专利名称：半导体元器件平面凸点式超薄封装基板及其制作方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体元器件平面凸点式超薄封装基板及其制作方法。属电子元器件技术领域。
背景技术：
在本发明作出以前，目前现有的半导体元器件平面凸点式封装基板主要存在以下不足1、基板的基岛和引脚处于同一高度，当基岛上装有芯片后等于在基岛及引脚原有的厚度基础上又100％增加了芯片的厚度。这一结构会导致两种结果第一、增加封装体的总厚度；第二、如果封装体厚度已固定，则必须对芯片作进一步的减薄工作，这对磨片工艺提出了更高的技术要求，否则此芯片将无法置入到该封装体中，进而缩小了这一封装体的使用范围。
2、原有的平面凸点式封装基板上基岛和引脚呈柱状处于同一高度，由于基岛较厚，所以减缓了散热速度。
发明内容
本发明的目的在于克服上述不足，提供一种基板上基岛低于引脚高度的半导体元器件平面凸点式超薄封装基板及其制作方法。
本发明的目的是这样实现的一种半导体元器件平面凸点式超薄封装基板，包括基岛和引脚，其特征在于引脚呈凸点状分布于基板正面，凸点与凸点之间有金属薄层连结，基岛低于凸点状的引脚平面分布于基板正面，引脚的正面设有金属层；在后续封装时形成的单个半导体元器件封装体内，基岛的数量有一个或多个，引脚排列在基岛的一侧或两侧或三侧，或围在基岛的周围形成一圈或多圈引脚的结构。
本发明半导体元器件平面凸点式超薄封装基板，所述的引脚和基岛二者的背面设有金属层。
本发明半导体元器件平面凸点式超薄封装基板，所述的引脚的正面设有活化物质层，在活化物质层上设有金属层。
本发明半导体元器件平面凸点式超薄封装基板，所述的引脚的正、背两面和基岛的背面设有活化物质层，在活化物质层上设有金属层。
本发明半导体元器件平面凸点式超薄封装基板的制作方法，该方法包含以下步骤步骤一、取一片金属基板，步骤二、在金属基板的正、背两面各自贴上掩膜层，步骤三、将金属基板正面或正、背两面的部分掩膜去除掉，露出在金属基板上准备镀金属层的区域，步骤四、对上道工序中去除掩膜层的区域镀上金属层，步骤五、去除金属基板正面余下的掩膜，用以露出后续需进行半蚀刻的区域，步骤六、对上道工序中去除掩膜层的区域进行半蚀刻，在金属基板上形成凹陷的基岛和半蚀刻区，同时相对形成凸点状的引脚，步骤七、去除金属基板上余下的掩膜，制成平面凸点式超薄封装基板。
本发明半导体元器件平面凸点式超薄封装基板的制作方法，在步骤四中，在对上道工序中去除掩膜层的区域镀上金属层前，先镀上一层活化物质层。
本发明具有超薄、散热快等技术有点。具体为1、基板上基岛低于引脚高度，所以在基岛上装片后芯片的底面可以低于引脚高度一方面为芯片厚度争取了更大的空间，使该封装可以突破原来对芯片厚度的范围要求，在原有的基础上封装更厚的芯片，也减少了对芯片减薄工艺的压力；另一方面，在芯片厚度一定的前提下，使用此超薄封装基板可以使封装体做到更薄，更加符合封装体轻薄、便携的要求。
2、基岛低于引脚，和现有技术相比，相当于在与原有基岛底面积相等的基础上降低了基岛的高度，从而降低了寄生电阻、电容和电感，产品的电性能更好，散热更快。
图1-7为本发明各工艺步骤示意图。
