专利名称：具有被控编程/擦除的非易失性存储器的制作方法
技术领域：
本发明涉及非易失性存储器，并且更具体地涉及可控地编程/擦除 非易失性存储器的方法和装置。
背景技术：
能够被多次编程和擦除的非易失性存储器(NVM ) —般在各种各 样的应用中使用。通常，随着NVM被编程和擦除，组成NVM的存储 器单元的质量被影响。例如，所需的编程和擦除时间量可能增加，但 增加的量可以由规范要求来限定。用户可能需要知道最大的编程或擦 除时间是多少。这是由对具有高耐久性或者高数据保持力的期望组成 的。在高耐久性的情况中，可以忍受更高的擦除电压但可能导致减少 的数据保持力。
因此，存在对解决这些关注的能力进行改进的需求。
本发明由附图以示例的方式进行阐述但不限于附图，附图中相似 的附图标记表示相似的元件，并且附图中
图1以框图形式图解了根据本发明一个实施例的集成电路；
图2以框图形式图解了根据本发明一个实施例的图1的NVM 14;
图3以框图形式图解了根据本发明一个实施例的图2的保持/耐久 控制电路36、 37;
图4以流程图形式图解了编程/擦除NVM的方法；
图5以流程图形式图解了根据本发明一个实施例的执行NVM中 擦除程序75的方法；以及
图6以图形形式图解了由擦除步骤导致的不同状态、编程和擦除之间的决定线(deciding line )和典型编程状态。
本领域技术人员能够理解，为了简单和清楚起见而示出了附图中 的元件，这些元件不需要按比例绘制。例如，可相对于其它元件而放 大附图中某些元件的尺寸，以有助于促进对本发明实施例的理解。
具体实施例方式
NVM单元的数据保持力是预定数据值将会保持适当地存储从而 其可以从NVM单元可获取的时间量。NVM的耐久性是在NVM单元 的状态不再能够可靠地改变之前能够执行的编程/擦除周期的最大数 目。请注意，存在当一个或多个NVM单元或者在测试期间或者在使 用期间失效时可用来延续NVM阵列的使用寿命(viablity)的各种技 术(例如，冗余、纠错码等等)。
可以根据任何期望的粒度来编程NVM。尽管许多NVM以每字 节为基础来编程，替代实施例可以以位、字、长字、扇区、块或者任 何其它期望的基础来编程。可以根据任何期望的粒度来擦除NVM。尽 管许多NVM以每扇区为基础来擦除，替代实施例可以以位、字节、 字、长字、块或者任何其它期望的基础来擦除。
当单个NVM阵列30 (参见图2)必需满足第一组客户所需的数 据保持力的最大规范，同时还满足第二组客户所需的耐久性的最大规 范时，问题出现了。
作为一个示例，第一组客户可能存储软件代码，例如处理器12 (参见图1)的指令，其必需在产品的使用寿命期间(例如，20年) 保持存储。这种产品的一个示例是使用NVM来存储软件代码以执行 引擎控制的汽车。该第一組客户可能不需要NVM执行许多编程/擦除 周期。在这个示例中，如果NVM存储软件代码，那么一旦软件代码 初始存储在NVM中其可能永远不需要被擦除和重写。自修改软件代
码通常在大部分应用中不被使用。
作为第二个示例，第二组客户可能存储数据值，例如，非易失性
但可变数据，其需要在相对较短的时间期间(例如， 一个月至5年)保持存储。这种产品的一个示例是使用NVM来存储数据值以表示引 擎调整信息的汽车。该第二组客户将需要NVM执行许多编程/擦除周 期(例如，每次汽车点火关闭和打开时的一个编程/擦除周期)。在这 个示例中，如果NVM存储数据值，数据值可能会由新的编程/擦除周 期来刷新并且因而不需要具有长数据保持时间。
此外， 一些客户会在同一个应用中需要两种类型的NVM。例如， 上述的汽车客户将会需要一些具有用于软件代码的长数据保持的 NVM，并且还会需要一些具有用于被频繁重写的数据值的高耐久性的 NVM。同样，对于多少部分和多大尺寸部分的NVM将需要具有长数 据保持时间的客户需求将会变化。同样，对于多少部分和多大尺寸部 分的NVM将需要具有高耐久性的客户需求将会变化。
