基板载置台和基板处理装置制造方法
【专利摘要】本发明提供一种在剥离被处理基板时难以产生因被处理基板的吸附现象导致的基板的破裂以及残留的电荷或剥离带电导致的元件的静电破坏的基板载置台和使用其的基板处理装置。该基板载置台包括：包括静电卡盘的载置台主体，该静电卡盘在具有载置基板的载置面的上部绝缘部件内设置被施加直流电压的吸附电极；对载置台主体调节温度的温度调节机构；和对基板的背面侧供给传热气体的传热气体供给机构，具有在载置有基板时在基板与比周缘载置部靠内侧的内侧部分的上表面之间被供给传热气体的空间，吸附电极不存在于与周缘载置部对应的部分，周缘载置部具有凹部，该凹部使得附着于周缘载置部的上表面的副生成物不粘着在载置在周缘载置部上的基板的背面。
【专利说明】基板载置台和基板处理装置
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及载置基板的基板载置台和使用该基板载置台的基板处理装置。
【背景技术】
[0002]平板显示器(FPD)、半导体器件的制造过程中，多采用对被处理基板实施蚀刻、溅射、CVD (化学气相生长)等的等离子体处理。
[0003]作为实施这种等离子体处理的等离子体处理装置，已知有例如在腔室内配置一对平行平板电极(上部和下部电极)，在用作下部电极的基板载置台载置被处理基板，将处理气体导入腔室内，并且对电极的至少一方施加高频，在电极之间形成高频电场，利用该高频电场形成处理气体的等离子体来对被处理基板实施等离子体处理。
[0004]在这种等离子体处理装置中，作为下部电极的基板载置台所载置的被处理基板的温度因等离子体的热而不均匀地上升时，存在等离子体处理的面内均匀性的恶化、抗蚀剂烧损等的产品不良。因此，以被处理基板变为均匀的温度分布的方式对基板载置台进行温度调节，并且使气体充满基板载置台与基板之间的空间来传递基板载置台的热。另外，为了保持该空间的压力，在基板载置台的上表面的外周部设置载置被处理基板的周缘部并与其粘着的突台，并且，为了防止被处理基板的浮起、偏移，在基板载置台的上表面形成静电卡盘(ESC)，利用静电吸附将被处理基板固定(例如专利文献I)。
[0005]专利文献1:日本特开2008 - 84924号公报
【发明内容】
[0006]发明要解决的问题
[0007]但是，静电卡盘对设置在绝缘部件的内部的吸附电极施加直流电压，由此利用存在于吸附电极的电荷与腔室内的等离子体的电荷之间的库仑力将被处理基板吸附固定于基板载置台表面，但是例如当导电性副生成物附着于基板载置台(下部电极)的表面时，被处理基板与基板载置台之间容易进入电子，当电子进入时，该正电荷与吸附电极的负电荷结合，在使静电卡盘的电压关断时反而被处理基板被基板载置台的突台吸附，之后即使实施除电工序也不能够充分除去电荷。另外，副生成物附着在突台的表面，被处理基板与突台之间的间隙被副生成物填埋，基板和基板载置台的粘着度变得过度，进一步加剧被处理基板的吸附。因此，在除电后，使被处理基板上升，从基板载置台剥离时，这成为由吸附现象导致的基板的破裂和残存的电荷、剥离带电导致的元件的静电破坏(ESD)产生的原因。
[0008]本发明是鉴于该情况而完成的，课题在于提供一种基板载置台和使用该基板载置台的基板处理装置，该基板载置台在剥离被处理基板时，难以产生被处理基板的吸附现象导致的基板的破裂和残存的电荷、剥离带电导致的元件的静电破坏。
[0009]用于解决问题的技术方案
