一种有机电致发光器件及其制备方法
【专利摘要】本发明公开了一种有机电致发光器件及其制备方法，所述有机电致发光器件包括依次层叠的导电阳极玻璃基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和复合阴极，所述复合阴极由依次层叠的金属氧化物层、酞菁类金属化合物层和硅化合物掺杂层组成；所述金属氧化物层提高电子的注入能力；酞菁类金属化合物结晶后形成晶体结构，使原来平整的膜层呈现出波纹状的结构，减少向两侧发射的光；硅化合物掺杂层材质为硅化合物和金属单质形成的混合材料，硅化合物颗粒是微粒状，可形成排列有序的微球结构，再次对光进行散射，使光集中在中间出射；金属单质主要是对光进行反射，使光反射回到器件的底部，这种复合阴极可有效提高器件发光效率。
【专利说明】一种有机电致发光器件及其制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及有机电致发光领域，特别涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
【背景技术】
[0002] 1987年，美国Eastman Kodak公司的C. W. Tang和VanSlyke报道了有机电致发光 研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度，高效率的双层有机电致发光器 件（OLED)。10V下亮度达到1000cd/m 2,其发光效率为1. 511m/W，寿命大于100小时。
[0003] 0LED的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未 占有分子轨道（LUM0)，而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道（HOMO)。电子和空穴在 发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子 从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。
[0004] 在传统的发光器件中，器件内部的光只有18%左右是可以发射到外部去的，而其 他的部分会以其他形式消耗在器件外部，界面之间存在折射率的差(如玻璃与ΙΤ0之间的 折射率之差，玻璃折射率为1. 5, ΙΤ0为1. 8,光从ΙΤ0到达玻璃，就会发生全反射)，引起了 全反射的损失，从而导致整体出光性能较低。因此，有必要提高0LED的发光效率。
【发明内容】
[0005] 为解决上述技术问题，本发明提供了一种有机电致发光器件及其制备方法，所述 有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极玻璃基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、 电子传输层、电子注入层和复合阴极，所述复合阴极由依次层叠的金属氧化物层、酞菁类金 属化合物层和硅化合物掺杂层组成，本发明提高了器件的导电能力和发光效率。
[0006] 第一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极玻璃 基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和复合阴极，所述复合阴 极由依次层叠的金属氧化物层、酞菁类金属化合物层和硅化合物掺杂层组成，所述金属氧 化物层的材质为三氧化钥（M〇0 3)、三氧化钨（W03)和五氧化二钒（V205)中的一种，所述酞菁 类金属化合物层的材质为酞菁铜（CuPc)、酞菁锌（ZnPc)、酞菁镁（MgPc)和酞菁f凡（VPc)中 的一种；所述硅化合物掺杂层的材质为硅化合物和金属单质按质量比〇. 5:1?1:1混合形 成的混合材料，所述硅化合物为一氧化硅（SiO)、二氧化硅（Si02)和硅酸钠（Na 2Si03)中的 一种，所述金属单质为银（Ag)、铝（A1)、钼（Pt)和金（Au)中的一种。
[0007] 优选地，所述金属氧化物层的厚度为1?l〇nm。
[0008] 优选地，所述酞菁类金属化合物层的厚度为100?200nm。
