有机电致发光器件及其制备方法

文档序号:3780290阅读:174来源:国知局
有机电致发光器件及其制备方法
【专利摘要】一种有机电致发光器件,包括依次层叠的基底、阴极、电子传输层、发光层、空穴传输层、阳极及增透膜,所述增透膜的材料为折射材料和聚合物材料以质量比1:1~5:1混合形成的混合物,所述折射材料选自N,N’-二苯基-N,N’-双(3-甲基苯基)-(1,1’-联苯基)-4,4’-二胺、8-羟基喹啉铝及2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-邻菲罗啉中的至少一种,所述聚合物材料选自聚3-己基噻吩、聚3-甲基噻吩及聚3-十二烷基噻吩中的至少一种。上述有机电致发光器件的发光效率较高。本发明还提供一种有机电致发光器件的制备方法。
【专利说明】有机电致发光器件及其制备方法
【技术领域】[0001] 本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
【背景技术】
[0002]有机电致发光器件的发光原理是基于在外加电场的作用下,电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道(LUMO),而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道(HOMO)。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子,激子在电场作用下迁移,将能量传递给发光材料,并激发电子从基态跃迁到激发态,激发态能量通过辐射失活,产生光子,释放光能。
[0003]在传统的有机电致发光器件中,有机电致发光器件内部的发光层产生的光只有18%左右是可以发射到外部去的,而其他的部分会以其他形式消耗在器件外部,界面之间存在折射率的差(如玻璃与ITO之间的折射率之差,玻璃折射率为1.5,ITO为1.8,光从ITO到达玻璃,就会发生全反射),引起了全反射的损失,从而导致整体出光性能较低。

【发明内容】

[0004]基于此,有必要提供一种发光效率较高的有机电致发光器件及其制备方法。
[0005]—种有机电致发光器件,包括依次层叠的基底、阴极、电子传输层、发光层、空穴传输层、阳极及增透膜,所述增透膜的材料为折射材料和聚合物材料以质量比1:1飞:1混合形成的混合物,所述折射材料选自N, N’ - 二苯基-N, N’ -双(3-甲基苯基)-(I, -联苯基)-4,4’ - 二胺、8-羟基喹啉铝及2,9- 二甲基-4,7- 二苯基-1,10-邻菲罗啉中的至少一种,所述聚合物材料选自聚3-己基噻吩、聚3-甲基噻吩及聚3-十二烷基噻吩中的至少一种。
[0006]在其中一个实施例中,所述阴极的材料为金、银、铝或钼。
[0007]在其中一个实施例中,所述电子传输层的材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑中的至少一种。
[0008]在其中一个实施例中,所述发光层的材料包括主体材料及掺杂在所述主体材料中的客体材料,所述主体材料选自聚咔唑及聚乙烯撑中的至少一种,所述客体材料选自4_(二腈甲基)-2_ 丁基-6- (I, I, 7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9,10- 二 - β -亚萘基蒽、4,4’ -双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1, I’ -联苯及8-羟基喹啉铝中的至少一种,所述客体材料的质量百分含量为5%~30%。
[0009]在其中一个实施例中,所述空穴传输层的材料选自I,1-二 [4-[N,K -二(P-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4’,4"-三(咔唑-9-基)三苯胺及Ν,Ν’_ (1-萘基)_Ν,N’ - 二苯基-4,4’ -联苯二胺中的至少一种。
[0010]在其中一个实施例中,所述阳极的材料为聚3,4- 二氧乙烯噻吩与聚苯乙烯磺酸盐以质量比2: f 6:1混合形成的混合物。
