苯并噻吩)或3，6位(咔唑)的二溴化。例如，用Br2溴化可以在冰乙酸或氯仿中在低温如0℃下进行。合适的方法例如描述于M.Park，J.R.Buck，C.J.Rizzo，Tetrahedron，54(1998)12707-12714(对于X＝NPh)和W.Yang等，J.Mater.Chem.13(2003)1351(对于X＝S)。此外，3，6-二溴咔唑、3，6-二溴-9-苯基咔唑、2，8-二溴二苯并噻吩、2，8-二溴二苯并呋喃、2-溴咔唑、3-溴二苯并噻吩、3-溴二苯并呋喃、3-溴咔唑、2-溴二苯并噻吩和2-溴二苯并呋喃可市购。在二苯并呋喃(和类似地对二苯并噻吩)的4位的单溴化例如描述于J.Am.Chem.Soc.1984，106，7150中。二苯并呋喃(二苯并噻吩)可以在3位通过本领域熟练技术人员已知包括硝化、还原和随后的Sandmeyer反应的顺序进行单溴化。在二苯并呋喃或二苯并噻吩的2位的单溴化和在咔唑的3位的单溴化类似于二溴化进行，不同之处在于仅加入1当量溴或NBS。或者，还可以使用碘化的二苯并呋喃、二苯并噻吩和咔唑。制备尤其描述于Tetrahedron.Lett.47(2006)6957-6960，Eur.J.Inorg.Chem.24(2005)4976-4984，J.heterocyclicChem.39(2002)933-941，J.Am.Chem.Soc.124(2002)11900-11907，J.heterocyclicChem，38(2001)77-87中。对于亲核取代，需要C1-或F-取代的二苯并呋喃、二苯并噻吩和咔唑。氯化尤其描述于J.heterocyclicChemistry，34(1997)891-900或g.Lett.，6(2004)3501-3504；J.Chem.Soc.[Section]C：Organic，16(1971)2775-7，TetrahedronLett.25(1984)5363-6，J.Org.Chem.69(2004)8177-8182中。氟化描述于J.Org.Chem.63(1998)878-880和J.Chem.Soc.，PerkinTrans.2，5(2002)953-957中。基团的引入在碱的存在下进行。合适的碱对本领域熟练技术人员已知且优选选自碱金属和碱土金属的氢氧化物，例如NaOH、KOH、Ca(OH)2，碱金属氢化物，例如NaH、KH，碱金属酰胺化物，例如NaNH2，碱金属或碱土金属的碳酸盐，例如K2CO3或Cs2CO3，和碱金属醇盐，例如NaOMe、NaOEt。此外，上述碱的混合物是合适的。特别优选NaOH、KOH、NaH或K2CO3。杂芳基化可以通过使铜催化偶联为卤化式的化合物进行(Ullmann反应)。N-芳基化例如描述于H.Gilman和D.A.Shirley，J.Am.Chem.Soc.66(1944)888；D.Li等，DyesandPigments49(2001)181-186和Eur.J.Org.Chem.(2007)2147-2151中。反应可以在溶剂中或以熔体进行。合适的溶剂例如为(极性)非质子性溶剂如二甲亚砜、二甲基甲酰胺、NMP、十三烷或醇。9-(8-溴二苯并呋喃-2-基)咔唑的合成描述于WO2010079051中。2-溴-8-碘二苯并呋喃的合成描述于EP1885818中。式化合物的可能合成路径显示在以下图解中：参考Angew.Chem.Int.Ed.46(2007)1627-1629和Synthesis20(2009)3493。含有二硼酸或二硼酸酯基团的二苯并呋喃、二苯并噻吩和咔唑可以容易通过增加数量的路径制备。合成路径的概述例如在Angew.Chem.Int.Ed.48(2009)9240-9261中给出。通过一种常见路径，含有二硼酸或二硼酸酯基团的二苯并呋喃、二苯并噻吩和咔唑可以通过使卤化二苯并呋喃、二苯并噻吩和咔唑与(Y1O)2B-B(OY1)2、在催化剂如[1，1′-双(二苯膦基)二茂铁]二氯化钯(II)、配合物(Pd(Cl)2(dppf))和碱如乙酸钾存在下在溶剂如二甲基甲酰胺、二甲亚砜、二烷和/或甲苯中反应而制备(参见PrasadAppukkuttan等，Synlett8(2003)1204)，其中Y1在每次出现时独立地为C1-C18烷基且Y2在每次出现时独立地为C2-C10亚烷基，例如-CY3Y4-CY5Y6-或-CY7Y8-CY9Y10-CY11Y12-，其中Y3、Y4、Y5、Y6、Y7、Y8、Y9、Y10、Y11和Y12相互独立地为氢或C1-C18烷基，尤其是-C(CH3)2C(CH3)2-、-C(CH3)2CH2C(CH3)2-或-CH2C(CH3)2CH2-，且Y13和Y14相互独立地为氢或C1-C18烷基。含有二硼酸或二硼酸酯基团的二苯并呋喃、二苯并噻吩和咔唑还可以通过使卤化二苯并呋喃、二苯并噻吩和咔唑与烷基锂试剂，例如正丁基锂或叔丁基锂反应并随后与硼酸酯例如B(异丙氧基)3、B(甲氧基)3或反应而制备(参见Synthesis(2000)442-446)。含有二硼酸或二硼酸酯基团的二苯并呋喃、二苯并噻吩和咔唑还可以通过使二苯并呋喃、二苯并噻吩和咔唑与氨基锂如二异丙基氨基锂(LDA)反应并随后与硼酸酯例如B(异丙氧基)3、B(甲氧基)3或反应而制备(J.Org.Chem.73(2008)2176-2181)。可以使含有二硼酸或二硼酸酯基团的二苯并呋喃、二苯并噻吩和咔唑，例如与等摩尔量卤化二苯并呋喃、二苯并噻吩、咔唑和4H-咪唑[1，2-a]咪唑，例如在溶剂中和在催化剂存在下反应。催化剂可为μ-卤化(三异丙基膦)(η3-烯丙基)钯(II)类型的一种(例如参见WO99/47474)。优选地，Suzuki反应在有机溶剂如芳族烃或常规极性有机溶剂如苯、甲苯、二甲苯、四氢呋喃或二烷或其混合物，最优选甲苯存在下进行。溶剂的量通常在1-10L/mol硼酸衍生物范围内选择。还优选该反应在惰性气氛如氮气或氩气下进行。此外，优选在水性碱如碱金属氢氧化物或碳酸盐如NaOH、KOH、Na2CO3、K2CO3、Cs2CO3等存在下进行该反应，优选选择K2CO3水溶液。该碱与硼酸或硼酸酯衍生物的摩尔比通常在0.5∶1-50∶1范围内选择，非常尤其为1∶1。反应温度通常在40-180℃范围内选择，优选在回流条件下。优选反应时间在1-80小时，更优选20-72小时范围内选择。在一个优选实施方案中，使用偶联反应或缩聚反应常用的催化剂，优选WO2007/101820中所述的Pd基催化剂。钯化合物基于待闭合的键数目以1∶10000-1∶50，优选1∶5000-1∶200的比例加入。优选例如使用钯(II)盐如PdAc2或Pd2dba3并加入选自的配体；其中。该配体基于Pd以1∶1-1∶10的比例加入。还优选该催化剂作为溶液或悬浮液加入。优选使用合适的有机溶剂如上述那些，优选苯、甲苯、二甲苯、THF、二烷，更优选甲苯，或其混合物。溶剂的量通常在1-10L/mol硼酸衍生物范围内选择。有机碱如四烷基氢氧化铵和相转移催化剂如TBAB可提高硼的活性(例如参见Leadbeater&Marco；Angew.Chem.Int.Ed.Eng.42(2003)1407和其中所引用的文献)。其他反应条件的变体由T.I.Wallow和B.M.Novak，J.Org.Chem.59(1994)5034-5037；和M.Remmers，M.Schulze，G.Wegner，Macromol.RapidCommun.17(1996)239-252和G.A.MolanderundB.Canturk，Angew.Chem.，121(2009)9404-9425中给出。化合物A-42的可能合成路径显示于以下反应图解中：化合物B-1的可能合成路径显示于以下反应图解中：卤素/金属交换使用nBuLi/THF在-78℃下或使用tBuLi/THF在-78℃下进行。参考WO2010/079051，其中描述了该类化合物的合成。式(II)化合物为式(I)化合物制备中的新的中间体且形成本发明的另一主题。X1如上文所定义，或为式A1-(A2)p-(A3)q-(A4)r-R16″的基团，X3为式-(A5)v-(A6)s-(A7)t-(A8)u-R15′的基团，其中R15′和R16″相互独立地为Cl、Br、I、ZnX12，X12为卤素原子；-SnR207R208R209，其中R207、R208和R209相同或不同且为H或C1-C8烷基，其中两个基团任选地形成常见环且这些基团任选地为支化或未支化的；-B(OH)2、-B(OY1)2、-BF4Na或-BF4K，其中Y1在每次出现时独立地为C1-C18烷基且Y2在每次出现时独立地为C2-C10亚烷基，例如-CY3Y4-CY5Y6-或-CY7Y8-CY9Y10-CY11Y12-，其中Y3、Y4、Y5、Y6、Y7、Y8、Y9、Y10、Y11和Y12相互独立地为氢或C1-C10烷基，尤其-C(CH3)2C(CH3)2-、-C(CH3)2CH2C(CH3)2-或-CH2C(CH3)2CH2-，且Y13和Y14相互独立地为氢或C1-C10烷基。p、q、r、A1、A2、A3、A4、s、t、u、v、A5、A6、A7、A8、R1、R2、R3、R4、R5、R6和R7如上文所定义。