[0010]为了解决上述课题，本发明的第一方面中，提供一种基板载置台，其在处理容器内利用处理气体对被处理基板实施处理的基板处理装置中载置基板，该基板载置台的特征在于，包括:载置台主体，其包括静电卡盘，该静电卡盘在具有载置被处理基板的载置面的上部绝缘部件内设置被施加直流电压的吸附电极；对上述载置台主体进行温度调节的温度调节机构；和传热气体供给机构，其在上述载置台主体载置有被处理基板时，对被处理基板的背面侧供给传热气体，上述上部绝缘部件具有载置被处理基板的周缘部的周缘载置部，上述上部绝缘部件的比上述周缘载置部靠内侧的内侧部分的上表面形成为比上述周缘载置部低，具有在载置有被处理基板时在被处理基板与上述内侧部分的上表面之间被供给上述传热气体的空间，上述吸附电极不存在于上述上部绝缘部件的上述周缘载置部，上述周缘载置部具有凹部，该凹部使得因上述处理气体而附着于上述周缘载置部的上表面的副生成物不粘着在载置于上述周缘载置部之上的被处理基板的背面。
[0011]上述第I方面的基板载置台中，还包括从上述上部绝缘部件的上述内侧部分延伸至与上述周缘载置部相同高度的位置且在其上表面支承被处理基板的基板支承部。
[0012]上述凹部能够为形成在上述周缘载置部的上表面的槽。
[0013]上述槽能够沿上述周缘载置部上表面的周方向设置。在该情况下，优选上述槽具有多个，优选上述多个槽以均等的间隔和宽度形成。优选上述周缘载置部的不包含槽的部分的宽度为5mm以上。
[0014]上述载置台主体具有导电体部分，上述导电体部分可以被供给用于生成等离子体的高频电力。
[0015]本发明的第2方面中，提供一种基板处理装置，其特征在于，具备:用于对被处理基板实施处理的处理容器；在上述处理容器内载置基板的上述第I方面所述的基板载置台；对上述处理容器内供给处理气体的处理气体供给机构；和对上述处理容器内进行排气的排气机构。
[0016]上述第2方面的基板处理装置中，能够采用如下构成:上述基板载置台的上述载置台主体包括导电体部分，上述导电体部分与供给用于生成等离子体的高频电力的高频电源连接，上述处理气体供给机构包括:在上述处理容器的上部与上述基板载置台相对地设置的用于对上述处理容器内排出上述处理气体的喷淋头，上述基板载置台和上述喷淋头构成一对平行平板电极，利用从上述高频电源供给的高频电力在上述处理容器内形成处理气体的等离子体。
[0017]发明效果
[0018]根据本发明，静电卡盘的吸附电极设置为不存在于上部绝缘部件的周缘载置部，且周缘载置部具有使得因处理气体而附着于周缘载置部的上表面的副生成物不粘着在载置于周缘载置部上的被处理基板的背面的凹部。因此，即使电荷围绕周缘载置部的导电性的副生成物也不存在与其结合的电荷，另外，因凹部的存在而能够降低周缘载置部和被处理基板之间的吸附力，所以在除电后使被处理基板上升，从基板载置台剥离时，能够防止吸附现象导致的基板的破裂和残存的电荷、剥离带电导致的元件的静电破坏(ESD)的产生。
【专利附图】
【附图说明】
[0019]图1是作为本发明的一个实施方式的基板处理装置的一个例子的等离子体蚀刻装置的截面图。
[0020]图2是表示图1的等离子体蚀刻装置中的基板载置台的截面图。[0021]图3是表示等离子体蚀刻装置中的基板载置台的一部分的平面图。
[0022]图4是表示现有的基板载置台的截面图。
[0023]图5 Ca)和(b)是表示在现有的基板载置台中，利用静电卡盘吸附有基板的状态和解除了吸附的状态的示意图。
[0024]图6 (a)和(b)是表示在现有的基板载置台中，在突台上附着有导电性的副生成物的状态下利用静电卡盘吸附有基板的状态和解除了吸附的状态的示意图。
[0025]图7是表示在现有的基板载置台中，突台上载置有基板的状态的图，图7 (a)表示形成有突台与基板之间的间隙的状态，图7 (b)表示间隙被副生成物填埋的状态。
[0026]图8 Ca)和(b)是表示在本实施方式的基板载置台中，在突台上附着有导电性的副生成物的状态下利用静电卡盘吸附有基板的状态和解除了吸附的状态的示意图。
[0027]图9 (a)和(b)是表不在形成有槽的突台上载置有基板的状态的图。
[0028]附图标记说明