[0009] 优选地，所述硅化合物掺杂层的厚度为300?500nm。
[0010] 优选地，所述导电阳极玻璃基底为铟锡氧化物玻璃（ΙΤ0)、铝锌氧化物玻璃（ΑΖ0) 和铟锌氧化物玻璃（ΙΖ0)中的一种，更优选为ΙΤ0。
[0011] 优选地，所述空穴注入层的材质为三氧化钥（m〇o3)、三氧化钨（wo3)和五氧化二钒 (ν 2〇5)中的一种，厚度为20?80nm。更优选地，所述空穴注入层的材质为M〇03，厚度为30nm。
[0012] 优选地，所述空穴传输层的材质为1，1-二[4-[Ν，Ν'-二（P-甲苯基）氨基]苯 基]环己烷（了4?〇、4,4'，4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（1'0^)和乂^-(1-萘基)，州'-二 苯基-4, 4' -联苯二胺（NPB)中的一种，所述空穴传输层的厚度为20?60nm，更优选地，所 述空穴传输层的材质为TCTA，厚度为30nm。
[0013] 优选地，所述发光层的材质为4-(二腈甲基)-2-丁基-6-( 1，1，7, 7-四甲基久洛呢 啶-9-乙烯基)-4H-吡喃（DCJTB)、9, 10-二-β -亚萘基蒽（ADN)、4, 4' -双（9-乙基-3-咔 唑乙烯基）-1，Γ -联苯（BCzVBi )和8-羟基喹啉铝（Alq3)中的一种，厚度为5?40nm，更 优选地，所述发光层的材质为Alq 3，厚度为20nm。
[0014] 优选地，所述的电子传输层的材质为4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)、3_(联 苯-4-基）-5- (4-叔丁基苯基）-4-苯基-4H-1, 2, 4-三唑（TAZ)和N-芳基苯并咪唑（TPBI) 中的一种，厚度为40?300nm，更优选地，所述电子传输层的材质为TAZ，厚度为170nm。
[0015] 优选地，所述电子注入层的材质为碳酸铯（Cs2C03)、氟化铯（CsF)、叠氮铯（CsN 3) 和氟化锂（LiF)中的一种，厚度为0. 5?10nm，更优选地，所述电子注入层的材质为LiF，厚 度为0. 7nm。
[0016] 所述复合阴极由依次层叠的金属氧化物层、酞菁类金属化合物层和硅化合物掺杂 层组成；金属氧化物层提高电子的注入能力，同时，成膜性好，蒸镀温度低，有利于商业化生 产；酞菁类金属化合物易结晶，结晶后形成有序的晶体结构，并使膜层表面形成波纹状结 构，使光进行散射，避免向器件两侧发射，提高出光效率；娃化合物掺杂层材质为娃化合物 掺杂金属单质形成的混合材料，硅化合物颗粒较大，呈微球状，制备上去之后形成排列有序 的微球结构，达到微透镜的效果，改变散射过来的光的入射角，再次进行散射，金属单质反 射率较高，可使散射的光得到反射，回到器件的底部出射，同时，金属单质的导电性高，可提 高器件的自由电子的传导性，加强复合阴极的导电性能。这种复合阴极可有效提高器件的 发光效率。
[0017] 第二方面，本发明提供了一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步 骤：
[0018] (1)提供所需尺寸的导电阳极玻璃基底，清洗后干燥；在导电阳极玻璃基底上采用 热阻蒸镀的方法依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；
[0019] (2)在电子注入层上制备复合阴极，所述复合阴极由依次层叠的金属氧化物层、酞 菁类金属化合物层和硅化合物掺杂层组成；
[0020] 在电子注入层上采用热阻蒸镀的方法制备金属氧化物层，所述金属氧化物层的材 质为M〇0 3、WOJP V205中的一种，所述蒸镀压强为5Xl(T5Pa?2Xl(T 3Pa，蒸镀速率为1? 10nm/s ;
[0021] 在金属氧化物层上采用热阻蒸镀的方法制备酞菁类金属化合物层，所述酞菁类 金属化合物层的材质为CuPc、ZnPc、MgPc和VPc中的一种；所述蒸镀压强为5X l(T5Pa? 2X l(T3Pa，蒸镀速率为(λ 1?lnm/s ;蒸镀后在100?200°C烘烤10?20min ;