关于p、q、r、A1、A2、A3、A4、s、t、u、v、A5、A6、A7、A8、R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7和X1，与式(I)化合物相同的优选情形适用。中间体的实例展示如下：其中X3为Cl、Br或I的式(II)化合物的制备方法包括式(III)化合物的卤化。关于R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7和X1，与关于式(I)化合物相同的优选情形适用。5-苯基苯并咪唑并[1，2-a]苯并咪唑的溴化可类似于例如J.Mater.Chem.18(2008)1296-1301中所述的咔唑的溴化来进行。其他溴化法描述于例如HelveticaChimicaActa89(2006)1123和SYNLETT17(2006)2841-2845.10.206中。使用卤化剂选择性卤化(III)产生式(II)化合物。卤化剂为例如N-氯丁二酰亚胺(NCS)(Synlett18(2005)2837-2842)；Br2(Synthesis10(2005)1619-1624)、N-溴丁二酰亚胺(NBS)(OrganicLetters12(2010)2194-2197；Synlett(2006)2841-2845)、1，3-二溴-5，5-二甲基乙内酰脲(DBH)(OrganicProcessResearch&Development10(2006)822-828，US2002/0151456)、CuBr2(SyntheticCommunications37(2007)1381-1388)；R4NBr3(Can.J.Chem.67(1989)2062)、N-碘丁二酰亚胺(NIS)(Synthesis12(2001)1794-1799，J.HeterocyclicChem.39(2002)933)、KI/KIO3(Org.Lett.9(2007)797，Macromolecules44(2011)1405-1413)、NaIO4/I2/H2SO4或NaIO4/KI/H2SO4(J.HeterocyclicChem.38(2001)77；J.Org.Chem.75(2010)2578-2588)；一氯化碘(ICl；Synthesis(2008)221-224)。其他方法描述于J.Org.Chem.74(2009)3341-3349；J.Org.Chem.71(2006)7422-7432，Eur.J.Org.Chem.(2008)1065-1071，Chem.AsianJ.5(2010)2162-2167，Synthetic.Commun.28(1998)3225中。可用于卤化的溶剂的实例为二甲基甲酰胺(DMF)、CH2Cl2、CHCl3、CCl4、乙醇(EtOH)、乙酸(AcOH)、H2SO4、C6H5Cl及其混合物。卤化可分别在酸和路易斯酸如H2SO4、ZrCl4、TiCl4、AlCl3、HfCl4和AlCl3的存在下进行(Synlett18(2005)2837-2842)。式(III)化合物，尤其优选在溶剂如DMF、乙酸、氯仿、二氯甲烷、氯苯及其混合物中，在-40℃至150℃的温度下与NBS反应。DMF代表优选溶剂。其中X3为Cl、Br或I的卤化中间体(III)，可通过在催化剂如[1，1′-双(二苯膦基)二茂铁]二氯化钯(II)、配合物(Pd(Cl)2(dppf))和碱如乙酸钾存在下在溶剂如二甲基甲酰胺、二甲亚砜、二烷和/或甲苯中，使卤化中间体(III)与(Y1O)2B-B(OY1)2、反应而转化为硼酸酯中间体(III)(参见PrasadAppukkuttan等，Synlett8(2003)1204)。硼酸试剂制备的综述在Angew.Chem.121(2009)9404-9425，Chem.Rev.95(1995)2457-2483，Angew.Chem.Int.Ed.41(2002)4176-4211，Tetrahedron66(2010)8121-8136中给出。二硼酸或二硼酸酯中间体(III)也可通过使卤化中间体(III)与烷基锂试剂，例如正丁基锂或叔丁基锂反应，随后与硼酸酯，例如B(异丙氧基)3、B(甲氧基)3或反应来制备(参见Synthesis(2000)442-446)。式I化合物可以由中间体和合适的共反应物开始例如通过Suzuki-、Stille-或Negishi-偶联反应获得。制备其中X1如上所定义的式的化合物的方法可包括(a)加热在H3PO4、多磷酸、CH3SO3H/P2O5、CH3SO3H或硫酸中的式的化合物以得到式的化合物；和(b)使式XI化合物反应而得到式(I)化合物。上文说明了步骤b)的各种实例。在步骤a)中，可存在沸点在140℃以上的溶剂或溶剂混合物，例如二甲苯或。式的化合物在惰性气体如氮气或氩气的气氛下在140℃以上，优选160℃以上，更优选180℃以上的温度下搅拌30分钟至3周，优选1-48小时。已发现式I化合物特别适合用于其中要求载流子导电性的应用，尤其是用于有机电子应用，例如选自开关元件如有机晶体管，例如有机FET和有机TFT，有机太阳能电池和有机发光二极管(OLED)的有机电子应用，其中式I化合物特别适合在OLED中在发光层中用作基体材料和/或用作空穴和/或激子阻断剂材料和/或用作电子和/或激子阻断剂材料，尤其是与磷光发射体组合。在将本发明式I化合物用于OLED的情况下，得到了具有良好效率和长使用寿命且可以尤其是在低使用和操作电压下操作的OLED。本发明式I化合物特别适合在蓝色和绿色发射体如浅蓝色或深蓝色发射体中用作基体和/或空穴/激子阻断剂材料，这些尤其是磷光发射体。此外，式I化合物可在选自开光元件和有机太阳能电池的有机电子应用中用于导体/补充材料。式I化合物可在有机电子应用，尤其是OLED中用作基体材料和/或空穴/激子阻断剂材料和/或电子/激子阻断剂材料和/或空穴注入材料和/或电子注入材料和/或空穴导体材料(空穴传输材料)和/或电子导体材料(电子传输材料)，优选用作基体材料和/或电子/激子阻断剂和/或空穴传输材料。本发明式I化合物更优选在有机电子应用，尤其是OLED中用作基体材料。在OLED的发光层或发光层之一中，可以将发光剂材料与式I化合物的基体材料以及具有例如良好空穴导体(空穴传输)性能的其他基体材料组合。这实现了该发光层的高量子效率。当将式I化合物在发光层中用作基体材料和额外用作空穴/激子阻断剂材料和/或电子/激子阻断剂材料时，由于所述材料的化学相同或类似性，在发光层和相邻空穴/激子阻断剂材料和/或电子/激子阻断剂材料之间获得改善的界面，这可以导致在相同亮度下电压的降低和OLED使用寿命的延长。此外，将相同材料用于空穴/激子阻断剂材料和/或电子/激子阻断剂材料和发光层的基体可以使OLED的生产工艺简化，这是因为可以将同一来源用于式I化合物之一的材料的气相沉积工艺。有机电子器件的合适结构对本领域熟练技术人员是已知的且如下所述。有机晶体管通常包括由具有空穴传输能力和/或电子传输能力的有机层形成的半导体层；由导电层形成的栅极电极；以及在该半导体层和该导电层之间引入的绝缘层。在该排列上安装源电极和漏电极以产生该晶体管元件。此外，在该有机晶体管中可以存在本领域熟练技术人员已知的其他层。该有机太阳能(光电转换元件)通常包括存在于两个平行设置的板式电极之间的有机层。该有机层可以构造在梳形电极上。对于该有机层的位置没有特殊限制且对于电极材料没有特殊限制。然而，当使用平行设置的板式电极时，至少一个电极优选由透明电极，例如ITO电极或氟掺杂的氧化锡电极形成。该有机层由两个子层，即具有p型半导体性能或空穴传输能力的层和具有n型半导体性能或电子传输能力的层形成。此外，在该有机太阳能电池中可以存在本领域熟练技术人员已知的其他层。具有空穴传输能力的层可包含式I化合物。同样可能的是式I化合物存在于发光层(优选作为基体材料)和电子阻断层(作为电子/激子阻断剂)。本发明进一步涉及一种有机发光二极管，其包含阳极An和阴极Ka，设置在阳极An和阴极Ka之间的发光层E，以及合适的话至少一个选自至少一个空穴/激子阻断层、至少一个电子/激子阻断层、至少一个空穴注入层、至少一个空穴导体层、至少一个电子注入层和至少一个电子导体层的其他层，其中所述至少一种式I化合物存在于发光层E和/或其他层中至少一个中。所述至少一种式I化合物存在于发光层和/或空穴阻断层中。本申请进一步涉及包含至少一种式I化合物的发光层。本发明OLED的结构本发明有机发光二极管(OLED)因此通常具有下列结构：阳极(An)和阴极(Ka)，设置在阳极(An)和阴极(Ka)之间的发光层E。本发明OLED例如在一个优选实施方案中可以由下列层形成：1.阳极2.空穴导体层3.发光层4.空穴/激子阻断层5.电子导体层6.阴极不同于上述结构的层顺序也是可能的并且为本领域熟练技术人员已知。例如，可能的是该OLED不具有所有所述层；例如，同样合适的为具有层(1)(阳极)、(3)(发光层)和(6)(阴极)的OLED，在这种情况下，相邻层呈层(2)(空穴导体层)和(4)(空穴/激子阻断层)以及(5)(电子导体层)的功能。同样合适的为具有层(1)、(2)、(3)和(6)或层(1)、(3)、(4)、(5)和(6)的OLED。此外，OLED可以在空穴导体层(2)和发光层(3)之间具有电子/激子阻断层。