图1以框图形式图解了根据本发明一个实施例的集成电路(IC) 10。在图解的实施例中，IC10具有处理器12、 NVM14、可选的其它 存储器16、 一个或多个可选的其它模块18以及可选的外部总线接口 20，每一个都双向地耦合至总线22。本申请所使用的术语总线涉及可 以被用来传输一个或多个各种类型的信息，如数据、地址、控制或者 状态的多个信号或者导体。尽管只显示了一条总线，但可以使用多于 一条的总线。
在某些实施例中，IC 10是单独的NVM并且电路12、 16和18 不被实现。在此情况下，外部总线接口 20包括用于NVM14的地址和 数据总线驱动器。在另一个实施例中，IC10是微控制器，NVM14仅 仅作为微控制器上可用的一个电路。电路12、 14、 16、 18和20中的 任何一个或多个可以耦合至可以被用来与IC IO外部通信的一个或多 个集成电路端子(未示出)。其它存储器16可以是任何类型的存储器。 其它模块18可以包括用于任何期望目的的电路。其它模块18中的一 些电路示例包括定时器电路、通信接口电路、显示驱动器电路、模拟 至数字转换器、数字至模拟转换器、功率管理电路等等。
图2以框图形式图解了根据本发明一个实施例的图1的NVM 14。 在一个实施例中，NVM 14具有双向耦合至NVM外围电路31的NVM阵列30。 NVM阵列30具有多个块，包括块32和块33。块32具有存 储属于块32的信息的块控制信息34。块33具有存储属于块33的信 息的块控制信息35。作为一个示例，块控制信息34可以包括被用来 控制那个特定NVM块32的各种特性(例如，擦除脉冲的持续时间和 电压、最大擦除时间、编程脉沖的持续时间和电压、最大编程时间、 裕度级别等等)的信息。某些实施例还可以在块控制信息34中存储其 它附加信息(例如，NVM制造和/或测试历史)。这些示例也适用于 块33和块控制信息35。尽管图2详细图解了两个块32、 33，但替代 实施例可以使用任意数目的块，包括仅仅一个块。
在图解的实施例中，块控制信息34包括保持力/耐久性控制电路 36，并且块控制信息35包括保持力/耐久性控制电路37。替代实施例 可以将保持力/耐久性控制电路36和37放置在集成电路10内的任何 地方。针对NVM阵列30，可以有任意数目的保持力/耐久性控制电路 (例如，36)。图解的实施例针对每个NVM块使用一个保持力/耐久 性控制电路(例如，36、 37)。然而，针对NVM阵列30内的不同粒 度(大于或小于块)，替代实施例可以使用一个保持力/耐久性控制电 路。例如，整个NVM阵列30可以具有一个被用来选择存储特性的保 持力/耐久性控制电路。
虛线用来表示块32的部分40-42。同样，虚线用来表示块33的 部分44-45。每个部分40、 41、 42、 44、 45具有多个NVM单元。保 持力/耐久性控制电路36可以被用来确定块32被划分为多少个部分， 以及每个部分的大小。保持力/耐久性控制电路37可以被用来确定块 33被划分为多少个部分，以及每个部分的大小。在一个实施例中，保 持力/耐久性控制电路36还可以被用来确定或选择部分40-42中每一个 的存储特性。类似地，保持力/耐久性控制电路37还可以被用来确定 或选择部分44-45中每一个的存储特性。
作为示例，保持力/耐久性控制电路37可以选择部分44为具有高 耐久性的存储特性，同时选择部分45为具有长数据保持时间的存储特 性。可替代地，保持力/耐久性控制电路37可以选择部分45为具有高耐久性的存储特性，同时选择部分44为具有长数据保持时间的存储特 性。按照类似的方式，作为一个示例，保持力/耐久性控制电路36可 以选择部分40和42为具有高耐久性的存储特性，同时选择部分41为 具有长数据保持时间的存储特性。保持力/耐久性控制电路36可以替 代地选择部分40-42的存储特性的任何组合。保持力和耐久性是存储 特性的两个可能的示例。替代实施例可以使用不同的或更多的存储特 性(例如，抗辐射的强度、用于所选温度范围的数据完整性等等)。