[0011]在其中一个实施例中,所述增透膜的厚度为30nnT200nm。
[0012]一种有机电致发光器件的制备方法,包括以下步骤:[0013]在基底表面形成阴极;
[0014]在所述阴极表面形成电子传输层;
[0015]在所述电子传输层表面形成发光层;
[0016]在所述发光层表面形成空穴传输层;
[0017]在所述空穴传输层表面形成阳极;及
[0018]在所述阳极表面形成增透膜,所述增透膜的材料为折射材料和聚合物材料以质量比1:1飞:I混合形成的混合物,所述折射材料选自N,N’ - 二苯基-N,N’ -双(3-甲基苯基)-(I, I’-联苯基)_4,4’-二胺、8-羟基喹啉铝及2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-邻菲罗啉中的至少一种,所述聚合物材料选自聚3-己基噻吩、聚3-甲基噻吩及聚3-十二烷基噻吩中的至少一种。
[0019]在其中一个实施例中,所述增透膜由含有所述增透膜的材料的溶液旋涂在所述阳极的表面后干燥形成,所述溶液的溶剂为选自氯苯、三氯甲烷及二氯甲烷的至少一种。
[0020]在其中一个实施例中,所述增透膜的厚度为30nnT200nm。
[0021]上述有机电致发光器件及其制备方法,金属阴极对光进行反射,与发光层发射出来的光形成干涉增强,而聚合物材料为结晶性聚合物材料,聚合物材料结晶后分子排列有序整齐,可加强对光的散射或者反射,从而提高有机电致发光器件100的出光效率;有机层之间的相容性得到加强,有效避免电子陷阱的存在。
【专利附图】

【附图说明】
[0022]图1为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图;
[0023]图2为一实施方式的有机电致发光器件的制备方法的流程图;
[0024]图3为实施例1及对比例制备的有机电致发光器件的亮度与电压关系图。
【具体实施方式】
[0025]下面结合附图和具体实施例对有机电致发光器件及其制备方法进一步阐明。
[0026]请参阅图1,一实施方式的有机电致发光器件100包括依次层叠的基底10、阴极20、电子传输层30、发光层40、空穴传输层50、阳极60及增透膜70。
[0027]基底10为玻璃基底。
[0028]阴极20形成于基底10的表面。阴极20的材料为金(Au)、银(Ag)、铝(Al)或钼(Pt),优选为Ag。阴极20的厚度为80nnT300nm,优选为150nm。
[0029]电子传输层30形成于阴极20的表面。电子传输层30的材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)、l,2,4-三唑衍生物(如TAZ)及N-芳基苯并咪唑(TPBI)中的至少一种,优选为TPBI。电子传输层30的厚度为40nnTl00nm,优选为60nm。
[0030]发光层40形成于电子传输层30的表面。发光层40的材料包括主体材料及掺杂在主体材料中的客体材料。主体材料选自聚咔唑(PVK)及聚乙烯撑(PPV)中的至少一种,优选为PVK。客体材料选自4- (二腈甲基)-2-丁基-6- (1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9,10-二-β-亚萘基蒽(ADN)、4,4’-双(9-乙基_3_咔唑乙烯基)_1,I’-联苯(BCzVBi)及8-羟基喹啉铝(Alq3)中的至少一种,优选为Alq3。客体材料的质量百分含量为5%?30%,优选为20%。发光层40的厚度为5nnT40nm,优选为15nm。[0031]空穴传输层50形成于发光层40的表面。空穴传输层50的材料选自1,1-二[4_[1N' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)、4,4’,4〃 -三(咔唑_9_基)三苯胺(TCTA)及N,N’ - (1_萘基)州4,- 二苯基-4,4’ -联苯二胺(NPB)中的至少一种,优选为TAPC0空穴传输层50的厚度为20nnT60nm,优选为40nm。
