专利名称：半导体存储装置及其制造方法
技术领域：
本实施方式一般涉及半导体存储装置及其制造方法。
背景技术：
近年来，作为便携电话机和/或个人计算机等外部设备的存储装置，大多使用半导体存储装置，该半导体存储装置使用了 NAND型闪速存储器等存储元件。作为由电子设备所使用的半导体存储装置，能够例示半导体存储卡。在半导体存储装置中，在形成有外部端子的布线基板(有机基板)上搭载半导体存储器芯片和/或控制器芯片等半导体芯片。半导体芯片的电极应用弓I线接合法与布线基板的连接焊盘电连接，进而以覆盖半导体芯片整体的方式被进行树脂封装。在这样的现有技术中，期望抑制有机基板的使用量，实现制造成本的抑制。
发明内容
本发明的实施方式提供能够抑制有机基板的使用量、实现制造成本的抑制的半导体存储装置。根据实施方式，半导体存储装置具备有机基板，其在一个面设置有外部连接端子；以及半导体存储器芯片，该半导体存储装置能够插入于外部设备。半导体存储装置进一步具备引线框架，其具有载置半导体存储器芯片的载置部及以朝向从载置部向外部设备的插入方向侧延伸的方式形成并且粘接于有机基板的另一个面的粘接部；以及树脂模制部，其使外部连接端子露出而封装有机基板、引线框架及半导体存储器芯片，并且其俯视基本呈方形形状。有机基板被单片化为在粘接于粘接部的状态下、俯视与载置部几乎不重叠的形状。粘接部在插入方向的端部形成于树脂模制部内。引线框架在粘接部中，进一步具有第1延伸部，该第1延伸部延伸至树脂模制部的与插入方向侧的面不同的面。根据本发明的实施方式，能够抑制有机基板的使用量，实现半导体存储装置的制造成本的抑制。
图1是表示实施方式所涉及的半导体存储装置的外观的俯视图。图2是表示图1所示的半导体存储装置的外观的仰视图。图3是示意性地表示图1所示的半导体存储装置的内部结构的图。图4是表示图1所示的半导体存储装置的沿A-A线的剖面结构的横剖面图。图5是有机基板的仰视图。
图6是引线框架的俯视图。图7是用于说明半导体存储装置的制造工序的流程图。图8是用于说明半导体存储装置的制造工序的图。图9是用于说明半导体存储装置的制造工序的图。图10是用于说明半导体存储装置的制造工序的图。图11是用于说明半导体存储装置的制造工序的图。图12是用于说明半导体存储装置的制造工序的图。图13是用于说明半导体存储装置的制造工序的图。
具体实施例方式以下参照附图，对实施方式所涉及的半导体存储装置及其制造方法详细地进行说明。另外，本发明并不由该实施方式所限定。图1是表示第1实施方式所涉及的半导体存储装置的外观的俯视图。图2是表示图1所示的半导体存储装置的外观的仰视图。图3是示意性地表示图1所示的半导体存储装置的内部结构的图。图4是表示图1所示的半导体存储装置的沿A-A线的剖面结构的横剖面图。半导体存储装置10插入设置于个人计算机和/或数字照相机等外部设备的插槽而使用。半导体存储装置10作为外部存储装置而起作用。另外，半导体存储装置10的插入方向设定为由箭头X所图示的方向。半导体存储装置10具备有机基板11、引线框架13、半导体存储器芯片15、控制器芯片16、电子部件17、树脂模制部18。半导体存储装置10如图1、2所示，以使外部连接端子19露出于底面侧的状态，其外周被树脂模制部18所覆盖。半导体存储装置10通过被树脂模制部18所覆盖，俯视基本呈方形形状。有机基板11在例如绝缘性树脂基板的内部和/或表面设置有布线网，且其兼作元件搭载基板和端子形成基板。作为这样的有机基板11，可使用印刷布线板，该印刷布线板使用了玻璃环氧树脂和/或BT树脂(双马来酰亚胺三嗪树脂)等。虽然详细的图示省略，但是有机基板11为多层结构，存在由各层所使用的材料不相同的情况。图5是有机基板11的仰视图。在有机基板11的底面(一个面)11a，设置包括金属层的外部连接端子19。外部连接端子19为半导体存储装置10插入外部设备时的半导体存储装置10的输入输出端子。有机基板11被单片化为，在俯视半导体存储装置10的内部结构的情况下，与后述的引线框架13的载置部21几乎不重叠的形状(也参照图9)。