一种有机电致发光器件及其制备方法
【专利摘要】本发明提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和复合阴极层，所述复合阴极层包括依次叠层设置的第一掺杂层和第二掺杂层，第一掺杂层的材料为金属酞菁化合物与铯盐形成的混合材料，所述金属酞菁化合物为酞菁铜、酞菁锌、酞菁钒或酞菁镁；所述铯盐为碳酸铯、氟化铯、叠氮铯或氯化铯；所述第二掺杂层的材料为金属氧化物与金属形成的混合材料，所述金属氧化物为三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒，所述金属为银、铝、铂或金。该有机电致发光器件的复合阴极层能使光进行散射，从而提高器件发光效率。本发明还提供了该有机电致发光器件的制备方法。
【专利说明】一种有机电致发光器件及其制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及有机电致发光器件，具体涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
【背景技术】
[0002] 1987年，美国Eastman Kodak公司的C. W. Tang和VanSlyke报道了有机电致发光 研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度，高效率的双层有机电致发光器 件（0LED)。在该双层结构的器件中，10V下亮度达到lOOOcd/m 2,其发光效率为1. 511m/W、寿 命大于100小时。
[0003] 在传统的发光器件中，器件内部的光只有18%左右是可以发射到器件外部，而其 他的部分会以其他形式消耗在器件外部，这是由于界面之间存在折射率的差(如玻璃与ΙΤ0 之间的折射率之差，玻璃折射率为1. 5, ΙΤ0为1. 8,光从ΙΤ0到达玻璃，就会发生全反射)， 引起了全反射的损失，从而导致发光器件的整体出光性能较低。
【发明内容】
[0004] 为克服上述现有技术的缺陷，本发明提供了一种有机电致发光器件及其制备方 法。通过在电子注入层上制备复合阴极层，提高了有机电致发光器件的发光效率。
[0005] -方面，本发明提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极基板、空 穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和复合阴极层，所述复合阴极层包 括依次叠层设置的第一掺杂层和第二掺杂层，
[0006] 所述第一掺杂层的材料为金属酞菁化合物与铯盐形成的混合材料，所述金属酞菁 化合物为酞菁铜（CuPc)、酞菁锌（ZnPc)、酞菁f凡（VPc)或酞菁镁（MgPc);所述铯盐为碳酸铯 (〇82〇)3)、氟化铯（〇8?)、叠氮铯（〇8队）或氯化铯（〇8(：1);
[0007] 所述第二掺杂层的材料为金属氧化物与金属形成的混合材料，所述金属氧化物为 三氧化钥（M〇0 3)、三氧化鹤（W03)或五氧化二f凡（V205),所述金属为银（Ag)、错（A1)、钼（Pt) 或金（Au)。
[0008] 优选地，所述第一掺杂层中，所述金属酞菁化合物与铯盐的质量比为1:0. 2? 0· 8。
[0009] 优选地，所述第二掺杂层中，所述金属氧化物与金属的质量比为0. 1?0. 5:1。
[0010] 优选地，所述第一掺杂层的厚度为20?100nm。
[0011] 优选地，所述第二掺杂层的厚度为200?500nm。
[0012] 复合阴极层包括依次叠层设置的第一掺杂层和第二掺杂层。在电子注入层之上制 备金属酞菁化合物与铯盐的第一掺杂层，由于金属酞菁化合物易结晶，通过结晶，可使形成 的表面不再是平整的表面，而是带有一定形状的波纹状结构，这种结构可改变光的折射角， 使光进行散射，减少向器件两侧发射的光，同时可使后制备上去的功能层可保持波纹状结 构，有利于光散射，而掺杂的金属铯盐材料，可提高光的透过率，有利于光经过散射透过结 晶层，高温下易分解，且与电子注入层为同类型材料，消除了两层之间的界面势垒，对电子 注入不存在阻碍；再在第一掺杂层上制备由金属氧化物与金属形成的第二掺杂层，金属主 要是增强器件的导电性，降低接触电阻，对散射的光进行反射，使其回到底部出射，而掺杂 客体金属氧化物为常用的空穴注入金属氧化物材料，这种材料成膜温度低，容易成膜，可降 低金属掺杂层的粗糙度，这种复合阴极层可有效提高发光效率。
[0013] 导电阳极基板可以为导电玻璃基板或导电有机聚对苯二甲酸乙二醇酯基板。优 选地，导电阳极基板为铟锡氧化物玻璃（ΙΤ0)、铝锌氧化物玻璃（ΑΖ0)或铟锌氧化物玻璃 (ΙΖ0)。更优选地，导电阳极基板为铟锡氧化物玻璃。