[0022] 在酞菁类金属化合物层上采用电子束蒸镀的方法制备硅化合物掺杂层，所述硅化 合物掺杂层的材质为硅化合物和金属单质按质量比〇. 5:1?1:1混合形成的混合材料，所 述硅化合物为SiO、5102和似4103中的一种，所述金属单质为银（Ag)、铝（A1)、钼（Pt)和 金(Au)中的一种，所述电子束蒸镀的能量密度为10?lOOW/cm 2 ;得到所述有机电致发光器 件。
[0023] 优选地，所述金属氧化物层的厚度为1?10nm。
[0024] 优选地，所述酞菁类金属化合物层的厚度为100?200nm。
[0025] 优选地，所述硅化合物掺杂层的厚度为300?500nm。
[0026] 优选地，所述空穴注入层和电子注入层热阻蒸镀条件均为：压强为5Xl(T5Pa? 2XlCT 3Pa，蒸镀速率为1?10nm/s。
[0027] 优选地，所述空穴传输层、电子传输层和发光层的热阻蒸镀条件均为：压强为 5 X 10 5Pa ?2 X 10 3Pa，蒸锻速率为 0· 1 ?lnm/s。
[0028] 优选地，所述提供所需尺寸的导电阳极玻璃基底，具体操作为：将导电阳极玻璃基 底进行光刻处理，然后剪裁成所需要的大小。
[0029] 优选地，所述清洗后干燥的操作为将导电阳极玻璃基底依次用洗洁精，去离子水， 丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，清洗干净后风干。
[0030] 优选地，所述导电阳极基底为铟锡氧化物玻璃（ITO)、铝锌氧化物玻璃（AZO)和铟 锌氧化物玻璃（IZO)中的一种，更优选为ITO。
[0031] 优选地，所述空穴注入层的材质为M〇03、W03和V 205中的一种，厚度为20?80nm。 更优选地，所述空穴注入层的材质为M〇03，厚度为30nm。
[0032] 优选地，所述空穴传输层的材质为TAPC、TCTA和NPB中的一种，所述空穴传输层材 质厚度为20?60nm，更优选地，所述空穴传输层的材质为TCTA，厚度为30nm。
[0033] 优选地，所述发光层的材质为DCJTB、ADN、BCzVBi和Alq3中的一种，厚度为5? 40nm，更优选地，所述发光层的材质为Alq 3，厚度优选为20nm。
[0034] 优选地，所述电子传输层的材质为Bphen、TAZ和TPBI中的一种，厚度为40? 300nm，更优选地，所述电子传输层的材质为TAZ，厚度为170nm。
[0035] 优选地，所述电子注入层的材质为〇820)3工8?工8队和1^?中的一种，厚度为0.5? 10nm，更优选地，所述电子注入层的材质为LiF，厚度为0· 7nm。
[0036] 所述复合阴极由依次层叠的金属氧化物层、酞菁类金属化合物层和硅化合物掺杂 层组成；金属氧化物层提高电子的注入能力，同时，成膜性好，蒸镀温度低，有利于商业化 生产；酞菁类金属化合物易结晶，结晶后形成有序的晶体结构，并使膜层表面形成波纹状 结构，使光进行散射，避免向器件两侧发射，提高出光效率；娃化合物掺杂层材质为娃化合 物掺杂金属单质形成，硅化合物颗粒较大，呈微球状，制备上去之后形成排列有序的微球结 构，达到微透镜的效果，改变散射过来的光的入射角，再次进行散射，金属单质反射率较高， 可使散射的光得到反射，回到器件的底部出射，同时，金属单质的导电性高，可提高器件的 自由电子的传导性，加强复合阴极的导电性能。这种复合阴极可有效提高器件的发光效率。 [0037] 实施本发明实施例，具有以下有益效果 ：
[0038] (1)本发明提供的复合阴极由依次层叠的金属氧化物层、酞菁类金属化合物层和 硅化合物掺杂层组成，提高了器件的导电性能和发光效率；
[0039] ( 2)本发明提供的复合阴极的制备方法，工艺简单，成本低。
【专利附图】
【附图说明】
[0040] 为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作 简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方式，对于本领域普 通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0041] 图1是本发明实施例1提供的有机电致发光器件的结构示意图；
[0042] 图2是本发明实施例1与对比实施例有机电致发光器件的亮度与流明效率关系 图。
【具体实施方式】
