专利名称：时钟发生电路、集成电路存储器件和使用这种器件的方法
技术领域：
本发明涉及集成电路器件，尤其涉及具有周期可选的时钟的集成电路器件，以及使用这种集成电路器件的方法。
背景技术：
把数据存储在集成电路存储器件中是众所周知的，这些集成电路存储器件包括把数据作为电荷存储在电容器中的存储器件。当由于某种原因，例如，由于来自电容器的漏电流，电荷可能损失掉了时，这样的存储器件通常会刷新存储的数据。一种已知的方法被称为刷新操作，这种刷新操作完全擦除存储的数据，并且重复检索和重写数据。这样的器件的一个例子是动态随机存取存储器(DRAM)。通常在刷新操作期间不能访问这种类型的DRAM。在刷新操作期间不能访问DRAM的时间一般称为繁忙率(busy rate)，最好让繁忙率尽可能地小。
为包括这样的DRAM的计算机系统或其它设备配备关闭计算机系统的许多电路，以便降低能耗的休眠模式也是已知的。但是，一般不关闭如上所述那种类型的DRAM，因为它们通常需要不断被刷新，以维持数据。因此，即使计算机系统处在休眠模式期间，一般也要让自刷新电流流过DRAM。因此，最好降低自刷新电流，尤其是在计算机系统靠电池运行的情况下。
为了降低流过DRAM的自刷新电流，已经提出了各种方法。一种这样的方法是根据把温度划分成几个范围的DRAM的温度，改变DRAM的刷新周期。更具体地说，由于在较低的温度下，DRAM通常能够在较长时间内保留住数据，因此，在较低温度下，可以使用相对较长的刷新时钟周期。
改变刷新周期的一个问题是，由于在制造温度传感器过程中的变化，用于确定器件温度的温度传感器特性可能发生显著变化。结果是，可以把错误的温度测量结果提供给DRAM。例如，DRAM可能正在60℃下工作，因此，需要频率相对高的刷新时钟，但是，温度传感器可能错误地把温度检测成45℃，结果选择了低频刷新时钟。在这种情况下，会发生刷新错误，可能导致数据丢失。虽然利用性能更好的传感器可以缓解温度传感器发生改变的问题，但是，这样做通常会导致温度传感器的尺寸变大。并且，在DRAM中其它制造过程导致的变化可能改变DRAM能够在各种温度下保留住数据的时间的长度。另外，对于这些发生改变的根源来说，随着时间的流逝，DRAM单元格外易受到损坏，和DRAM单元的一些或全部也许不能成功地刷新，潜在地，使计算机系统遭受所有DRAM单元的刷新故障。
发明内容
本发明的一个实施例包括用于集成电路器件的时钟发生电路，所述时钟发生电路包括温度传感器电路，所述温度传感器电路包括响应温度编码信号的校准电路和温度传感器。温度传感器电路具有温度传感器电路的温度输出信号是基于温度传感器输出控制信号的第一或测试模式，和温度输出信号是基于温度传感器和校准电路的第二或正常模式。时钟周期控制器电路包括响应周期编码信号的校准电路。时钟周期控制器电路根据温度输出信号和时钟周期控制器电路的校准电路生成周期控制信号。时钟发生器电路根据周期控制信号生成时钟信号。
在本发明的另一个实施例中，温度传感器电路的校准电路包括数个信管(fuse)，和温度编码信号选择数个信管的状态，以便校准与温度传感器的输出有关的温度输出信号。时钟周期控制器电路的校准电路也可以包括数个信管，和周期编码信号可以选择数个信管的状态，以便校准周期控制信号。
在本发明的其它实施例中，温度传感器电路的状态是根据温度传感器输出控制信号选择的。温度输出信号可以是具有数种状态的数字信号，其中的几个对应于集成电路器件的一些工作温度范围。第一状态可以是测试模式，第二状态可以是正常工作模式。温度传感器输出控制信号可以包括数个位，用于指定测试模式工作温度范围的几个。数字温度输出信号指示集成电路器件的检测温度。温度传感器电路也可以包括多路复用器，多路复用器根据来自温度传感器的数字温度信号和温度编码信号输出温度输出信号。