[0014] 空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层和发光层的材质不作具体限 定，本领域现有材料均适用于本发明。
[0015] 优选地，空穴注入层的材质为三氧化钥（M〇03)、三氧化钨（W03)或五氧化二钒 (V 2〇5)，空穴注入层的厚度为20?80nm。
[0016] 更优选地，空穴注入层的材质为三氧化钥（M〇03)，厚度为40nm。
[0017] 优选地，空穴传输层的材质为1，1-二[4-[N，f -二（p-甲苯基）氨基]苯基] 环己烷（了六?〇、4,4'，4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（1'0^)或1^-(1-萘基），4'-二 苯基-4, 4' -联苯二胺（NPB)，厚度为20?60nm。
[0018] 更优选地，空穴传输层的材质为Ν，Ν' - (1-萘基）-Ν，Ν' -二苯基-4, 4' -联苯二 胺（ΝΡΒ)，厚度为50nm。
[0019] 优选地，发光层的发光材料为4-(二腈甲基)-2-丁基-6-( 1，1，7, 7-四甲基久洛呢 啶-9-乙烯基)-4H-吡喃（DCJTB)、9, 10-二-β -亚萘基蒽（ADN)、4, 4' -双（9-乙基-3-咔 唑乙烯基）-1，Γ -联苯（BCzVBi )或8-羟基喹啉铝（Alq3)，厚度为5?40nm。
[0020] 更优选地，发光层的发光材料为4, 4' -双（9-乙基-3-咔唑乙烯基）-1，Γ -联苯 (BCzVBi)，厚度为 30nm。
[0021] 优选地，电子传输层的材料为4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)、l，2, 4-三唑衍 生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑（TPBI)，厚度为40?300nm。
[0022] 更优选地，电子传输层的材料为N-芳基苯并咪唑（TPBI)，厚度为200nm。
[0023] 优选地，电子注入层的材料为碳酸铯（Cs2C03)、氟化铯（CsF)、叠氮铯（CsN 3)或氟 化锂（LiF);厚度为0· 5?10nm。
[0024] 更优选地，电子注入层的材料为氟化锂（LiF)，厚度为lnm。
[0025] 另一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
[0026] 在导电阳极基板上依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子 注入层；
[0027] 在所述电子注入层上制备复合阴极层：先通过电子束蒸镀的方式在所述电子注入 层上依次制备第一掺杂层，再通过真空蒸镀的方式在所述第一掺杂层上制备第二掺杂层， 得到有机电致发光器件；
[0028] 所述第一掺杂层的材料为金属酞菁化合物与铯盐形成的混合材料，所述金属酞菁 化合物为酞菁铜、酞菁锌、酞菁钒或酞菁镁；所述铯盐为碳酸铯（Cs 2C03)、氟化铯（CsF)、叠 氮铯（CsN3)或氯化铯（CsCl);
[0029] 所述第二掺杂层的材料为金属氧化物与金属形成的混合材料，所述金属氧化物为 三氧化钥（M〇0 3)、三氧化鹤（W03)或五氧化二fL (V205),所述金属为银、错、钼或金。
[0030] 所述电子束蒸镀的能量密度为10?loow/cm2,所述第一掺杂层的材料蒸镀速率为 1?lOnm/s ;所述真空蒸镀过程中，真空度为2X ΚΓ3?5X l(T5Pa，所述第二掺杂层材料蒸 镀速率为1?l〇nm/s。
[0031] 优选地，所述第一掺杂层中，所述金属酞菁化合物与铯盐的质量比为1:0. 2? 0· 8。
[0032] 优选地，所述第二掺杂层中，所述金属氧化物与金属的质量比为0. 1?0. 5:1。
[0033] 优选地，所述第一掺杂层的厚度为20?100nm。
[0034] 优选地，所述第二掺杂层的厚度为200?500nm。
[0035] 导电阳极基板可以为导电玻璃基板或导电有机聚对苯二甲酸乙二醇酯基板。优 选地，导电阳极基板为铟锡氧化物玻璃（ΙΤ0)、铝锌氧化物玻璃（ΑΖ0)或铟锌氧化物玻璃 (ΙΖ0)。更优选地，导电阳极基板为铟锡氧化物玻璃。
[0036] 优选地，将阳极基板进行如下清洁处理：依次采用洗洁精、去离子水各超声清洗 15分钟，然后再用烘箱烘干待用。
