一种有机电致发光器件及其制备方法
【专利摘要】本发明公开了一种有机电致发光器件及其制备方法，所述有机电致发光器件包括依次层叠的导电阳极玻璃基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和复合阴极，所述复合阴极由依次层叠的金属掺杂层、导电薄膜层和二氧化钛层组成；所述金属掺杂层的材质为金属单质和锐钛矿结构二氧化钛形成的混合材料，二氧化钛颗粒较大，且具有晶体结构，可使膜层形成颗粒状的微透镜结构，有利于光进行散射，提高光取出效率，而金属单质有导电作用，提高器件的导电能力；导电薄膜层材料成膜性好，可以修饰膜层，使膜层粗糙度降低，并且透过率较高，对光吸收较低；二氧化钛层使透过的光进行反射，回到器件的底部，这种复合阴极可有效提高发光效率。
【专利说明】一种有机电致发光器件及其制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及有机电致发光领域，特别涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
【背景技术】
[0002] 1987年，美国Eastman Kodak公司的C. W. Tang和VanSlyke报道了有机电致发光 研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度，高效率的双层有机电致发光器 件（OLED)。10V下亮度达到1000cd/m 2,其发光效率为1. 511m/W，寿命大于100小时。
[0003] 0LED的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未 占有分子轨道（LUM0)，而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道（HOMO)。电子和空穴在 发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子 从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。
[0004] 在传统的发光器件中，器件内部的光只有18%左右是可以发射到外部去的，而其 他的部分会以其他形式消耗在器件外部，界面之间存在折射率的差(如玻璃与ΙΤ0之间的 折射率之差，玻璃折射率为1. 5, ΙΤ0为1. 8,光从ΙΤ0到达玻璃，就会发生全反射)，引起了 全反射的损失，从而导致整体出光性能较低。因此，有必要提高0LED的发光效率。
【发明内容】
[0005] 为解决上述技术问题，本发明提供了一种有机电致发光器件及其制备方法，所述 有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极玻璃基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、 电子传输层、电子注入层和复合阴极，所述复合阴极由依次层叠的金属掺杂层、导电薄膜层 和二氧化钛层组成，本发明提高了器件的导电能力和发光效率。
[0006] 第一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极玻璃 基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和复合阴极，所述复合阴 极由依次层叠的金属掺杂层、导电薄膜层和二氧化钛层组成，所述金属掺杂层的材质为银、 铝、钼和金中的一种和锐钛矿结构二氧化钛以质量比4:1?2:1混合形成的混合材料；所述 导电薄膜层的材质为铟锡氧化物、铝锌氧化物和铟锌氧化物中的一种。
[0007] 优选地，所述金属掺杂层的厚度为20?50nm。
[0008] 优选地，所述导电薄膜层的厚度为50?100nm。
[0009] 优选地，所述二氧化钛层中二氧化钛粒径为20?200nm，所述二氧化钛层的厚度 为 100 ?400nm。
[0010] 优选地，所述二氧化钛层中二氧化钛来源不限。
[0011] 优选地，所述导电阳极玻璃基底为铟锡氧化物玻璃（ΙΤ0)、铝锌氧化物玻璃（ΑΖ0) 和铟锌氧化物玻璃（ΙΖ0)中的一种，更优选为ΙΤ0。