具体实施例方式实施例1实施例1结构如图7(a)，本发明半导体元器件平面凸点式超薄封装基板，包括基岛1和引脚2，引脚2呈凸点状分布于基板正面，凸点与凸点之间有金属薄层3连结，基岛1低于凸点状的引脚2平面分布于基板正面，引脚2的正面设有金属层4；在后续封装时形成的单个半导体元器件封装体内，基岛的数量可以有一个或多个，引脚可以排列在基岛的一侧，也可以排列在基岛的两侧或三侧，或围在基岛的周围形成一圈或多圈引脚的结构。
其制作方法包含以下步骤步骤一、取一片金属基板6，如图1，步骤二、在金属基板6的正、背两面各自贴上掩膜层7，如图2，步骤三、将金属基板6正面的部分掩膜去除掉，露出在金属基板6上准备镀金属层的区域，如图3(a)，步骤四、对上道工序中去除掩膜层的区域镀上金属层4，如图4(a)，步骤五、去除金属基板6正面余下的掩膜，用以露出后续需进行半蚀刻的区域，如图5(a)，步骤六、对上道工序中去除掩膜层的区域进行半蚀刻，在金属基板6上形成凹陷的基岛1和半蚀刻区61，同时相对形成凸点状的引脚2，如图6(a)，步骤七、去除金属基板6上余下的掩膜，制成平面凸点式超薄封装基板，如图7(a)。
实施例2实施例2结构如图7(b)所示，它是在实施例1的基础上，在引脚2和基岛1二者的背面设有金属层4。
其制作方法包含以下步骤
步骤一、同实施例1，步骤二、同实施例1，步骤三、将金属基板6正面和背面的部分掩膜去除掉，露出在金属基板6上准备镀金属层的区域，如图3(b)，步骤四、对上道工序中去除掩膜层的区域镀上金属层4，如图4(b)，步骤五、去除金属基板6正面余下的掩膜，用以露出后续需进行半蚀刻的区域，如图5(b)，步骤六、对上道工序中去除掩膜层的区域进行半蚀刻，在金属基板6上形成凹陷的基岛1和半蚀刻区61，同时相对形成凸点状的引脚2，如图6(b)，步骤七、去除金属基板6上余下的掩膜，制成平面凸点式超薄封装基板，如图7(b)。
实施例3实施例3结构如图7(c)所示，它是在实施例1的基础上，在引脚2的正面设有活化物质层5，在活化物质层5上设有金属层4。
其制作方法是步骤一、同实施例1，步骤二、同实施例1，步骤三、同实施例1，步骤四、对上道工序中去除掩膜层7的区域先镀上活化物质层5，如图4(c)，再镀上金属层4，图4(e)，
步骤五、去除金属基板6正面余下的掩膜，用以露出后续需进行半蚀刻的区域，如图5(c)，步骤六、对上道工序中去除掩膜层的区域进行半蚀刻，在金属基板6上形成凹陷的基岛1和半蚀刻区61，同时相对形成凸点状的引脚2，如图6(c)，步骤七、去除金属基板6余下的掩膜，制成平面凸点式超薄封装基板，如图7(c)。
实施例4实施例4结构如图7(d)所示，它是在实施例2的基础上，在引脚2的正、背两面和基岛1的背面设有活化物质层5，在活化物质层5上设有金属层4。
其制作方法是步骤一、同实施例2，步骤二、同实施例2，步骤三、同实施例2，步骤四、对上道工序中去除掩膜层7的区域先镀上活化物质层5，如图4(d)，再镀上金属层4，图4(f)，步骤五、去除金属基板6正面余下的掩膜，用以露出后续需进行半蚀刻的区域，如图5(d)，步骤六、对上道工序中去除掩膜层的区域进行半蚀刻，在金属基板6上形成凹陷的基岛1和半蚀刻区61，同时相对形成凸点状的引脚2，如图6(d)，步骤七、去除金属基板6上余下的掩膜，制成平面凸点式超薄封装基板，如图7(d)。
上述金属层4为金、或银、或铜、或锡、或镍、或镍钯，且金属层可以为单层或多层。覆盖在基岛1上的金属层4可为部分覆盖或全部覆盖。
上述活化物质5为镍、或钯、或镍钯。