换言之，可以认为，在俯视的情况下，相比于有机基板11与载置部21相重叠的部分，有机基板 11与存储器芯片载置部(载置部)21不相重叠的部分这一方要大。有机基板11的上面lib (另一个面)，为搭载控制器芯片16和/或电子部件17的搭载面。因此，有机基板11的上面lib的面积比从上面观察控制器芯片16和/或电子部件 17所见的面积大。在有机基板11的上面11b，形成有多个连接焊盘(没有图示)。连接焊盘与外部连接端子19之间和/或连接焊盘彼此之间，经由有机基板11的内部布线(通孔等)电连接。通过将半导体存储器芯片15和/或控制器芯片16的电极焊盘(没有图示) 与连接焊盘电连接，来将半导体存储器芯片15、控制器芯片16、外部连接端子19等各要素电连接。
这里，多个连接焊盘之中连接于半导体存储器芯片15的连接焊盘，与外部端子的排列方向大致平行地配置。另外，多个连接焊盘之中连接于控制器芯片16的连接焊盘，配置于控制器芯片16的电极焊盘附近。其结果，能够用金属线27直接连接半导体存储器芯片15的电极焊盘与配置在有机基板11的上面lib的连接焊盘。另外，能够用金属线观直接连接控制器芯片16的电极焊盘与配置在有机基板11的上面lib的连接焊盘。另外，通过将连接于半导体存储器芯片15的连接焊盘及连接于控制器芯片16的连接焊盘配置在半导体存储器芯片15的电极焊盘与控制器芯片16的电极焊盘之间，能够缩短连接于半导体存储器芯片15的连接焊盘与控制器芯片16的距离。其结果，能够以低电阻连接半导体存储器芯片15与控制器芯片16。另外，有机基板11的连接焊盘的配置并不限于上述的情况。 例如，在使控制器芯片16从图3所示的配置旋转了 180度的情况下，连接于控制器芯片16 的连接焊盘配置为，相对于连接于半导体存储器芯片15的连接焊盘将控制器芯片16夹于中间。另外，多个连接焊盘之中电连接于半导体存储器芯片15的连接焊盘的间距，为大致80 150 μ m左右，电连接于控制器芯片16的连接焊盘的间距为大致50 120 μ m左右。 即，电连接于控制器芯片16的连接焊盘的间隔这一方比电连接于半导体存储器芯片15的连接焊盘的间隔小。图6是引线框架13的俯视图。在图6中，以二点划线表示半导体存储装置10的外形、即树脂模制部18的外形。引线框架13使用比有机基板11所使用的材料相对廉价的通用材料、例如42 Alloy(铁镍合金)和/或铜。引线框架13具有载置部21、基板粘接部 22和连结部23。载置部21是用于载置半导体存储器芯片15的区域。在载置部21的周围，以从载置部21起延伸的方式形成有基板粘接部22和/或连结部23。基板粘接部22形成为，朝向构成树脂模制部18的外形的面之中由箭头X表示的插入方向侧的面18a而延伸。此外，基板粘接部22在与有机基板11相粘接的状态下以不到达插入方向侧的面18a的长度形成。 换言之，可以认为，基板粘接部22在插入方向侧的端部存在于有机基板11 (树脂模制部12 内)。另外，在以下的说明中，存在将与插入方向侧的面18a相交叉的面称为18b、将与面 18a相对向的面称为面18c的情况。基板粘接部22是使用粘接剂粘接于有机基板11的上面lib的区域。通过将基板粘接部22粘接于有机基板11的上面11b，载置部21被定位于俯视与有机基板11几乎不重
叠的位置。此外，存在将基板粘接部22中的连结部称为连结部23c的情况。该连结部23c与基板粘接部22在插入方向侧的端部相比，存在于靠面18c侧。另外，连结部23c在插入方向侧的端部与基板粘接部22在插入方向侧的端部的位置也可以相等。此外，该连结部23c 形成为朝向面18b延伸。此外，载置部21与有机基板11虽然俯视几乎不重叠，但是有在一部分区域相互重叠的部分。在该重叠的部分，载置部21与有机基板11也接合。通过将载置部21接合于有机基板11，有机基板11与引线框架13的接触面积变大。从而，相比于仅由基板粘接部22 与有机基板11相粘接的情况，能够强化有机基板11与引线框架13的粘接力。另外，在载置部21与有机基板11相重叠的部分也可以使用粘接剂进行粘接。