一种钼酸铋复合光催化材料及其制备方法
【技术领域】
[0001 ]本发明属于无机环保催化材料技术领域，具体涉及一种钼酸铋复合光催化材料，本发明还涉及该复合光催化材料的制备方法。
【背景技术】
[0002]半导体光催化技术以其高效的特点日益受到人们的重视，用于解决环境污染问题和太阳能转换。对于高效光催化剂的选择是半导体光催化技术最重要的一个方面，目前，大约有200多种半导体可用于光催化反应，但是，较低的量子效率和严重的光腐蚀现象影响了大多数光催化剂的应用。因此，如何提高半导体光催化剂光生电子空穴的分离效率以抑制其快速复合是光催化技术所面临的问题。通常情况，催化剂的晶体结构、颗粒尺寸、形貌、特定暴露晶面和表面修饰(如，贵金属表面沉积、碳纳米管修饰、石墨稀修饰以及半导体复合等)是提高光生电子空穴分离效率的重要途径，但是，这些方法都是以提高光生电子的传输速率为基础的，然而，通过提高光生空穴的迀移速率以提高光生载流子的分离效率却被忽视。目前，改变光生空穴的迀移速率有两种方法，第一，设计具有能带结构比配的半导体复合体系，在体系吸收光子能量被激发后，可以实现空穴从一种半导体的价带迀移至另一种半导体的价带，但是这种形式的迀移会减弱空穴的氧化能力。另一种方法是在半导体光催化剂表面修饰空穴捕获剂(如Ru02、Ni0、Ir02等)，这种方法在光解水制氢的反应中是有效的，但是在光催化降解有机物的反应中是否有效还未见报道，因此，这类方法的应用具有一定的局限性。开发一种新型有效的能够促进光生空穴迀移速率的方法是提高半导体光催化剂光生载流子分离效率的另一个重要途径。
【发明内容】
[0003]本发明的目的是提供一种钼酸铋复合光催化材料，解决了现有都是以提高光生电子的传输速率为基础的，然而通过提高光生空穴的迀移速率以提高光生载流子的分离效率却被忽视的问题。
[0004]本发明的另一个目的是提供一种钼酸铋复合光催化材料的制备方法。
[0005]本发明所采用的技术方案是，一种钼酸铋复合光催化材料，以氮化硼纳米片为催化剂载体，将钼酸铋负载于氮化硼纳米片上，其中氮化硼纳米片和钼酸铋的摩尔比为1:
0.01?0.6o
[0006]本发明所采用的另一个技术方案是，一种钼酸铋复合光催化材料的制备方法，将五水硝酸铋溶解于浓度为10%的硝酸溶液，然后加入氮化硼纳米片和仲钼酸铵得到混合溶液，将混合溶液超声搅拌均匀，转移至水热反应釜，并置于烘箱中进行水热反应后自然冷却至室温，最后离心分离洗涤，干燥，得到钼酸铋复合光催化材料。
[0007]本发明的特点还在于，
[0008]五水硝酸铋和硝酸的质量比为1:40?100。
[0009]氮化硼纳米片、五水硝酸铋的摩尔比为1:0.01?0.6。
[0010]五水硝酸铋和仲钼酸铵的摩尔比为14:1。
[0011]水热反应温度120?220°C，时间为5?30h。
[0012]氮化硼纳米片按照以下方式得到:将六方氮化硼粉体、硝酸钠和浓硫酸混合后置于冰水浴中搅拌均匀，加入高锰酸钾持续搅拌反应8?24h，再加入双氧水持续搅拌反应0.5?Ih后在3000rpm条件下离心1min，将上层悬浮液用微孔抽滤，去离子水洗涤至中性，干燥得到氮化硼纳米片。
[0013]六方氮化硼粉体、硝酸钠和浓硫酸质量比为1:0.5?1:30?60。