在本发明的另一个实施例中，时钟周期控制器电路包括数个由时钟周期控制器电路的校准电路根据周期编码信号校准的周期控制器。数个周期控制器之一由温度输出信号选来产生周期控制信号。时钟发生器电路可以包括产生周期取决于周期控制信号的时钟信号的振荡器。集成电路器件可以是存储器件，和时钟信号可以是刷新时钟。
在本发明的其它实施例中，提供包括温度传感器电路的集成电路存储器件，所述温度传感器电路包括响应温度编码信号的校准电路和响应校准电路和存储器件的温度生成工作温度信号的温度传感器。温度传感器电路具有温度传感器电路的温度输出信号是基于温度传感器输出控制信号的第一状态，和温度输出信号是工作温度信号的第二状态。第一状态或第二状态是通过温度传感器输出控制信号选择的。包括响应周期编码信号的校准电路的时钟周期控制器电路根据温度输出信号和时钟周期控制器电路的校准电路生成周期控制信号。时钟发生器电路根据周期控制信号生成存储器件的刷新时钟。工作温度信号和温度传感器输出控制信号每一个都可以包括数个位，其中的几个对应于存储器件的一些工作温度范围。
在本发明的另一个实施例中，提供了控制集成电路存储器件的刷新周期的方法。通过把所选温度编码信号输入温度传感器电路中，校准存储器件的温度传感器电路，以便生成与存储器件的工作温度相对应的工作温度信号。选择温度传感器电路的温度输出信号是基于温度传感器输出控制信号的、温度传感器电路的测试模式，或者选择温度输出信号是工作温度信号的、温度传感器电路的正常模式。第一状态或第二状态是通过温度传感器输出控制信号选择的。通过把周期编码信号输入时钟周期控制器电路中，校准存储器件的时钟周期控制器电路，以便生成周期控制信号，周期控制信号也是基于温度输出信号的。生成存储器件的刷新时钟，刷新时钟的周期是基于周期控制信号的。
从如下结合附图对本发明优选实施例的详细描述中，可以更容易地明白本发明的其它特征，在附图中图1是根据本发明实施例的、用于可以控制刷新时钟周期的集成电路存储器件的时钟发生电路的方块图；图2是显示可用用在图1所示的电路中的、根据本发明实施例的温度传感器电路的方块图；和图3是显示可以用在图1所示的电路中的、根据本发明实施例的时钟周期控制器的方块图。
具体实施例方式
从现在开始，参照显示本发明优选实施例的附图，更详细地描述本发明。但是，本发明也可以以许多不同的方式实现，并且不应该被理解成仅限于在这里所述的那些实施例。而是，提供这些实施例是为了使本公开更全面，更彻底，并且向本领域的普通技术人员更详细地传达本发明的范围。在附图中，为了清楚起见，某些区域的相对大小可以被夸大了。应该明白，当把诸如层、区域或基底之类的单元称为“在”另一个单元“上”时，它可以直接在其它单元上，也有可能存在居间单元。反之，当把一个单元称为“直接在”另一个单元“上”时，就不会存在居间单元。还应该明白，当把单元称为与另一个耦合时，这个耦合可能是直接的，也有可能通过一个或多个居间单元，而“直接耦合”应该被理解为没有居间单元的耦合。此外，在这里所述和所示的每个实施例还包括它的互补导电型实施例。
现在参照图1所示的本发明的实施例描述本发明。更具体地说，图1显示了集成电路存储器件的时钟发生电路100。如图1所示，集成电路(半导体)存储器件的时钟发生电路100包括温度传感器电路110、时钟周期控制器电路120、和时钟发生器电路130。温度传感器电路110包括诸如数个可选信管之类的校准电路，其中选择信管的状态以便校准温度传感器电路110。如图2所示，温度传感器电路110还包括温度传感器210。
