有机电致发光器件及其制备方法
【专利摘要】本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法，该有机电致发光器件为层状结构，该层状结构依次层叠为：阳极导电基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极复合层，所述阴极复合层由依次层叠的第五副族金属氧化物层、结晶层和第五副族金属化合物掺杂层组成。本发明的有机电致发光器件通过第五副族金属氧化物层提高光子利用率，有效提高光的散射，使向两侧发射的光散射回到中间结晶层，有效提高器件的稳定性、光的反射和阴极的导电性。
【专利说明】有机电致发光器件及其制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及光电子器件领域，尤其涉及一种有机电致发光器件。本发明还涉及该有机电致发光器件的制备方法。
【背景技术】
[0002]在传统的发光器件中，器件内部的光只有18%左右是可以发射到外部去的，而其他的部分会以其他形式消耗在器件外部，界面之间存在折射率的差(如玻璃与ΙΤ0之间的折射率之差，玻璃折射率为1.5，ΙΤ0为1.8，光从ΙΤ0到达玻璃，就会发生全反射)，引起了全反射的损失，从而导致整体出光性能较低。
【发明内容】
[0003]本发明的目的在于解决上述现有技术存在的问题和不足，提供一种有机电致发光器件及其制备方法，通过制备阴极复合层，来提高有机电致发光器件的出光效率。
[0004]本发明针对上述技术问题而提出的技术方案为:一种有机电致发光器件，该有机电致发光器件为层状结构，该层状结构依次层叠为:阳极导电基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极复合层，所述阴极复合层由依次层叠的第五副族金属氧化物层、结晶层和第五副族金属化合物掺杂层组成；其中，
所述第五副族金属氧化物层的材质为五氧化二钽、五氧化二铌或五氧化二钒；
所述结晶层的材质为酞菁铜、酞菁锌、酞菁镁或酞菁钒；
所述的第五副族金属化合物掺杂层由质量比为1:广5:1的第五副族金属化合物与高功函数金属组成，该第五副族金属化合物为五氧化二钽、五氧化二铌或五氧化二钒，该高功函数金属为银、招、钼或金。
[0005]进一步地，所述第五副族金属氧化物层的厚度为10nm?40nm。
[0006]进一步地，所述结晶层的厚度为200nm?400nm。
[0007]进一步地,所述第五副族金属化合物掺杂层的厚度为200nm?500nm。
[0008]进一步地，所述阳极导电基底的材质为铟锡氧化物玻璃、铝锌氧化物玻璃或铟锌氧化物玻璃；
所述空穴注入层的材质为三氧化钥、三氧化钨或五氧化二钒；
所述空穴传输层的材质为1，1-二 [4-[N，N, -二(P-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺或N，N' -(1-萘基)_1& - 二苯基-4，4'-联苯二胺；
所述发光层的材质为4- (二腈甲基)-2-丁基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10-二-β-亚萘基蒽、4，4’-双(9-乙基_3_咔唑乙烯基)-1，1，-联苯或8-羟基喹啉铝；
所述电子传输层的材质为4，7- 二苯基-1，10-菲罗啉、1，2，4-三唑衍生物或Ν-芳基苯并咪唑； 所述电子注入层的材质为碳酸铯、氟化铯、叠氮铯或者氟化锂。
[0009]本发明还提出一种有机电致发光器件的制备方法，其包括如下步骤:
(a)清洗干净阳极导电基底，用蒸镀的方法在阳极导电基底上依次层叠制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；
(b)在蒸镀的方法下，在电子注入层上制备第五副族金属氧化物层，然后在第五副族金属氧化物层上制备结晶层，接着在结晶层上制备第五副族金属化合物掺杂层；其中，
所述第五副族金属氧化物层的材质为五氧化二钽、五氧化二铌或五氧化二钒；
所述结晶层的材质为酞菁铜、酞菁锌、酞菁镁或酞菁钒；
所述的第五副族金属化合物掺杂层具有质量比为1:广5:1的第五副族金属化合物与高功函数金属，该第五副族金属化合物为五氧化二钽、五氧化二铌或五氧化二钒，该高功函数金属为银、铝、钼或金。
[0010]进一步地，所述第五副族金属氧化物层的厚度为10nm?40nm。