[0037] 空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层和发光层的材质不作具体限 定，本领域现有材料均适用于本发明。空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层和 发光层均可采用真空蒸镀的方式制备，其具体操作条件不作特殊限定。
[0038] 优选地，真空蒸镀的温度为100?500°C，真空度为1ΧΚΓ3?lXl(T 5Pa。
[0039] 优选地，空穴注入层的材质为三氧化钥（M〇03)、三氧化钨（W03)或五氧化二钒 (V 2〇5)，空穴注入层的厚度为20?80nm。
[0040] 更优选地，空穴注入层的材质为五氧化二钒（V205)，厚度为60nm。
[0041] 优选地，空穴传输层的材质为1，1-二[4-[N，f -二（p-甲苯基）氨基]苯基] 环己烷（了六?〇、4,4'，4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（1'0^)或1^-(1-萘基），4'-二 苯基-4, 4' -联苯二胺（NPB)，厚度为20?60nm。
[0042] 更优选地，空穴传输层的材质为Ν，Ν' - (1-萘基）-N，Ν' -二苯基-4, 4' -联苯二 胺（ΝΡΒ)，厚度为50nm。
[0043] 优选地，发光层的发光材料为4_(二腈甲基)-2- 丁基-6-( 1，1，7, 7-四甲基久洛呢 啶-9-乙烯基)-4H-吡喃（DCJTB)、9, 10-二-β -亚萘基蒽（ADN)、4, 4' -双（9-乙基-3-咔 唑乙烯基）-1，Γ -联苯（BCzVBi )或8-羟基喹啉铝（Alq3)，厚度为5?40nm。
[0044] 更优选地，发光层的发光材料为4, 4' -双（9-乙基-3-咔唑乙烯基）_1，Γ -联苯 (BCzVBi)，厚度为 30nm。
[0045] 优选地，电子传输层的材料为4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)、l，2, 4-三唑衍 生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑（TPBI)，厚度为40?300nm。
[0046] 更优选地，电子传输层的材料为4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)，厚度为 250nm〇
[0047] 优选地，电子注入层的材料为碳酸铯（Cs2C03)、氟化铯（CsF)、叠氮铯（CsN 3)或氟 化锂（LiF);厚度为0· 5?10nm。
[0048] 更优选地，电子注入层的材料为氟化锂（LiF)，厚度为lnm。
[0049] 本发明提供了一种有机电致发光器件及其制备方法具有以下有益效果：
[0050] (1)本发明提供的有机电致发光器件，具有复合阴极层结构，复合阴极层包括依次 叠层设置的第一掺杂层和第二掺杂层，第一掺杂层的金属酞菁化合物易结晶，可使表面形 成带有一定形状的波纹状结构，从而改变光的折射角，使光进行散射，同时可使后制备上去 的功能层也能保持颗粒状结构，有利于光散射；金属铯盐可提高光的透过率，消除了与电子 注入层之间的界面势垒；第二掺杂层的金属可增强器件的导电性，降低接触电阻，对散射的 光进行反射，使其回到底部出射，金属氧化物成膜温度低，容易成膜，可降低第二掺杂层的 粗糙度，这种复合阴极层最终可有效提高发光效率；
[0051] (2)本发明有机电致发光器件的制备工艺简单，易大面积制备，适于工业化大规模 使用。
【专利附图】
【附图说明】
[0052] 图1是本发明实施例1制得的有机电致发光器件的结构示意图；
[0053] 图2是本发明实施例1与对比实施例制备的有机电致发光器件的电流密度与流明 效率的关系图。
【具体实施方式】
[0054] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完 整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于 本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他 实施例，都属于本发明保护的范围。
[0055] 实施例1
[0056] -种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
[0057] (1)将玻璃基底依次用洗洁精，去离子水，超声15min，去除玻璃表面的有机污染 物；
[0058] (2)采用真空蒸镀的方法在ΙΤ0玻璃基板上依次制备空穴注入层、空穴传输层、发 光层、电子传输层和电子注入层；