[0032]阳极60形成于空穴传输层50的表面。阳极60的材料为聚3,4_ 二氧乙烯噻吩(PEDOT)与聚苯乙烯磺酸盐(PSS)以质量比2:1~6:1混合形成的混合物。优选的,PEDOT与PSS的质量比为5:1。阳极60的厚度为80nnT300nm,优选为150nm。
[0033]增透膜70形成于阳极60的表面。增透膜70的材料为折射材料和聚合物材料以质量比1:广5:1混合形成的混合物。折射材料选自N,N’ - 二苯基-N,N’ -双(3-甲基苯基)-(1,I,-联苯基)_4,4,- 二胺(TPD)、8_羟基喹啉铝(Alq3)及2,9_ 二甲基_4,7_ 二苯基-1,I O-邻菲罗啉(BCP )中的至少一种。聚合物材料选自聚3-己基噻吩(P3HT )、聚3-甲基噻吩(P3AT)及聚3-十二烷基噻吩(P3DDT)中的至少一种。增透膜70的厚度为30nnT200nm。
[0034]上述有机电致发光器件100,金属阴极对光进行反射,与发光层发射出来的光形成干涉增强,而聚合物材料为结晶性聚合物材料,聚合物材料结晶后分子排列有序整齐,可加强对光的散射或者反射,从而提高有机电致发光器件100的出光效率;有机层都是通过旋涂形成,各层之间的相容性得到加强,有效避免电子陷阱的存在。
[0035]可以理解,该有机电致发光器件100中也可以根据需要设置其他功能层。
[0036]请同时参阅图2,一实施例的有机电致发光器件100的制备方法,其包括以下步骤:
[0037]步骤S110、在基底10表面形成阴极20。
[0038]基底10为玻璃基底。
[0039]本实施方式中,在基底10的表面形成阴极20之前首先对基底10依次采用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇、异丙酮各超声波清洗15min,以去除基底10表面的污染物。
[0040]阴极20的材料为金(Au)、银(Ag)、铝(Al)或钼(Pt),优选为Ag。阴极20的厚度为80nnT300nm,优选为150nm。阴极20由蒸镀形成,真空度为5 X KT3Pa~2 X 10_5Pa,蒸发速度为10人/5~100人/8。
[0041]步骤S120、在阴极20表面形成电子传输层30。
[0042]电子传输层30通过在阴极20表面旋涂含有电子传输材料的溶液形成。电子传输材料选自4,7- 二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)、l,2,4-三唑衍生物(如TAZ)及N-芳基苯并咪唑(TPBI)中的至少一种,优选为TPBI。溶液的溶剂选自氯苯、三氯甲烷及对二甲苯中的至少一种。溶液中,电子传输材料的质量百分含量为109^50%,优选为30%。电子传输层30的厚度为40nm~lOOnm,优选为60nm。旋涂的转速为200(T6000rpm,时间为l(T30s。
[0043]步骤S130、在电子传输层30的表面形成发光层40。
[0044]发光层40通过在电子传输层30表面旋涂含有发光材料的溶液后干燥形成。发光材料包括主体材料及掺杂在主体材料中的客体材料。溶液的溶剂为氯苯,主体材料的质量分数为8mg/L。主体材料选自聚咔唑(PVK)及聚乙烯撑(PPV)中的至少一种,优选为PVK。客体材料选自4- (二腈甲基)-2- 丁基-6- (I, I, 7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)_4H_吡喃(DCJTB),9, 10- 二 - β -亚萘基蒽(ADN)、4,4’ -双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1, I,-联苯(BCzVBi)及8-羟基喹啉铝(Alq3)中的至少一种,优选为Alq3。发光材料中客体材料的质量百分含量为5%~30%,优选为20%。旋涂后,在20°C~100°C退火10mirT30min。发光层40的厚度为5nm~40nm,优选为15nm。旋涂的转速为3000rpm~5000rpm,时间为IOs~60s。
[0045]步骤S140、在发光层40的表面形成空穴传输层50。