在图解的实施例中，NVM外围电路31包括NVM 14的操作所必 需的所有其它电路。在一个实施例中，NVM外围电路31具有充电泵、 高压稳压器、高压开关、字线驱动器、源极线驱动器、读出放大器(sense amplifiers)、行解码器、列解码器、与总线22的接口、寄存器、读 取基准电路、控制器、测试逻辑和NVM 14的功能所期望的任何其它 电路(未示出)。请注意，针对一个实施例，NVM外围电路31可以 以传统方式操作。
图3以框图形式图解了根据本发明一个实施例的图2的保持力/ 耐久性控制电路36、 37。在一个实施例中，保持力/耐久性设置50可 以被用来选择相应部分的存储特性(保持力/耐久性控制电路36的部 分40，和保持力/耐久性控制电路37的部分44)。同样，保持力/耐久 性设置53可以被用来选择相应部分的存储特性(保持力/耐久性控制 电路36的部分42，和保持力/耐久性控制电路37的部分45)。在图3 所图解的实施例中，存在两种可能的存储特性，即长数据保持力和高 耐久性。替代实施例可以具有三个或更多可能的存储特性(例如，长 数据保持力、高耐久性，以及在数据保持力和耐久性之间折衷的组合)。 替代实施例可以使用存储特性控制电路50在其它存储特性中进行选 择。耐久性和数据保持力仅仅是存储特性的两个可能的示例。
起始地址存储电路51和结束地址存储电路52被用来定义相应 NVM部分的位置和大小(控制电路36的部分40，和控制电路37的 部分44)。起始地址存储电路51和结束地址存储电路55被用来定义 相应NVM部分的位置和大小(控制电路36的部分42，和控制电路37的部分45)。替代实施例可以以任何期望的方式定义相应NVM部 分的位置和大小。例如，大小存储电路(未示出)可以用来替代结束 地址存储电路52、 55。可替代地，部分的位置和大小可以被预先确定 并且控制存储电路51、 52、 54、 55可能不需要。可替代地，其它电路
(例如，NVM外围电路31中的保护电路)可以被用来确定或者局部 地影响部分40、 41、 42、 44、 45的位置和大小。
图4以框图形式图解了编程/擦除NVM的方法。流程77开始于 椭圆形开始框70并且进行至步骤71，其中新NVM部分被选择。从步 骤71，流程77继续进行到菱形判断框72，其中询问如下问题"保持力 /耐久性设置50、 53针对这个部分的值是多少？"。如果保持力/耐久性 设置50、 53的值指示耐久性被选择，那么流程继续进行到步骤73， 其中用于耐久性的校验级别被选择。如果保持力/耐久性设置50、 53 的值指示长数据保持时间被选择，那么流程77继续进行到步骤74， 其中用于长数据保持时间的校验级别被选择。从步骤73和74，流程 77均继续进行到步骤75，其中通过使用在步骤73或74中选择的校验 级别来执行编程/擦除程序。从步骤75，流程77继续进行到椭圆形框 76，其中流程77结束。
来自于NVM阵列30外部的刺激可以用来启动流程77。这种外 部刺激的一个示例可以是启动NVM 14内的擦除或编程的处理器12
(参见图1)。请注意，术语编程/擦除被用来指示流程77可以用于 NVM 14的编程和擦除。因此，在编程或擦除期间可以在菱形判断框 72中使用保持力/耐久性设置50、 53来确定是高耐久性还是长数据保 持时间被选择。
图5以流程图形式图解了用于擦除的图4的方法步骤75。在图5 中，流程开始于步骤80，其中试图通过使用具有第一参数的脉冲来擦 除相关的NVM部分。在这个示例中，擦除脉冲的参数是梯形脉冲的 特定持续时间和电压。参数还可以针对其它方面如针对脉冲形状。对 于这个示例中的部分40和44,这些参数存储在图3所示的保持力/耐 久性设置50中。从步骤80，流程继续进行到步骤82，其中读取相关NVM部分中的每个单元以比较实际读取电流和显示为第一裕度级别 的所选校验级别。能够称其为"裕度级别，，的理由是其相对于在编程和 擦除状态之间进行确定所需的最小量超过了 一定被选裕度。第 一裕度 级别在流程77 (参见图4)的步骤73或步骤74中被选择。
