技术特征：
技术总结
本发明公开了一种室温富卤素CsPbX3无机钙钛矿纳米晶体的制备方法。其特征步骤为在传统室温合成无机钙钛矿纳米晶体的基础上引入卤化胺，将加入卤化胺之后的前驱体溶液加入到极性溶剂中，得到CsPbX3(X＝Cl，Br，I或者其混合物)无机钙钛矿纳米晶体。其中卤化胺是加NH4X到油胺中，在100℃惰性气体氛围下脱气1h制得。本发明的优点是：室温富卤素合成，荧光量子效率及稳定性高，方法简单，可以大规模生产。相比于传统方法合成的CsPbBr3纳米晶体，富卤素合成的CsPbBr3纳米晶体表现出优异的光学性能，多次纯化后依然表现出高的荧光量子效率，是传统方法的3‑4.3倍，提高了其应用潜力。
技术研发人员：潘瑞琨;梅明;刘培朝;方凡;张阮;王仁龙;李阳
受保护的技术使用者：湖北大学
技术研发日：2017.06.19
技术公布日：2017.11.03