[0059] 空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层的蒸镀为真空蒸镀， 蒸镀温度为400°C，真空度为lX10_ 5Pa。其中，空穴注入层的材质为V205，厚度为60nm;空 穴传输层的材质为NPB，厚度为50nm ;发光层的材质为BCzVBi，发光层厚度为30nm ;电子传 输层的材料为Bphen，厚度为250nm ;电子注入层的材料为LiF，厚度为lnm。
[0060] (3)在电子注入层上制备复合阴极层，得到有机电致发光器件；复合阴极层包括依 次层叠的第一掺杂层和第二掺杂层；
[0061] 复合阴极层的制备：先采用电子束蒸镀的方式在电子注入层上制备一层厚度为 50nm的第一掺杂层，材料为CuPc与Cs 2C03形成的混合材料(表示为CuPc:Cs2C03)，CuPc与 Cs 2C03的质量比为1:0. 5,蒸镀速率为3nm/s，电子束蒸镀的能量密度为30W/cm2 ;再采用真 空蒸镀的方式在第一掺杂层上制备一层厚度为250nm的第二掺杂层，材料为M〇03与Ag形 成的混合材料(表示为M 〇03:Ag)，M〇03与Ag的质量比为0. 1: 1，蒸镀速率为3nm/s，真空蒸镀 过程的真空度为8X10_5Pa。
[0062] 图1是本发明实施例1制得的有机电致发光器件的结构示意图。如图1所示，本实 施例有机电致发光器件，依次包括ΙΤ0玻璃基板1、空穴注入层2、空穴传输层3、发光层4、 电子传输层5、电子注入层6和复合阴极层7。所述复合阴极层7依次包括一层厚度为50nm 的第一掺杂层71和一层厚度为250nm的第二掺杂层72。该有机电致发光器件的结构为： ITO 玻璃 /V205/TCTA/BCzVBi/Bphen/LiF/CuPc: Cs2C03 (1: 0· 5) /M〇03: Ag (0· 1:1)，其中，斜杠 "/"表不层状结构，Mo03:Ag中的冒号"："表不混合，0. 1:1表不前者和后者的质量比，后面 实施例中各个符合表不的意义相同。
[0063] 实施例2
[0064] 一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
[0065] (1)将玻璃基底依次用洗洁精，去离子水，超声15min，去除玻璃表面的有机污染 物；
[0066] (2)采用真空蒸镀的方法在ΑΖ0玻璃基板上依次制备空穴注入层、空穴传输层、发 光层、电子传输层和电子注入层；
[0067] 空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层的蒸镀为真空蒸镀， 蒸镀温度为400°C，真空度为1 X 10_5Pa。其中，空穴注入层的材质为W03，厚度为80nm ;空穴 传输层的材质为TCTA，厚度为60nm ;发光层的材质为ADN，厚度为5nm ;电子传输层的材料 为TAZ，厚度为200nm ;电子注入层的材料为CsN3，厚度为10nm。
[0068] (3)在电子注入层上制备复合阴极层，得到有机电致发光器件；复合阴极层包括依 次层叠的第一掺杂层和第二掺杂层；
[0069] 复合阴极层的制备：先采用电子束蒸镀的方式在电子注入层上制备一层厚度为 lOOnm的第一掺杂层，材料为MgPc与CsF形成的混合材料(表不为MgPc:CsF)，MgPc与CsF 的质量比为1:〇.8，蒸镀速率为1〇11111/8，电子束蒸镀的能量密度为101/(^2;再采用真空蒸 镀的方式在第一掺杂层上制备一层厚度为500nm的第二掺杂层，材料为W0 3与A1形成的混 合材料(表示为冊3^1)，103与八1的质量比为0. 1:1，蒸镀速率为lOnm/s，真空蒸镀过程的 真空度为2Xl(T3Pa。
[0070] 本实施例提供的有机电致发光器件的结构为：ΑΖ0玻璃/W03/TCTA/ADN/TAZ/CsN 3/ MgPc:CsF(l:0. 8)/ff〇3：Al(0. 1:1) 〇
[0071] 实施例3
[0072] -种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
[0073] (1)将玻璃基底依次用洗洁精，去离子水，超声15min，去除玻璃表面的有机污染 物；
[0074] (2)采用真空蒸镀的方法在IZ0玻璃基板上依次制备空穴注入层、空穴传输层、发 光层、电子传输层和电子注入层；
[0075] 空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层的蒸镀为真空蒸镀， 蒸镀温度为400°C，真空度为lX10_ 5Pa。其中，空穴注入层的材质为V205，厚度为20nm;空 穴传输层的材质为TCTA，厚度为30nm ;发光层的材质为Alq3，厚度为40nm ;电子传输层的材 料为Bphen，厚度为60nm ;电子注入层的材料为CsF，厚度为0· 5nm。