[0043] 下面将结合本发明实施方式中的附图，对本发明实施方式中的技术方案进行清 楚、完整地描述。
[0044] 实施例1
[0045] 一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
[0046] (1)先将ΙΤ0玻璃基底进行光刻处理，然后剪裁成2X2cm2的正方形尺寸，然后依 次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，清 洗干净后风干；然后在阳极上采用热阻蒸镀的方法依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光 层、电子传输层和电子注入层；其中，
[0047] 空穴注入层的材质为M〇03，蒸镀时采用的压强8X l(T5Pa，蒸镀速率为3nm/s，蒸镀 厚度为30nm ;
[0048] 空穴传输层的材质为TCTA，蒸镀时采用的压强为8X l(T5Pa，蒸镀速率为0. 2nm/s， 蒸镀厚度为30nm ;
[0049] 发光层的材质为Alq3，蒸镀时采用的压强为8X l(T5Pa，蒸镀速率为0. 2nm/s，蒸镀 厚度为20nm ;
[0050] 电子传输层的材质为TAZ，蒸镀时采用的压强为8Xl(T5Pa，蒸镀速率为0. 2nm/s， 蒸镀厚度为170nm ;
[0051] 电子注入层的材质为LiF，蒸镀时采用的压强为8Xl(T5Pa，蒸镀速率为3nm/s，蒸 镀厚度为〇. 7nm ;
[0052] (2)制备复合阴极；
[0053] 在电子注入层上热阻蒸镀M〇03，得到厚度为2nm的金属氧化物层，蒸镀压强为 8 X 10_5Pa，蒸镀速率为3nm/s ;
[0054] 在金属氧化物层上热阻蒸镀CuPc，得到厚度为120nm的酞菁类金属化合物层，蒸 镀压强为8X 10_5Pa，蒸镀速率为0. 2nm/s ;蒸镀后在120°C烘烤15min ;
[0055] 在酞菁类金属化合物层上电子束蒸镀Si02与Ag按质量比0. 7:1混合形成的混合 材料，得到厚度为350nm的硅化合物层掺杂层，电子束蒸镀的能量密度为50W/cm2 ;得到有 机电致发光器件。
[0056] 图1为本实施例制备的有机电致发光器件的结构示意图，如图1所示，本实施例制 备的有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极玻璃基底1、空穴注入层2、空穴传输层 3、发光层4、电子传输层5、电子注入层6和复合阴极7,复合阴极7由依次层叠的金属氧化 物层71、酞菁类金属化合物层72和硅化合物掺杂层73组成。具体结构表示为：
[0057] ΙΤ0 玻璃 /Mo03/TCTA/Alq3/TAZ/LiF/Mo03/CuPc/Si0 2:Ag(0. 7:1)，其中，Si02:Ag 中 的冒号"："表示混合，斜杠"/"表示依次层叠，0.7:1表示前者和后者的质量比，后面实施 例中各个符号表不的意义相同。
[0058] 实施例2
[0059] -种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
[0060] (1)先将ΑΖ0玻璃基底进行光刻处理，然后剪裁成2X2cm2的正方形尺寸，然后依 次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，清 洗干净后风干；然后在阳极上采用热阻蒸镀的方法依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光 层、电子传输层和电子注入层；其中，
[0061] 空穴注入层的材质为W03，蒸镀时采用的压强为2Xl(T3Pa，蒸镀速率为10nm/ S，蒸 镀厚度为80nm ;
[0062] 空穴传输层的材质为NPB，蒸镀时采用的压强为2Xl(T3Pa，蒸镀速率为0. lnm/s， 蒸镀厚度为60nm ;
[0063] 发光层的材质为ADN，蒸镀时采用的压强为2X l(T3Pa，蒸镀速率为0. lnm/s，蒸镀 厚度为5nm ;
[0064] 电子传输层的材质为Bphen，蒸镀时采用的压强为2X l(T3Pa，蒸镀速率为10nm/s， 蒸镀厚度为300nm ;
