一种有机电致发光器件及其制备方法
【专利摘要】本发明旨在提供一种具有封装层结构的有机电致发光器件，该封装层为交替层叠的有机阻挡层和无机阻挡层，有机阻挡层的材质为酞菁铜、N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺、8-羟基喹啉铝、4,4',4''-三(N-3-甲基苯基-N-苯基氨基)三苯胺和2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲罗啉中的一种；无机阻挡层的材质为锌、铝、铟单质中的一种与二氧化钛、二氧化锆和二氧化铪中的一种按照质量比1:9～3:7混合形成的混合物。可有效地防止外部水、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵蚀，可延长有机电致发光器件的使用寿命。本发明还提供了一种有机电致发光器件的制备方法，该制备方法工艺简单，原料廉价，易于大面积制备。
【专利说明】一种有机电致发光器件及其制备方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及有机电致发光领域，尤其涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
【背景技术】
[0002] 有机电致发光器件（0LED)是一种以有机材料为发光材料，能把施加的电能转化为 光能的能量转化装置。它具有超轻薄、自发光、响应快、低功耗等突出性能，在显示、照明等 领域有着极为广泛的应用前景。
[0003] 有机电致发光材料对氧气及水汽侵入特别敏感。一方面因为氧气是淬灭剂，会 使发光的量子效率显著下降，氧气对空穴传输层的氧化作用也会使其传输能力下降；另一 方面，水汽会对有机化合物产生水解作用，使其稳定性大大下降，从而导致器件失效，缩短 0LED器件的寿命。因此，常常需要对0LED进行封装保护处理，使发光器件与外界环境隔离， 以防止水分、有害气体等的侵入，进而提高0LED的稳定性和使用寿命。
[0004] 对于柔性0LED产品来说，若使用传统的0LED封装技术，在器件背部加上封装盖 板，会产生重量大、造价高、机械强度差等问题，限制了柔性0LED产品的性能发挥。目前，多 数柔性0LED的防水氧能力不强，且使用寿命较短，制备工艺复杂、成本高。
【发明内容】
[0005] 为了解决上述问题，本发明旨在提供一种具有封装层结构的有机电致发光器件， 该封装层结构可有效地减少外部水、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵蚀，从而对器 件有机功能材料及电极形成有效的保护，延长有机电致发光器件的使用寿命。本发明还提 供了一种有机电致发光器件的制备方法，该制备方法工艺简单，原料廉价，易于大面积制 备。
[0006] 第一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极导电基板、 发光功能层、阴极和封装层，所述发光功能层包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发 光层、电子传输层和电子注入层，其特征在于，所述封装层为交替层叠的有机阻挡层和无机 阻挡层；
[0007] 所述有机阻挡层的材质为酞菁铜、N，N' -二苯基-N，N' -二（1-萘基）-1，1' -联 苯-4, 4'-二胺、8-羟基喹啉铝、4, 4'，4''-三（N-3-甲基苯基-N-苯基氨基）三苯胺和 2, 9-二甲基-4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉中的一种；
[0008] 所述无机阻挡层的材质为锌、铝、铟单质中的一种与二氧化钛、二氧化锆和二氧化 铪中的一种按照质量比1:9?3:7混合形成的混合物。
[0009] 在阴极外侧设置封装层，封装层为交替层叠的有机阻挡层和无机阻挡层。
[0010] 优选地，封装层为交替层叠4?6次的有机阻挡层和无机物阻挡层。