在应用了具有第一参数的擦除脉沖之后，NVM部分被读取以确 定NVM部分中将要被擦除的所有存储单元是否被擦除为至少第一裕 度。如果NVM部分的每个存储单元通过第一裕度，NVM部分被认为 已经被擦除并且能够开始另一个NVM部分的擦除。在方法75的这个 所述示例中的NVM部分的全部测试中，通过仅仅由被测试的NVM部 分的全部存储单元通过特定裕度级别来获得。在NVM使用寿命的早 期，NVM部分在仅仅一次擦除脉冲的应用之后通过是很普遍的。
如果被擦除的NVM部分没有在使用第一裕度级别时通过，在步 骤86确定已经耗费在擦除NVM部分上的时间和允许的最大擦除时间 之间的关系。步骤86总是在NVM部分没有通过第 一裕度级别后执行。 一旦针对特定NVM部分的擦除时间已经超时，该NVM部分被认为是 有问题的并且擦除能够在其它NVM部分上继续或者整个设备能够被 认为是已经失败。如果针对特定NVM部分的擦除时间没有超时，那 么在步骤90，该NVM部分被测试以查看是否通过第二裕度级别。这 可以是比第一裕度级别的裕度更低的裕度。如果该NVM部分通过了 ， 那么在步骤92，另一个擦除脉冲被施加并且这次是具有第二参数，具 有第二参数的擦除脉冲与具有第一参数的擦除脉冲相比优选地增加脉
冲的持续时间，但是可以增加电压或者电压和持续时间。当然，在仅 仅应用了使用第一参数的擦除脉冲之后，最大擦除时间可能没有完全 消逝。
在具有第二参数的新擦除脉冲被应用后，再次测试NVM部分以 查看其是否通过第一裕度级别。如果是，能够开始下一个NVM部分 的擦除。如果不是，测试NVM部分以查看其是否通过第二裕度级别。 根据推定其应当通过该级别，因为其已经通过了该级别。该NVM部 分接着将再次接收具有第二参数的擦除脉冲并且针对第 一裕度级别进行测试。如果其通过了，那么其它NVM部分的擦除能够继续。如果 其失败了，那么该过程继续应用具有第二参数的擦除脉冲并且在第一 裕度级别下进行通过测试直到NVM部分通过第一裕度级别或者擦除 时间超时。
如果NVM部分没有通过第二裕度级别，则执行关于第三参数的 NVM部分的测试。如果在步骤94 NVM部分通过了，那么在步骤96 应用具有第三参数的擦除脉沖，其优选地在持续时间或电压上或者在 两者上都大于具有第二参数的擦除脉冲。在应用了具有第三参数的擦 除脉沖后，该过程在步骤82再次开始第一裕度级别的测试并且接着继 续的是前面所述的或者步骤84或者86。如果其没有通过，测试在另 一个更低裕度级别上继续，该裕度级别具有后续的强度增加的擦除脉 冲。在这个示例中，当级别已经被满足时，具有相应脉冲的最后级别 如步骤98所示。因此，当NVM部分在步骤98通过最后裕度级别时， 应用具有最后参数的擦除脉冲，其是当NVM部分已经通过最后裕度 级别时使用的参数。在应用了具有最后参数的擦除脉冲后，该过程在 步骤82再次开始第一裕度级别的测试并且接着继续的是前面所述的 或者步骤84或者86。如果NVM部分甚至不能通过最后裕度级别，应 用具有最大级别的擦除脉冲。具有最大级别的擦除脉冲是具有在方法 75中可用于选择的任何擦除脉沖中的最大强度的擦除脉冲。这优选地 考虑NVM部分已经失败，因为，特别在高耐久性应用中，将NVM部 分带入第一裕度级别的擦除状态中，即使具有非常强的擦除脉冲，将 提供一些效用。
图6所示的是裕度级别、编程/擦除交叉和已编程级别的图。编程 /擦除交叉是在已擦除情形或者已编程情形的指示之间进行划分的读 取电流。这由所使用的读出放大器来设置。第一裕度级别是单元被认 为具有期望裕度的级别。在各种裕度级别中，第一裕度级别指示期望 状态，其在本示例中是已擦除状态，其与编程/擦除交叉之间具有最大 的差别。该差别是裕度。第二裕度级别是第二大差别，并且第三具有 第三大差别。在第一、第二和第三裕度级别的每一中情况中，单元被擦除但具有不同量的裕度。它们有效地具有正裕度。擦除脉冲可以导 致单元甚至不成为已擦除状态从而其读取电流和编程/擦除交叉之间 的差别为负。因而，因为其试图被擦除但仍位于编程侧，能够认为其 具有负裕度。在这个示例中，测试的最后状态是最后裕度级别，其被 显示为具有负定裕度。