[0076] (3)在电子注入层上制备复合阴极层，得到有机电致发光器件；复合阴极层包括依 次层叠的第一掺杂层和第二掺杂层；
[0077] 复合阴极层的制备：先采用电子束蒸镀的方式在电子注入层上制备一层厚度为 20nm的第一掺杂层，材料为ZnPc与CsN3形成的混合材料(表示为ZnPc:CsN 3)，ZnPc与CsN3 的质量比为1:0. 2,蒸镀速率为lnm/s，电子束蒸镀的能量密度为lOOW/cm2 ;再采用真空蒸 镀的方式在第一掺杂层上制备一层厚度为200nm的第二掺杂层，材料为V205与Pt形成的混 合材料(表示为V 205:Pt)，V205与Pt的质量比为0. 5:1，蒸镀速率为lnm/s，真空蒸镀过程的 真空度为5X10_5Pa。
[0078] 本实施例提供的有机电致发光器件的结构为：ΙΖ0玻璃/V205/TCTA/Alq 3/Bphen/ CsF/ZnPc: CsN3 (1:0. 2) /V205: Pt (0. 5:1) 〇
[0079] 实施例4
[0080] 一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
[0081] (1)将玻璃基底依次用洗洁精，去离子水，超声15min，去除玻璃表面的有机污染 物；
[0082] (2)采用真空蒸镀的方法在ΙΖ0玻璃基板上依次制备空穴注入层、空穴传输层、发 光层、电子传输层和电子注入层；
[0083] 空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层的蒸镀为真空蒸镀， 蒸镀温度为400°C，真空度为lX10_5Pa。其中，空穴注入层的材质为M〇03，厚度为30nm;空 穴传输层的材质为TAPC，厚度为50nm ;发光层的材质为DCJTB，厚度为5nm ;电子传输层的 材料为TPBi，厚度为40nm ;电子注入层的材料为Cs2C03，厚度为lnm。
[0084] (3)在电子注入层上制备复合阴极层，得到有机电致发光器件；复合阴极层包括依 次层叠的第一掺杂层和第二掺杂层；
[0085] 复合阴极层的制备：先采用电子束蒸镀的方式在电子注入层上制备一层厚度为 80nm的第一掺杂层，材料为VPc与CsCl形成的混合材料(表示为VPc: CsCl )，VPc与CsCl的 质量比为1:0. 3,蒸镀速率为5nm/s，电子束蒸镀的能量密度为80W/cm2 ;再采用真空蒸镀的 方式在第一掺杂层上制备一层厚度为350nm的第二掺杂层，材料为W03与Au形成的混合材 料(表示为W0 3:Au)，W03与Au的质量比为0. 2:1，蒸镀速率为5nm/s，真空蒸镀过程的真空度 为 5Xl(T4Pa。
[0086] 本实施例提供的有机电致发光器件的结构为：ΙΖ0玻璃/M〇03/TAPC/DCJTB/TPBi/ Cs 2C03/VPc: CsCl (1:0. 3)/W03:Au (0. 2:1) 〇
[0087] 对比实施例
[0088] 为体现本发明的创造性，本发明还设置了对比实施例，对比实施例与实施例1的 区别在于对比实施例中的阴极为金属单质银(Ag)，厚度为150nm，对比实施例有机电致发 光器件的具体结构为ΙΤ0玻璃/V 205/TCTA/BCzVBi/Bphen/LiF/Ag，分别对应导电阳极玻璃 基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。
[0089] 采用美国海洋光学Ocean Optics的USB4000光纤光谱仪测试电致发光光谱，美国 吉时利公司的电流-电压测试仪Keithley2400测试电学性能，日本柯尼卡美能达公司的 CS-100A色度计测试亮度和色度，得到有机电致发光器件流明效率随电流密度变化曲线，以 考察器件的发光效率，测试对象为实施例1与对比实施例制备的有机电致发光器件。测试 结果如图2所示。