其结果，能够进一步强化有机基板11与引线框架13的粘接力。连结部23形成为，从载置部21和/或基板粘接部22朝向半导体存储装置10的外部、即后述的树脂模制部18的外部延伸。如图6所示，在引线框架13，形成有多个连结部 23。连结部23在半导体存储装置10的制造阶段使多个引线框架13彼此相连结。这样，通过使多个连结部23相连结，能够一并地制造多个半导体存储装置10。在第1实施方式中， 以朝向俯视基本呈方形形状的半导体存储装置10的4个面之中除了插入方向侧的面18a 之外的3个面延伸的方式，形成多个连结部23。此外，在俯视构成树脂模制部18的外形的4个面之中至少1个面，以朝向该1个面延伸的方式设置有2个以上的连结部23。连结部23包括余留部13a和延伸部1 而构成。余留部13a为从半导体存储装置10的外形伸出的部分，最终会被切断而除去。延伸部1 不从半导体存储装置10的最终的外形伸出，其构成半导体存储装置10的一部分。通过除去余留部13a，延伸部1 形成为，相对于载置部21及基板粘接部22，延伸至树脂模制部18的与插入方向侧的面18a不相同的面(面18b、18c)。另外，形成于基板粘接部22且延伸至面18b的延伸部1 为第1 延伸部，从载置部21延伸至面18c的延伸部1 为第2延伸部。连结部23形成为，与其靠载置部21和/或基板粘接部22侧的根基部相比，其与半导体存储装置10的外部的边界部分这一方俯视变细。尤其是，在第1实施方式中形成为， 在与半导体存储装置10的外部的边界部分的附近变细。半导体存储器芯片15是NAND型闪速存储器等存储元件。半导体存储器芯片15在其1边具有多个电极焊盘。半导体存储器芯片15的电极焊盘的间距为大于等于大致80μπι 左右，有机基板11的多个连接焊盘之中电连接于半导体存储器芯片15的连接焊盘与半导体存储器芯片相一致，形成为大致80 150 μ m的间距。在载置部21上，层叠多个半导体存储器芯片15。多个半导体存储器芯片15之中最下层的半导体存储器芯片15，相对于载置部21通过粘接材料25而粘接。作为粘接材料25，例如使用一般的以聚酰亚胺树脂、环氧树脂、丙烯酸树脂等为主成分的热固化性或光固化性的贴装薄膜(粘接剂薄膜)或者液状材料。通过在粘接于载置部21的最下层的半导体存储器芯片15上，以阶梯状粘接其他的半导体存储器芯片15，可层叠多个半导体存储器芯片15。通过将半导体存储器芯片15 层叠为阶梯状，能够使设置在半导体存储器芯片15的一边侧的电极焊盘露出。另外，以各个半导体存储器芯片15的配置有电极焊盘的边与有机基板11相对向的方式进行层叠。该露出了的电极焊盘用Au线等金属线27与有机基板11的连接焊盘电连接(引线接合)。控制器芯片16搭载于有机基板11的上面lib。控制器芯片16从多个半导体存储器芯片15选择进行数据的写入和/或读出的半导体存储器芯片15。控制器芯片16进行向所选择的半导体存储器芯片15的数据的写入和/或存储在所选择的半导体存储器芯片 15中的数据的读出等。在控制器芯片16的上面，形成有电极焊盘(没有图示)。另外，控制器芯片16的多个电极焊盘配置在控制器芯片16的周边。控制器芯片16所具有的电极焊盘的数量比半导体存储器芯片15所具有的电极焊盘的数量多。另外，控制器芯片16所具有的电极焊盘的间距为大致30 100 μ m左右，比有机基板11的多个连接焊盘之中电连接于控制器芯片16的连接焊盘的间隔窄。控制器芯片16的电极焊盘与有机基板11的连接焊盘由金属线观引线接合。电子部件17搭载于有机基板11的上面lib。电子部件17例如是芯片电容器和/ 或电阻和/或电感器。在此，通过将电子部件17配置在有机基板11上，无需用金属线连接， 而可经由有机基板的内部布线与半导体存储器芯片15和/或控制器芯片16电连接。其结果，能够降低半导体存储装置10的寄生电容、寄生电阻。树脂模制部18通过用树脂类材料封装有机基板11的上面lib和引线框架13的两面而形成。通过用树脂材料封装有机基板11的上面11b，使外部连接端子19露出于外部。