查看图6的另一种思路是第一裕度级别是目标值而其它裕度级别 是相对于目标值的偏离。因此，第二裕度级别与第三裕度级别相比是 相对于目标裕度值的较小偏离。因此，同样，最后裕度级别是用于测 试NVM部分的裕度值中相对于目标级别的最大偏离。因此，为了相 对于目标值的更大偏离，在这个示例中，后续的擦除脉冲在强度上具 有更大的修改、增加。
测试用的不同级别的数目被显示为四个第一、第二、第三和最 后级别，但如最后裕度级别和编程/擦除级别以及第三裕度级别和编程 /擦除级别之间的区域所指示的一样，能够存在更多级别。这些测试是 确定具有最差(最少)裕度的单元的裕度的好方法。在做出那些确定 后，应用一个针对被发现为最差的裕度而制定的擦除脉冲。这是减少 达到擦除而不应用具有不必要的强度的擦除信号所需的时间的方法。 NVM单元性能的恶化与擦除脉冲的强度有关。该方法提供了一种获取 最差情况裕度信息的方法，该信息的准确性基于有多少裕度用于测试。 在这个示例中，四个被认为是有利地制定擦除脉冲而不需要太多时间 来做出确定的数目。其它类似的技术也可以被发现是有用的，特别是 如果需要更高程度的解析度。例如，逐次逼近法可以被发现是有用的。
在所述的示例中，裕度级别是与来自NVM单元的读取电流进行 比较的基准电流。高耐久性的裕度级别是较低基准电流，反之长数据 保持时间的裕度级别是较高基准电流。高耐久性和长数据保持时间的 基准电流的绝对值将取决于用来实现NVM 14的特定电路。
替代实施例可以使用基准电流之外的事物来表示裕度级别。例 如，裕度级别可以是基准电压，其中裕度级别可以是与NVM单元电 压(例如，晶体管阈值电压)进行比较的基准电压。替代实施例可以使用任何期望的电路特性来表示裕度级别。
在前面的说明书中，我们已经参考特殊的实施例对本发明进行了 说明。然而，本领域的普通技术人员会意识到，在不背离由下文权利 要求所阐述的本发明范围的前提下，可以进行各种修饰和改变。例如， 擦除被描述为具有上升的强度，然而，可能存在不需要强调强度上的 增加的情形。因此，说明书和附图应当只看作是举例，而没有限制性 意义，并且所有这些修饰都包含在本发明的范围之内。
上面参考特殊实施例说明了本发明的优点、其它优势和解决问题 的方法。然而，这些优点、优势、或解决问题的方法以及任何可以导 致任何其它优点、优势、解决方法出现或者更加明了的因素都不应当 理解认为是任何或全部权利要求重要的、必需的或基本的特征或元素。 本申请所使用的术语"包括"、"由......构成"或其任何其它的变化都试
图覆盖非排它性的内涵，例如处理、方法、物件或装置，它们所包含 的元素的列表并不只是包括这些元素，而是可以包括其它没有表达列 举的元素或者属于该处理、方法、物件或装置固有的元素。
权利要求
1. 一种编程/擦除非易失性存储器(NVM)的方法，包含在NVM的一部分上执行编程/擦除操作；确定与编程/擦除操作相关联的至少一个参数的实际值相对于所述至少一个参数的目标值的偏离量；以及基于所述至少一个参数的实际值的偏离量，修改针对所述NVM的部分的后续编程/擦除操作。
2. 如权利要求l所述的方法，其中与编程/擦除操作相关联的至 少一个参数包含读取电压和读取电流中的至少一个。
3. 如权利要求l所述的方法，其中确定与编程/擦除操作相关联 的至少 一个参数的实际值的偏离量包含使用第 一组参数来执行编程/ 擦除操作。
4. 如权利要求3所述的方法，进一步包含确定所述NVM的部分 中的每个单元是否通过第 一裕度级别。
5. 如权利要求4所述的方法，进一步包含如果所述部分NVM中 的每个单元通过第一裕度级别，则在NVM的下一部分上执行编程/擦 除操作。