权利要求
1.一种半导体元器件平面凸点式超薄封装基板，包括基岛(1)和引脚(2)，其特征在于引脚(2)呈凸点状分布于基板正面，凸点与凸点之间有金属薄层(3)连结，基岛(1)低于凸点状的引脚(2)平面分布于基板正面，引脚的正面设有金属层(4)；在后续封装时形成的单个半导体元器件封装体内，基岛(1)的数量有一个或多个，引脚(2)排列在基岛的一侧或两侧或三侧，或围在基岛的周围形成一圈或多圈引脚的结构。
2.根据权利要求1所述的一种半导体元器件平面凸点式超薄封装基板，其特征在于所述的引脚(2)和基岛(1)二者的背面设有金属层(4)。
3.根据权利要求1所述的一种半导体元器件平面凸点式超薄封装基板，其特征在于所述的引脚(2)的正面设有活化物质层(5)，在活化物质层(5)上设有金属层(4)。
4.根据权利要求2所述的一种半导体元器件平面凸点式超薄封装基板，其特征在于引脚(2)的正、背两面和基岛(1)的背面设有活化物质层(5)，在活化物质层(5)上设有金属层(4)。
5.根据权利要求1或2或3或4所述的一种半导体元器件平面凸点式超薄封装基板，其特征在于所述的金属层(4)为金、或银、或铜、或锡、或镍、或镍钯，且金属层可以为单层或多层。
6.根据权利要求1或2或3或4所述的一种半导体元器件平面凸点式超薄封装基板，其特征在于覆盖在基岛(1)上的金属层(4)为部分覆盖或全部覆盖。
7.根据权利要求3或4所述的一种半导体元器件平面凸点式超薄封装基板，其特征在于活化物质(5)为镍、或钯、或镍钯。
8.一种半导体元器件平面凸点式超薄封装基板的制作方法，其特征在于制作方法包含以下步骤步骤一、取一片金属基板，步骤二、在金属基板的正、背两面各自贴上掩膜层，步骤三、将金属基板正面或正、背两面的部分掩膜去除掉，露出在金属基板上准备镀金属层的区域，步骤四、对上道工序中去除掩膜层的区域镀上金属层，步骤五、去除金属基板正面余下的掩膜，用以露出后续需进行半蚀刻的区域，步骤六、对上道工序中去除掩膜层的区域进行半蚀刻，在金属基板上形成凹陷的基岛和半蚀刻区，同时相对形成凸点状的引脚，步骤七、去除金属基板上余下的掩膜，制成平面凸点式超薄封装基板。
9.根据权利要求8所述的一种电子元器件平面凸点式超薄封装基板的制作方法，其特征在于在步骤四中，在对上道工序中去除掩膜层的区域镀上金属层前，先镀上一层活化物质层。
全文摘要
本发明涉及一种半导体元器件平面凸点式超薄封装基板及其制作方法，包括基岛(1)和引脚(2)，其特征在于引脚(2)呈凸点状分布于基板正面，凸点与凸点之间有金属薄层(3)连结，基岛(1)低于凸点状的引脚(2)平面分布于基板正面，引脚的正面设有金属层(4)；在后续封装时形成的单个半导体元器件封装体内，基岛(1)的数量有一个或多个，引脚(2)排列在基岛的一侧或两侧或三侧，或围在基岛的周围形成一圈或多圈引脚的结构。本发明一方面为芯片厚度争取了更大的空间，使该封装可以突破原来对芯片厚度的范围要求，另一方面，在芯片厚度一定的前提下，使用此超薄封装基板可以使封装体做到更薄，更加符合封装体轻薄、便携的要求。
文档编号H01L21/60GK1862799SQ200610039918
公开日2006年11月15日 申请日期2006年4月12日 优先权日2006年4月12日
发明者梁志忠, 王新潮, 于燮康, 谢洁人, 陶玉娟, 闻荣福 申请人:江苏长电科技股份有限公司