树脂模制部18构成半导体存储装置10的外壳。树脂模制部18以覆盖半导体存储器芯片15和/或控制器芯片16的高度形成。树脂模制部18通过用模具覆盖安装有半导体存储器芯片15等安装部件的有机基板11以及引线框架13并在该模具内注入软化了的树脂类材料而形成。接着，关于半导体存储装置10的制造工序进行说明。图7是用于说明半导体存储装置10的制造工序的流程图。图8 图13是用于说明半导体存储装置10的制造工序的图。首先，将有机基板11单片化(步骤Si)。有机基板11的单片化，由于通过使用了切割刀片(dicing blate)(没有图示)的一般的工序进行即可，所以省略详细的说明。接着，在引线框架13的基板粘接部22涂敷粘接剂30 (步骤S2，也参照图8)。作为粘接剂30， 例如使用一般的以聚酰亚胺树脂、环氧树脂、丙烯酸树脂等为主成分的热固化性或光固化性的贴装薄膜(粘接剂薄膜)或者液状材料。另外，在载置部21与有机基板11重叠的部分也涂敷粘接剂30。在此，能够省略在载置部21与有机基板11重叠的部分所涂敷的粘接剂30接着，使有机基板11的上面lib粘接于涂敷有粘接剂30的基板粘接部22 (步骤 S3，也参照图9)。接着，在有机基板11的上面lib安装控制器芯片16和电子部件17(步骤 S4，也参照图10)。接着，在载置部21经由粘接材料25粘接半导体存储器芯片15，进而再在其上粘接半导体存储器芯片15而使半导体存储器芯片15层叠(步骤S5，也参照图11)。接着，用金属线27J8将半导体存储器芯片15的电极焊盘与有机基板11的连接焊盘以及控制器芯片16的电极焊盘与有机基板11的连接焊盘引线接合(步骤S6，也参照图12)。接着，用树脂类材料封装有机基板11的上面lib和引线框架13的两面，形成树脂模制部18，并切除余留部13a(步骤S7，也参照图13)。另外，在图13中，为了方便说明也示出了由于被树脂模制部18所覆盖而实际上无法观察到的内部的结构(半导体存储器芯片 15等)。通过上述一系列的工序，制造出半导体存储装置10。在这样的实施方式1中，由于有机基板11被单片化为在俯视半导体存储装置10 的内部结构的情况下、与载置部21几乎不重叠的形状，所以有机基板11变得小型，能够大幅抑制有机基板11的使用量。由此，能够实现半导体存储装置10的制造成本的抑制。另外，也可以通过将有机基板11单片化为与设置外部连接端子19的区域S(参照图幻大致相同的俯视形状，来实现有机基板11的进一步小型化。此外，半导体存储装置10的作为输入输出端子的外部连接端子19，如图2等所示， 位于半导体存储装置10的插入方向侧。设置于外部设备的插槽内而与外部连接端子19接触的端子，也相对于插入于插槽的半导体存储装置10位于插入方向侧。在第1实施方式中，基板粘接部22以不到达树脂模制部18的插入方向侧的面18a的长度形成，并且延伸部 13b也不朝向插入方向侧的面18a形成。S卩，引线框架13的一部分不露出于插入方向侧的面18a。从而，能够抑制引线框架13的一部分与设置于插槽内的端子相接触的情况，抑制短路的发生。此夕卜，因为树脂模制部18的插入方向侧的面18a为将半导体存储装置10插入于外部设备的插槽时的前进方向前面，所以插入方向侧的面18a也容易与外部设备自身等相接触。如上所述，因为引线框架13的一部分并不露出于插入方向侧的面18a，所以在将半导体存储装置10插入于外部设备的插槽时，能够抑制引线框架13的一部分接触于外部设备的一部分，抑制短路的发生。此外，在形成树脂模制部18的工序中，通过使形成于载置部21等的连结部23被模具所夹持，来保持引线框架13。通过用模具夹持连结部^3，容易使载置部21在模具内保持于适合的位置。在对模具注入了树脂类材料时，如果引线框架13由于该注入压力而移动，则半导体存储器芯片15会从树脂模制部18露出，但本实施方式能够抑制这样的问题的发生，实现成品率的提高。尤其是，通过除了连接部23c之外还具有延伸于面18c的连接部23，能够稳定地固定引线框架13。