[0012] 优选地，所述空穴注入层的材质为三氧化钥（M〇03)、三氧化钨（W03)和五氧化二钒 (ν 2〇5)中的一种，厚度为20?80nm。更优选地，所述空穴注入层的材质为M〇03，厚度为70nm。
[0013] 优选地，所述空穴传输层的材质为1，1-二[4-[Ν，Ν'-二（P-甲苯基）氨基]苯 基]环己烷（了4?〇、4,4'，4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（1'0^)和乂^-(1-萘基)，州'-二 苯基-4, 4' -联苯二胺（NPB)中的一种，所述空穴传输层材质厚度为20?60nm，更优选地， 所述空穴传输层的材质为TAPC，厚度为55nm。
[0014] 优选地，所述发光层的材质为4-(二腈甲基)-2-丁基-6-( 1，1，7, 7-四甲基久洛呢 啶-9-乙烯基)-4H-吡喃（DCJTB)、9, 10-二-β -亚萘基蒽（ADN)、4, 4' -双（9-乙基-3-咔 唑乙烯基）-1，Γ -联苯（BCzVBi )和8-羟基喹啉铝（Alq3)中的一种，厚度为5?40nm，更 优选地，所述发光层的材质为BCzVBi，厚度为10nm。
[0015] 优选地，所述的电子传输层的材质为4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)、3_(联 苯-4-基）-5- (4-叔丁基苯基）-4-苯基-4H-1, 2, 4-三唑（TAZ)和N-芳基苯并咪唑（TPBI) 中的一种，厚度为40?300nm，更优选地，所述电子传输层的材质为Bphen，厚度为60nm。
[0016] 优选地，所述电子注入层的材质为碳酸铯（Cs2C03)、氟化铯（CsF)、叠氮铯（CsN 3) 和氟化锂（LiF)中的一种，厚度为0. 5?10nm，更优选地，所述电子注入层的材质为LiF，厚 度为0. 7nm。
[0017] 本发明有机电致发光器件中的复合阴极由依次层叠的金属掺杂层、导电薄膜层和 二氧化钛层组成；金属掺杂层由银、铝、钼和金中的一种与锐钛矿结构二氧化钛掺杂而成， 二氧化钛颗粒较大且具有锐钛矿晶体结构，可使膜层形成颗粒状的微透镜结构，形成阵列， 有利于光进行散射，减少向两侧发射的光，提高光取出效率，而金属单质有导电作用，可以 提高器件的导电能力；在金属掺杂层上制备一层导电薄膜层，可以修饰膜层，使膜层粗糙度 降低，这种材料成膜性好，工艺成熟，并且透过率较高，对光吸收较低，最后在导电薄膜层上 制备一层二氧化钛层，二氧化钛层使透过的光进行反射，回到器件的底部，这种复合阴极可 有效提高器件的发光效率。
[0018] 第二方面，本发明提供了一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步 骤：
[0019] (1)提供所需尺寸的导电阳极玻璃基底，清洗后干燥；在导电阳极玻璃基底上依次 热阻蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；
[0020] (2)在电子注入层上制备复合阴极，所述复合阴极由依次层叠的金属掺杂层、导电 薄膜层和二氧化钛层组成；
[0021] 取粒径为20?200nm的二氧化钛将放在马弗炉中，在400?600°C下进行煅烧 20?60min，然后取出晾干，进行充分研磨；然后将银、铝、钼和金中的一种和煅烧后的二氧 化钛以质量比4:1?2:1混合形成混合材料，然后在电子注入层上电子束蒸镀混合材料，得 到所述金属掺杂层，所述金属掺杂层中二氧化钛为锐钛矿结构，所述电子束蒸镀的能量密 度为 10 ?100W/cm2 ;
[0022] 在金属掺杂层上采用磁控溅射的方法制备导电薄膜层，所述导电薄膜层的材质为 铟锡氧化物（ΙΤ0)、铝锌氧化物（ΑΖ0)和铟锌氧化物（ΙΖ0)中的一种；磁控溅射的加速电压 为300?800V，磁场为50?200G，功率密度为1?40W/cm 2 ;
[0023] 在导电薄膜层上采用电子束蒸镀的方法制备二氧化钛层；电子束蒸镀的能量密度 为10?lOOW/cm 2 ;得到所述有机电致发光器件。
[0024] 优选地，所述金属掺杂层的厚度为20?50nm。
[0025] 在制备金属掺杂层时，为了提高二氧化钛的比表面积和增大孔径，通过煅烧将二 氧化钛转变为锐钛矿结构。