额外可能的是将多个上述功能(电子/激子阻断剂、空穴/激子阻断剂、空穴注入、空穴传导、电子注入、电子传导)组合在一层中并且例如由存在于该层中的单一材料呈现。例如，在一个实施方案中，用于空穴导体层中的材料可以同时阻断激子和/或电子。此外，在上面所述那些中的OLED的各层又可以由两个或更多个层形成。例如空穴导体层可以由将空穴由电极注入其中的层和将空穴由该空穴注入层传输至发光层的层形成。电子导体层同样可以由多个层构成，例如由在其中由电极注入电子的层和接收来自电子注入层的电子并将它们传输至发光层的层构成。所述这些层各自根据例如能级、耐热性和载流子迁移率的因素以及还有就有机层或金属电极的所述各层的能量差而选择。本领域熟练技术人员能够选择OLED的结构以使它与按照本发明用作发射体物质的有机化合物最佳匹配。为了获得特别有效的OLED，例如该空穴导体层的HOMO(最高被占分子轨道)应与阳极的功函数相匹配且该电子导体层的LUMO(最低未占分子轨道)应与阴极的功函数相匹配，条件是上述各层存在于本发明OLED中。阳极(1)为提供正载流子的电极。它例如可以由包括金属、各种金属的混合物、金属合金、金属氧化物或各种金属氧化物的混合物的材料形成。或者，阳极可以为导电性聚合物。合适的金属包括主族、过渡族和镧系金属及其合金，尤其是元素周期表第Ib、IVa、Va和VIa族金属和第VIIIa族过渡金属及其合金。当阳极呈透明时，通常使用元素周期表(IUPAC版)第IIb、IIIb和IVb族的混合金属氧化物，例如氧化铟锡(ITO)。同样可能的是阳极(1)包含有机材料，例如聚苯胺，例如如Nature，第357卷，第477-479页(1992年6月11日)所述。至少阳极或阴极应至少部分透明以能够发射形成的光。用于阳极(1)的材料优选为ITO。适合本发明OLED的层(2)的空穴导体材料例如公开于Kirk-OthmerEncyclopediaofChemicalTechnology，第4版，第18卷，第837-860页，1996中。空穴传输分子和聚合物均可以用作空穴传输材料。通常使用的空穴传输分子选自三[N-(1-萘基)-N-(苯基氨基)]三苯基胺(1-NaphDATA)，4，4′-二[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]联苯(α-NPD)，N，N′-二苯基-N，N′-二(3-甲基苯基)-[1，1′-联苯基]-4，4′-二胺(TPD)，1，1-二[(二-4-甲苯基氨基)苯基]环己烷(TAPC)，N，N′-二(4-甲基苯基)-N，N′-二(4-乙基苯基)-[1，1′-(3，3′-二甲基)联苯基]-4，4′-二胺(ETPD)，四(3-甲基苯基)-N，N，N′，N′-2，5-苯二胺(PDA)，α-苯基-4-N，N-二苯基氨基苯乙烯(TPS)，对(二乙基氨基)苯甲醛二苯基腙(DEH)，三苯基胺(TPA)，二[4-(N，N-二乙基氨基)-2-甲基苯基)(4-甲基苯基)甲烷(MPMP)，1-苯基-3-[对(二乙基氨基)苯乙烯基]-5-[对(二乙基氨基)苯基]吡唑啉(PPR或DEASP)，1，2-反式-二(9H-咔唑-9-基)环丁烷(DCZB)，N，N，N′，N′-四(4-甲基苯基)-(1，1′-联苯基)-4，4′-二胺(TTB)，4，4′，4″-三(N，N-二苯基氨基)三苯基胺(TDTA)，4，4′，4″-三(N-咔唑基)三苯基胺(TCTA)，N，N′-二(萘-2-基)-N，N′-二(苯基)联苯胺(β-NPB)，N，N′-二(3-甲基苯基)-N，N′-二(苯基)-9，9-螺二芴(Spiro-TPD)，N，N′-二(萘-1-基)-N，N′-二(苯基)-9，9-螺二芴(Spiro-NPB)，N，N′-二(3-甲基苯基)-N，N′-二(苯基)-9，9-二甲基芴(DMFL-TPD)，二[4-(N，N-二-甲苯基氨基)苯基]环己烷，N，N′-二(萘-1-基)-N，N′-二(苯基)-9，9-二甲基芴，N，N′-二(萘-1-基)-N，N′-二(苯基)-2，2-二甲基联苯胺，N，N′-二(萘-1-基)-N，N′-二(苯基)联苯胺，N，N′-二(3-甲基苯基)-N，N′-二(苯基)联苯胺，2，3，5，6-四氟-7，7，8，8-四氰基醌二甲烷(F4-TCNQ)，4，4′，4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯基胺，4，4′，4″-三(N-(2-萘基)-N-苯基氨基)三苯基胺，吡嗪并[2，3-f][1，10]菲咯啉-2，3-二甲腈(PPDN)，N，N，N′，N′-四(4-甲氧基苯基)联苯胺(MeO-TPD)，2，7-二[N，N-二-(4-甲氧基苯基)氨基]-9，9-螺二芴(MeO-Spiro-TPD)，2，2′-二[N，N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9，9-螺二芴(2，2′-MeO-Spiro-TPD)，N，N′-二苯基-N，N′-二[4-(N，N-二甲苯基氨基)苯基]联苯胺(NTNPB)，N，N′-二苯基-N，N′-二[4-(N，N-二苯基氨基)苯基]联苯胺(NPNPB)，N，N′-二(萘-2-基)-N，N′-二苯基苯-1，4-二胺(β-NPP)，N，N′-二(3-甲基苯基)-N，N′-二(苯基)-9，9-二苯基芴(DPFL-TPD)，N，N′-二(萘-1-基)-N，N′-二(苯基)-9，9-二苯基芴(DPFL-NPB)，2，2′，7，7′-四(N，N-二苯基氨基)-9，9′-螺二芴(Spiro-TAD)，9，9-二[4-(N，N-二(联苯-4-基)氨基)苯基]-9H-芴(BPAPF)，9，9-二[4-(N，N-二(萘-2-基)氨基)苯基]-9H-芴(NPAPF)，9，9-二[4-(N，N-二(萘-2-基)-N，N′-二苯基氨基)苯基]-9H-芴(NPBAPF)，2，2′，7，7′-四[N-萘基(苯基)氨基]-9，9′-螺二芴(Spiro-2NPB)，N，N′-二(菲-9-基)-N，N′-二(苯基)联苯胺(PAPB)，2，7-二[N，N-二(9，9-螺二芴-2-基)氨基]-9，9-螺二芴(Spiro-5)，2，2′-二[N，N-二(联苯-4-基)氨基]-9，9-螺二芴(2，2′-Spiro-DBP)，2，2′-二(N，N-二苯基氨基)-9.9-螺二芴(Spiro-BPA)，2，2′，7，7′-四(N，N-二甲苯基)氨基螺二芴(Spiro-TTB)，N，N，N′，N′-四萘-2-基联苯胺(TNB)，卟啉化合物以及酞菁类如铜酞菁和氧化钛酞菁。通常使用的空穴传输聚合物选自聚乙烯基咔唑、(苯基甲基)聚硅烷和聚苯胺。同样可以通过将空穴传输分子掺杂到聚合物如聚苯乙烯和聚碳酸酯中获得空穴传输聚合物。合适的空穴传输分子是已经在上面提到的分子。此外，在一个实施方案中可以使用碳烯配合物作为空穴导体材料，该至少一种空穴导体材料的带隙通常大于所用发射体材料的带隙。在本申请上下文中，“带隙”应理解为指三线态能量。合适的碳烯配合物例如为WO2005/019373A2、WO2006/056418A2、WO2005/113704、WO2007/115970，WO2007/115981和WO2008/000727中所述的碳烯配合物。合适碳烯配合物的一个实例是例如公开于WO2005/019373中式的Ir(dpbic)3。原则上，空穴导体层可包含至少一种式I化合物作为空穴导体材料。发光层(3)包含至少一种发射体材料。它原则上可以是荧光或磷光发射体，合适的发射体材料为本领域熟练技术人员已知。该至少一种发射体材料优选为磷光发射体。优选使用的磷光发射体化合物基于金属配合物，尤其是金属Ru、Rh、Ir、Pd和Pt的配合物，特别是Ir的配合物具有重要性。式I化合物可以在发光层中用作基体。适合用于本发明OLED中的金属配合物例如描述于文献WO02/60910A1、US2001/0015432A1、US2001/0019782A1、US2002/0055014A1、US2002/0024293A1、US2002/0048689A1、EP1191612A2、EP1191613A2、EP1211257A2、US2002/0094453A1、WO02/02714A2、WO00/70655A2、WO01/41512A1、WO02/15645A1、WO2005/019373A2、WO2005/113704A2、WO2006/115301A1、WO2006/067074A1、WO2006/056418、WO2006121811A1、WO2007095118A2、WO2007/115970、WO2007/115981、WO2008/000727、WO2010129323、WO2010056669和WO10086089中。