[0046]空穴传输层50由在发光层40的表面旋涂含有空穴传输材料的溶液后干燥形成。空穴传输层50的材料选自1,1_二 [^[Ν,Ν' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)、4,4’,4"-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)及 N,N’- (1-萘基)-N,N’- 二苯基-4,4’-联苯二胺(NPB )中的至少一种,优选为TAPC。溶液的溶剂选自氯苯、三氯甲烷及对二甲苯中的至少一种,优选为氯苯。溶液中,空穴传输材料的质量百分含量为10%~50%,优选为30%。空穴传输层50的厚度为20nnT60nm,优选为40nm。旋涂的转速为2000rpnT6000rpm,时间为IOs~80s。
[0047]步骤S150、在空穴传输层50的表面形成阳极60。
[0048]阳极60通过在空穴传输层50的表面旋涂含有PEDOT及PSS的水溶液后干燥形成。PEDOT与PSS质量比为2:1~6:1,优选为5:1。水溶液中,PEDOT的质量百分含量为1%~5%,优选为4%。阳极60的厚度为80nnT300nm,优选为150nm。旋涂的转速为200(T6000rpm,时间为10~30s。
[0049]步骤S160、在阳极60表面形成增透膜70。
[0050]增透膜70通过在阳极60的表面旋涂含有增透膜的材料的溶液后干燥形成。溶液中的溶剂选自氯苯、三氯甲烷及对二甲苯中的至少一种。增透膜的材料为折射材料和聚合物材料以质量比1: f 5:1混合形成的混合物。折射材料选自N,N’-二苯基-N,N’-双(3-甲基苯基)-(I, 1’-联苯基)-4,4’- 二胺(TPD)、8_羟基喹啉铝(Alq3)及2,9_ 二甲基_4,7_ 二苯基-1,10-邻菲罗啉(BCP)中的至少一种。聚合物材料选自聚3-己基噻吩(P3HT)、聚3-甲基噻吩(P3AT)及聚3-十二烷基噻吩(P3DDT)中的至少一种。折射材料在溶液中的质量百分含量为10%~30%。增透膜70的厚度为30nnT200nm。旋涂的转速为200(T6000rpm,时间为10~30s。
[0051]上述有机电致发光器件的制备方法,工艺简单,通过旋涂的方法制备电子传输层30、发光层40、空穴传输层50、阳极60及增透膜70,从而可以避免破坏阴极20 ;制备的有机电致发光器件,金属阴极对光进行反射,与发光层发射出来的光形成干涉增强,而聚合物材料为结晶性聚合物材料,聚合物材料结晶后分子排列有序整齐,可加强对光的散射或者反射,从而提高有机电致发光器件100的出光效率;有机层之间的相容性得到加强,有效避免电子陷阱的存在。
[0052]以下结合具体实施例对本发明提供的有机电致发光器件的制备方法进行详细说明。
[0053]本发明实施例及对比例所用到的制备与测试仪器为:高真空镀膜设备(沈阳科学仪器研制中心有限公司,压强〈IX 10_3Pa)、电流-电压测试仪(美国Keithly公司,型号:2602)、电致发光光谱测试仪(美国photo research公司,型号:PR650)以及屏幕亮度计(北京师范大学,型号:ST-86LA)。
[0054]实施例1
[0055]本实施例制备的结构为基底/Ag/TPBI/Alq3:PVK/TAPC/PED0T:PSS/Alq3:P3HT 的有机电致发光器件。[0056]先将玻璃基底进行光刻处理,剪裁成所需要的大小,依次用洗洁精,去离子水,丙酮,乙醇,异丙醇各超声15min,去除玻璃表面的有机污染物。然后蒸镀金属阴极,材料为Ag,厚度为150nm ;旋涂电子传输层,材料为TPBI,溶剂为氯苯,质量分数为30%,旋涂制备,烘干,厚度为60nm ;旋涂发光层,材料为Alq3,主体材料为PVK、质量分数为20%,旋涂后在100度下退火15min,厚度为15nm ;旋涂空穴传输层,材料为TAPC,溶剂为氯苯,质量分数为50%,烘干,厚度为40nm ;旋涂阳极,PEDOT与PSS质量比为5: 1,质量分数为4%,烘干后厚度为150nm,最后旋涂掺杂的增透层,材料为Alq3:P3HT,质量比为2:1,质量分数为35%,旋涂制备,烘干,厚度为30nm。最后得到所需要的有机电致发光器件。