[0026] 优选地，所述导电薄膜层的厚度为50?100nm。
[0027] 优选地，所述二氧化钛层中的二氧化钛为粒径为20?200nm，所述二氧化钛层的 厚度为1〇〇?400nm。
[0028] 优选地，所述二氧化钛层中二氧化钛来源不限。
[0029] 优选地，所述空穴注入层和电子注入层热阻蒸镀条件均为：压强为5Xl(T5Pa? 2ΧΚΓ 3,蒸镀速率为1?l〇nm/s。
[0030] 优选地，所述空穴传输层、电子传输层和发光层的热阻蒸镀条件均为：压强为 5 X 10 5Pa ?2 X 10 3,蒸锻速率为 0· 1 ?lnm/s。
[0031] 优选地，所述提供所需尺寸的导电阳极玻璃基底，具体操作为：将导电阳极玻璃基 底进行光刻处理，然后剪裁成所需要的大小。
[0032] 优选地，所述清洗后干燥的操作为将导电阳极玻璃基底依次用洗洁精，去离子水， 丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，清洗干净后风干。
[0033] 优选地，所述导电阳极玻璃基底为铟锡氧化物玻璃（IT0)、铝锌氧化物玻璃（AZ0) 和铟锌氧化物玻璃（IZ0)中的一种，更优选为IT0。
[0034] 优选地，所述空穴注入层的材质为M〇03、W03和V 205中的一种，厚度为20?80nm。 更优选地，所述空穴注入层的材质为M〇03，厚度为70nm。
[0035] 优选地，所述空穴传输层的材质为TAPC、TCTA和NPB中的一种，所述空穴传输层材 质厚度为20?60nm，更优选地，所述空穴传输层的材质为TAPC，厚度为55nm。
[0036] 优选地，所述发光层的材质为DCJTB、ADN、BCzVBi和Alq3中的一种，厚度为5? 40nm，更优选地，所述发光层的材质为BCzVBi，厚度优选为10nm。
[0037] 优选地，所述的电子传输层的材质为Bphen、TAZ和TPBI中的一种，厚度为40? 300nm，更优选地，所述电子传输层的材质为Bphen，厚度为60nm。
[0038] 优选地，所述电子注入层的材质为〇820)3工8?工8队和1^?中的一种，厚度为0.5? 10nm，更优选地，所述电子注入层的材质为LiF，厚度为0· 7nm。
[0039] 本发明有机电致发光器件中的复合阴极由依次层叠的金属掺杂层、导电薄膜层和 二氧化钛层组成；金属掺杂层由银、铝、钼和金中的一种与锐钛矿结构二氧化钛掺杂而成， 二氧化钛颗粒较大且具有锐钛矿晶体结构，可使膜层形成颗粒状的微透镜结构，形成阵列， 有利于光进行散射，减少向两侧发射的光，提高光取出效率，而金属单质有导电作用，可以 提高器件的导电能力；在金属掺杂层上制备一层导电薄膜层，可以修饰膜层，使膜层粗糙度 降低，这种材料成膜性好，工艺成熟，并且透过率较高，对光吸收较低，最后在导电薄膜层上 制备一层二氧化钛层，二氧化钛层使透过的光进行反射，回到器件的底部，这种复合阴极可 有效提高器件的发光效率。
[0040] 实施本发明实施例，具有以下有益效果：
[0041] (1)本发明提供的复合阴极由依次层叠的金属掺杂层、导电薄膜层和二氧化钛层 组成，提高了器件的导电性能和发光效率；
[0042] ( 2)本发明提供的复合阴极的制备方法，工艺简单，成本低。
【专利附图】
【附图说明】
[0043] 为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作 简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方式，对于本领域普 通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0044] 图1是本发明实施例1提供的有机电致发光器件的结构示意图；
[0045] 图2是本发明实施例1与对比实施例有机电致发光器件的亮度与流明效率关系 图。
【具体实施方式】
[0046] 下面将结合本发明实施方式中的附图，对本发明实施方式中的技术方案进行清 楚、完整地描述。
[0047] 实施例1
[0048] 一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