温度传感器电路110包括第一状态或测试模式，也可以称之为MRS模式，在这种状态下，可以响应温度编码信号TEMPCODES校准温度传感器电路110。例如，TEMPCODES可以是包括数个位的数字信号，数个位用于指定数个信管要被切断的那几个，切断这些信管是为了校准与温度传感器210的输出温度相关的温度输出信号TEMPS，以便温度输出信号TEMPS能正确指示包括时钟发生电路100的集成电路存储器件的工作温度范围。在测试模式下，正如下面参照图2作进一步描述的那样，温度输出信号TEMPS是基于温度传感器输出控制信号TEMPSELECT TEST的。温度传感器电路110还具有第二状态或正常操作模式，在这种状态下，正如被温度传感器电路110的校准电路校准的那样，温度输出信号TEMPS是基于来自温度传感器210的传感器输出信号SENOUT的。
在测试或MRS模式中，如上所述，输出TEMPS是根据温度传感器输出控制信号TEMPSELECT_TEST确定的。因此，可以有选择地把输出TEMPS设置成能指示与温度传感器210的传感器输出信号SENOUT无关的、集成电路存储器件的特定温度范围。正如下面参照图2所述的，TEMPSELECT_TEST信号也可以用于选择温度输出信号TEMPS是基于温度传感器210的输出SENOUT的、温度传感器电路110的第二或正常操作模式。
时钟周期控制器电路120根据温度输出信号TEMP生成周期控制信号PRDCTRLS。例如，时钟周期控制器电路120的输出可以用于生成刷新时钟RFRCK，其中刷新周期适合于如温度输出信号TEMPS所指示的、集成电路存储器件的相应工作温度范围。时钟周期控制器电路120还包括校准电路，用于在温度输出信号TEMPS所指示的一个或多个工作温度范围上校准周期控制信号PRDCTRLS。校准电路可以包括，例如，数个信管，它们的状态可以通过周期编码信号PRDCODES来选择，以便可以切断数个信管的所选那几个来校准周期控制信号PRDCTRLS。在这样的实施例中，周期编码信号PRDCODES可以包括数个位，它们用于指定时钟周期控制器电路120的校准电路的相应信管的状态。时钟发生器电路130根据周期控制信号PRDCTRLS，生成诸如刷新时钟RFRCK之类的时钟信号。
现在参照图1进一步描述根据本发明实施例的时钟发生电路100的操作。应该明白，温度传感器210的温度传感器特性可以随着用于产生时钟发生电路100的制造过程的不同而改变。结果是，可能会遇到在所指工作温度范围方面的错误。例如，当实际工作温度处在大约100℃的范围中时，随着开始被制造出来，包括时钟发生电路100的集成电路(半导体)存储器件的温度被错误地指示为在大约80℃的范围上工作。在测试模式下，可以通过选择温度编码信号TEMPCODES的值，切断温度传感器电路110的校准电路的数个信管的几个，以便温度传感器110能更精确地指示工作温度，来解决这种状况。应该明白，信管可以是温度传感器210的组成部分，以便通过如图2的实施例所示的温度传感器电路110的校准电路校准输出SENSOUT，或者，校准电路与温度传感器210分开，并且校准与输出SENSOUT有关的输出信号TEMP。
现在进一步描述其中温度编码信号TEMPCODES是诸如几个位之类的、包括数个状态的数字信号的温度编码信号的例子。例如，温度编码信号TEMPCODES可以包括与确定校准电路的信管相对应的位。对于这个例子来说，指定的工作温度范围，比方说，大约100℃，可以用作校准温度。温度编码信号TEMPCODES的值可以从000000变化到111111，以便在传感器编码信号TEMPCODES由六个位组成的校准温度上产生相应的所需输出TEMPS。在校准模式下，比方说，在测试模式下，根据输入的温度编码信号TEMPCODES切断包含在温度传感器电路110的校准电路中的信管。结果是，当通过温度传感器输出控制信号TEMPSELECT TEST选择正常操作模式时，如温度传感器210所检测的、集成电路存储器件的真正工作温度范围将生成正确的温度输出信号TEMPS。