[0057]请参阅图3,所示为实施例1中制备的结构为基底/Ag/TPBI/Alq3:PVK/TAPC/PEDOT:PSS/Alq3: P3HT的有机电致发光器件(曲线I)与对比例制备的结构为ITO/PEDOT:PSS/Alq3:PVK/TPBi/LiF/Ag的有机电致发光器件(曲线2)的亮度与电压的关系。对比例中各层的厚度与实施例1相同。
[0058]从图3可以看到,在不同电压下,实施例1的亮度都比对比例的要大,在IOV时,实施例I的亮度为24219cd/m2,而对比例的仅为14616cd/m2,由此可以看出,金属阴极对光进行反射,与发光层发射出来的光形成干涉增强,而聚合物材料选用的是结晶性聚合物,通过处理,使链段进行结晶,进一步加强光的散射或者反射,最终使器件的发光效率得到提高,
[0059]以下各个实施例制备的有机电致发光器件的电流效率都与实施例1相类似,各有机电致发光器件也具有类似的亮度,在下面不再赘述。
[0060]实施例2
[0061]本实施例制备的结构为基底/Au/Bphen/BCzVBi:PPV/NPB/PED0T:PSS/TPD:P3AT的有机电致发光器件。
[0062]先将玻璃进行光刻处理,剪裁成所需要的大小,依次用洗洁精,去离子水,丙酮,乙醇,异丙醇各超声15min,去除玻璃表面的有机污染物。然后蒸镀金属阴极,材料为Au,厚度为SOnm ;旋涂电子传输层,材料为Bphen,溶剂为三氯甲烷,质量分数为10%,旋涂后烘干,厚度为IOOnm ;旋涂发光层,材料为BCzVBi,主体材料为PPV、质量分数为30%,旋涂后在100度下退火15min,厚度为40nm ;旋涂空穴传输层,材料为NPB,溶剂为三氯甲烷,质量分数为50%,烘干,厚度为80nm ;旋涂阳极,PEDOT与PSS质量比为2:1,质量分数为1%,烘干后厚度为300nm ;最后旋涂掺杂的增透层,材料为ΤΗ):Ρ3ΑΤ,质量比为1: 1,质量分数为50%,旋涂后烘干,厚度为30nm。最后得到所需要的有机电致发光器件。
[0063]实施例3
[0064]本实施例制备的结构为基底/Pt/TAZ/DCJTB:PVK/TAPC/PED0T:PSS/BCP:P3DDT 的有机电致发光器件。
[0065]先将玻璃基底进行光刻处理,剪裁成所需要的大小,依次用洗洁精,去离子水,丙酮,乙醇,异丙醇各超声15min,去除玻璃表面的有机污染物。然后蒸镀Pt,厚度为300nm ;旋涂电子传输层,材料为TAZ,溶剂为对二甲苯,质量分数为50%,旋涂后烘干,厚度为40nm ;旋涂发光层,材料为DCJTB,主体材料为PVK、质量分数为5%,旋涂后在20度下退火30min,厚度为5nm ;旋涂空穴传输层,材料为TAPC,溶剂为对二甲苯,质量分数为10 %,旋涂后烘干,厚度为80nm ;旋涂阳极,PEDOT与PSS质量比为6:1,质量分数为5%,旋涂后烘干,厚度为80nm,最后旋涂掺杂的增透层,材料为BCP:P3DDT,质量比为5:1,质量分数为10%,旋涂后烘干,厚度为200nm。最后得到所需要的有机电致发光器件。
[0066]实施例4
[0067]本实施例制备的结构为基底/Al/Bphen/ADN:PPV/TCTA/PED0T:PSS/BCP:P3HT 的有机电致发光器件。
[0068]先将玻璃进行光刻处理,剪裁成所需要的大小,依次用洗洁精,去离子水,丙酮,乙醇,异丙醇各超声15min,去除玻璃表面的有机污染物。然后蒸镀Al,厚度为250nm ;旋涂电子传输层,材料为Bphen,溶剂为氯苯,质量分数为20%,旋涂后烘干,厚度为50nm ;旋涂发光层,材料为ADN,主体材料为PPV、质量分数为15%,旋涂后在50度下退火lOmin,厚度为5nm ;旋涂空穴传输层,材料为TCTA,溶剂为三氯甲烷,质量分数为40%,旋涂后烘干,厚度为50nm ;旋涂阳极,PEDOT与PSS质量比为3:1,质量分数为4%,旋涂后烘干,厚度为120nm,最后旋涂掺杂的增透层,材料为BCP:P3HT,质量比为3:1,质量分数为15%,旋涂后烘干,厚度为180nm。最后得到所需要的有机电致发光器件。
[0069]以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
【权利要求】