[0014]六方氮化硼粉体和高锰酸钾的质量比为1:0.5?I。
[0015]高锰酸钾和双氧水的质量比为1:8?16。
[0016]本发明的有益效果是，本发明钼酸铋复合光催化材料，利用氮化硼纳米片表面存在的氮空位导致其具有一定的电负性，将光照激发后钼酸铋价带的光生空穴吸引以促进空穴的迀移，进而提高光生载流子的迀移效率;此外，氮化硼纳米片大的比表面积有利于增加复合体系的吸附性能，这些对于光催化效率的提高都是有利的。
[0017]本发明钼酸铋复合光催化材料的制备方法，过程简单，反应条件温和，合成效率高，成本低。
【具体实施方式】
[0018]下面结合【具体实施方式】对本发明进行详细说明。
[0019]—种钼酸铋复合光催化材料，以氮化硼纳米片为催化剂载体，将钼酸铋负载于氮化硼纳米片上，其中氮化硼纳米片和钼酸铋的摩尔比为1:0.01?0.6。
[0020]氮化硼具有与石墨相似的结构，但是与石墨相比，氮化硼还具有很多优异的物理化学特性，如耐高温、高导热、优异的电学性能、良好的高温稳定性以及化学稳定性等。层状氮化硼纳米片表面由于存在氮空位会导致其具有一定的电负性，如果以氮化硼纳米片作为光催化剂载体，将半导体光催化剂负载于氮化硼纳米片上，体系受光照激发后，氮化硼纳米片表面的电负性会吸引半导体价带的光生空穴以促进空穴的迀移，进而提高光生载流子的迀移效率。此外，氮化硼纳米片大的比表面有利于增加复合体系的吸附性能，这些对于光催化效率都是有利的。
[0021]上述钼酸铋复合光催化材料的制备方法，具体按照以下步骤实施:
[0022]步骤I，将六方氮化硼粉体、硝酸钠和浓硫酸按照质量比为1:0.5?1:30?60混合后置于冰水浴中搅拌均匀，加入高锰酸钾持续搅拌反应8?24h，六方氮化硼粉体和高锰酸钾的质量比为1:0.5?I，再加入双氧水(高锰酸钾和双氧水的质量比为1:8?16)持续搅拌反应0.5?Ih后在3000rpm条件下离心1min，将上层悬浮液用微孔抽滤，去离子水洗涤至中性，干燥得到氮化硼纳米片；
[0023]步骤2，将五水硝酸铋溶解于浓度为10 %的硝酸溶液，五水硝酸铋和硝酸的质量比为1:40?100，然后加入氮化硼纳米片和仲钼酸铵得到混合溶液，氮化硼纳米片、五水硝酸铋的摩尔比为1:0.01?0.6，五水硝酸铋和仲钼酸铵的摩尔比为14: I，将混合溶液超声搅拌均匀，转移至水热反应釜，并置于烘箱中加热至120?220°C水热处理5?30h后自然冷却至室温，最后离心分离洗涤，干燥，得到钼酸铋复合光催化材料。
[0024]实施例1
[0025]步骤I，将Ig六方氮化硼粉体、0.5g硝酸钠和30g浓硫酸混合后置于冰水浴中搅拌均匀，加入0.5g高锰酸钾持续搅拌反应8h，再加4g入双氧水持续搅拌反应0.5h后在3000rpm条件下离心lOmin，将上层悬浮液用微孔抽滤，去离子水洗涤至中性，60°C干燥12h得到氮化硼纳米片；
[0026]步骤2，将0.49g五水硝酸祕溶解于19.6g浓度为10%的硝酸溶液，然后加入2.48g氮化硼纳米片和0.09g仲钼酸铵得到混合溶液，将混合溶液超声搅拌均匀，转移至水热反应釜，并置于烘箱中加热至120°C水热处理5h后自然冷却至室温，最后离心分离洗涤，于80°C干燥12h，得到钼酸铋复合光催化材料。
[0027]实施例2
[002