[0011] 有机阻挡层的材质为酞菁铜（CuPc)、N，N'_二苯基-N，N'_二（1-萘基）-1，1'-联 苯-4, 4' -二胺（NPB)、8_羟基喹啉铝（Alq3)、4, 4'，4' ' -三（N-3-甲基苯基-N-苯基氨基） 三苯胺（m-MTDATA)和2, 9-二甲基-4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（BCP)中的一种。
[0012] 优选地，有机阻挡层的厚度为200?300nm。
[0013] 无机阻挡层的材质为锌（Zn)、铝（A1)、铟（In)单质中的一种与二氧化钛（Ti02)、 二氧化锆（Zr02)和二氧化铪（Hf02)中的一种按照质量比1:9?3:7混合形成的混合物。其 中，二氧化钛、二氧化锆或二氧化铪为主体材料，锌、铝或铟单质为客体材料。单质与氧化物 在有机阻挡层的表面形成的盐分子密度增大，结构致密，增强了防水氧能力。
[0014] 无机阻挡层中客体材料与主体材料的质量比为1:9?3:7。
[0015] 优选地，无机阻挡层的厚度为100?150nm。
[0016] 有机阻挡层表面平整，可以吸收和分散各层间的应力，无机阻挡层有良好的水氧 阻隔性，通过有机与无机结合的方式，能形成性能良好的湿气隔离层，防止产生裂痕。
[0017] 优选地，阳极导电基板的材质为导电玻璃基板或导电有机薄膜基板。更优选地，阳 极导电基板为铟锡氧化物（IT0)。
[0018] 优选地，阳极导电基板的厚度为100nm。
[0019] 发光功能层设置在阳极导电基板上。
[0020] 发光功能层包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子 注入层。
[0021] 优选地，空穴注入层的材质为M〇03与NPB按照质量比3:7混合形成的混合物。
[0022] 优选地，空穴注入层的厚度为10nm。
[0023] 优选地，空穴传输层的材质为4, 4'，4' ' -三(咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)。
[0024] 优选地，空穴传输层的厚度为30nm。
[0025] 优选地，发光层的材质为三（2-苯基吡啶）合铱（Ir(ppy)3)与1，3,5_三（1-苯 基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBi)按照质量比5:95混合形成的混合物。
[0026] 优选地，发光层的厚度为20nm。
[0027] 优选地，电子传输层的材质为4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)
[0028] 优选地，电子传输层的厚度为l〇nm。
[0029] 优选地，电子注入层的材质为叠氮化铯（CsN3)与Bphen按照质量比3:7混合形成 的混合物。
[0030] 优选地，电子注入层的厚度为20nm。
[0031] 阴极设置在发光功能层上。
[0032] 优选地，阴极的材质为铝（A1)。
[0033] 优选地，阴极的厚度为lOOnm。
[0034] 第二方面，本发明提供了一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
[0035] S1、提供清洁的阳极导电基板，并对所述阳极导电基板进行活化处理；
[0036] S2、在所述阳极导电基板表面真空蒸镀制备发光功能层和阴极，所述发光功能层 包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；
[0037] S3、在所述阴极表面采用真空蒸镀的方式制备有机阻挡层，所述有机阻挡层的材 质为酞菁铜、N，N' -二苯基-N，N' -二（1-萘基）-1，1' -联苯-4, 4' -二胺、8-羟基喹啉铝、 4, 4'，4''-三（N-3-甲基苯基-N-苯基氨基）三苯胺和2, 9-二甲基-4, 7-二苯基-1，10-菲 罗啉中的一种；
[0038] S4、在所述有机阻挡层表面采用磁控溅射方法制备无机阻挡层，所述无机阻挡层 的材质为锌、铝、铟单质中的一种与二氧化钛、二氧化锆和二氧化铪中的一种按照质量比 1:9?3:7混合形成的混合物，所述磁控溅射条件为加速电压300?800V，磁场50?200G， 功率密度1?40W/cm2,本底真空度1 X 10_5?1 X 10_3Pa ;
[0039] 最终得到所述有机电致发光器件。