[0029]1.等离子体蚀刻装置(基板处理装置);2.腔室(处理容器);4.基板载置台；4a.基材；4b.底部绝缘部件；4c.上部绝缘部件；4d.侧部绝缘部件；5.冷却剂流路；7.空间；
8.支承部件；15.处理气体供给管；18.处理气体供给源；19.排气管；20.排气装置；21.搬入搬出口 ；25.高频电源；26.传热气体流路；27.传热气体供给机构；30.静电卡盘；31.吸附电极；33.直流电源；40.控制部；41.突台(周缘载置部)；42.内侧部分；51.副生成物；52.间隙；G.基板。
【具体实施方式】
[0030]以下，参照【专利附图】
【附图说明】本发明的实施方式。
[0031]图1是表示作为本发明的一个实施方式的基板处理装置的一例的等离子体蚀刻装置的截面图，图2是表示图1的等离子体蚀刻装置中的基板载置台的截面图，图3是表示基板载置台的一部分的平面图。
[0032]如图1所示，该等离子体蚀刻装置I构成为对Fro用的玻璃基板(以下简记为“基板”)G进行蚀刻的电容结合型平行平板等离子体蚀刻装置。作为FPD例如有液晶显示器(IXD)、电致发光(ElectroLuminescence ;EL)显示器、等离子体显示器面板(PDP)等。等离子体蚀刻装置I具备作为收纳被处理基板即基板G的处理容器的腔室2。腔室2例如由表面被氧化铝膜处理过(阳极氧化处理)的铝构成，与基板G的形状对应地形成为四边筒状。
[0033]腔室2内的底壁载置基板G，并且设置有用作下部电极的基板载置台4。基板载置台4的详细的结构在后文说明。
[0034]在腔室2的上部或上壁，与基板载置台4相对地设置有对腔室2内供给处理气体并且用作上部电极的喷淋头11。喷淋头11形成有使处理气体扩散至内部的气体扩散空间12，并且在下表面或与基板载置台4相对的面形成有排出处理气体的多个排出孔13。该喷淋头11接地，与基板载置台4 一起构成一对平行平板电极。
[0035]在喷淋头11的上表面设置有气体导入口 14，该气体导入口 14与处理气体供给管15连接，该处理气体供给管15经由阀16和质量流量控制器17与处理气体供给源18连接。从处理气体供给源18供给用于蚀刻的处理气体。作为处理气体在该领域中通常能够使用卤素类的气体、O2气体、Ar气体等。[0036]腔室2的底壁与排气管19连接，该排气管19与排气装置20连接，设置有未图示的压力调整阀。排气装置20具备涡轮分子泵等的真空泵，由此，对腔室2内进行排气，能够将其抽真空至规定的气压气氛。腔室2的侧壁形成有用于搬入搬出基板G的搬入搬出口 21，并且设置有打开和关闭该搬入搬出口 21的门阀22，在搬入搬出口 21开放时，通过未图示的搬送单元将基板G搬入腔室2内和搬出腔室2内外。
[0037]另外，等离子体蚀刻装置I具备控制部40，该控制部具备用于控制等离子体蚀刻装置I的各构成部的微处理器(计算机)。
[0038]接着，参照图2、3说明基板载置台4的详细的结构。
[0039]基板载置台4具有:由铝等的金属或碳这样的导电性材料构成的基材4a ;设置在基材4a与腔室2的底部之间的底部绝缘部件4b ;设置在基材4a之上的上部绝缘部件4c ；和覆盖基材4a的侧壁的侧部绝缘部件4d，它们构成为与基板G的形状对应地形成为四角板状或柱状的载置台主体。作为底部绝缘部件4b、上部绝缘部件4c、侧部绝缘部件4d能够使用矾土等的绝缘性陶瓷。
[0040]基材4a与用于供给高频电力的供电线23连接，该供电线23与匹配器24和高频电源25连接。从高频电源25例如对基板载置台4供给13.56MHz的高频电力，由此，基板载置台4用作下部电极。另外，在基材4a设置有作为用于对所载置的基板G的温度进行温度调节的温度调节单元的使冷却介质流通的冷却剂流路5。