[0011]进一步地，所述结晶层的厚度为200nm?400nm。
[0012]进一步地，所述的第五副族金属化合物掺杂层的厚度为200nm?500nm。
[0013]进一步地，所述蒸镀的压强为2X10—3飞X10_5Pa，在空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极复合层中，有机材料的蒸镀速率为0.f lnm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为f lOnm/s，蒸镀的能量密度为10?lOOW/cm2。
[0014]与现有技术相比，本发明的机电致发光器件及其制备方法，存在以下的优点:本发明的有机电致发光器件，通过制备复合阴极，提高出光效率，在电子注入层之上先制备一层第五副族金属氧化物层，第五副族金属氧化物折射率较高，且在可见光范围内透过率达到80-85%左右，可提高器件的透过率，同时，原子半径较大，可对光进行散射，使两侧的光向中间入射，提高出光效率，然后制备结晶层，其由酞菁类金属化合物组成，结晶后使膜层表面形成波纹状结构，使垂直发射的光散射，不再垂直，从而不会与金属层的自由电子发生耦合(平行的自由电子会与垂直的光子耦合而损耗掉)，提高光子利用率，同时，酞菁类金属化合物比较容易蒸镀，极易成膜，成膜性好，规整度高，接着制备第五副族金属化合物掺杂层，由第五副族金属化合物与金属组成，第五副族金属化合物进一步提高散射能力，提高阴极的稳定性，金属提高器件的导电性和光的反射性能，这种复合阴极可有效提高发光效率。
【专利附图】
【附图说明】
[0015]图1是本发明实施例1的有机电致发光器件的结构示意图。
[0016]图2是本发明有机电致发光器件与对比例的电流密度与电流效率的关系图。
【具体实施方式】
[0017]以下结合实施例，对本发明予以进一步地详尽阐述。
[0018]本发明的有机电致发光器件为层状结构，该层状结构包括依次层叠的阳极导电基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极复合层(由依次层叠的第五副族金属氧化物层、结晶层和第五副族金属化合物掺杂层组成)。
[0019]在有机电致发光器件中，阳极导电基底的材质包括阳极导电层和基板，其基板可以为玻璃基板或有机薄膜基板，阳极导电层的材质可以为导电氧化物，如氧化铟锡(IT0)、掺铝氧化锌(AZO)或掺铟氧化锌(IZ0)，优选为氧化铟锡(IT0)。
[0020]这些导电氧化物被制备在玻璃基板上，简称ΙΤ0玻璃、ΑΖ0玻璃、ΙΖ0玻璃。阳极导电基底可以自制，也可以市购获得。在实际应用中，可以根据需要选择其他合适的材料作为阳极导电基底。在实际应用中，可以在阳极导电基底上制备所需的有机电致发光器件的阳极图形。阳极导电基底为现有技术，在此不再赘述。
[0021]其他功能层的材质和厚度如下:
所述空穴注入层采用三氧化钥(Mo03)，还可采用三氧化钨(wo3)或五氧化二钒(V205)，厚度为20?80nm，优选为W03，厚度为45nm。
[0022]所述空穴传输层采用1，1- 二 [4_[N，N' - 二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)、4，4’，4’’_ 三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)或 N，N’ - (1_ 萘基)-N，N’ -二苯基-4，4’ -联苯二胺(NPB)，厚度为20-60nm，优选为TCTA，厚度为55nm。
[0023]所述发光层为4- (二腈甲基)-2_ 丁基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9，10-二-β-亚萘基蒽(ADN)、4，4’_双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)_1，1’-联苯(BCzVBi)或8-羟基喹啉铝(Alq3)，厚度为5?40nm，发光层优选为Alq3，优选厚度为18nm。
[0024]所述电子传输层材料为4，7- 二苯基-1，10-菲罗啉(Bphen)、l，2，4_三唑衍生物(TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBI)，厚度为40?40nm，优选TAZ，优选厚度为130nm。