[0040] 步骤S1中，通过对阳极导电基板的清洗，除去阳极导电基板表面的有机污染物。 [0041] 具体地，阳极导电基板的清洁操作为：将阳极导电基板依次用丙酮、乙醇、去离子 水、乙醇在超声波清洗机中清洗，然后用氮气吹干，烘箱烤干，得到清洁的阳极导电基板。 [0042] 对洗净后的阳极导电基板进行表面活化处理，以增加导电表面层的含氧量，提高 导电层表面的功函数。
[0043] 优选地，阳极导电基板的材质为导电玻璃基板或导电有机薄膜基板。更优选地，阳 极导电基板为铟锡氧化物（IT0)。
[0044] 优选地，阳极导电基板的厚度为100nm。
[0045] 步骤S2中，发光功能层通过真空蒸镀设置在阳极导电基板上。
[0046] 优选地，真空蒸镀发光功能层时条件为真空度3X l(T5Pa，蒸发速度 0.1A ?0.2A/s。
[0047] 发光功能层包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子 注入层。
[0048] 优选地，空穴注入层的材质为M〇03与NPB按照质量比3:7混合形成的混合物。
[0049] 优选地，空穴注入层的厚度为10nm。
[0050] 优选地，空穴传输层的材质为4, 4'，4' ' -三(咔唑-9-基）三苯胺（TCTA)。
[0051] 优选地，空穴传输层的厚度为30nm。
[0052] 优选地，发光层的材质为三（2-苯基吡啶）合铱（Ir(ppy)3)与1，3,5_三（1-苯 基-1H-苯并咪唑-2-基）苯（TPBi)按照质量比5:95混合形成的混合物。
[0053] 优选地，发光层的厚度为20nm。
[0054] 优选地，电子传输层的材质为4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)
[0055] 优选地，电子传输层的厚度为l〇nm。
[0056] 优选地，电子注入层的材质为叠氮化铯（CsN3)与Bphen按照质量比3:7混合形成 的混合物。
[0057] 优选地，电子注入层的厚度为20nm。
[0058] 阴极通过真空蒸镀设置在发光功能层上。
[0059] 优选地，真空蒸镀阴极时条件为真空度3X l(T5Pa，蒸发速度5A/S。
[0060] 优选地，阴极的材质为铝（A1)。
[0061] 优选地，阴极的厚度为l〇〇nm。
[0062] 步骤S3中，有机阻挡层通过真空蒸镀设置在阴极表面。
[0063] 采用真空蒸镀的方式制备有机阻挡层。优选地，制备工艺条件为真空度 1 X 10_5Pa ?1 X 10_3Pa，蒸发速度0.5A?5A/S。
[0064] 有机阻挡层的材质为酞菁铜、N，N'_二苯基_N，N'_二（1-萘基联 苯-4, 4'-二胺、8-羟基喹啉铝、4, 4'，4'' -三（N-3-甲基苯基-N-苯基氨基）三苯胺和 2, 9-二甲基-4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉中的一种。
[0065] 优选地，有机阻挡层的厚度为200?300nm。
[0066] 步骤S4中，无机阻挡层采用磁控溅射方法设置在有机阻挡层表面。
[0067] 磁控溅射制备混合阻挡层时条件为加速电压300?800V，磁场50?200G，功率密 度1?40W/cm2,本底真空度1 X 1(T5?1 X l(T3Pa。
[0068] 无机阻挡层的材质为锌、铝、铟单质中的一种与二氧化钛、二氧化锆和二氧化铪中 的一种按照质量比1:9?3:7混合形成的混合物。其中，二氧化钛、二氧化锆或二氧化铪为 主体材料，锌、铝或铟单质为客体材料。
[0069] 无机阻挡层中客体材料与主体材料的质量比为1:9?3:7。
[0070] 优选地，无机阻挡层的厚度为100?150nm。
[0071] 优选地，封装层为交替层叠4?6次的有机阻挡层和无机物阻挡层。
[0072] 本发明具有如下有益效果：
[0073] (1)本发明提供的一种具有封装层结构的有机电致发光器件，可有效地防止外部 水、氧等活性物质对有机电致发光器件的侵蚀，具有较好的密封性和较长的使用寿命。
[0074] (2)本发明提出的0LED器件封装层结构适用于以玻璃基底制备的0LED器件以及 塑料或金属为基底制备的柔性0LED器件，该技术特别适用于柔性0LED器件的应用。