此外，通过除了连接部23c之外，还具有相对于连接部 23c相邻于面18c侧的连结部23-1 (参照图10)，能够稳定地固定引线框架13。另外，连结部23-1所包含的延伸部1 成为第3延伸部。此外，由于在俯视下的半导体存储装置10的4面之中的至少1面，以朝向该1面延伸的方式设置有2个以上的连结部23，所以能够进一步提高由上述的模具形成的对引线框架13的保持力。另外，连结部23 (23c)也以从基板粘接部22延伸的方式形成。因此，由于与上述同样的理由，形成树脂模制部18的工序中的、由模具形成的对基板粘接部22的保持力增加。 在此，在半导体存储装置10中，使有机基板11的底面Ila露出。因此，在形成树脂模制部 18的工序中，需要通过使有机基板11的底面Ila与模具紧密附着，来防止树脂浸入到底面 Ila与模具的间隙。例如，如果引线框架13、尤其是基板粘接部22在有机基板11从模具分离的方向变形，则会在有机基板11的底面Ila与模具之间出现间隙，树脂容易侵入。如果由侵入到底面Ila与模具的间隙的树脂覆盖外部连接端子19，则存在会引起与外部设备的接触不良、 产生切除飞边这样的多余的时间和劳力的问题。另一方面，在第1实施方式中，由于通过从基板粘接部22延伸的连结部23c (延伸部13b)，能够提高由模具形成的对基板粘接部22的保持力，所以能够抑制引线框架13的变形、尤其是基板粘接部22的变形，容易使有机基板 11可靠地紧密附着于模具。由此，能够抑制树脂侵入到基板11的底面Ila与模具的间隙的情况，实现成品率的提高和/或制造成本的抑制。另外，如上所述，因为形成于基板粘接部 22的连结部23c(延伸部13b)并不露出于插入方向侧的面18a，所以也能够抑制短路的发生。此外，以使基板粘接部22从两端的面18b延伸的方式形成连结部23c。其结果，能够进一步增加由模具形成的对基板粘接部22的保持力。另外，由于连结部23形成为，与其靠载置部21和/或基板粘接部22侧的根基部相比，其与半导体存储装置10的外部的边界部分这一方俯视变细，所以在切除余留部23a时，能够减小连结部23的切断面积。因此，能够抑制切断连结部23的工具的磨损，实现工具的长寿命化。另外，由于连结部23的根基部，比连结部与半导体存储装置10的外部的边界部分粗，所以能够抑制连结部23的强度降低。由此，能够抑制由上述的模具形成的对引线框架13的保持力降低的情况。另外，通过使引线框架13与有机基板11接触，来确定有机基板11与载置部21的相对的位置关系。通过使引线框架13与有机基板11接触，能够使半导体存储器芯片15与有机基板11的位置偏离变小，能够抑制引线接合工序中的施工不良而抑制成品率的降低。 另外，由于有机基板11与引线框架13最终由树脂模制部18封装，所以对于有机基板11与引线框架13的粘接，不要求高的可靠性，只要直至树脂模制部18的形成工序为止维持两者的粘接即可。即，能够仅在载置部21和基板粘接部22涂敷粘接剂30，而省略在载置部21 与有机基板11相重叠的部分涂敷的粘接剂30。例如，在载置部21与有机基板11相重叠的部分小等情况下，能够防止粘接部30从载置部21与有机基板11相重叠的部分溢出的情况。另外，位于引线框架13的大致中央部、从载置部21与有机基板11相重叠的部分朝向树脂模制部18的外部延伸的连结部23-1 (也参照图10)，也与有机基板11重叠。其结果，能够增加引线框架13与有机基板11接触的面积。因此，半导体存储器芯片15与有机基板11的位置偏离减小，能够抑制引线接合工序中的施工不良而抑制成品率的降低。控制器芯片16，与半导体存储器芯片15相比，所形成的电极焊盘的数量容易变多。另外，控制器芯片16与半导体存储器芯片15相比，从上面所见的俯视形状容易形成得小。因此，用于引线接合控制芯片16的电极焊盘和/或连接焊盘，与用于引线接合半导体存储器芯片15的电极焊盘和/或连接焊盘相比，密集地形成。在第1实施方式中，由于将控制器芯片16安装在有机基板11上而非引线框架13上，所以即使在电极焊盘和/或连接焊盘密集地形成的条件下，也能够可靠地进行引线接合。