薄膜图案层制造方法

文档序号:6874307阅读:89来源:国知局
专利名称:薄膜图案层制造方法
技术领域
本发明涉及一种薄膜图案层的制造方法。
背景技术
目前制造薄膜图案层的方法主要包括光微影法及喷墨法。
光微影法通过在基板上涂敷光阻材料,将具有预定图案的光罩设于光阻材料上,进行曝光显影,或加上蚀刻制程,而形成具有预设图案的薄膜图案层。该光微影法需要抽真空装置等大型设备或复杂的制程,并且,材料的使用效率较低而造成制造成本高。
喷墨法喷墨方法能够一次形成薄膜图案层,使得制备过程大量简化,成本大幅降低。故喷墨方法具有制程简化、环保、节省原料等优点。在目前进行的薄膜图案层制作中,喷墨法皆是使用喷墨装置在已形成挡墙的玻璃基板上进行喷墨,并且一收容空间使用一个喷嘴进行喷墨,使墨水干燥形成薄膜图案层。
然而,因为每个喷嘴的喷墨量与喷嘴有一定的联系,故往往容易造成各收容空间的墨量差异较大,从而造成薄膜图案层不均匀的状况。

发明内容有鉴于此,有必要提供一种能提高均匀度的薄膜图案层的制造方法。
一种薄膜图案层的制造方法,其步骤如下提供一个基板;在该基板上形成多个挡墙,该挡墙与基板限定多个收容空间;通过喷墨头将所需的墨水喷入收容空间内,并且使用至少两个喷嘴对同一个收容空间喷墨;干燥固化收容空间中的墨水而形成薄膜图案层。
由于每个喷嘴的喷墨量因喷嘴而有所差异,相较于现有技术,所述薄膜图案层的制造方法,使用至少两个喷嘴对同一个收容空间喷墨,故可以降低各收容空间的墨量差异,从而提高薄膜图案层的均匀度。