[0075] (3)本发明提供的一种有机电致发光器件的制备方法，该制备方法工艺简单，原料 廉价，易于大面积制备。
【专利附图】
【附图说明】
[0076] 为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本 发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以 根据这些附图获得其他的附图。
[0077] 图1是本发明实施例6提供的有机电致发光器件的结构图。
【具体实施方式】
[0078] 下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完 整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于 本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他 实施例，都属于本发明保护的范围。
[0079] 实施例1 :
[0080] 一种有机电致发光器件，通过以下操作步骤制得：
[0081] ( 1)提供清洁的阳极导电基板：
[0082] 将IT0玻璃基板依次用丙酮、乙醇、去离子水、乙醇在超声波清洗机中清洗，单项 洗涤清洗5分钟，然后用氮气吹干，烘箱烤干待用；对洗净后的IT0玻璃进行表面活化处理； IT0厚度为100nm ;
[0083] (2)在IT0玻璃基板上真空蒸镀发光功能层：
[0084] 具体地，发光功能层包括空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注 入层；
[0085] 空穴注入层的制备：将M〇03与NPB按照质量比3:7混合得到的混合物作为空穴注 入层的材质，厚度l〇nm，真空度3 X l(T5Pa，蒸发速度〇.丨A/s;
[0086] 空穴传输层的制备：采用4, 4'，4' 三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA)作为空穴传输 材料，真空度3 X l(T5Pa，蒸发速度〇.丨A/s,蒸发厚度30nm ;
[0087] 发光层的制备：采用Ir (ppy)3与TPBi按照质量比5:95混合形成的混合物作为发 光层的材质，真空度3X l(T5Pa，蒸发速度0.2A/S，蒸发厚度20nm ;
[0088] 电子传输层的制备：蒸镀一层4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉（Bphen)作为电子传输 材料，真空度3 X l(T5Pa，蒸发速度〇.丨A/s，蒸发厚度l〇nm ;
[0089] 电子注入层的制备：将CsN3与Bphen按照质量比3:7混合形成的混合物作为电子 注入层的材质，真空度3X l(T5Pa，蒸发速度0.2A/S，蒸发厚度20nm ;
[0090] (3)在发光功能层表面制备阴极：
[0091] 金属阴极采用铝（A1)，厚度为lOOnm，真空度3Xl(T5Pa，蒸发速度5A/S;
[0092] (4)在阴极外侧制备封装层：
[0093] 封装层为交替层叠6次的有机阻挡层和无机物阻挡层；
[0094] 有机阻挡层的制作：采用真空蒸镀的方式在阴极上制备一层CuPc，真空度 1 X 10_5Pa，蒸发速度 5 A /S,厚度 300nm ;
[0095] 无机阻挡层的制作：将Zn与Ti02按照质量比1:4混合形成的混合物作为无机阻 挡层的材质，采用磁控溅射方法制作，加速电压450V，磁场150G，功率密度25W/cm2,本底真 空度 lX10_5Pa，厚度 150nm ;
[0096] 最终制得有机电致发光器件。
[0097] 实施例2 :
[0098] 一种有机电致发光器件，通过以下操作步骤制得：
[0099] (1)、（2)、（3)同实施例 1 ;
[0100] (4)在阴极外侧制备封装层：
[0101] 封装层为交替层叠6次的有机阻挡层和无机物阻挡层；
[0102] 有机阻挡层的制作：采用真空蒸镀的方式在阴极上制备一层NPB，真空度 5 X 10_5Pa，蒸发速度 2 A /S,厚度 250nm ;
[0103] 无机阻挡层的制作：将A1与Zr02按照质量比3:7混合形成的混合物作为无机阻 挡层的材质，采用磁控溅射方法制作，加速电压300V，磁场200G，功率密度lW/cm2,本底真空 度 1 X 10 5Pa，厚度 150nm ;