1.一种有机电致发光器件,包括依次层叠的基底、阴极、电子传输层、发光层、空穴传输层及阳极,其特征在于,所述有机电致发光器件还包括形成于所述阳极表面的增透膜,所述增透膜的材料为折射材料和聚合物材料以质量比1:1飞:I混合形成的混合物,所述折射材料选自N,N’ - 二苯基-N,N’ -双(3-甲基苯基)-(I, I’ -联苯基)_4,4’ - 二胺、8-羟基喹啉铝及2,9- 二甲基-4,7- 二苯基-1,10-邻菲罗啉中的至少一种,所述聚合物材料选自聚3-己基噻吩、聚3-甲基噻吩及聚3-十二烷基噻吩中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述阴极的材料为金、银、招或钼。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述电子传输层的材料选自4,7- 二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑中的至少一种。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述发光层的材料包括主体材料及掺杂在所述主体材料中的客体材料,所述主体材料选自聚咔唑及聚乙烯撑中的至少一种,所述客体材料选自4- (二腈甲基)-2-丁基-6- (1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4’-双(9-乙基_3_咔唑乙烯基)-1,I,-联苯及8-羟基喹啉铝中的至少一种,所述客体材料的质量百分含量为5%~30%。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述空穴传输层的材料选自1,1_ 二 [4-[Ν,Ν' -二(P-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4’,4"-三(咔唑-9-基)三苯胺及N,N’ - (1-萘基)4,^ - 二苯基-4,4’ -联苯二胺中的至少一种。
6.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述阳极的材料为聚3,4- 二氧乙烯噻吩与聚苯乙烯磺酸盐以质量比2:1飞:I混合形成的混合物。
7.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述增透膜的厚度为30nm~200nm。
8.一种有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,包括以下步骤: 在基底表面形成阴极; 在所述阴极表面形成电子传输层; 在所述电子传输层表面形成发光层; 在所述发光层表面形成空穴传输层; 在所述空穴传输层表面形成阳极;及 在所述阳极表面形成增透膜,所述增透膜的材料为折射材料和聚合物材料以质量比1:1飞:I混合形成的混合物,所述折射材料选自N,N’ - 二苯基-N,N’ -双(3-甲基苯基)-(I, I’-联苯基)_4,4’-二胺、8-羟基喹啉铝及2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-邻菲罗啉中的至少一种,所述聚合物材料选自聚3-己基噻吩、聚3-甲基噻吩及聚3-十二烷基噻吩中的至少一种。
9.根据权利要求8所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于:所述增透膜由含有所述增透膜的材料的溶液旋涂在所述阳极的表面后干燥形成,所述溶液的溶剂为选自氯苯、三氯甲烷及二氯甲烷的至少一种。
10.根据权利要求8所述的有机电致发光器件的制备方法,其特征在于:所述增透膜的厚度为30nm~200nm。
【文档编号】C09K11/06GK103682132SQ201210319857
【公开日】2014年3月26日 申请日期:2012年8月31日 优先权日:2012年8月31日
【发明者】周明杰, 王平, 黄辉, 张振华 申请人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司
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