[0065] 电子注入层的材质为CsF，蒸镀时采用的压强为2Xl(T3Pa，蒸镀速率为0. lnm/s， 蒸镀厚度为l〇nm ;
[0066] (2)制备复合阴极；
[0067] 在电子注入层上热阻蒸镀W03，得到厚度为lnm的金属氧化物层，蒸镀压强为 2Xl(T3Pa，蒸镀速率为 10nm/s ;
[0068] 在金属氧化物层上热阻蒸镀ZnPc，得到厚度为lOOnm的酞菁类金属化合物层，蒸 镀压强为2X l(T3Pa，蒸镀速率为0. lnm/s ;蒸镀后在200°C烘烤lOmin ;
[0069] 在酞菁类金属化合物层上采用电子束蒸镀制备SiO与A1按质量比0. 5:1混合形 成的混合材料，得到厚度为500nm的硅化合物掺杂层，电子束蒸镀的能量密度为lOOW/cm2 ; 得到有机电致发光器件。
[0070] 本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极玻璃基底、空穴注 入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和复合阴极，复合阴极由层叠的金属氧 化物层、酞菁类金属化合物层和硅化合物掺杂层组成。具体结构表示为：
[0071] AZ0 玻璃 /TO3/NPB/ADN/Bphen/CsF/TO3/ZnPc/SiO: A1 (0· 5:1)。
[0072] 实施例3
[0073] -种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
[0074] (1)先将IZ0玻璃基底进行光刻处理，然后剪裁成2X2cm2的正方形尺寸，然后依 次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，清 洗干净后风干；然后在阳极上采用热阻蒸镀的方法依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光 层、电子传输层和电子注入层；其中，
[0075] 空穴注入层的材质为V205，蒸镀时采用的压强为5Xl(T 5Pa，蒸镀速率为lnm/s，蒸 镀厚度为20nm ;
[0076] 空穴传输层的材质为TAPC，蒸镀时采用的压强为5X l(T5Pa，蒸镀速率为lnm/s，蒸 镀厚度为20nm ;
[0077] 发光层的材质为BCzVBi，蒸镀时采用的压强为5X l(T5Pa，蒸镀速率为lnm/s，蒸镀 厚度为40nm ;
[0078] 电子传输层的材质为TPBi，蒸镀时采用的压强为5 X l(T5Pa，蒸镀速率为lnm/s，蒸 镀厚度为60nm ;
[0079] 电子注入层的材质为Cs2C03，蒸镀时采用的压强为5Xl(T 5Pa，蒸镀速率为lnm/s， 蒸镀厚度为〇. 5nm ;
[0080] (2)制备复合阴极；
[0081] 在电子注入层上热阻蒸镀V205，得到厚度为10nm的金属氧化物层，蒸镀压强为 5X10_ 5Pa，蒸镀速率为lnm/s ;
[0082] 在金属氧化物层热阻蒸镀MgPc，得到厚度为200nm的酞菁类金属化合物层，蒸镀 压强为5X l(T5Pa，蒸镀速率为lnm/s ;蒸镀后在100°C烘烤20min ;
[0083] 在酞菁类金属化合物层上采用电子束蒸镀制备Na2Si03与Pt按质量比1:1混合形 成的混合材料，得到厚度为300nm的硅化合物掺杂层，电子束蒸镀的能量密度为lOW/cm 2,得 到有机电致发光器件。
[0084] 本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极玻璃基底、空穴注 入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和复合阴极，复合阴极由依次层叠的金 属氧化物层、酞菁类金属化合物层和硅化合物掺杂层组成。具体结构表示为：
[0085] IZ0 玻璃 /V205/TAPC/BCzVBi/TPBi/Cs2C03/V 205/MgPc/Na2Si03: Pt (1:1)。
[0086] 实施例4
[0087] 一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