[0104] 最终制得有机电致发光器件。
[0105] 实施例3 :
[0106] 一种有机电致发光器件，通过以下操作步骤制得：
[0107] (1)、（2)、（3)同实施例 1 ;
[0108] (4)在阴极外侧制备封装层：
[0109] 封装层为交替层叠6次的有机阻挡层和无机物阻挡层；
[0110] 有机阻挡层的制作：采用真空蒸镀的方式在阴极上制备一层Alq3，真空度 5 X l(T5Pa，蒸发速度〇.5人/S,厚度200nm ;
[0111] 无机阻挡层的制作：将In与Hf02按照质量比1:9混合形成的混合物作为无机阻 挡层的材质，采用磁控溅射方法制作，加速电压800V，磁场50G，功率密度40W/cm2,本底真空 度 5 X 10 5Pa，厚度 100nm ;
[0112] 最终制得有机电致发光器件。
[0113] 实施例4:
[0114] 一种有机电致发光器件，通过以下操作步骤制得：
[0115] (1)、（2)、（3)同实施例 1 ;
[0116] (4)在阴极外侧制备封装层：
[0117] 封装层为交替层叠5次的有机阻挡层和无机物阻挡层；
[0118] 有机阻挡层的制作：采用真空蒸镀的方式在阴极上制备一层m-MTDATA，真空度 5 X 10_5Pa，蒸发速度 2 A /S，厚度 250nm ;
[0119] 无机阻挡层的制作：将Zn与Hf02按照质量比1:4混合形成的混合物作为无机阻 挡层的材质，采用磁控溅射方法制作，加速电压600V，磁场120G，功率密度15W/cm2,本底真 空度 5X10_5Pa，厚度 120nm;
[0120] 最终制得有机电致发光器件。
[0121] 实施例5:
[0122] 一种有机电致发光器件，通过以下操作步骤制得：
[0123] (1)、（2)、（3)同实施例 1 ;
[0124] (4)在阴极外侧制备封装层：
[0125] 封装层为交替层叠5次的有机阻挡层和无机物阻挡层；
[0126] 有机阻挡层的制作：采用真空蒸镀的方式在阴极上制备一层BCP，真空度 5 X 10_5Pa，蒸发速度 1 A /S,厚度 250nm ;
[0127] 无机阻挡层的制作：将A1与Hf02按照质量比3:17混合形成的混合物作为无机阻 挡层的材质，采用磁控溅射方法制作，加速电压450V，磁场150G，功率密度25W/cm2,本底真 空度 5X10_5Pa，厚度 130nm;
[0128] 最终制得有机电致发光器件。
[0129] 实施例6
[0130] 一种有机电致发光器件，通过以下操作步骤制得：
[0131] (1)、（2)、（3)同实施例 1 ;
[0132] (4)在阴极外侧制备封装层：
[0133] 封装层为交替层叠4次的有机阻挡层和无机物阻挡层；
[0134] 有机阻挡层的制作：采用真空蒸镀的方式在阴极上制备一层CuPc，真空度 1 X 10_3Pa，蒸发速度2 A /S，厚度 250nm ;
[0135] 无机阻挡层的制作：将In与Hf02按照质量比3:17混合形成的混合物作为无机阻 挡层的材质，采用磁控溅射方法制作，加速电压450V，磁场150G，功率密度25W/cm2,本底真 空度 lX10_3Pa，厚度 120nm ;
[0136] 最终制得有机电致发光器件。
[0137] 图1是本实施例的有机电致发光器件的结构示意图。如图1所示，该有机电致发 光器件的结构包括依次层叠的阳极导电基板10、发光功能层20、阴极30、封装层40 (包括 有机阻挡层401、无机阻挡层402、有机阻挡层403、无机阻挡层404、有机阻挡层405、无机阻 挡层406、有机阻挡层407、无机阻挡层408)。
[0138] 效果实施例
[0139] 采用Ca膜电学测试系统测试有机电致发光器件的水蒸气渗透率（WVTR)，并测试 有机电致发光器件的寿命（T70@1000cd/m2)，从初始亮度lOOOcd/m2衰减到70%所需的时间。 本发明实施例1?6制备的有机电致发光器件的WVTR和寿命如表1所示。从表中可以看 出，WVTR均保持在l(T4g/(m2 ? day)数量级，最低可达到5. 4X l(T4g/(m2 ? day)，可以满足柔 性0LED的实用要求。有机电致发光器件的寿命时间最长可达到4711小时。这说明，本发 明制备的具有封装层结构的有机电致发光器件可有效地防止外部水、氧等活性物质对有机 电致发光器件的侵蚀，具有较好的密封性和较长的使用寿命。