其他合适的金属配合物为市售金属配合物三(2-苯基吡啶)铱(III)、三(2-(4-甲苯基)吡啶根合-N，C2’)铱(III)、双(2-苯基吡啶)(乙酰丙酮根合)铱(III)、三(1-苯基异喹啉)铱(III)、双(2，2’-苯并噻吩基)吡啶根合-N，C3’)铱(III)(乙酰丙酮化物)、三(2-苯基喹啉)铱(III)、双(2-(4，6-二氟苯基)吡啶根合-N，C2)皮考啉铱(III)、双(1-苯基异喹啉)铱(III)(乙酰丙酮化物)、双(2-苯基喹啉)(乙酰丙酮根合)铱(III)、双(二苯并[f，h]喹喔啉)铱(III)(乙酰丙酮化物)、双(2-甲基二苯并[f，h]喹喔啉)铱(III)(乙酰丙酮化物)和三(3-甲基-1-苯基-4-三甲基乙酰基-5-吡唑啉基)铽(III)、双[1-(9，9-二甲基-9H-芴-2-基)异喹啉](乙酰丙酮根合)铱(III)、双(2-苯基苯并噻唑根合)(乙酰丙酮根合)铱(III)、双(2-(9，9-二己基芴基)-1-吡啶)(乙酰丙酮根合)铱(III)、双(2-苯并[b]噻吩-2-基-吡啶)(乙酰丙酮根合)铱(III)。另外，以下市售物质是合适的：三(二苯甲酰丙酮根合)单(菲咯啉)铕(III)、三(二苯甲酰甲烷)单(菲咯啉)铕(III)、三(二苯甲酰甲烷)单(5-氨基菲咯啉)铕(III)、三(二-2-萘酰甲烷)单(菲咯啉)铕(III)、三(4-溴苯甲酰甲烷)单(菲咯啉)铕(III)、三(二(联苯)甲烷)单(菲咯啉)铕(III)、三(二苯甲酰甲烷)单(4，7-二苯基菲咯啉)铕(III)、三(二苯甲酰甲烷)单(4，7-二甲基菲咯啉)铕(III)、三(二苯甲酰甲烷)单(4，7-二甲基菲咯啉二磺酸)铕(III)二钠盐、三[二(4-(2-(2-乙氧基乙氧基)乙氧基)苯甲酰甲烷)]单(菲咯啉)铕(III)和三[二[4-(2-(2-乙氧基乙氧基)乙氧基)苯甲酰甲烷)]单(5-氨基菲咯啉)铕(III)、双(3-三氟甲基-5-(4-叔丁基吡啶基)-1，2，4-三唑根合)二苯基甲基膦锇(II)、双(3-三氟甲基-5-(2-吡啶基)-1，2，4-三唑)二甲基苯基膦锇(II)、双(3-三氟甲基)-5-(4-叔丁基吡啶基)-1，2，4-三唑根合)二甲基苯基膦锇(II)、双(3-三氟甲基)-5-(2-吡啶基)吡唑根合)二甲基苯基膦锇(II)、三[4，4′-二叔丁基(2，2′)-联吡啶]钌(III)、双(2-(9，9-二丁基芴基)-1-异喹啉锇(II)(乙酰丙酮化物)。发光层优选包含式(IX)的化合物，其描述于WO2005/019373A2中，其中各符号具有下列含义：M为选自Co、Rh、Ir、Nb、Pd、Pt、Fe、Ru、Os、Cr、Mo、W、Mn、Tc、Re、Cu、Ag和Au的金属原子，其处于相应金属原子的任何可能氧化态；碳烯为可以不带电荷的或者一价阴离子的并且单齿、二齿或三齿的碳烯配体，其中该碳烯配体还可以是双碳烯或三碳烯配体；L为一价阴离子或二价阴离子配体，其可以是单齿或二齿的；K为不带电荷的单齿或二齿配体，其选自膦；膦酸酯和其衍生物；砷酸酯和其衍生物；亚磷酸酯；CO；吡啶；腈类以及与M1形成π配合物的共轭二烯；n1为碳烯配体的数量，其中n1至少为1，并且当n1＞1时，式I配合物中的碳烯配体可以相同或不同；m1为配体L的数量，其中m1可以为0或≥1，并且当m1＞1时，配体L可以相同或不同；o为配体K的数量，其中o可以为0或≥1，并且当o＞1时，配体K可以相同或不同；其中n1+m1+o之和取决于金属原子的氧化态和配位数，取决于配体碳烯、L和K的齿数以及取决于配体，碳烯和L上的电荷，条件是n1至少为1。为合适的三线态发射体的碳烯配合物例如描述于WO2006/056418A2、WO2005/113704、WO2007/115970、WO2007/115981和WO2008/000727、WO2009050281、WO2009050290、WO2011051404和WO2011073149中。更优选如下通式的金属-碳烯配合物：(IXa)，其描述于美国专利申请号61/286046、61/323885和欧洲专利申请10187176.2(PCT/EP2010/069541)中，其中M、n1、Y、A2、A3、A4、A5、R51、R52、R53、R54、R55、R56、R57、R58、R59、K、L、m1和o各自定义如下：M为Ir或Pt，n1为选自1、2和3的整数，Y为NR51、O、S或C(R25)2，A2、A3、A4和A5各自独立地为N或C，其中2A＝氮原子且至少一个碳原子存在于环中两个氮原子之间，R51为线性或支化烷基，其任选被至少一个杂原子间隔，任选带有至少一个官能团且具有1-20个碳原子；环烷基，其任选被至少一个杂原子间隔，任选带有至少一个官能团且具有3-20个碳原子；取代或未取代的芳基，其任选被至少一个杂原子间隔，任选带有至少一个官能团且具有6-30个碳原子；取代或未取代的杂芳基，其任选被至少一个杂原子间隔，任选带有至少一个官能团且具有总共5-18个碳原子和/或杂原子，如果A2、A3、A4和/或A5为N，则R52、R53、R54和R55各自为游离电子对，或者如果A2、A3、A4和/或A5为C，则各自独立地为氢；线性或支化烷基，其任选被至少一个杂原子间隔，任选带有至少一个官能团且具有1-20个碳原子；环烷基，其任选被至少一个杂原子间隔，任选带有至少一个官能团且具有3-20个碳原子；取代或未取代的芳基，其任选被至少一个杂原子间隔，任选带有至少一个官能团且具有6-30个碳原子；取代或未取代的杂芳基，其任选被至少一个杂原子间隔，任选带有至少一个官能团且具有总共5-18个碳原子和/或杂原子；具有给体或受体作用的基团，或者R53和R54与A3和A4一起形成任选取代的不饱和环，其任选被至少一个其他杂原子间隔且具有总共5-18个碳原子和/或杂原子，R56、R57、R58和R59各自独立地为氢；线性或支化烷基，其任选被至少一个其他杂原子间隔，任选带有至少一个官能团且具有1-20个碳原子；环烷基，其任选被至少一个杂原子间隔，任选带有至少一个官能团且具有3-20个碳原子；环杂烷基，其任选被至少一个杂原子间隔，任选带有至少一个官能团且具有3-20个碳原子；取代或未取代的芳基，其任选被至少一个杂原子间隔，任选带有至少一个官能团且具有6-30个碳原子；取代或未取代的杂芳基，其任选被至少一个杂原子间隔，任选带有至少一个官能团且具有总共5-18个碳原子和/或杂原子；具有给体或受体作用的基团，或者R56和R57、R57和R58或R58和R59与它们所键合的碳原子一起形成饱和、不饱和或芳族、任选取代的环，其任选被至少一个杂原子间隔且具有总共5-18个碳原子和/或杂原子，和/或如果A5为C，则R55和R56一起形成饱和或不饱和、线性或支化桥，其任选包含杂原子、芳族单元、杂芳族单元和/或官能团且具有总共1-30个碳原子和/或杂原子，任选稠合有包含碳原子和/或杂原子的取代或未取代的5-8员环，R25独立地为线性或支化烷基，其任选被至少一个杂原子间隔，任选带有至少一个官能团且具有1-20个碳原子；环烷基，其任选被至少一个杂原子间隔，任选带有至少一个官能团且具有3-20个碳原子；取代或未取代的芳基，其任选被至少一个杂原子间隔，任选带有至少一个官能团且具有6-30个碳原子；取代或未取代的杂芳基，其任选被至少一个杂原子间隔，任选带有至少一个官能团且具有总共5-18个碳原子和/或杂原子，K为不带电荷的单齿或二齿配体，L为一价阴离子或二价阴离子配体，优选一价阴离子配体，其可以是单齿或二齿的，m1为0、1或2，其中当m1为2时，配体K可以相同或不同，o为0、1或2，其中当o为2时，配体L可以相同或不同。式IX化合物优选为下式化合物：均配型(homoleptic)金属-碳烯配合物可以面式异构体或子午线式异构体形式存在，优选面式异构体。在杂配型(heteroleptic)金属-碳烯配合物的情况下，可存在四种不同异构体，优选假-面式异构体。除发射体材料外，发光层可包含其他组分。例如，发光层中可存在荧光染料以改变发射体材料的发射颜色。此外，在一个优选实施方案中，可使用基体材料。该基体材料可为聚合物如聚(N-乙烯基咔唑)或聚硅烷。然而，基体材料可为小分子，例如4，4’-N，N’-二咔唑联苯(CDP＝CBP)或叔芳族胺，例如TCTA。在本发明的一个优选实施方案中，将至少一种式I化合物用作基体材料。在一个优选实施方案中，发光层由2-40重量％，优选5-35重量％至少一种上述发射体材料和60-98重量％，优选75-95重量％至少一种上述基体材料-在一个实施方案中至少一种式I化合物-形成，其中发射体材料和基体材料的总和合计为100重量％。在特别优选的实施方案中，发光层包含式I化合物，例如(A-43)，和两种碳烯配合物，优选式的碳烯配合物。在所述实施方案中，发光层由2-40重量％，优选5-35重量％和60-98重量％，优选65-95重量％式I化合物和形成，其中碳烯配合物和式I化合物的总和合计为100重量％。因此，适于与式I化合物一起在OLED中用作基体材料和/或空穴/激子阻断剂材料和/或电子/激子阻断剂材料和/或空穴注入材料和/或电子注入材料和/或空穴导体材料和/或电子导体材料，优选作为基体材料和/或空穴/激子阻断剂材料的金属配合物例如还有如WO2005/019373A2、WO2006/056418A2、WO2005/113704、WO2007/115970、WO2007/115981和WO2008/000727所述的碳烯配合物。此处明确参考所引用WO申请的公开内容，应认为将这些公开内容并入本申请的内容中。