专利名称：晶体管浅结的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种晶体管浅结制作方法。
背景技术：
随着半导体技术的不断发展，特征尺寸越来越小，对晶体管的结深
(Junction D印th)要求越来越小。目前， 一般都是通过减小源漏(Source and Drain)区离子注入的能量来实现越来越小的结深的。但是离子注入 会产生尾巴效应，从而使得结深的控制没法达到绝对理想的状态，而且超 低能量的离子注入又会引起一些不好的效应，比如在低能量下，注入的离 子在硅表面会发生较大的反射，这样一部分离子就没能注入源漏区。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种晶体管浅结的制作方法，可方便 进行结深的控制，进而实现结深为约lOOnm以下的超浅结的制作。
为解决上述技术问题，本发明提供了一种晶体管浅结的制作方法，包 括以下步骤
在硅上需要形成浅结的位置进行第一次离子注入； 在硅上需要形成浅结的位置进行第二次离子注入； 并且，所述第一次离子注入和第二次离子注入中的一次为P型离子注 入，另一次为N型离子注入。
本发明由于采用了上述技术方案，具有这样的有益效果，即通过进行两次离子注入，其中一次为N型离子注入，另一次为P型离子注入，并分别 通过控制这两次离子注入的能量和剂量，得到所需要的结深，从而方便了 对晶体管结深的控制，可以满足各种各样结深的要求，尤其是可实现超浅 结。
下面结合附图与具体实施方式
对本发明作进一步详细的说明 图1为根据本发明制作浅结的流程示意图2a为现有技术中制作浅结时的一个示例的注入离子浓度-深度分 布曲线示意图2b为根据本发明制作浅结时的一个示例的注入离子浓度-深度分 布曲线示意图。
具体实施例方式
在半导体制造过程中，在需要形成P型结或者N型结时，在一个实施 例中，如图1所示，本发明可通过以下方法来制作浅结
首先，在硅上需要形成浅结的位置进行第一次离子注入，这时所注入 的离子可以是P型离子也可以是N型离子；
然后，在硅上需要形成浅结的位置进行第二次离子注入，如果第一次
离子注入的是P型离子，则这次所注入的离子则应该是N型离子；而如果
第一次注入的N型离子，则这次所注入的离子则应该是P型离子。
对于上述两次离子注入，如果需要实现的是p型结，则应确保p型离
子注入的能量小于N型离子注入的能量；反之，如果需要实现的是N型结，则应确保N型离子注入的能量小于P型离子注入的能量。
另外，通过上述过程可知，两次离子注入在硅中浓度相同处的深度即 为结深(即在离子浓度-深度分布曲线示意图中两次离子注入的交点处)， 因此，在本发明中通过分别控制上述两次离子注入的能量和剂量，可以实
现所要求的各种结深；而且，通过对比图2a(所实现的结深为500埃)和 图2b (所实现的结深为300埃)两个实例可以看出，两次离子注入方法 所最终得到的结深比传统地仅通过一次离子注入所能得到的结深都要浅 得多，因此，通过上述两次离子注入的方法可以非常方便地实现超浅结。
形成浅结后，就可以进行半导体器件制造的后续制程了。
权利要求
1、一种晶体管浅结的制作方法，其特征在于，包括以下步骤在硅上需要形成浅结的位置进行第一次离子注入；在硅上需要形成浅结的位置进行第二次离子注入；并且，所述第一次离子注入和第二次离子注入中的一次为P型离子注入，另一次为N型离子注入。
2、 根据权利要求l所述晶体管浅结的制作方法，其特征在于，所述第 一次离子注入和第二次离子注入在硅中浓度相同处的深度即为结深。
3、 根据权利要求2所述晶体管浅结的制作方法，其特征在于，所述第 一次离子注入和第二次离子注入的能量和剂量取决于所要得到的结深。
全文摘要
本发明公开了一种晶体管浅结的制作方法，通过进行两次离子注入，其中一次为N型离子注入，另一次为P型离子注入，并分别通过控制这两次离子注入的能量和剂量，得到所需要的结深，从而方便了对晶体管结深的控制，可以满足各种各样结深的要求，尤其是可实现超浅结。
文档编号H01L21/265GK101459063SQ20071009443
公开日2009年6月17日 申请日期2007年12月11日 优先权日2007年12月11日
发明者刘俊文, 钱文生 申请人:上海华虹Nec电子有限公司