[0140] 表 1
[0141]
【权利要求】
1. 一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极导电基板、发光功能层、阴极和封装 层，所述发光功能层包括依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子 注入层，其特征在于，所述封装层为交替层叠的有机阻挡层和无机阻挡层； 所述有机阻挡层的材质为酞菁铜、N，N'_二苯基-N，N'_二（1-萘基）-l，r-联 苯-4, 4'-二胺、8-羟基喹啉铝、4, 4'，4''-三（Ν-3-甲基苯基-N-苯基氨基）三苯胺和 2, 9-二甲基-4, 7-二苯基-1，10-菲罗啉中的一种； 所述无机阻挡层的材质为锌、铝、铟单质中的一种与二氧化钛、二氧化锆和二氧化铪中 的一种按照质量比1:9?3:7混合形成的混合物。
2. 如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述封装层为交替层叠4?6 次的有机阻挡层和无机物阻挡层。
3. 如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机阻挡层的厚度为 200 ?300nm〇
4. 如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述无机阻挡层的厚度为 100 ?150nm。
5. -种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 51、 提供清洁的阳极导电基板，并对所述阳极导电基板进行活化处理； 52、 在所述阳极导电基板表面真空蒸镀制备发光功能层和阴极，所述发光功能层包括 依次层叠的空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层； 53、 在所述阴极表面采用真空蒸镀的方式制备有机阻挡层，所述有机阻挡层的材质 为酞菁铜、Ν，Ν'-二苯基-N，Ν'-二（1-萘基）-1，Γ-联苯-4, 4'-二胺、8-羟基喹啉铝、 4, 4'，4''-三（Ν-3-甲基苯基-N-苯基氨基）三苯胺和2, 9-二甲基-4, 7-二苯基-1，10-菲 罗啉中的一种； 54、 在所述有机阻挡层表面采用磁控溅射方法制备无机阻挡层，所述无机阻挡层的材 质为锌、铝、铟单质中的一种与二氧化钛、二氧化锆和二氧化铪中的一种按照质量比1:9? 3:7混合形成的混合物，所述磁控溅射条件为加速电压300?800V，磁场50?200G，功率密 度1?40W/cm 2,本底真空度I X KT5?I X KT3Pa ; 最终得到所述有机电致发光器件。
6. 如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述有机阻挡层 制备工艺条件为真空度I X KT5Pa?I X KT3Pa,蒸发速度0.5A?5A/S。
7. 如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述封装层为交 替层叠4?6次的有机阻挡层和无机物阻挡层。
8. 如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述有机阻挡层 的厚度为200?300nm。
9. 如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述无机阻挡层 的厚度为100?150nm。
【文档编号】H01L51/54GK104518132SQ201310449545
【公开日】2015年4月15日 申请日期:2013年9月27日 优先权日:2013年9月27日
【发明者】周明杰, 钟铁涛, 王平, 张振华 申请人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技术有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司