6. 如权利要求4所述的方法，进一步包含如果所述NVM的部分 中的至少一个单元没有通过第一裕度级别并且如果所述NVM的部分 中的每个单元通过第二裕度级别，则使用第二组参数来执行编程/擦除
7. 如权利要求6所述的方法，进一步包含确定所述NVM的部分 中的每个单元是否通过第 一裕度级别。
8. 如权利要求4所述的方法，进一步包含如果所述NVM的部分 中的至少一个单元没有通过最后裕度级别，则以最大级别来执行编程/ 擦除操作。
9. 如权利要求8所述的方法，进一步包含确定所述NVM的部分 中的每个单元是否通过第 一裕度级别。
10. 如权利要求l所述的方法，进一步包含确定是否超过了与编程/擦除操作相关联的最大时间值，并且如果是，那么指示针对所述NVM的部分的编程/擦除操作的失败。
11. 如权利要求l所述的方法，其中修改后续编程/擦除操作包含 修改与后续编程/擦除操作相关联的至少一个脉冲的时间、电压、电流 和形状中的至少一个。
12. —种编程/擦除非易失性存储器(NVM)的方法，包含 使用第一组参数在NVM的一部分上执行编程/擦除操作； 确定所述NVM的部分中的每个单元是否通过第一裕度级别，如果没有，则确定所述NVM的部分中的每个单元通过比第一裕度级别 更低的一组裕度级别中的哪一个；以及基于一组更低裕度级别中被确定的那一个，修改与针对所述 NVM的部分的后续编程/擦除操作相关联的一组参数中的至少一个。
13. 如权利要求12所述的方法，进一步包含如果所述NVM的部 分中的每个单元通过第一裕度级别，则在NVM的下一部分上执行编 程/擦除操作。
14. 如权利要求12所述的方法，进一步包含响应后续编程/擦除 操作确定所述NVM的部分中的每个单元是否通过第一裕度级别。
15. 如权利要求12所述的方法，进一步包含在修改步骤之后 如果所述NVM的部分中的至少一个单元没有通过一组更低裕度级别 中的最低裕度级别，则以最大级别来执行编程/擦除操作。
16. 如权利要求15所述的方法，进一步包含响应于以最大级别 执行的编程/擦除操作确定所述NVM的部分中的每个单元是否通过第 一裕度级別。
17. 如权利要求12所述的方法，进一步包含确定是否超过了与 编程/擦除操作相关联的最大时间值，并且如果是，那么指示针对所述 NVM的部分的编程/擦除操作的失败。
18. 如权利要求12所述的方法，其中与后续编程/擦除操作相关 联的一组参数包含时间、电压、电流和形状中的至少一个。
19. 一种非易失性存储器(NVM)系统，包含 NVM阵列；NVM外围电路，用于使用第一组参数在NVM阵列的部分上执 行编程/擦除操作；以及控制器，用于确定所述NVM阵列的部分中的每个单元是否通过 第一裕度电平并且确定所述NVM阵列的部分中的每个单元通过比第 一裕度级别更低的一组裕度级别中的哪一个，以及基于一组更低裕度 级别中被确定的那一个，修改与针对所述NVM阵列的部分的后续编 程/擦除操作相关联的一组参数中的至少一个。
20. 如权利要求19所述的NVM系统，其中与后续编程/擦除操 作相关联的第一组参数包含时间、电压、电流和形状中的至少一个。
全文摘要
一种编程/擦除非易失性存储器(NVM)(14)的方法，包括使用第一系列参数在部分NVM(14)上执行编程/擦除操作(80)。该方法进一步包括确定(82)所述部分NVM(14)中的每个单元是否通过第一裕度级别，如果没有，则确定所述部分NVM(14)中的每个单元通过比第一裕度级别更低的一系列裕度级别中的哪一个。该方法进一步包括基于一系列更低裕度级别中被确定的那一个，修改(92)与针对所述部分NVM(14)的后续编程/擦除操作相关联的一系列参数中的至少一个。
文档编号G11C16/06GK101501782SQ200780008570
公开日2009年8月5日 申请日期2007年3月7日 优先权日2006年3月21日
发明者A·E·伯尼, A·J·戈尔曼, D·J·贝蒂, M·L·尼塞特, S·迈金蒂 申请人:飞思卡尔半导体公司