对于这个示范性的例子来说，温度传感器输出控制信号TEMPSELECT_TEST包括数个位，每个位选择集成电路存储器件的数个可能工作温度范围之一。例如，集成电路存储器件的工作温度条件可以划分成分别为大约100℃、70℃、和40℃的三个范围。可以使用三位TEMPSELECT_TEST信号，每个位对应于三个范围之一。同样，温度输出信号TEMPS也可以有三个位，每个位对应于集成电路存储器件的工作温度范围之一。
时钟周期控制器电路120接收为校准目的而选择的周期编码信号PRDCODES，并且生成周期控制信号PRDCTRLS来控制刷新时钟RFRCK的周期。如图1和3的实施例所示，周期控制信号PRDCTRLS也是基于温度输出信号TEMPS的数个(三个)位当中的激活位的。
正如参照温度传感器电路110的校准电路所述的，周期编码信号PRDCODES可以包括数个位，这些位用于校准时钟周期控制器电路120，以便输出所需的周期控制信号PRDCTRLS。例如，可以使用六位周期编码信号PRDCODES，通过改变周期编码信号PRDCODES来改变周期控制信号PRDCTRLS，以便设置刷新时钟RFRCK的所需周期。例如，可以把时钟发生电路100校准成，当周期编码信号PRDCODES从000000变化成111111时，以范围从大约10ms到大约100ms的刷新周期刷新6K字节的存储器。如图3所示，利用公用PRDCODE输入，可以为三个温度范围的每一个提供校准。对于与TEMP信号有关的每个温度范围，可以切断时钟周期控制器电路120中的相关信管或其它校准电路装置，以便为刷新时钟RFRCK提供所需的刷新周期。或者，PRDCODES信号可以是根据PRDCODES信号的当前状态控制输出PRDCTRLS、来校准时钟周期控制器电路120而不是通过编码相关信管来校准时钟周期控制器电路120的输入。
时钟发生器130接收周期控制信号PRDCTRLS和生成适合于集成电路存储器件的所指示工作温度范围的刷新时钟RFRCK。在本发明的各种实施例中，时钟发生器130包括振荡器，振荡器接收周期控制信号PRDTRLS和生成具有所需周期的刷新时钟RFRCK。振荡器可以连续改变刷新时钟RFRCK的周期。或者，时钟发生器包括一个计数器。也可以利用比振荡器快得多的计数器控制刷新时钟RFRCK的周期。计数器可以以基周期的倍数，譬如，基周期的2倍或4倍，不断改变刷新时钟RFRCK的周期。
现在，参照图2所示的实施例，进一步描述本发明的设备。如图2的实施例所示，温度传感器电路110包括多路复用器220，以及温度传感器210。为了说明起见，在如上所述的与集成电路存储器件的三个工作温度范围(譬如，分别为大约100℃、70℃和40℃)对应的例子中，认为温度传感器210的传感器输出信号SENOUT具有与温度传感器输出控制信号TEMPSELECT_TEST和温度输出信号TEMPS对应的数个(三个)位。这些位不需要个别对应于温度范围的那几个。举例来说，对于大约100℃的工作温度范围，传感器输出信号可以是“111”。类似地，对于大约70℃和40℃的范围，传感器输出信号可以是“011”和“001”。