如果空穴/激子阻断层(4)不含任何式I化合物，则OLED具有-如果空穴阻断层存在的话-常用OLED于中的空穴阻断剂材料例如为2，6-二(N-咔唑基)吡啶(mCPy)，2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(bathocuproin，(BCP))，二(2-甲基-8-喹啉根合)-4-苯基苯酚根合)铝(III)(BAlq)，吩噻嗪S，S-二氧化物衍生物和1，3，5-三(N-苯基-2-苄基咪唑基)苯)(TPBI)，TPBI也适合作为电子传导材料。其他合适的空穴阻断剂和/或电子导体材料是2，2′，2″-(1，3，5-苯三基)三(1-苯基-1-H-苯并咪唑)，2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-二唑，8-羟基喹啉根合锂，4-(萘-1-基)-3，5-二苯基-4H-1，2，4-三唑，1，3-二[2-(2，2′-联吡啶-6-基)-1，3，4-二唑-5-基]苯，4，7-二苯基-1，10-菲咯啉，3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1，2，4-三唑，6，6′-二[5-(联苯-4-基)-1，3，4-二唑-2-基]-2，2′-联吡啶，2-苯基-9，10-二(萘-2-基)蒽，2，7-二[2-(2，2′-联吡啶-6-基)-1，3，4-二唑-5-基]-9，9-二甲基芴，1，3-二[2-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-二唑-5-基]苯，2-(萘-2-基)-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉，三(2，4，6-三甲基-3-(吡啶-3-基)苯基)硼烷，2，9-二(萘-2-基)-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉，1-甲基-2-(4-(萘-2-基)苯基)-1H-咪唑并[4，5-f][1，10]菲咯啉。在另一实施方案中，可以在发光层(3)中使用WO2006/100298中所公开的包含经由含羰基的基团连接的芳族或杂芳族环的化合物，例如如在本申请的优先权日还未公布的PCT申请PCT/EP2008/058207和PCT/EP2008/058106中所述的选自二甲硅烷基咔唑、二甲硅烷基苯并呋喃、二甲硅烷基苯并噻吩、二甲硅烷基苯并磷杂环戊二烯(disilylbenzophosphole)、二甲硅烷基苯并噻吩S-氧化物和二甲硅烷基苯并噻吩S，S-二氧化物的二甲硅烷基化合物以及如WO2008/034758中所公开的二甲硅烷基化合物作为空穴/激子阻断层(4)或作为基体材料。适合本发明OLED的层(5)的电子导体材料包括与喔星类(oxinoid)化合物螯合的金属，例如2，2’，2”-(1，3，5-亚苯基)三[1-苯基-1H-苯并咪唑](TPBI)，三(8-喹啉根合)铝(Alq3)，基于菲咯啉的化合物如2，9-二甲基-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(DDPA＝BCP)或4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(DPA)，以及唑类化合物如2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-二唑(PBD)和3-(4-联苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1，2，4-三唑(TAZ)，8-羟基喹啉根合锂(Liq)，4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(BPhen)，二(2-甲基-8-喹啉根合)-4-(苯基苯酚根和)铝(BAlq)，1，3-二[2-(2，2’-联吡啶-6-基)-1，3，4-二唑-5-基]苯(Bpy-OXD)，6，6’-二[5-(联苯-4-基)-1，3，4-二唑-2-基]-2，2’-联吡啶(BP-OXD-Bpy)，4-(萘-1-基)-3，5-二苯基-4H-1，2，4-三唑(NTAZ)，2，9-二(萘-2-基)-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(NBphen)，2，7-二[2-(2，2’-联吡啶-6-基)-1，3，4-二唑-5-基]-9，9-二甲基芴(Bby-FOXD)，1，3-二[2-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-二唑-5-基]苯(OXD-7)，三(2，4，6-三甲基-3-(吡啶-3-基)苯基)硼烷(3TPYMB)，1-甲基-2-(4-(萘-2-基)苯基)-1H-咪唑并[4，5-f][1，10]菲咯啉(2-NPIP)，2-苯基-9，10-二(萘-2-基)蒽(PADN)，2-(萘-2-基)-4，7-二苯基-1，10-菲咯啉(HNBphen)。该层(5)既可以用于促进电子传输又可以用作缓冲层或阻隔层以防止激子在该OLED各层的界面处猝灭。该层(5)优选改善电子的迁移率并降低激子的猝灭。在一个优选实施方案中，将TBPI用作电子导体材料。在另一优选实施方案中，将BCP用作电子导体材料。原则上可能的是该电子导体层包含至少一种式I化合物作为电子导体材料。在上面作为空穴导体材料和电子导体材料提到的材料中，一些可能满足几个功能。例如，一些电子导体材料在具有低HOMO时同时也是空穴阻断材料。这些例如可以用于空穴/激子阻断层(4)中。然而，同样可以的是也采用层(5)作为空穴/激子阻断剂，使得可以省去层(4)。电荷传输层也可以是电子掺杂的，以改善所用材料的传输性能，首先使层厚更大(避免针孔/短路)，其次使该器件的操作电压最小化。例如，该空穴导体材料可以用电子受体掺杂；例如，酞菁或芳基胺如TPD或TDTA可以用四氟四氰基醌二甲烷(F4-TCNQ)或MoO3或WO3掺杂。电子导体材料可以例如掺杂有碱金属，例如含有锂的Alq3。此外，电子导体可以掺杂有盐，例如Cs2CO3或8-羟基喹啉根合锂(Liq)。电子掺杂为本领域熟练技术人员已知且例如公开于W.Gao，A.Kahn，J.Appl.Phys.，第94卷，第1期，2003年7月1日(p-掺杂有机层)；A.G.Werner，F.Li，K.Harada，M.Pfeiffer，T.Fritz，K.Leo.Appl.Phys.Lett.，第82卷，第25期，2003年6月23日以及Pfeiffer等，OrganicElectronics2003，4，89-103中。例如，该空穴导体层除了碳烯配合物如Ir(dpbic)3外还可以被MoO3或WO3掺杂。例如，电子导体层可包含掺杂有Cs2CO3的BCP。阴极(6)为用于引入电子或负载流子的电极。适合阴极的材料选自元素周期表(老的IUPAC版)第Ia族碱金属，例如Li、Cs，第IIa族碱土金属，例如钙、钡或镁，第IIb族金属，包括镧系元素和锕系元素，例如钐。此外，还可以使用金属如铝或铟，以及所有所述金属的组合。此外，可以在该有机层和阴极之间施加含有碱金属，尤其是含有锂的有机金属化合物或碱金属氟化物，例如LiF、CsF或KF，以降低操作电压。本发明的OLED可以额外包括本领域熟练技术人员已知的其他层。例如，可以在层(2)和发光层(3)之间施加促进正电荷传输和/或使各层的带隙相互匹配的层。或者，该其他层可以用作保护层。以类似方式，可以在发光层(3)和层(4)之间存在额外层，以促进负电荷传输和/或使各层之间的带隙相互匹配。或者，该层可以用作保护层。在一个优选实施方案中，本发明OLED除了层(1)-(6)外还包括下文所述下列层中的至少一个：-厚度为2-100nm，优选5-50nm的在阳极(1)和空穴传输层(2)之间的空穴注入层；-在空穴传输层(2)和发光层(3)之间的电子阻断层；-在电子传输层(5)和阴极(6)之间的电子注入层。用于空穴注入层的材料可以选自铜酞菁，4，4′，4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯基胺(m-MTDATA)，4，4′，4″-三(N-(2-萘基)-N-苯基氨基)三苯基胺(2T-NATA)，4，4′，4″-三(N-(1-萘基)-N-苯基氨基)三苯基胺(1T-NATA)，4，4′，4″-三(N，N-二苯基氨基)三苯基胺(NATA)，氧化钛酞菁，2，3，5，6-四氟-7，7，8，8-四氰基醌二甲烷(F4-TCNQ)，吡嗪并[2，3-f][1，10]菲咯啉-2，3-二甲腈(PPDN)，N，N，N′，N′-四(4-甲氧基苯基)联苯胺(MeO-TPD)，2，7-二[N，N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9，9-螺二芴(MeO-Spiro-TPD)，2，2′-二[N，N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9，9-螺二芴(2，2′-MeO-Spiro-TPD)，N，N′-二苯基-N，N′-二-[4-(N，N-二-甲苯基氨基)苯基]联苯胺(NTNPB)，N，N′-二苯-N，N′-二-[4-(N，N-二苯基氨基)苯基]联苯胺(NPNPB)，N，N′-二(萘-2-基)-N，N′-二苯基苯-1，4-二胺(α-NPP)。