[0025]所述电子注入层为碳酸铯(Cs2C03)、氟化铯(CsF)、叠氮铯(CsN3)或氟化锂(LiF)，厚度为0.5?10nm，优选为LiF，优选厚度为0.7nm。
[0026]所述阴极复合层中，所述的复合阴极具有第五副族金属氧化物层、结晶层和第五副族金属化合物掺杂层。
[0027]所述第五副族金属氧化物层的材质为五氧化二钽(Ta205)、五氧化二铌(Nb205)或五氧化二钒(v205)，其厚度为l(T40nm。
[0028]所述结晶层的材质为酞菁类金属化合物，具体为酞菁铜(CuPc)、酞菁锌(ZnPc)、酞菁镁(MgPc)或酞菁钒(VPc)，其厚度为20(T400nm ；
所述第五副族金属化合物掺杂层具有质量比为1:1飞:1的第五副族金属化合物与高功函数金属，该第五副族金属化合物为五氧化二钽(Ta205)、五氧化二铌(Nb205)或五氧化二钒(V205)，该高功函数金属为银(Ag)、铝(A1)、钼(Pt)或金(Au)，该高功函数金属为-4.(Γ-5.5eV，该第五副族金属化合物掺杂层的厚度为20(T500nm。
[0029]对上述有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤:
(a)清洗干净阳极导电基底，用蒸镀的方法在阳极导电基底上依次层叠制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；；
(b)在蒸镀的方法下，在电子注入层上制备第五副族金属氧化物层，然后在第五副族金属氧化物层上制备结晶层，接着在结晶层上制备第五副族金属化合物掺杂层；其中，
制备时的工作压强为2X10_3?5X10_5Pa，有机材料的蒸镀速率为0.lnm/s，金属及金属化合物的蒸镀速率为f lOnm/s，蒸镀的能量密度为10?lOOW/cm2。
[0030]以下以实施例对本发明的有机电致发光器件及其制备步骤进行具体说明:
实施例1
如图1所示，本实施例中的有机电致发光器件为层状结构，每层依次为: 阳极导电基底101、空穴注入层102、空穴传输层103、发光层104、电子传输层105、电子注入层106、阴极复合层(由依次层叠的第五副族金属氧化物层107、结晶层108和第五副族金属化合物掺杂层109组成)。
[0031]具体依次为:ΙΤ0玻璃基底、W03层、TCTA层、ALq3层、TAZ层、LiF层、Nb205层、VPc层，Ta205:Ag层。该有机电致发光器件的结构为ΙΤ0玻璃/W03/TCTA/ Alq3/TAZ/LiF/Nb205/VPc/Ta205:Ag (斜杆“/”表不层状结构，冒号“:”表不相互掺杂。)
上述有机电致发光器件依次按如下步骤制备:
1、先将ΙΤ0玻璃基底101进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物；
2、然后在8X10_5Pa的工作压强下，使有机材料的蒸镀速率为0.2nm/s，且金属及金属化合物的蒸镀速率为3nm/s，依次在ΙΤ0玻璃基底101上蒸镀制备空穴注入层102、空穴传输层103、发光层104、电子传输层105和电子注入层106,具体为:
空穴注入层102，材料为W03，厚度为45nm ；
空穴传输层103，材料为TCTA，厚度为55nm ；
发光层104，材料为ALq3，厚度为18nm ；
电子传输层105，材料为TAZ，厚度为130nm ；
电子注入层106，材料为LiF，厚度为0.7nm ；
3、最后在8X10_5Pa的工作压强下，使有机材料的蒸镀速率为0.2nm/s,且金属及金属化合物的蒸镀速率为3nm/s，依次在电子注入层106上蒸镀阴极复合层中的第五副族金属氧化物层107、结晶层108和第五副族金属化合物掺杂层109，具体为:
a)采用电子束蒸镀制备第五副族金属氧化物层107，所选材料为Nb205，该第五副族金属氧化物层107厚度为25nm ;电子束蒸镀的能量密度为50W/cm2 ；
b)采用热阻蒸镀制备结晶层108，所选材料为VPc，该结晶层108厚度为280nm；
c)采用电子束蒸镀制备第五副族金属化合物掺杂层109，所选材料为质量比为2.5:1的Ta205与Ag，该第五副族金属化合物掺杂层109厚度为300nm ;电子束蒸镀的能量密度为50W/cm2。