多路复用器220接收传感器输出信号SENOUT和温度传感器输出控制信号TEMPSELECT_TEST，并且生成温度输出信号TEMP。在本发明的具体实施例中，温度传感器输出控制信号TEMPSELECT_TEST控制由多路复用器220利用数个位选择的输出，以后将参照三位实施例对此作进一步描述。当温度传感器输出控制信号TEMPSELECT_TEST当中的任何一个位具有“高”逻辑值，和其它两个位具有“低”逻辑值时，温度输出信号TEMPS只由不依赖于来自温度传感器210的传感器输出信号SENOUT的温度传感器输出控制信号TEMPSELECT_TEST决定。当温度传感器输出控制信号TEMPSELECT_TEST的所有位都具有“低”逻辑值时，温度输出信号TEMPS由传感器输出信号SENOUT决定。因此，通过把TEMPSELECT_TEST均设置成低逻辑值，就可以选择正常操作模式，以便温度传感器210的输出迫使TEMPS信号指示集成电路存储器件的实际工作温度范围。
现在参照图3，进一步描述时钟周期控制器电路120的实施例。如图3所示，时钟周期控制器电路120包括数个周期控制器310、320和330，它们接收周期编码信号PRDCODES和生成控制刷新时钟RFRCK的周期的周期控制信号PRDCTRLS。应该明白，时钟周期控制器电路120可以包括多于或小于3个的周期控制器。在图3所示的周期控制器310、320和330当中，只有一个被温度输出信号TEMPS启动。例如，如果温度输出信号TEMPS指示在大约100℃的范围内工作，那么，输入到第一周期控制器310的工作温度信号TEMPS1(例如，对应于与这个温度范围相关的TEMPS信号的三个位之一)具有“高”逻辑值，而其它工作温度信号TEMPS2和TEMPS3(对应于其它两个温度范围的TEMPS信号的其它二个位)具有“低”逻辑值。结果是，只有第一周期控制器310被启动，而其它周期控制器320和330则被禁用。因此，第一周期控制器310生成第一周期控制信号PRDCTRL1。然后，提供第一周期控制信号PRDCTRL1作为周期控制信号PRDCTRL。
如参照上面各种实施例所述，时钟发生电路100可以提供与集成电路存储器件中温度检测带来的变化和加工导致的变化无关地受到控制的刷新周期。从而，可以降低诸如DRAM之类的集成电路存储器件的功耗和繁忙率。
应该注意到，可以在基本上不偏离本发明原理的情况下，对上述优选实施例进行许多改变和改进。所有这样的改变和改进均包含在如所附权利要求书陈述的本发明的范围之内。
权利要求
1.一种用于集成电路器件的时钟发生电路，包括温度传感器电路，该温度传感器电路包括响应温度编码信号的校准电路和温度传感器，该温度传感器电路具有温度传感器电路的温度输出信号是基于温度传感器输出控制信号的第一状态、和温度输出信号是基于温度传感器和校准电路的第二状态；时钟周期控制器电路，该时钟周期控制器电路包括响应周期编码信号的校准电路，和该时钟周期控制器电路根据温度输出信号和时钟周期控制器电路的校准电路生成周期控制信号；时钟发生器电路，该时钟发生器电路根据周期控制信号生成时钟信号。
2.根据权利要求1所述的电路，其中，温度传感器电路的校准电路包括数个信管，和其中，温度编码信号选择数个信管中的几个的状态，以便校准与温度传感器的输出有关的温度输出信号。
3.根据权利要求2所述的电路，其中，时钟周期控制器电路的校准电路包括数个信管，和其中，周期编码信号选择数个信管中的几个的状态，以便校准周期控制信号。
4.根据权利要求2所述的电路，其中，温度传感器电路的第一状态或第二状态是根据温度传感器输出控制信号选择的。
5.根据权利要求4所述的电路，其中，温度输出信号包括具有数种状态的数字信号，其中的几个对应于集成电路器件的一些工作温度范围。