[0088] (1)先将IZO玻璃基底进行光刻处理，然后剪裁成2X2cm2的正方形尺寸，然后依 次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，清 洗干净后风干；然后在阳极上采用热阻蒸镀的方法依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光 层、电子传输层和电子注入层；其中，
[0089] 空穴注入层的材质为M〇03，蒸镀时采用的压强为5X l(T4Pa，蒸镀速率为5nm/s，蒸 镀厚度为30nm ;
[0090] 空穴传输层的材质为TCTA，蒸镀时采用的压强为5X l(T4Pa，蒸镀速率为0. 2nm/s， 蒸镀厚度为50nm ;
[0091] 发光层的材质为DCJTB，蒸镀时采用的压强为5Xl(T4Pa，蒸镀速率为0. 2nm/s，蒸 镀厚度为5nm ;
[0092] 电子传输层的材质为TAZ，蒸镀时采用的压强为5Xl(T4Pa，蒸镀速率为0. 2nm/s， 蒸镀厚度为40nm ;
[0093] 电子注入层的材质为CsN3，蒸镀时采用的压强为5X l(T4Pa，蒸镀速率为5nm/s，蒸 镀厚度为lnm ;
[0094] (2)制备复合阴极；
[0095] 在电子注入层上热阻蒸镀M〇03，得到厚度为5nm的金属氧化物层，蒸镀压强为 5 X 10_4Pa，蒸镀速率为5nm/s ;
[0096] 在金属氧化物层热阻蒸镀VPc，得到厚度为150nm的酞菁类金属化合物层，蒸镀压 强为5X l(T4Pa，蒸镀速率为0. 2nm/s ;蒸镀后在180°C烘烤15min ;
[0097] 在酞菁类金属化合物层上电子束蒸镀Si02和Au按质量比0. 8:1混合形成的混合 材料，得到厚度为400nm的硅化合物掺杂层，电子束蒸镀的能量密度为20W/cm2 ;得到有机 电致发光器件。
[0098] 本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极玻璃基底、空穴注 入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和复合阴极，复合阴极由依次层叠的金 属氧化物层、酞菁类金属化合物层和硅化合物掺杂层组成。具体结构表示为：
[0099] ΙΖ0 玻璃 /Mo03/TCTA/DCJTB/TAZ/CsN3/Mo03/VPc/Si0 2: Au (0· 8:1)。
[0100] 对比实施例
[0101] 为体现为本发明的创造性，本发明还设置了对比实施例，对比实施例与实施例1 的区别在于对比实施例中的阴极为金属单质银(Ag)，厚度为120nm，对比实施例有机电致 发光器件的具体结构为ΙΤ0玻璃/M 〇03/TCTA/Alq3/TAZ/LiF/Ag，分别对应导电阳极玻璃基 底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。
[0102] 效果实施例
[0103] 采用美国海洋光学Ocean Optics的USB4000光纤光谱仪测试电致发光光谱，美国 吉时利公司的电流-电压测试仪Keithley2400测试电学性能，日本柯尼卡美能达公司的 CS-100A色度计测试亮度和色度，得到有机电致发光器件的流明效率随亮度变化曲线，以考 察器件的发光效率，测试对象为实施例1与对比实施例制备的有机电致发光器件。测试结 果如图2所示。
[0104] 图2是本发明实施例1与对比实施例有机电致发光器件的流明效率和亮度的关系 图。从图2可以看出，在不同亮度下，实施例1的流明效率都比对比例的要大，实施例1的 最大的流明效率为9. 361m/W，而对比例的仅为5. 461m/W，同时，随着亮度的增加，对比例的 流明效率衰减的比较快，而实施例1的衰减较慢。这说明，本发明复合阴极可以提高电子的 注入能力，使光进行散射，提高出光效率，形成排列有序的微球结构，达到微透镜的效果，使 散射的光得到反射，回到器件的底部出射，加强复合阴极的导电性能。这种复合阴极可有效 提高器件的发光效率。
[0105] 以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本【技术领域】的普通技术人员 来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为 本发明的保护范围。