[0032]图2上可以看到，在不同电流密度下，实施例1的流明效率都比对比例的要大，实施例1的最大的流明效率为8.lllm/W，而对比例的仅为5.52 lm/ff,同时，随着电流密度的提高，实施例1的流明效率衰减更慢，这说明，复合阴极提高器件的透过率，提高出光效率，提高光子利用率，规整度高，提高阴极的稳定性，提高器件的导电性和光的反射性能，这种复合阴极可有效提高发光效率。
[0033]实施例2
本实施例中的有机电致发光器件为层状结构，每层依次为:
阳极导电基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极复合层(由依次层叠的第五副族金属氧化物层、结晶层和第五副族金属化合物掺杂层组成)。
[0034]具体依次为:ΑΖ0玻璃基底、V205层、NPB层、ADN层、Bphen层、CsF层、Ta205层、CuPc层，Nb205:Al层。该有机电致发光器件的结构为ΑΖ0玻璃/V205/NPB/ADN/Bphen/CsF/Ta205/CuPc/Nb205:Al斜杆“/”表不层状结构，冒号“:”表不相互掺杂。)
上述有机电致发光器件依次按如下步骤制备: 1、先将AZO玻璃基底进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水超声15min，去除玻璃表面的有机污染物；
2、然后在2X10_3Pa的工作压强下，使有机材料的蒸镀速率为0.lnm/s，且金属及金属化合物的蒸镀速率为lOnm/s，依次在AZ0玻璃基底上蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层，具体为:
空穴注入层，材料为v205，厚度为80nm ；
空穴传输层，材料为NPB，厚度为60nm ；
发光层，材料为ADN，厚度为5nm ；
电子传输层，材料为Bphen,厚度为200nm ；
电子注入层，材料为CsF，厚度为10nm。
[0035]3、最后在2Xl(T3Pa的工作压强下，使有机材料的蒸镀速率为0.lnm/s,且金属及金属化合物的蒸镀速率为lOnm/s，依次在电子注入层上蒸镀阴极复合层中的第五副族金属氧化物层、结晶层和第五副族金属化合物掺杂层，具体为:
a)采用电子束蒸镀制备第五副族金属氧化物层，所选材料为Ta205，该第五副族金属氧化物层厚度为40nm ;电子束蒸镀的能量密度为lOW/cm2 ；
b)采用热阻蒸镀制备结晶层，所选材料为CuPc，该结晶层厚度为400nm；
c)采用电子束蒸镀制备第五副族金属化合物掺杂层，所选材料为质量比为1:1的Nb205与A1，该第五副族金属化合物掺杂层厚度为300nm ;电子束蒸镀的能量密度为lOW/cm2。
[0036]实施例3
本实施例中的有机电致发光器件为层状结构，每层依次为:
阳极导电基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极复合层(由依次层叠的第五副族金属氧化物层、结晶层和第五副族金属化合物掺杂层组成)。
[0037]具体依次为:IZ0玻璃基底、Mo03 层、TAPC 层、BCzVBi 层、TPBi 层、Cs2C03 层、V205层、ZnPc层，V205: Pt层。该有机电致发光器件的结构为IZ0玻璃/MoCB/TAPC/BCzVBi/TPBi/Cs2C03/V205/ZnPc/V205:Pt斜杆“/”表示层状结构，冒号“:”表示相互掺杂。)
上述有机电致发光器件依次按如下步骤制备:
1、先将ΙΖ0玻璃基底进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用洗洁精，去离子水超声15min，去除玻璃表面的有机污染物；
2、然后在5X10_5Pa的工作压强下，使有机材料的蒸镀速率为lnm/s，且金属及金属化合物的蒸镀速率为lnm/s，依次在ΙΖ0玻璃基底上蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层，具体为:
空穴注入层，材料为Mo03，厚度为20nm ；
空穴传输层，材料为TAPC，厚度为30nm ；
发光层，材料为BCzVBi，厚度为40nm ；
电子传输层，材料为TPBi，厚度为60nm ；
电子注入层，材料为Cs2C03,厚度为0.5nm。
[0038]3、最后在5X 10_5Pa的工作压强下，使有机材料的蒸镀速率为lnm/s,且金属及金属化合物的蒸镀速率为lnm/s，依次在电子注入层上蒸镀阴极复合层中的第五副族金属氧化物层、结晶层和第五副族金属化合物掺杂层，具体为: a)采用电子束蒸镀制备第五副族金属氧化物层，所选材料为V205，该第五副族金属氧化物层厚度为10nm ;电子束蒸镀的能量密度为lOOW/cm2 ；