另一方面，用于进行半导体存储器芯片15的引线接合的电极焊盘和/或连接焊盘其间隔比较宽阔。因此，半导体存储器芯片 15的引线接合比较容易，通过将半导体存储器芯片15安装于引线框架13上，即使相互之间的距离稍微分离也能够进行引线接合。另外，由于将控制器芯片16和/或电子部件17安装于有机基板11的上面11b，所以能够使有机基板11的底面Ila侧、即形成有外部连接端子19的一侧变得大致平坦。由此，能够有助于半导体存储装置10的小型化。另外，通过减少半导体存储装置10的外周面的凹凸，能够有助于实现半导体存储装置10向电子设备的顺畅的插入、从电子设备的拔
出ο另外，通过使有机基板11的俯视形状小型化，能够抑制由在电子部件17的安装工序等中对有机基板11施加的热而引起的有机基板11的变形。如上所述，有机基板11为多层结构，存在按各层所使用的材料不同的情况。由于按各层所使用的材料不同，所以线膨胀系数也按各层而不同，所以容易产生由受热历程引起的变形。在此，通过使有机基板11的俯视形状小型化，能够使有机基板11占半导体存储装置10整体的比例变小，使半导体存储装置10整体的变形难以产生。另外，载置部21与有机基板10的相对的位置关系的确定，不限于通过引线框架13 的粘接来进行的情况。例如，也可以由用于形成树脂模制部18的模具分别固定有机基板11和引线框架13。通过使有机基板11和引线框架13固定于模具，来确定相互的相对位置关系。另外，在第1实施方式中，举出在载置部21上层叠多个半导体存储器芯片15的例子而进行了说明，但是并不限于此，也可以仅使1块半导体存储器芯片15粘接于载置部21 上而构成半导体存储装置10。另外，半导体存储器芯片10的制造工序不限于由图7的流程图所示的情况。例如， 也可以在将有机基板11粘接于引线框架13之前，使控制器芯片16和电子部件17安装于有机基板11。另外，也可以在将有机基板11单片化之前，使控制器芯片16和电子部件安装于有机基板11。另外，第1实施方式所涉及的半导体存储装置10也可以应用于微SD卡(注册商标)。此外，并不限定于微SD卡，而能够应用于具备半导体存储器芯片而构成的各种存储装置。此外，在第1实施方式中，连结部23的个数分别在面18b配置有3个，在面18c配置有2个，但是并不限于该个数。只要至少根据本实施方式，至少具有形成于基板粘接部22 且延伸于面18b的连结部23c即可。进一步的效果和/或变形例，能够由本领域技术人员容易推导出。因此，本发明的更为广泛的方式，不限定于以上所表示且记述的特定的详细的以及代表性的实施方式。因此，可以不脱离由所附权利要求及其均等物所定义的概括性的发明的概念的精神或范围， 而实现各种变形。
权利要求
1.一种半导体存储装置，其能够插入于外部设备，其特征在于，具备 有机基板，其在一个面设置有外部连接端子；引线框架，其具有载置部及粘接部，所述载置部载置半导体存储器芯片，所述粘接部以从前述载置部朝向对前述外部设备的插入方向侧延伸的方式形成并且粘接于前述有机基板的另一个面；半导体存储器芯片，其载置于前述载置部；以及树脂模制部，其使前述外部连接端子露出而封装前述有机基板、前述引线框架及前述半导体存储器芯片，并且其俯视基本呈方形形状；其中，前述有机基板被单片化为在粘接于前述粘接部的状态下、俯视前述有机基板与前述载置部不重叠的部分这一方比前述有机基板与前述载置部重叠的部分大的形状；前述粘接部在前述插入方向的端部形成于前述树脂模制部内，前述引线框架在前述粘接部中，进一步具有第1延伸部，该第1延伸部延伸至前述树脂模制部的与前述插入方向侧的面不同的面。
2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于前述延伸部，与其靠前述载置部或前述粘接部侧的根基部分相比，其与前述树脂模制部的外部的边界部分这一方俯视形成得细。
3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于在前述引线框架，以朝向前述树脂模制部的与前述插入方向相对向的面而延伸的方式形成有第2延伸部。