6.根据权利要求5所述的电路，其中，第一状态包括测试模式，和第二状态包括正常工作模式，和其中，温度传感器输出控制信号包括数个位，用于指定测试模式下工作温度范围的几个。
7.根据权利要求4所述的电路，其中，温度传感器输出基于集成电路器件的检测温度的数字温度输出信号，和其中，温度传感器电路还包括多路复用器，该多路复用器根据来自温度传感器的数字温度信号和温度编码信号输出温度输出信号。
8.根据权利要求7所述的电路，其中，来自温度传感器的数字温度信号和温度传感器输出控制信号每一个都包括数个位，其中的几个位对应于集成电路器件的一些工作温度范围。
9.根据权利要求4所述的电路，其中，时钟周期控制器电路包括数个由时钟周期控制器电路的校准电路根据周期编码信号校准的周期控制器，该数个周期控制器的至少一个通过温度输出信号选来产生周期控制信号。
10.根据权利要求4所述的电路，其中，时钟发生器电路包括产生周期取决于周期控制信号的时钟信号的振荡器。
11.根据权利要求4所述的电路，其中，集成电路器件包括存储器件，和其中，时钟信号包括刷新时钟。
12.一种集成电路存储器件，包括温度传感器电路，该温度传感器电路包括响应温度编码信号的校准电路和响应校准电路和存储器件的温度生成工作温度信号的温度传感器，该温度传感器电路具有温度传感器电路的温度输出信号是基于温度传感器输出控制信号的第一状态、和温度输出信号是工作温度信号的第二状态，第一状态或第二状态是通过温度传感器输出控制信号选择的；时钟周期控制器，该时钟周期控制器包括响应周期编码信号的校准电路，该时钟周期控制器根据温度输出信号和时钟周期控制器电路的校准电路生成周期控制信号；和时钟发生器电路，该时钟发生器电路根据周期控制信号生成存储器件的刷新时钟。
13.根据权利要求12所述存储器件，其中，工作温度信号和温度传感器输出控制信号每一个都可以包括数个位，其中的几个位对应于存储器件的一些工作温度范围。
14.根据权利要求12所述存储器件，其中，时钟周期控制器电路包括数个由时钟周期控制器电路的校准电路根据周期编码信号校准的周期控制器，该数个周期控制器之一通过温度输出信号选来产生周期控制信号。
15.根据权利要求12所述的电路，其中，时钟发生器电路包括产生周期取决于周期控制信号的时钟信号的振荡器。
16.一种控制集成电路存储器件的刷新周期的方法，包括下列步骤通过把所选温度编码信号输入温度传感器电路中，校准存储器件的温度传感器电路，以便生成与存储器件的工作温度相对应的工作温度信号；选择温度传感器电路的温度输出信号是基于温度传感器输出控制信号的、温度传感器电路的测试模式，或者选择温度输出信号是工作温度信号的、温度传感器电路的正常操作模式，测试模式或正常操作模式是通过温度传感器输出控制信号选择的；通过把周期编码信号输入时钟周期控制器电路中，校准存储器件的时钟周期控制器电路，以便生成具有所需周期的周期控制信号，周期控制信号也是基于温度输出信号的；和生成存储器件的刷新时钟，刷新时钟的周期是基于周期控制信号的。
17.一种半导体存储器件，包括含有数个信管的温度传感器，该温度传感器用于接收传感器编码信号，从而切断数个信管，和响应温度传感器输出控制信号，生成指示半导体存储器件工作的实际温度的工作温度信号；含有数个信管的时钟周期控制器，该时钟周期控制器用于接收周期编码信号，从而切断数个信管，和响应工作温度信号，生成周期控制信号；和时钟发生器，用于接收周期控制信号和生成刷新时钟，刷新时钟的周期根据半导体存储器件的工作温度来控制。
18.根据权利要求17所述的半导体存储器件，其中，温度传感器输出控制信号包括数个位，指示半导体存储件是处在测试模式下，还是处在正常工作模式下，和指示半导体存储器件工作的温度范围。