[0049] (1)先将ΙΤ0玻璃基底进行光刻处理，然后剪裁成2X2cm2的正方形尺寸，然后依 次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，清洗 干净后风干；然后在阳极上依次热阻蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输 层和电子注入层；其中，
[0050] 空穴注入层的材质为M〇03，蒸镀时采用的压强8X l(T5Pa，蒸镀速率为3nm/s，蒸镀 厚度为70nm ;
[0051] 空穴传输层的材质为TAPC，蒸镀时采用的压强为8X l(T5Pa，蒸镀速率为0. 2nm/s， 蒸镀厚度为55nm ;
[0052] 发光层的材质为BCzVBi，蒸镀时采用的压强为8X l(T5Pa，蒸镀速率为0. 2nm/s，蒸 镀厚度为l〇nm ;
[0053] 电子传输层的材质为Bphen，蒸镀时采用的压强为8X l(T5Pa，蒸镀速率为0. 2nm/ s，蒸镀厚度为60nm ;
[0054] 电子注入层的材质为LiF，蒸镀时采用的压强为8Xl(T5Pa，蒸镀速率为3nm/s，蒸 镀厚度为〇. 7nm ;
[0055] (2)制备复合阴极；
[0056] 将粒径为50nm的市售Ti02放入马弗炉中，在450°C下进行煅烧30min，然后取出晾 干，进行充分研磨，备用。然后将Ag和煅烧后Ti0 2以质量比3:1进行混合形成混合材料， 在电子注入层上电子束蒸镀混合材料，得到厚度为30nm的金属掺杂层；金属掺杂层中二氧 化钛为锐钛矿结构，电子束蒸镀的能量密度为25W/cm 2 ;
[0057] 在金属掺杂层上采用磁控溅射的方法制备厚度为80nm的ITO薄膜层，磁控溅射的 加速电压为400V，磁场为150G，功率密度为25W/cm 2 ;
[0058] 在ITO薄膜层上采用电子束蒸镀的方法制备厚度为250nm的二氧化钛层，二氧化 钛颗粒为粒径为l〇〇nm的市售Ti0 2，电子束蒸镀的能量密度为25W/cm2 ;
[0059] 图1为本实施例制备的有机电致发光器件的结构示意图，如图1所示，本实施例制 备的有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极玻璃基底1、空穴注入层2、空穴传输层 3、发光层4、电子传输层5、电子注入层6和复合阴极7,复合阴极7由依次层叠的金属掺杂 层71、导电薄膜层72和二氧化钛层73组成。具体结构表示为：
[0060] ΙΤ0 玻璃 /Mo03/TAPC/BCzVBi/Bphen/LiF/Ag:Ti02 (3:1)/IT0/Ti02，其中，斜杠"/" 表不依次层叠，Ag:Ti02中的冒号"："表不混合，3:1表不前者和后者的质量比，后面实施 例中各个符号表不的意义相同。
[0061] 实施例2
[0062] 一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
[0063] (1)先将ΑΖ0玻璃基底进行光刻处理，然后剪裁成2X2cm2的正方形尺寸，然后依 次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，清洗 干净后风干；然后在阳极上依次热阻蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输 层和电子注入层；其中，
[0064] 空穴注入层的材质为W03，蒸镀时采用的压强为2X l(T3Pa，蒸镀速率为lOnm/s，蒸 镀厚度为80nm ;
[0065] 空穴传输层的材质为NPB，蒸镀时采用的压强为2Xl(T3Pa，蒸镀速率为0. lnm/s， 蒸镀厚度为60nm ;
[0066] 发光层的材质为ADN，蒸镀时采用的压强为2X l(T3Pa，蒸镀速率为0. lnm/s，蒸镀 厚度为5nm ;
[0067] 电子传输层的材质为Bphen，蒸镀时采用的压强为2X l(T3Pa，蒸镀速率为10nm/s， 蒸镀厚度为300nm ;
[0068] 电子注入层的材质为CsN3，蒸镀时采用的压强为2Xl(T3Pa，蒸镀速率为0. lnm/s， 蒸镀厚度为l〇nm ;
[0069] (2)制备复合阴极；