b)采用热阻蒸镀制备结晶层，所选材料为ZnPc，该结晶层厚度为200nm；
c)采用电子束蒸镀制备第五副族金属化合物掺杂层，所选材料为质量比为5:1的V205与Pt，该第五副族金属化合物掺杂层厚度为500nm ;电子束蒸镀的能量密度为lOOW/cm2。
[0039]实施例4
本实施例中的有机电致发光器件为层状结构，每层依次为:
阳极导电基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层、阴极复合层(由依次层叠的第五副族金属氧化物层、结晶层和第五副族金属化合物掺杂层组成)。
[0040]具体依次为:IZ0玻璃基底、W03层、TCTA层、DCJTB层、Bphen层、CsN3层、Ta205层、MgPc层，V205:Au层。该有机电致发光器件的结构为IZ0玻璃/WCB/TCTA/DCJTB/Bphen/CsN3/ Ta205/MgPc/V205:Au斜杆“/”表不层状结构，冒号“:”表不相互掺杂。)
上述有机电致发光器件依次按如下步骤制备:
1、先将IZ0玻璃基底进行光刻处理，剪裁成所需要的大小，依次用去离子水超声15min，去除玻璃表面的有机污染物；
2、然后在5X10_4Pa的工作压强下，使有机材料的蒸镀速率为0.2nm/s，且金属及金属化合物的蒸镀速率为5nm/s，依次在IZ0玻璃基底上蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层，具体为:
空穴注入层，材料为W03，厚度为30nm ；
空穴传输层，材料为TCTA，厚度为50nm ；
发光层，材料为DCJTB，厚度为5nm ；
电子传输层，材料为Bphen,厚度为40nm ；
电子注入层，材料为CsN3，厚度为lnm。
[0041]3、最后在5Xl(T4Pa的工作压强下，使有机材料的蒸镀速率为0.2nm/s,且金属及金属化合物的蒸镀速率为5nm/s，依次在电子注入层上蒸镀阴极复合层中的第五副族金属氧化物层、结晶层和第五副族金属化合物掺杂层，具体为:
a)采用电子束蒸镀制备第五副族金属氧化物层，所选材料为Ta205，该第五副族金属氧化物层厚度为15nm ;电子束蒸镀的能量密度为30W/cm2 ；
b)采用热阻蒸镀制备结晶层，所选材料为MgPc,该结晶层厚度为250nm；
c)采用电子束蒸镀制备第五副族金属化合物掺杂层，所选材料为质量比为3.5:1的V205与Au，该第五副族金属化合物掺杂层厚度为350nm ；电子束蒸镀的能量密度为30W/cm2。
[0042]本发明的有机电致发光器件及该有机电致发光器件的制备方法，存在以下的优占-
^ \\\.本发明的有机电致发光器件通过制备复合阴极，提高出光效率，在电子注入层之上先制备一层第五副族金属氧化物层，第五副族金属氧化物折射率较高，且在可见光范围内透过率达到8(Γ85%左右，可提高器件的透过率，同时，原子半径较大，可对光进行散射，使两侧的光向中间入射，提高出光效率，然后制备结晶层，由酞菁类金属化合物组成，结晶后使膜层表面形成波纹状结构，使垂直发射的光散射，不再垂直，从而不会与金属层的自由电子发生耦合(平行的自由电子会与垂直的光子耦合而损耗掉)，提高光子利用率，同时，酞菁类金属化合物比较容易蒸镀，极易成膜，成膜性好，规整度高，接着制备第五副族金属化合物掺杂层，由第五副族金属化合物与金属组成，第五副族金属化合物进一步提高散射能力，提高阴极的稳定性，金属提高器件的导电性和光的反射性能，这种复合阴极可有效提高发光效率。
[0043]上述测试与制备设备为高真空镀膜系统(沈阳科学仪器研制中心有限公司)，美国海洋光学Ocean Optics的USB4000光纤光谱仪测试电致发光光谱，美国吉时利公司的Keithley2400测试电学性能，日本柯尼卡美能达公司的CS-100A色度计测试亮度和色度。
[0044]上述内容，仅为本发明的较佳实施例，并非用于限制本发明的实施方案，本领域普通技术人员根据本发明的主要构思和精神，可以十分方便地进行相应的变通或修改，故本发明的保护范围应以权利要求书所要求的保护范围为准。
【权利要求】