【权利要求】
1. 一种有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极玻璃基底、空穴注入层、空穴传输 层、发光层、电子传输层、电子注入层和复合阴极，其特征在于，所述复合阴极由依次层叠的 金属氧化物层、酞菁类金属化合物层和硅化合物掺杂层组成，所述金属氧化物层的材质为 三氧化钥、三氧化钨和五氧化二钒中的一种，所述酞菁类金属化合物层的材质为酞菁铜、酞 菁锌、酞菁镁和酞菁钒中的一种；所述硅化合物掺杂层的材质为硅化合物和金属单质按质 量比0. 5:1?1:1混合形成的混合材料，所述硅化合物为一氧化硅、二氧化硅和硅酸钠中的 一种，所述金属单质为银、铝、钼和金中的一种。
2. 如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述金属氧化物层的厚度为 1 ?10nm〇
3. 如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述酞菁类金属化合物层的 厚度为1〇〇?200nm。
4. 如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述硅化合物掺杂层的厚度 为 300 ?500nm。
5. -种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下操作步骤： (1) 提供所需尺寸的导电阳极玻璃基底，清洗后干燥；在导电阳极玻璃基底上采用热阻 蒸镀的方法依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层； (2) 在电子注入层上制备复合阴极，所述复合阴极由依次层叠的金属氧化物层、酞菁类 金属化合物层和硅化合物掺杂层组成； 在电子注入层上采用热阻蒸镀的方法制备金属氧化物层，所述金属氧化物层的材质为 三氧化钥、三氧化钨和五氧化二钒中的一种，所述蒸镀压强为5X l(T5Pa?2X l(T3Pa，蒸镀 速率为1?l〇nm/s ; 在金属氧化物层上采用热阻蒸镀的方法制备酞菁类金属化合物层，所述酞菁类金属化 合物层的材质为酞菁铜、酞菁锌、酞菁镁和酞菁钒中的一种；所述蒸镀压强为5Xl(T5Pa? 2X l(T3Pa，蒸镀速率为(λ 1?lnm/s ;蒸镀后在100?200°C烘烤10?20min ; 在酞菁类金属化合物层上采用电子束蒸镀的方法制备硅化合物掺杂层，所述硅化合物 掺杂层材质为硅化合物和金属单质按质量比0. 5:1?1:1混合形成的混合材料，所述硅化 合物为一氧化硅、二氧化硅和硅酸钠中的一种，所述金属单质为银、铝、钼和金中的一种，所 述电子束蒸镀的能量密度为10?lOOW/cm 2 ;得到所述有机电致发光器件。
6. 如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述金属氧化物 层的厚度为1?l〇nm。
7. 如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述酞菁类金属 化合物层的厚度为100?200nm。
8. 如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述娃化合物掺 杂层的厚度为300?500nm。
9. 如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述空穴注入层 和电子注入层的热阻蒸镀条件均为：压强为5X l(T5Pa?2X l(T3Pa，蒸镀速率为1?10nm/ So
10. 如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述空穴传输 层、电子传输层和发光层的热阻蒸镀条件均为：压强为5X l(T5Pa?2X l(T3Pa，蒸镀速率为
【文档编号】H01L51/52GK104124369SQ201310143956
【公开日】2014年10月29日 申请日期:2013年4月24日 优先权日:2013年4月24日
【发明者】周明杰, 黄辉, 张振华, 王平 申请人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司