[0070] 将粒径为20nm的市售Ti02放入马弗炉中，在400°C下进行煅烧60min，然后取出晾 干，进行充分研磨，备用。然后将A1和煅烧后Ti0 2以质量比2:1进行混合形成混合材料， 在电子注入层上电子束蒸镀混合材料，得到厚度为20nm的金属掺杂层；金属掺杂层中二氧 化钛为锐钛矿结构，电子束蒸镀的能量密度为lOW/cm 2 ;
[0071] 在金属掺杂层上采用磁控溅射的方法制备厚度为lOOnm的AZ0薄膜层，磁控溅射 的加速电压为800V，磁场为50G，功率密度为lW/cm 2 ;
[0072] 在AZ0薄膜层上采用电子束蒸镀的方法制备厚度为lOOnm的二氧化钛层，二氧化 钛颗粒为粒径为20nm的市售Ti0 2，电子束蒸镀的能量密度为lOW/cm2 ;
[0073] 本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极玻璃基底、空穴注 入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和复合阴极，复合阴极由依次层叠的金 属掺杂层、导电薄膜层和二氧化钛层组成。具体结构表示为：
[0074] AZ0 玻璃 /TO3/NPB/ADN/Bphen/CsN3/Al: Ti02 (2:1) /AZ0/Ti02。
[0075] 实施例3
[0076] -种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
[0077] (1)先将IZ0玻璃基底进行光刻处理，然后剪裁成2X2cm2的正方形尺寸，然后依 次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，清洗 干净后风干；然后在阳极上依次热阻蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输 层和电子注入层；其中，
[0078] 空穴注入层的材质为M〇03，蒸镀时采用的压强为5Xl(T5Pa，蒸镀速率为lnm/s，蒸 镀厚度为20nm ;
[0079] 空穴传输层的材质为TCTA，蒸镀时采用的压强为5X l(T5Pa，蒸镀速率为lnm/s，蒸 镀厚度为20nm ;
[0080] 发光层的材质为Alq3，蒸镀时采用的压强为5X l(T5Pa，蒸镀速率为lnm/s，蒸镀厚 度为40nm ;
[0081] 电子传输层的材质为TAZ，蒸镀时采用的压强为5Xl(T5Pa，蒸镀速率为lnm/s，蒸 镀厚度为60nm ;
[0082] 电子注入层的材质为CsF，蒸镀时采用的压强为5Xl(T5Pa，蒸镀速率为lnm/s，蒸 镀厚度为〇. 5nm ;
[0083] (2)制备复合阴极；
[0084] 将粒径为200nm的市售Ti02放入马弗炉中，在600°C下进行煅烧20min，然后取出 晾干，进行充分研磨，备用。然后将Pt和煅烧后Ti0 2以质量比4:1进行混合形成混合材料， 在电子注入层上电子束蒸镀混合材料，得到厚度为50nm的金属掺杂层；金属掺杂层中二氧 化钛为锐钛矿结构，电子束蒸镀的能量密度为lOOW/cm 2 ;
[0085] 在金属掺杂层上采用磁控溅射的方法制备厚度为50nm的IZ0薄膜层，磁控溅射的 加速电压为300V，磁场为200G，功率密度为40W/cm 2 ;
[0086] 在IZ0薄膜层上采用电子束蒸镀的方法制备厚度为400nm的二氧化钛层，二氧化 钛颗粒为粒径为200nm的市售Ti0 2，电子束蒸镀的能量密度为lOOW/cm2 ;
[0087] 本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极玻璃基底、空穴注 入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和复合阴极，复合阴极由依次层叠的金 属掺杂层、导电薄膜层和二氧化钛层组成。具体结构表示为：
[0088] IZ0 玻璃/Mo03/TCTA/Alq3/TAZ/CsF/Pt:Ti02 (4:l)/IZ0/Ti02。
[0089] 实施例4
[0090] 一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