原则上可能的是该空穴注入层包含至少一种式I化合物作为空穴注入材料。此外，可以使用聚合物空穴注入材料，如聚(N-乙烯基咔唑)(PVK)，聚噻吩，聚吡咯，聚苯胺，自掺杂聚合物如磺化聚(噻吩-3-[2[(2-甲氧基乙氧基)乙氧基]-2，5-二基)(OCConductingInks，由Plextronics市购)以及共聚物如也称为PEDOT/PSS的聚(3，4-亚乙二氧基噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸酯)。作为电子注入层的材料，例如可以选择LiF。原则上，电子注入层可以包含至少一种式I化合物作为电子注入材料、本领域熟练技术人员知晓(例如基于电化学研究)如何选择合适材料。适合各层的材料对本领域熟练技术人员而言是已知的且例如公开于WO00/70655中。此外，可能的是一些用于本发明OLED中的层已经进行表面处理，以提高载流子传输效率。对所述各层的材料选择优选通过获得具有高效率和使用寿命的OLED决定。本发明OLED可以通过本领域熟练技术人员已知的方法生产。通常而言，本发明OLED通过在合适基底上依次气相沉积各层而生产。合适的基底例如为玻璃，无机半导体，或聚合物薄膜。对于气相沉积，可以使用常规技术，如热蒸发、化学气相沉积(CVD)、物理气相沉积(PVD)以及其他技术。在一种替换方法中，可以使用本领域熟练技术人员已知的涂敷技术由在合适溶剂中的溶液或分散体施加该OLED的有机层。不同的层通常具有下列厚度：阳极(1)50-500nm，优选100-200nm；空穴传导层(2)5-100nm，优选20-80nm，发光层(3)1-100nm，优选10-80nm，空穴/激子阻断层(4)2-100nm，优选5-50nm，电子传导层(5)5-100nm，优选20-80nm，阴极(6)20-1000nm，优选30-500nm。空穴和电子在本发明OLED中的再结合区相对于阴极的相对位置以及因此该OLED的发光光谱尤其可以由各层的相对厚度影响。这意味着电子传输层的厚度应优选选择得使再结合区的位置与该二极管的光学共振器性能匹配并因此与该发射体的发光波长匹配。该OLED中各层的层厚比例取决于所用材料。所用任何额外层的层厚为本领域熟练技术人员已知。可能的是电子传导层和/或空穴传导层在电掺杂时具有的厚度大于所述层厚度。将式I化合物用于OLED的至少一个层，优选在发光层(优选作为基体材料)中和/或在用于空穴/激子的阻断层中可以获得具有高效率以及低使用和操作电压的OLED。通过使用式I化合物获得的OLED通常额外具有高使用寿命。该OLED的效率可以通过优化该OLED的其他层而额外改善。例如，可以使用高效率阴极如Ca或Ba，如果合适的话，与LiF的中间层组合。成型基底和导致操作电压降低或量子效率提高的新型空穴传输材料同样可以用于本发明OLED中。此外，额外层可以存在于该OLED中以调节不同层的能级并促进场致发光。该OLED可以进一步包括至少一个第二发光层。该OLED的总发光可以包含至少两个发光层的发光且还可以包括白光。该OLED可以用于所有其中场致发光有用的设备中。合适的器件优选选自固定和移动可视显示单元以及照明单元。固定可视显示单元例如为计算机、电视的可视显示单元，打印机、厨房用具和广告板、照明和信息板中的可视显示单元。移动可视显示单元例如为移动电话、台式PC、便携式电脑、数字相机、MP3播放器、车辆以及公共汽车和火车上的目的地显示中的可视显示单元。其中可以使用本发明OLED的其他器件例如为键盘；衣物；家具；壁纸。此外，本发明涉及选自如下的器件：固定可视显示单元如计算机、电视的可视显示单元，打印机、厨房用具和广告板、照明、信息板中的可视显示单元以及移动可视显示单元如移动电话、台式PC、便携式电脑、数字相机、MP3播放器、车辆以及公共汽车和火车上的目的地显示中的可视显示单元；照明单元；键盘；衣物；家具；壁纸，其包含至少一种本发明有机发光二极管或至少一种本发明发光层。下列实施例仅以说明目的包括在此且不限制权利要求书的范围。除非另有指明，所有份数和百分数按重量计。具体实施方式实施例实施例1a)在氩气下，在200℃下搅拌5.00g(24.1mmol)6H-苯并咪唑并[1，2-a]苯并咪唑、6.56g(26.5mmol)2-溴二苯并呋喃、5.00g(36.2mmol)碳酸钾和920mg(4.8mmol)碘化铜(I)于50ml1-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)中的混合物24小时。冷却反应混合物至20℃且添加100ml二氯甲烷。在硅胶上用二氯甲烷过滤反应混合物。用水洗涤有机相且用硫酸镁干燥。蒸馏出溶剂。将产物与甲基乙基酮(MEK)一起煎煮且过滤出。(产率：2.50g(28％))。1HNMR(400MHz，DMSO-d6)：δ8.67(s，1H)，8.22-8.20(m，3H)，8.01(s，2H)，7.80(d，J＝8.3Hz，1H)，7.59-7.65(m，3H)，7.40-7.50(m，3H)，7.28-7.37(m，2H)。MS(APCI(pos)，m/z)：374(M+1)。b)在50℃下，在氩气下，将3.00g(8.03mmol)5-二苯并呋喃-2-基苯并咪唑并[1，2-a]苯并咪唑溶解于15mlDMF中。添加2.14g(12.1mmol)N-溴丁二酰亚胺。在氩气下，在50℃下搅拌反应混合物18小时。过滤出沉淀产物且用DMF、乙醇、水洗涤并再用乙醇洗涤(产率：2.85g(78％))。1HNMR(400MHz，THF-d8)：δ8.56(d，J＝2.1Hz，1H)，8.23(d，J＝1.9Hz，1H)，8.10-8.14(m，2H)，7.98(dd，J＝2.3Hz，J＝8.7Hz，1H)，7.83(d，L＝8.7Hz，1H)，7.64-7.70(m，2H)，7.51-7.56(m，2H)，7.36-7.43(m，4H)。c)用氩气使1.50g(3.32mmol)2-溴-5-二苯并呋喃-2-基-苯并咪唑并[1，2-a]苯并咪唑、1.50g(1.59mmol)4，4，5，5-四甲基-2-[3-(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧硼戊环(dioxaborolan)-2-基)苯基]-1，3，2-二氧硼戊环、4.02g(16.6mmol)磷酸三钾单水合物、15ml二烷、50ml二甲苯和10ml水脱气。添加82mg(0.20mmol)2-二环己基膦基-2′，6′-二甲氧基联苯(sPhos)和7.4mg(0.033mmol)乙酸钯(II)。将反应混合物用氩气脱气且在100℃下，在氩气下搅拌22小时。添加40ml1％氰化钠溶液且使反应混合物回流1小时，冷却至20℃且过滤出产物。产物用水和乙醇洗涤且在MEK中煎煮(产率：1.05g(38.5％))。1HNMR(400MHz，TFA-d1)：δ8.54(s，2H)，8.41(d，J＝2.3Hz，2H)，8.37(d，J＝8.0Hz，2H)8.07-8.19(m，6H)，7.927.95(m，4H)，7.68-7.88(m，14H)，7.54(t，J＝7.5Hz，2H)。MS(APCI(pos)，m/z)：821(M+1)。实施例2a)在氮气下，将19.7g(96.5mmol)碘-苯、31.4g(96.5mmol)碳酸铯、2.30g(12.1mmol)碘化铜(I)和2.78g(24.1mmol)L-脯胺酸添加至含10.0g(48.3mmol)5H-苯并咪唑并[1，2-a]苯并咪唑的150mlDMSO中。在120℃下搅拌反应混合物26小时且在Hyflo上用甲苯过滤。用水洗涤有机相且用硫酸镁干燥。真空移除溶剂。产物在硅胶上用甲苯过滤且与乙醚一起煎煮(产率：7.77g(57％))。1HNMR(400MHz，CDCl3)：δ7.81-7.88(m，5H)，7.57-7.67(m，2H)，7.45-7.50(m，1H)，7.31-7.40(m，4H)b)根据实施例1b)进行反应。1HNMR(400MHz，CDCl3)：δ8.02(d，J＝1.7Hz，1H)，7.83-7.87(m，3H)，7.64-7.73(m，3H)，7.58-7.61(m，1H)，7.39-7.53(m，4H)c)将1.50g(4.14mmol)2-溴-5-苯基-苯并咪唑并[1，2-a]苯并咪唑、5.02g(20.7mmol)磷酸三钾单水合物、15ml二烷、50ml甲苯和12ml水添加至2.23g(4.56mmol)9-[8-(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧硼戊环-2-基)二苯并呋喃-2-基]咔唑中。用氩气使混合物脱气。添加100mg(0.250mmol)2-二环己基膦基-2′，6′-二甲氧基联苯(SPhos)和93mg(0.042mmol)乙酸钯(II)。将反应混合物用氩气脱气且在100℃下，在氩气下搅拌21小时。添加40ml1％氰化钠溶液且使反应混合物回流1小时。分离有机相且过滤出结晶产物，用乙醇、水和乙醇洗涤。自甲苯结晶出产物(产率1.52g(60％))。