19.根据权利要求17所述的半导体存储器件，其中，温度传感器包括温度传感器，用于通过接收传感器编码信号和检测半导体存储器件的实际温度，输出含有数个位的传感器输出信号；和多路复用器，用于接收传感器输出信号，和响应温度传感器输出信号，根据传感器输出信号的数个位的逻辑值生成工作温度信号。
20.根据权利要求19所述的半导体存储器件，其中，传感器编码信号包括数个位，并且改变温度传感器的检测温度。
21.根据权利要求19所述的半导体存储器件，其中，传感器输出信号的位数与温度传感器输出控制信号的位数相同。
22.根据权利要求17所述的半导体存储器件，其中，时钟周期控制器通过工作温度信号启动，并且包括通过接收周期编码信号生成周期控制信号的数个周期控制器。
23.根据权利要求22所述的半导体存储器件，其中，周期编码信号包括数个位，并且改变时钟周期控制器生成的周期控制信号。
24.根据权利要求17所述的半导体存储器件，其中，时钟发生器包括生成刷新时钟的振荡器，刷新时钟的周期通过周期控制信号来控制。
25.根据权利要求17所述的半导体存储器件，其中，时钟发生器还包括通过接收振荡器的输出信号改变刷新时钟的周期的计数器。
26.一种根据半导体存储器件的工作温度变化控制刷新时钟的周期的方法，其中半导体存储器件包括含有数个信管的温度传感器和时钟周期控制器电路，该方法包括下列步骤(a)接收传感器编码信号，从而切断温度传感器的数个信管，和生成指示半导体存储器件工作的实际温度的工作温度信号；(b)接收周期编码信号，从而切断时钟周期控制器的数个信管，和响应工作温度信号生成周期控制信号；和(c)接收周期控制信号和生成刷新时钟，刷新时钟的周期根据半导体存储器件的工作温度来控制。
27.根据权利要求26所述的方法，其中，温度传感器输出控制信号包括数个位，和指示半导体存储器件工作的温度范围和存储器件是处在测试模式下还是处在正常工作模式下。
28.根据权利要求26所述的方法，其中，步骤(a)包括下列步骤(a1)通过接收传感器编码信号和检测实际工作温度，输出包括数个位的传感器输出信号；和(a2)通过接收传感器输出信号和检测温度传感器输出控制信号，根据传感器输出信号的数个位的逻辑值生成工作温度信号。
29.根据权利要求28所述的方法，其中，传感器编码信号包括数个位，并且改变温度检测温度。
30.根据权利要求28所述的方法，其中，传感器输出信号的位数与温度传感器输出控制信号的位数相同。
31.根据权利要求26所述的方法，其中，步骤(b)包括下列步骤(b1)启动工作温度信号的一个位；和(b2)响应启动的工作温度信号，通过接收周期编码信号生成周期控制信号，该周期控制信号控制刷新时钟的周期。
32.根据权利要求31所述的方法，其中，周期编码信号包括数个位，并且改变时钟周期控制器生成的周期控制信号。
全文摘要
本发明提供了一种包括温度传感器电路的、用于集成电路器件的时钟发生电路,该温度传感器电路包括响应温度编码信号的校准电路和温度传感器。该温度传感器电路具有温度传感器电路的温度输出信号是基于温度传感器输出控制信号的第一或测试模式、和温度输出信号是基于温度传感器和校准电路的第二或正常工作模式。时钟周期控制器电路包括响应周期编码信号的校准电路。该时钟周期控制器电路根据温度输出信号和时钟周期控制器电路的校准电路生成周期控制信号。时钟发生器电路根据周期控制信号生成时钟信号。还提供了集成电路存储器件和控制存储器件的刷新周期的方法。
文档编号G11C29/44GK1389917SQ0212173
公开日2003年1月8日 申请日期2002年5月29日 优先权日2001年5月31日
发明者宋基焕, 宋浩圣 申请人:三星电子株式会社