[0091] (1)先将IT0玻璃基底进行光刻处理，然后剪裁成2X2cm2的正方形尺寸，然后依 次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，清洗 干净后风干；然后在阳极上依次热阻蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输 层和电子注入层；其中，
[0092] 空穴注入层的材质为V205，蒸镀时采用的压强为5Xl(T 4Pa，蒸镀速率为5nm/s，蒸 镀厚度为30nm ;
[0093] 空穴传输层的材质为TAPC，蒸镀时采用的压强为5X l(T4Pa，蒸镀速率为0. 2nm/s， 蒸镀厚度为50nm ;
[0094] 发光层的材质为DCJTB，蒸镀时采用的压强为5Xl(T4Pa，蒸镀速率为0. 2nm/s，蒸 镀厚度为5nm ;
[0095] 电子传输层的材质为TPBi，蒸镀时采用的压强为5X l(T4Pa，蒸镀速率为0. 2nm/s， 蒸镀厚度为40nm ;
[0096] 电子注入层的材质为Cs2C03，蒸镀时采用的压强为5Xl(T 4Pa，蒸镀速率为5nm/s， 蒸镀厚度为lnm ;
[0097] (2)制备复合阴极；
[0098] 将粒径为40nm的市售Ti02放入马弗炉中，在500°C下进行煅烧40min，然后取出晾 干，进行充分研磨，备用。然后将Au和煅烧后Ti0 2以质量比2. 5:1进行混合形成混合材料， 在电子注入层上电子束蒸镀混合材料，得到厚度为25nm的金属掺杂层；金属掺杂层中二氧 化钛为锐钛矿结构，电子束蒸镀的能量密度为50W/cm 2 ;
[0099] 在金属掺杂层上采用磁控溅射的方法制备厚度为60nm的ΙΤ0薄膜层，磁控溅射的 加速电压为400V，磁场为180G，功率密度为35W/cm 2 ;
[0100] 在ΙΤ0薄膜层上采用电子束蒸镀的方法制备厚度为300nm的二氧化钛层，二氧化 钛颗粒为粒径为40nm的市售Ti0 2，电子束蒸镀的能量密度为50W/cm2 ;
[0101] 本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极玻璃基底、空穴注 入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和复合阴极，复合阴极由依次层叠的金 属掺杂层、导电薄膜层和二氧化钛层组成。具体结构表示为：
[0102] ΙΖ0 玻璃 /V205/TAPC/DCJTB/TPBi/Cs2C03/Au:Ti0 2 (2. 5:1) /IT0/Ti02。
[0103] 对比实施例
[0104] 为体现为本发明的创造性，本发明还设置了对比实施例，对比实施例与实施例1 的区别在于对比实施例中的阴极为金属单质银(Ag)，厚度为150nm，对比实施例有机电致 发光器件的具体结构为：ΙΤ0玻璃/MoO/TAPC/BCzVBi/Bphen/LiF/Ag，分别对应导电阳极玻 璃基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。
[0105] 效果实施例
[0106] 采用美国海洋光学Ocean Optics的USB4000光纤光谱仪测试电致发光光谱，美国 吉时利公司的电流-电压测试仪Keithley2400测试电学性能，日本柯尼卡美能达公司的 CS-100A色度计测试亮度和色度，得到有机电致发光器件的流明效率随亮度变化曲线，以考 察器件的发光效率，测试对象为实施例1与对比实施例制备的有机电致发光器件。测试结 果如图2所示。
[0107] 图2是本发明实施例1与对比实施例有机电致发光器件的流明效率与亮度的关系 图。从附图2上可以看到，在不同亮度下，实施例1的流明效率都比对比例的要大，实施例 1的最大的流明效率为10. 441m/W，而对比例的仅为6. 721m/W，同时，随着亮度的增加，对比 例的流明效率比实施例1的下降的要快，这说明，实施例1中的复合阴极中的金属掺杂层中 的膜层形成颗粒状的微透镜结构，有利于光进行散射，而金属单质提高器件的导电能力，导 电薄膜层使膜层粗糙度降低，二氧化钛层对光进行反射，这种复合阴极可有效提高器件的 发光效率。