1HNMR(400MHz，THF-d8)：δ＝8.53(d，J＝1.7Hz，1H)，8.40(d，J＝1.7Hz，1H)，8.37(s，1H)，8.20(s，1H)，8.17(s，1H)，8.11-8.14(m，1H)，7.98-8.03(m，3H)，7.90(d，J＝8.5Hz，1H)，7.78(d，J＝8.6Hz，1H)，7.67-7.73(m，4H)，7.60-7.64(m，2H)，7.33-7.44(m，4H)，7.33-7.37(m，2H)，7.24-7.28(m，2H)MS(APCI(pos)，m/z)：615(M+1)。实施例3a)在氮气下，将7.78g(25mmol)1-溴-3-碘-苯、16.3g(50.0mmol)碳酸铯、1.24g(6.50mmol)碘化铜(I)和1.50g(13.0mmol)L-脯胺酸添加至含5.18g(25.0mmol)5H-苯并咪唑并[1，2-a]苯并咪唑的100ml二甲亚砜(DMSO)中。反应混合物在100℃下搅拌18小时且倾倒入水中。有机相用二氯甲烷萃取且用硫酸镁干燥。蒸馏出溶剂。在硅胶上使用甲苯进行柱层析得到产物(产率8.35g(92％))。1HNMR(400MHz，CDCl3)：δ8.54(d，J＝2.1Hz，1H)，8.37-8.40(m，1H)，8.16-8.199(m，1H)，7.93-7.95(m，1H)，7.60-7.74(m，4H)，7.41-7.7.50(m，3H)。MS(APCI(pos)，m/z)：444(M+1)，442(M+1)，441(M+1)。b)根据实施例1b)进行反应，不同之处在于使用5-(3-溴苯基)苯并咪唑并[1，2-a]苯并咪唑而不是5-二苯并呋喃-2-基苯并咪唑并[1，2-a]苯并咪唑作为起始物质。1HNMR(400MHz，CDCl3)：δ8.54(d，J＝2.1Hz，1H)，8.37-8.40(m，1H)，8.16-8.199(m，1H)，7.93-7.95(m，1H)，7.60-7.74(m，4H)，7.41-7.7.50(m，3H)。MS(APCI(pos)，m/z)：444(M+1)，442(M+1)，441(M+1)。实施例4a)加热含1.00g(3.53mmol)5-苯基苯并咪唑并[1，2-a]苯并咪唑(实施例2a)和850mg(2.65mmol)二乙酰氧基-碘苯的10ml乙酸和10ml乙酸酐至60℃，且随后冷却至25℃。添加340mg(1.34mmol)碘。添加10滴硫酸且在氮气下，在25℃下搅拌反应混合物18小时。将产物过滤出且用乙酸、乙醇、水洗涤并再用乙醇洗涤。将产物与甲基乙基酮一起煎煮(产率：560mg(40％))。1HNMR(400MHz，THF-d8)：δ＝8.39(d，J＝1.6Hz，1H)，8.11-8.14(m，1H)，7.97-8.00(m，2H)，7.61-7.71(m，4H)，7.37-7.48(m，4H)。MS(APCI(pos)，m/z)：444(M+1)，442(M+1)，441(M+1)。b)在氮气下，将750mg(2.01mmol)2-碘-5-苯基-苯并咪唑并[1，2-a]苯并咪唑、1.31g(4.02mmol)碳酸铯、77mg(0.40mmol)碘化铜(I)和93mg(0.80mmol)L-脯胺酸添加至含460mg(221mmol)咔唑的10ml二甲亚砜(DMSO)中。将反应混合物在120℃下在氮气下搅拌23小时，倾倒入水中且过滤出产物。在硅胶上使用甲苯，接着使用甲苯/乙酸乙酯进行柱层析产生产物。1HNMR(400MHz，THF-d8)：δ＝8.30(d，J＝2.0Hz，1H)，8.21(d，J＝7.8Hz，2H)，8.03-8.11(m，3H)，7.90(d，J＝8.5Hz，1H)，7.67-7.91(m，3H)，7.47-7.55(m，2H)，7.33-7.42(m，6H)，7.25-7.29(m，2H)。实施例59-苯基-3-(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧硼戊环-2-基)咔唑的合成描述于WO2012/023947A1中。将1.30g(2.87mmol)2-溴-5-二苯并呋喃-2-基-苯并咪唑并[1，2-a]苯并咪唑(实施例1c))、3.21g(14.4mmol)磷酸三钾单水合物、15ml二烷、50ml甲苯和10ml水添加至1.48g(3.45mmol)9-苯基-3-(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧硼戊环-2-基)咔唑中。用氩气使混合物脱气。添加71mg(0.17mmol)2-二环己基膦基-2′，6′-二甲氧基联苯(SPhos)和65mg(0.029mmol)乙酸钯(II)。将反应混合物用氩气脱气且在100℃下，在氩气下搅拌6小时。添加40ml1％氰化钠溶液且使反应混合物回流1小时。水相用二氯甲烷萃取且用20％HCl洗涤。用硫酸镁干燥有机相且蒸馏出溶剂。在硅胶上使用甲苯进行柱层析得到产物。MS(APCI(pos)，m/z)：615(M+1)。实施例6a)在25℃下搅拌5.00g(17.7mmol)5-苯基苯并咪唑并[1，2-a]苯并咪唑、5.12g(15.9mmol)(二乙酰氧基碘)苯和4.03g(15.9mmol)碘28小时。将反应混合物倾倒入10％亚硫酸氢钠溶液中。将产物过滤出，用水和乙醇洗涤，与乙醚一起煎煮，过滤出，用乙醚洗涤且与甲基乙基酮(MEK)一起煎煮(产率：5.67g(87％))。b)在氮气下，在200℃下搅拌含5.00g(12.2mmol)2-碘-5-苯基-苯并咪唑并[1，2-a]苯并咪唑、2.25g(13.4mmol)咔唑、2.53g(18.3mmol)碳酸钾和470mg(2.44mmol)碘化亚铜的150mlNMP25小时。蒸馏出溶剂。添加二氯甲烷且用水、30％NaOH、水和1-氨基-1-丙醇于水中的1M溶液洗涤有机相。有机相用硫酸镁干燥且在硅胶上过滤。在硅胶上使用甲苯/乙酸乙酯100/1进行柱层析得到产物(产率：4.21g(77％))。1HNMR(400MHz，THF-d8)：δ＝8.30(d，J＝2.0Hz，1H)，8.21(d，J＝7.8Hz，2H)，8.03-8.11(m，3H)，7.90(d，J＝8.5Hz，1H)，7.67-7.91(m，3H)，7.47-7.55(m，2H)，7.33-7.42(m，6H)，7.25-7.29(m，2H)。实施例7a)在氮气下，在20℃下搅拌含76.9g(0.460mol)咔唑和104g(0.460mol)1-碘吡咯烷-2，5-二酮(NIS)的100ml乙酸。在5小时后，过滤出产物。使用2g木炭自900ml乙醇结晶出产物。热过滤乙醇溶液。冷却乙醇溶液至20℃且过滤出产物(产率：59.5g(44％))。b)在50℃下，在氮气下搅拌含19.7g(67.0mmol)3-碘-9H-咔唑和2.95g(73.7mmol)氢化钠于矿物油中的60％分散体的500ml四氢呋喃(THF)1小时。在20℃下，添加含12.8g(67.0mmol)4-甲基苯磺酰氯的100mlTHF。反应混合物在20℃下搅拌1小时且接着在50℃下搅拌1小时。过滤溶液且蒸馏出溶剂。添加200ml乙酸乙酯且用柠檬酸、碳酸氢钠和水的溶液洗涤有机相。部分移除溶剂直至产物开始结晶。过滤出产物且用甲醇洗涤(产率：23g(79％))。c)在100℃下，在氮气下搅拌含36.0g(174mmol)6H-苯并咪唑并[1，2-a]苯并咪唑、77.8(174mmol)3-碘-9-(对甲苯磺酰基)咔唑、106g(0.500mol)磷酸钾、5.5g(28.9mmol)碘化亚铜和111g(0.972mol)反式-环己烷-1，2-二胺的900ml二烷48小时。将产物过滤出，用二烷和乙醇洗涤且不经纯化即用于下一反应步骤。d)在氮气下，于5分钟内将11.3g(202mmol)氢氧化钾于500ml乙醇中的溶液添加至含53g(101mmol)5-[9-(对甲苯磺酰基)咔唑-3-基]苯并咪唑并[1，2-a]苯并咪唑的500ml沸腾乙醇中。在5小时后，过滤出产物且用乙醇、水和甲醇洗涤(产率：32g(85.4％))。1HNMR(400MHz，DMSO-d6)：δ11.6(s，1H)，8.57(d，J＝7.8Hz，1H)，8.22-8.28(m，3H)，7.74-7.82(m，2H)，7.57-7.62(m，2H)，7.38-7.54(m，4H)，7.27-7.34(m，2H)，7.20-7.24(m，1H)。e)在氮气下，使含480mg(1.29mmol)5-(9H-咔唑-3-基)苯并咪唑并[1，2-a]苯并咪唑、530mg(1.29mmol)2-碘-5-苯基-苯并咪唑并[1，2-a]苯并咪唑、100mg(0.525mmol)碘化亚铜、1.06g(5.00mmol)磷酸钾和1.00g(8.76mmol)反式-环己烷-1，2-二胺的10ml二烷回流6小时。过滤出产物且依次用二烷和甲醇洗涤(产率：440mg(52％))。