4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于 前述有机基板的一部分与前述载置部的一部分俯视重叠。
5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于 前述第1延伸部形成有多个；各个前述第1延伸部延伸于与前述插入方向侧的面不同的面两面； 该半导体存储装置具有第3延伸部，该第3延伸部相对于前述第1延伸部相邻于与前述插入方向相对向的面侧；前述第3延伸部与前述有机基板接触。
6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，还具备 搭载于前述有机基板的另一个面的控制器芯片。
7.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其特征在于 在前述有机基板形成有内部布线；前述内部布线与前述半导体存储器芯片之间以及前述内部布线与前述控制器芯片之间用接合引线连接，前述控制器芯片与前述半导体存储器芯片经由前述内部布线电连接。
8.根据权利要求7所述的半导体存储装置，其特征在于 在前述有机基板形成有内部布线；前述控制器芯片与前述外部连接端子经由前述内部布线电连接。
9.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，还具备 搭载于前述有机基板的另一个面的电子部件。
10.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于前述半导体存储器芯片为NAND型闪速存储器。
11.一种半导体存储装置的制造方法，其特征在于，包括将在一个面形成有外部连接端子的有机基板单片化为前述有机基板与载置部不重叠的部分这一方比前述有机基板与前述载置部重叠的部分大的俯视形状，所述载置部形成于引线框架而载置半导体存储器芯片；前述引线框架具有从前述载置部延伸的粘接部，将前述粘接部粘接于前述有机基板的另一个面；形成使前述外部连接端子露出而封装前述有机基板、前述引线框架以及前述半导体存储器芯片的树脂模制部；前述粘接部在前述插入方向的端部形成于前述树脂模制部内，在前述引线框架，在前述粘接部中，形成有第1延伸部，该第1延伸部延伸至前述树脂模制部的与前述插入方向侧的面不同的面。
12.根据权利要求11所述的半导体存储装置的制造方法，其特征在于，包括 在前述有机基板的另一个面安装控制器芯片。
13.根据权利要求12所述的半导体存储装置的制造方法，其特征在于，包括 在前述有机基板形成内部布线；用接合引线连接前述内部布线与控制器芯片，用接合引线连接前述内部布线与前述半导体存储器芯片，经由前述内部布线将前述控制器芯片与前述半导体存储器芯片电连接。
14.根据权利要求12所述的半导体存储装置的制造方法，其特征在于，包括 在前述有机基板形成与前述外部连接端子电连接的内部布线；用接合引线连接前述控制器芯片与前述内部布线，经由前述内部布线与前述外部连接端子电连接。
15.根据权利要求11所述的半导体存储装置的制造方法，其特征在于，包括 在前述有机基板的另一个面安装电子部件。
16.根据权利要求11所述的半导体存储装置的制造方法，其特征在于 前述半导体存储器芯片为NAND型闪速存储器。
全文摘要
本发明涉及半导体存储装置及其制造方法。根据实施方式，半导体存储装置(10)具备有机基板(11)、半导体存储器芯片(15)、引线框架(13)和树脂模制部(18)。引线框架(13)具有粘接部(22)。有机基板单片化为，俯视有机基板与载置部不重叠的部分这一方比重叠的部分大的形状。引线框架在粘接部中，进一步具有第1延伸部(13b)，该第1延伸部延伸至树脂模制部的与插入方向侧的面不同的面。
文档编号H01L21/60GK102315225SQ201110178148
公开日2012年1月11日 申请日期2011年6月29日 优先权日2010年6月29日
发明者奥村尚久, 石井齐, 西山拓 申请人:株式会社东芝