[0108] 以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本【技术领域】的普通技术人员 来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为 本发明的保护范围。
【权利要求】
1. 一种有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极玻璃基底、空穴注入层、空穴传输 层、发光层、电子传输层、电子注入层和复合阴极，其特征在于，所述复合阴极由依次层叠的 金属掺杂层、导电薄膜层和二氧化钛层组成，所述金属掺杂层的材质为银、铝、钼和金中的 一种和锐钛矿结构二氧化钛以质量比4:1?2:1混合形成的混合材料；所述导电薄膜层的 材质为铟锡氧化物、铝锌氧化物和铟锌氧化物中的一种。
2. 如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述金属掺杂层的厚度为 20 ?50nm。
3. 如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述导电薄膜层的厚度为 50 ?100nm。
4. 如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述二氧化钛层中二氧化钛 颗粒的粒径为20?200nm，所述二氧化钛层的厚度为100?400nm。
5. -种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下操作步骤： (1) 提供所需尺寸的导电阳极玻璃基底，清洗后干燥；在导电阳极玻璃基底上依次热阻 蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层； (2) 在电子注入层上制备复合阴极，所述复合阴极由依次层叠的金属掺杂层、导电薄膜 层和二氧化钛层组成； 取粒径为20?200nm的二氧化钛将放在马弗炉中，在400?600°C下进行煅烧20? 60min，然后取出晾干，进行充分研磨，备用；将银、铝、钼和金中的一种和煅烧后的二氧化钛 以质量比4:1?2:1混合形成混合材料，然后在电子注入层上电子束蒸镀混合材料，得到所 述金属掺杂层，所述金属掺杂层中二氧化钛为锐钛矿结构，所述电子束蒸镀的能量密度为 10 ?100W/cm2 ; 在金属掺杂层上采用磁控溅射的方法制备导电薄膜层，所述导电薄膜层的材质为铟锡 氧化物、铝锌氧化物和铟锌氧化物中的一种；磁控溅射的加速电压为300?800V，磁场为 50?200G，功率密度为1?40W/cm 2 ; 在导电薄膜层上采用电子束蒸镀的方法制备二氧化钛层；所述电子束蒸镀的能量密度 为10?lOOW/cm2 ;得到所述有机电致发光器件。
6. 如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述金属掺杂层 的厚度为20?50nm。
7. 如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述导电薄膜层 的厚度为50?100nm。
8. 如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述二氧化钛层 中二氧化钛粒径为20?200nm，所述二氧化钛层的厚度为100?400nm。
9. 如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述空穴注入层 和电子注入层热阻蒸镀条件均为：压强为5X l(T5Pa?2X l(T3Pa，蒸镀速率为1?10nm/S。
10. 如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述空穴传输 层、电子传输层和发光层的热阻蒸镀条件均为：压强为5X l(T5Pa?2X l(T3Pa，蒸镀速率为 0· 1 ?lnm/s。
【文档编号】H01L51/56GK104124375SQ201310143986
【公开日】2014年10月29日 申请日期:2013年4月24日 优先权日:2013年4月24日
【发明者】周明杰, 黄辉, 张振华, 王平 申请人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司