[0090] 图2是实施例1的与对比实施例制备的有机电致发光器件的电流密度与流明效率 的关系图。其中，曲线1为实施例1制备的有机电致发光器件的电流密度与流明效率的关 系图；曲线2为对比实施例制备的有机电致发光器件的电流密度与流明效率的关系图。从 图2中可以看到，在不同电流密度下，实施例1制备的有机电致发光器件的流明效率都比 对比实施例的要大，实施例1制备的有机电致发光器件的最大的流明效率为10. 861m/w，而 对比实施例的仅为6. 151m/W。这说明，实施例1制备的有机电致发光器件的复合阴极层结 构，第一掺杂层的金属酞菁化合物易结晶，可使表面形成带有一定形状的波纹状结构，从而 改变光的折射角，使光进行散射，同时可使后制备上去的功能层也能保持颗粒状结构，有利 于光散射；金属铯盐可提高光的透过率，消除了与电子注入层之间的界面势垒；第二掺杂 层的金属可增强器件的导电性，降低接触电阻，对散射的光进行反射，使其回到底部出射， 金属氧化物成膜温度低，容易成膜，可降低第二掺杂层的粗糙度，这种复合阴极层最终可有 效提高发光效率。
[0091] 以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本【技术领域】的普通技术人员 来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为 本发明的保护范围。
【权利要求】
1. 一种有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极基板、空穴注入层、空穴传输层、 发光层、电子传输层、电子注入层和复合阴极层，其特征在于，所述复合阴极层包括依次叠 层设置的第一掺杂层和第二掺杂层， 所述第一掺杂层的材料为金属酞菁化合物与铯盐形成的混合材料，所述金属酞菁化合 物为酞菁铜、酞菁锌、酞菁钒或酞菁镁；所述铯盐为碳酸铯、氟化铯、叠氮铯或氯化铯； 所述第二掺杂层的材料为金属氧化物与金属形成的混合材料，所述金属氧化物为三氧 化钥、三氧化钨或五氧化二钒，所述金属为银、铝、钼或金。
2. 如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一掺杂层中，所述金属 酞菁化合物与铯盐的质量比为1:0. 2?0. 8。
3. 如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第二掺杂层中，所述金属 氧化物与金属的质量比为0. 1?0. 5:1。
4. 如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第一掺杂层的厚度为 20 ?100nm〇
5. 如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第二掺杂层的厚度为 200 ?500nm。
6. -种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 在导电阳极基板上依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入 层； 在所述电子注入层上制备复合阴极层：先通过电子束蒸镀的方式在所述电子注入层上 依次制备第一掺杂层，再通过真空蒸镀的方式在所述第一掺杂层上制备第二掺杂层，得到 有机电致发光器件； 所述第一掺杂层的材料为金属酞菁化合物与铯盐形成的混合材料，所述金属酞菁化合 物为酞菁铜、酞菁锌、酞菁钒或酞菁镁；所述铯盐为碳酸铯、氟化铯、叠氮铯或氯化铯； 所述第二掺杂层的材料为金属氧化物与金属形成的混合材料，所述金属氧化物为三氧 化钥、三氧化钨或五氧化二钒，所述金属为银、铝、钼或金。 所述电子束蒸镀的能量密度为10?l〇〇W/cm2,所述第一掺杂层的材料蒸镀速率为1? l〇nm/S ;所述真空蒸镀过程中，真空度为2X ΚΓ3?5X l(T5Pa，所述第二掺杂层材料蒸镀速 率为1?10nm/s。
7. 如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述第一掺杂层 中，所述金属酞菁化合物与铯盐的质量比为1:0. 2?0. 8。
8. 如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述第二掺杂层 中，所述金属氧化物与金属的质量比为〇. 1?0.5:1。
9. 如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述第一掺杂层 的厚度为20?100nm。
10. 如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述第二掺杂层 的厚度为200?500nm。
【文档编号】H01L51/52GK104124350SQ201310143690
【公开日】2014年10月29日 申请日期:2013年4月24日 优先权日:2013年4月24日
【发明者】周明杰, 黄辉, 冯小明, 王平 申请人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司