1HNMR(400MHz，CDCl3)：δ8.54(d，J＝1.9Hz，1H)，8.23(d，J＝7.8Hz，1H)，8.02-8.07(m，2H)，7.88-7.93(m，4H)，7.80-7.85(m，3H)，7.48-7.72(m，9H)，7.31-7.43(m，7H)实施例8在150℃下，在氮气下搅拌含1.00g(2.44mmol)2-碘-5-苯基-苯并咪唑并[1，2-a]苯并咪唑、610mg(2.93mmol)6H-苯并咪唑并[1，2-a]苯并咪唑、93mg(0.49mmol)碘化亚铜、1.59g(4.489mmol)碳酸铯和113mg(0.98mmol)L-脯胺酸的10mlDMSO43小时。将反应混合物倾倒入水中且过滤出产物。用水洗涤产物。在硅胶上依次使用19/1和1/1的甲苯/乙酸乙酯进行柱层析得到产物(产率：220mg(18％))。1HNMR(400MHz，THF-d8)：δ8.59(d，J＝1.8Hz，1H)，8.06-8.13(m，1H)，8.00-8.06(m，4H)，7.81-7.87(m，1H)，7.75-7.81(m，1H)，7.72-7.74(m，1H)，7.50-7.69(m，4H)，7.43-7.49(m，1H)，7.31-7.42(m，4H)，7.24-7.30(m，2H)。MS(APCI(pos)，m/z)：489(M+1)。实施例9用氩气使1.00g(2.76mmol)2-溴-5-苯基-苯并咪唑并[1，2-a]苯并咪唑、1.15g(3.31mmol)2-二苯并呋喃-4-基-4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧硼戊环、1.91g(13.8mmol)碳酸钾、10ml二烷、30ml二甲苯和7ml水脱气。添加23mg(0.055mmol)2-二环己基膦基-2′，6′-二甲氧基联苯(sPhos)和6.2mg(0.028mmol)乙酸钯(II)。将反应混合物用氩气脱气且在120℃下，在氩气下搅拌21小时。添加40ml1％氰化钠溶液且使反应混合物回流1小时。添加二氯甲烷且分离有机相。用硫酸镁干燥有机相且蒸馏出溶剂。将产物于甲苯中煎煮，过滤出且用甲苯洗涤(产率：0.91g(73％))。1HNMR(400MHz，CDCl3)：δ8.45(d，J＝1.0Hz，1H)，8.04-8.07(m，1H)，7.99-8.00(m，6H)，7.74-7.76(m，1H)，7.66-7.71(m，3H)，7.61-7.64(m，1H)，7.49-7.54(m，3H)，7.38-7.47(m，3H)。实施例10a)在25℃下搅拌4.70g(10.8mmol)5-(3，5-二苯基苯基)苯并咪唑并[1，2-a]苯并咪唑、3.30g(15.9mmol)(二乙酰氧基碘)苯和2.60g(10.3mmol)碘18小时。将反应混合物倾倒入10％亚硫酸氢钠溶液中。将产物过滤出，用水和乙醇洗涤，与叔丁基甲基醚一起煎煮，过滤出且用叔丁基甲基醚洗涤(产率：5.64g(98％))。1HNMR(400MHz，DMSO-d6)：δ8.62(d，J＝1.6Hz，1H)，8.36-8.38(m，1H)，8.133(s，1H)，8.129(s，1H)，8.01-8.02(m，1H)，7.87-7-89(m，4H)，7.75-7.78(m，1H)，7.59-7.61(m，1H)，7.51-7.56(m，4H)，7.43-7.47(m，5H)。b)重复实施例6b)，不同之处在于使用实施例10a)的产物而不是2-碘-5-苯基-苯并咪唑并[1，2-a]苯并咪唑。1HNMR(400MHz，DMSO-d6)：δ8.32(d，J＝1.8Hz，1H)，8.29(d，J＝1.6Hz，2H)，8.20-8.22(m，2H)，8.11-8.13(m，1H)，8.04-8.05(m，1H)，7.85-7.95(m，6H)，7.52-7.57(m，5H)，7.36-7.47(m，8H)，7.25-7.30(m，2H)。实施例11重复实施例6b)，不同之处在于使用9-苯基-3-(4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧硼戊环-2-基)咔唑而不是2-二苯并呋喃-4-基-4，4，5，5-四甲基-1，3，2-二氧硼戊环。1HNMR(400MHz，THF-d8)：δ8.62(d，J＝1.6Hz，1H)，8.40(s，1H)，8.31(d，J＝7.7Hz，1H)，8.20(d，J＝7.3Hz，1H)，8.05(d，J＝7.7，2H)，7.88(dd，J＝1.6Hz，8.4Hz，1H)，7.64-7.78(m，9H)，7.37-7.56(m，7H)，7.29-7.33(m，1H)。MS(APCI(pos)，m/z)：525(M+1)。应用实施例1用作阳极的ITO基材首先在超声浴中用丙酮/异丙醇混合物洗净。为除去任何可能的有机残余物，再使基材在臭氧烘箱中暴露于连续臭氧流25分钟。此处理也改进ITO的空穴注入特性。接着，旋涂OCAJ20-1000(可购自PlextronicsInc.)且干燥以形成空穴注入层(约40nm)。此后，在约10-7至10-9毫巴下，通过气相沉积将以下所说明的有机材料以约0.5-5nm/min的速率施用于干净的基材。作为空穴传输和激子阻断剂，将(Ir(dpbic)3；关于制备参见申请WO2005/019373中的Ir配合物(7))以20nm的厚度施用于基材，其中头10nm掺杂有MoOx(约10％)以改进导电性。随后，通过气相沉积施用40nm厚的10重量％的发射体化合物5重量％的化合物Ir(dpbic)3和85重量％的化合物(A-43)的混合物。随后，通过气相沉积施用5nm厚的材料(A-43)作为阻断剂。此后，沉积由50重量％的(C-1)和50重量％的Liq组成的20nm厚的电子传输层。最后，2nmKF层充当电子注入层且100nm厚的Al电极完成器件。所有制造部件用玻璃盖和吸气剂密封于惰性氮气氛围中。为表征OLED，记录在不同电流和电压下的场致发光光谱。另外，结合所发射的光输出测电流电压特性曲线。光输出可通过使用光度计校正而转化为光度参数。在300尼特下的电压[V]在300尼特下的EQE1)[％]CIE应用实施例16.5V7％0.170.311)外量子效率(EQE)为自物质或器件漏出的生成光子数/流经其的电子数。应用实施例2如实施例1那样实现基材处理。此后，在约10-7至10-9毫巴下，通过气相沉积将以下所说明的有机材料以约0.5-5nm/min的速率施用于干净的基材。作为空穴传输和激子阻断剂，将(Ir(dpbic)3；关于制备参见申请WO2005/019373中的Ir配合物(7))以20nm的厚度施用于基材，其中头10nm掺杂有MoOx(约10％)以改进导电性。随后，通过气相沉积施用40nm厚的10重量％的发射体化合物(Ir(ppy)3)、5重量％的化合物Ir(dpbic)3和85重量％的化合物(A-43)的混合物。随后，通过气相沉积施用5nm厚的材料(A-43)作为阻断剂。此后，沉积由50重量％的化合物(C-1)和50重量％的Liq组成的20nm厚的电子传输层。最后，2nmKF层充当电子注入层且100nm厚的Al电极完成器件。所有制造部件用玻璃盖和吸气剂密封于惰性氮气氛围中。如实施例1那样进行器件的表征。在300尼特下的电压[V]在300尼特下的EQE1)[％]CIE应用实施例24.05V11.2％0.35/0.601)外量子效率(EQE)为自物质或器件漏出的生成光子数/流经其的电子数。应用实施例3在环境条件下通过溶液加工进行PL量测的样品制备。因此，将96重量％的化合物(A-24)和4重量％的化合物溶解于二氯甲烷中且通过刀片刮抹沉积于石英基材上。使用绝对量子产率量测系统“Quantaurus”(来自Hamamatsu，Japan)在室温下在370nm的激发波长下量测PL光谱和PL量子效率。PLQE[％]CIE应用实施例376.8％0.15/0.24比较应用实施例1如应用实施例1那样进行器件制造，不同之处在于使用化合物(V-1)而不是化合物(A-43)。应用实施例4如比较应用实施例1那样制造器件，不同之处在于发射层中使用化合物(A-24)而不是化合物V-1。下表清楚显示化合物A-24与化合物V-1相比导致电压降低和在类似量子效率下产生显著蓝移色彩。应用实施例5如应用实施例1那样实现基材处理。此后，在约10-7至10-9毫巴下，通过气相沉积将以下所说明的有机材料以约0.5-5nm/min的速率施用于干净的基材。首先，将10nm厚的空穴传输层Ir(dpbic)3沉积于基材上，其掺杂有MoOx(约10％)以改进导电性。随后沉积10nm厚的材料(A-51)作为阻断剂。接着，通过气相沉积施用40nm厚的10重量％的发射体化合物5重量％的化合物Ir(dpbic)3和85重量％的化合物(V-1)的混合物。此后，沉积由50重量％的化合物(C-1)和50重量％的Liq组成的20nm厚的电子传输层。最后，2nmKF层充当电子注入层且100nm厚的Al电极完成器件。所有制造部件用玻璃盖和吸气剂密封于惰性氮气氛围中。如实施例1那样进行器件的表征。比较应用实施例2如应用实施例5那样制造器件，不同之处在于使用化合物(V-2；WO2011160757)而不是阻断剂A-51。如下表中所示，化合物A-51与化合物V-2相比因更好的空穴注入而导致电压降低且因此也产生更好的量子效率。当前第1页1 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