1.一种有机电致发光器件，该有机电致发光器件为层状结构，该层状结构依次层叠为:阳极导电基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极复合层，其特征在于，所述阴极复合层由依次层叠的第五副族金属氧化物层、结晶层和第五副族金属化合物掺杂层组成；其中， 所述第五副族金属氧化物层的材质为五氧化二钽、五氧化二铌或五氧化二钒； 所述结晶层的材质为酞菁铜、酞菁锌、酞菁镁或酞菁钒； 所述的第五副族金属化合物掺杂层由质量比为1:广5:1的第五副族金属化合物与高功函数金属组成，该第五副族金属化合物为五氧化二钽、五氧化二铌或五氧化二钒，该高功函数金属为银、招、钼或金。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第五副族金属氧化物层的厚度为10nm?40nm。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述结晶层的厚度为200nm ?400nm。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第五副族金属化合物掺杂层的厚度为200nm?500nm。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于， 所述阳极导电基底的材质为铟锡氧化物玻璃、铝锌氧化物玻璃或铟锌氧化物玻璃； 所述空穴注入层的材质为三氧化钥、三氧化钨或五氧化二钒； 所述空穴传输层的材质为1，1-二 [4-[N，N, -二 (P-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺或1& -(1-萘基)_1& - 二苯基-4,4'-联苯二胺； 所述发光层的材质为4- (二腈甲基)-2-丁基-6- (1，1，7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10-二-β-亚萘基蒽、4，4’-双(9-乙基_3_咔唑乙烯基)-1，1，-联苯或8-羟基喹啉铝； 所述电子传输层的材质为4，7- 二苯基-1，10-菲罗啉、1，2，4-三唑衍生物或Ν-芳基苯并咪唑； 所述电子注入层的材质为碳酸铯、氟化铯、叠氮铯或者氟化锂。
6.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤: (a)清洗干净阳极导电基底，用蒸镀的方法在阳极导电基底上依次层叠制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层； (b)在蒸镀的方法下，在电子注入层上制备第五副族金属氧化物层，然后在第五副族金属氧化物层上制备结晶层，接着在结晶层上制备第五副族金属化合物掺杂层；其中， 所述第五副族金属氧化物层的材质为五氧化二钽、五氧化二铌或五氧化二钒； 所述结晶层的材质为酞菁铜、酞菁锌、酞菁镁或酞菁钒； 所述的第五副族金属化合物掺杂层具有质量比为1:广5:1的第五副族金属化合物与高功函数金属，该第五副族金属化合物为五氧化二钽、五氧化二铌或五氧化二钒，该高功函数金属为银、铝、钼或金。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述第五副族金属氧化物层的厚度为 10nm ?40nmo
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述结晶层的厚度为200nm?400nmo
9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述的第五副族金属化合物掺杂层的厚度为200nm?500nm。
10.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述蒸镀的压强为2X 10_3、X 10_5Pa,在空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极复合层中，有机材料的蒸镀速率为0.lnm/s,金属及金属化合物的蒸镀速率为l?10nm/s,蒸镀的能量密度为10?lOOW/cm2。
【文档编号】H01L51/52GK104300086SQ201310302716
【公开日】2015年1月21日 申请日期:2013年7月18日 优先权日:2013年7月18日
【发明者】周明杰, 黄辉, 冯小明, 王平 申请人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司