图1至图14为本发明实施例提供的一种薄膜图案层的制造方法示意图,其中图1为基板剖面示意图。
图2为形成有挡墙的基板剖面示意图。
图3至图4为喷墨步骤的第一实施方式示意图。
图5至图8为喷墨步骤的第二实施方式示意图。
图9至图12为喷墨步骤的第三实施方式示意图。
图13为形成有薄膜图案层的基板剖面示意图。
图14为形成有透明导电层的基板剖面示意图。
具体实施方式下面将结合附图对本发明实施例作进一步的详细说明。
请一起参阅图1到图14,是本发明实施例提供的一种薄膜图案层的制造方法示意图,该方法的步骤如下步骤一提供一个基板100,如图1所示。本实施例中该基板材料选用玻璃。当然,基板材料也可选用石英玻璃、硅晶片(Silicon Wafer)、金属或塑料等。
步骤二在该基板100上形成多个挡墙102,该挡墙限定多个收容空间104,如图2所示。挡墙102是由树脂材料组成。该挡墙102可通过光罩对光阻材料层曝光显影形成。
步骤三通过喷墨头200将所需的墨水喷入收容空间104内,并且使用至少两个喷嘴202、204对同一个收容空间104喷墨,如图3及图4所示。
以收容空间104为例,先使用喷墨头200中的喷嘴202对收容空间104喷墨,接着朝收容空间104的方向水平移动喷墨头200,喷嘴204再对收容空间104喷墨。
作为步骤三的第二种实施方式,也可通过一喷墨头300将所需的墨水喷入收容空间104内,并且使用至少两个喷嘴302、304对同一个收容空间104喷墨,如图5至图8所示以收容空间104为例,喷墨头300先沿着第一方向移动;
喷墨头300中的喷嘴302对收容空间104喷墨;喷墨头300继续沿着第一方向移动;在喷墨头300移动到收容空间104的右侧后,再沿着与第一方向垂直的第二方向移动喷墨头300;当喷墨头300移动至喷嘴304与收容空间104在同一直线上,喷墨头300沿着第一方向的反方向移动;喷嘴304再对收容空间104喷墨;喷墨头300继续沿着第一方向的反方向移动。
作为步骤三的第三种实施方式,也可通过喷墨头400、500将所需的墨水喷入收容空间104内。在本实施方式中,喷墨头400、500是为同一型号的喷头,设置在同一机台(图未示),且两者相对位置保持固定。使用喷墨头400、500中的喷嘴402、502对同一个收容空间104喷墨,如图9至图12所示。
将喷墨头400、500可视作一个整体,该整体的运动轨迹与步骤三的第二种实施方式中喷墨头300的运动轨迹一样,在此不再一一赘述。以收容空间104为例,先使用喷墨头500中的喷嘴502对收容空间104喷墨,然后使用喷墨头400喷嘴402再对收容空间104喷墨。
当然,在步骤三的第三种实施方式中,喷墨头400、500可以为不同一型号的喷头。同样,喷墨头400、500可以相对运动而互不影响。此外,喷墨头400、500也可以是分别设置在不同的机台上。
喷墨头200、300、400及500可选用热泡式或压电式。
步骤四干燥固化收容空间104中墨水而形成薄膜图案层106,如图13所示。此步骤主要通过一抽真空装置、一加热装置或一发光装置,将收容空间104的墨水进行干燥固化,或者采用上述三者方式的任两种或三种进行干燥固化,而发光装置包括紫外光发光照射装置。
本实施例的薄膜图案层制造方法可进一步包括一步骤五在该基板100上,形成覆盖挡墙102及薄膜图案层106的透明导电层108,如图14所示。例如,使用真空溅镀装置,在基板100上形成覆盖挡墙102及薄膜图案层106的一氧化铟锡薄膜(Indium Tin Oxide Film,ITO Film)。
由于每个喷嘴的喷墨量因喷嘴而有所差异,本实施例所提供的薄膜图案层的制造方法,使用至少两个喷嘴对同一个收容空间喷墨,故可以降低各收容空间的墨量差异,从而提高薄膜图案层的均匀度。
需要指出的是,本发明的薄膜图案层制造方法可适用于彩色滤光片及有机发光装置的制造等。在彩色滤光片的制程中,可用此制程完成红绿蓝三色颜色层的制造,相应地,挡墙由黑矩阵(第一挡墙层)与黑矩阵上的第二层挡墙层形成,因此黑矩阵、第二层挡墙层与基板构成多个收容空间。当然挡墙也可仅由黑矩阵构成前述相同的结构。而在有机发光装置的制造中,可用此制程完成有机发光装置的导线层,发光层及电子电洞传输层等的制造。只是所形成的薄膜图案层及所需的墨水会有所不同。
另外,本领域技术人员还可以在本发明精神内做其它变化,当然,这些依据本发明精神所做的变化,都应包含在本发明所要求保护的范围内。
权利要求
1.一种薄膜图案层的制造方法,其包括以下步骤提供一个基板;在该基板上形成多个挡墙,该挡墙与基板限定多个收容空间;通过喷墨头将所需的墨水喷入收容空间内,并且使用至少两个喷嘴对同一个收容空间喷墨;干燥固化收容空间中的墨水而形成薄膜图案层。
2.如权利要求1所述的薄膜图案层的制造方法,其特征在于,所述基板材料选自玻璃、石英玻璃、硅晶片、金属或塑料。
3.如权利要求1所述的薄膜图案层的制造方法,其特征在于,所述挡墙是由树脂材料组成。
4.如权利要求1所述的薄膜图案层的制造方法,其特征在于,所述挡墙是通过光罩对光阻材料层曝光显影形成。
5.如权利要求1所述的薄膜图案层的制造方法,其特征在于,所述对同一个收容空间喷墨的喷嘴是设置在同一喷墨头上。
6.如权利要求1所述的薄膜图案层的制造方法,其特征在于,所述喷墨步骤包括下列分步骤所述喷墨头中第一喷嘴对一收容空间喷墨;所述喷墨头朝着该收容空间水平移动;所述喷墨头中第二喷嘴对该收容空间喷墨。
7.如权利要求1所述的薄膜图案层的制造方法,其特征在于,所述喷墨步骤包括下列分步骤所述喷墨头沿着第一方向移动;所述喷墨头中第一喷嘴对一收容空间喷墨;所述喷墨头继续沿着第一方向移动;所述喷墨头移动到该收容空间的一侧后,再沿着与第一方向垂直的第二方向移动喷墨头;当所述喷墨头中的第二喷嘴移动到与该收容空间在同一直线后,所述喷墨头沿着第一方向的反方向移动,第二喷嘴再对该收容空间喷墨。
8.如权利要求1所述的薄膜图案层的制造方法,其特征在于,所述对同一个收容空间喷墨的喷嘴是分别设置在第一、第二喷墨头上。
9.如权利要求8所述的薄膜图案层的制造方法,其特征在于,所述喷墨步骤包括下列分步骤所述第一、第二喷墨头沿着第一方向移动;所述第一喷墨头中第一喷嘴对一收容空间喷墨;所述第一、第二喷墨头沿着第一方向移动;所述第一、第二喷墨头移动到该收容空间的一侧后,再沿着与第一方向垂直的第二方向移动第一、第二喷墨头;当所述第二喷墨头中的第一喷嘴移动到与该收容空间在同一直线后,所述第一、第二喷墨头沿着第一方向的反方向移动,所述第二喷墨头中的第一喷嘴对该收容空间喷墨。
10.如权利要求8所述的薄膜图案层的制造方法,其特征在于,所述第一、第二喷墨头为同一型号的喷墨头。
11.如权利要求8所述的薄膜图案层的制造方法,其特征在于,所述第一、第二喷墨头为不同型号的喷墨头。
12.如权利要求8所述的薄膜图案层的制造方法,其特征在于,所述第一、第二喷墨头之间的相对位置固定。
13.如权利要求8所述的薄膜图案层的制造方法,其特征在于,所述第一、第二喷墨头相对运动且互不影响。
14.如权利要求8所述的薄膜图案层的制造方法,其特征在于,所述第一、第二喷墨头是设置在同一机台上。
15.如权利要求8所述的薄膜图案层的制造方法,其特征在于,所述第一、第二喷墨头是分别设置在不同的机台上。
16.如权利要求1所述的薄膜图案层的制造方法,其特征在于,喷墨头可选用热泡式或压电式。
17.如权利要求1所述的薄膜图案层的制造方法,其特征在于,所述干燥固化步骤采用一抽真空装置、一加热装置或一发光装置,将收容空间内的墨水进行干燥固化,或者采用上述三者方式的任两种或三种,发光装置包括紫外光发光照射装置。
18.如权利要求1所述的薄膜图案层的制造方法,其特征在于,所述干燥固化步骤之后进一步包括一步骤在该基板上形成覆盖挡墙及薄膜图案层的一导电层。
全文摘要
一种薄膜图案层的制造方法,其步骤如下提供一个基板;在该基板上形成多个挡墙,该挡墙与基板限定多个收容空间;通过喷墨头将所需的墨水喷入收容空间内,并且使用至少两个喷嘴对同一个收容空间喷墨;干燥固化收容空间中的墨水而形成薄膜图案层。
文档编号H01L51/50GK101071187SQ20061008040
公开日2007年11月14日 申请日期2006年5月9日 优先权日2006年5月9日
发明者周景瑜, 王宇宁 申请人:虹创科技股份有限公司
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1