[0041]构成基板载置台4的上部的上部绝缘部件4c在其上表面的外周部形成有载置基板G的周缘部并与其粘着的作为周缘载置部的突台41。在比上部绝缘部件4c的突台41更靠内侧的内侧部分42形成为其上表面比突台41的上表面低，当载置有基板G时，在基板G与内侧部分42的上表面之间形成有空间7。空间7与从下方延伸的传热气体流路26连接，传热气体流路26的另一端与传热气体供给机构27连接。于是，从传热气体供给机构27经由传热气体流路26向空间7供给用于对基板G传递热的传热气体、例如He气体。
[0042]在空间7的内部设置有从内侧部分42的上表面向上方延伸的多个支承部件8。突台41的上表面和支承部件8的上表面具有相同高度的位置，用支承部件的上表面支承在突台41的上表面周缘部被载置的基板G的下面中央部，突台41的上表面和支承部件8的上表面构成基板G的载置面。此外，在本实施方式中，表示支承部件8为圆柱状的情况，支承部件8对空间7的整体供给传热气体，只要能够支承基板G，能够采用格子状、扁平状等、其它的各种形状。另外，支承部件8也可以为一个。
[0043]在上部绝缘部件4c的内部沿基板G的面内方向(B卩，水平方向)设置有吸附电极31，由上部绝缘部件4c和吸附电极31构成用于静电吸附基板G的静电卡盘30。吸附电极31能够采用板状、膜状、格子状、网状等各种形态。另外，吸附电极31设置为其端部不接触突台41。即，上部绝缘部件4c的与突台41对应的部分不存在吸附电极31。吸附电极31经由供电线32与直流电源33连接，对吸附电极31施加直流电压。对吸附电极31的供电能够通过开关34接通和断开。在断开状态下，供电线32接地。
[0044]如后文所述，从降低副生成物的附着导致的基板G与突台41之间的吸附力来消除接触过度的粘着的观点出发，在突台41的上表面沿周方向形成有一个以上(在本例的情况下两个)槽41a。传热气体不流入槽41a。另外，从降低来自传热气体的空间7的泄露量的观点出发，突台41的宽度优选为除了槽41a之外的载置基板的部分的宽度的合计为5mm以上。另外，优选使槽41a为2个以上，以均等的间隔、宽度形成槽41a。槽41a的深度无特别限制，但是优选为突台41能够保持必要的强度的范围。替代设置这种槽41a，另外除了设置槽41a之外，还可以使突台41的表面粗糙等，形成不同形式的凹部。
[0045]基板载置台4以相对于基板载置台4的上表面(即上部绝缘部件4c的上表面)能够伸出和缩回地设置有用于进行基板G的交接的多个升降销(未图示)，相对从基板载置台4的上表面向上方突出的状态的升降机进行基板G的交接。
[0046]接着，对如上方式构成的等离子体蚀刻装置I中的处理动作进行说明。以下的处理动作在控制部40的控制下进行。
[0047]首先，利用排气装置20对腔室2内进行排气使其成为规定的压力，开放门阀22，利用未图示的搬送单元从搬入搬出口 21搬入基板G，在使未图示的升降销上升的状态下，在之上接收基板G，使升降销下降，将基板G载置于基板载置台4上。在使搬送单元从腔室2退避之后，关闭门阀22。
[0048]在该状态下，利用压力调整阀将腔室2内的压力调整为规定的真空度，并且从处理气体供给源18经由处理气体供给管15和喷淋头11将处理气体供给腔室2内。
[0049]然后，从高频电源25经由匹配器24对基板载置台4 (基材4a)施加高频电力，在作为下部电极的基板载置台和作为上部电极的喷淋头11之间产生高频电场，使腔室2内的处理气体等离子体化。此时，从直流电源33对静电卡盘30的吸附电极31施加直流电压，基板G经由等离子体被库伦力吸附固定在基板载置台4。
[0050]此时，冷却剂流路5中流通规定温度的冷却介质，对基板载置台4进行温度调节，从传热气体供给机构27经由传热气体流路26对基板G背面侧的空间7供给传热气体，将基板载置台4的热传递至基板G来控制基板G的温度。
[0051]在该状态下，对基板G进行等离子体处理，在本实施方式中进行等离子体蚀刻处理。
[0052]在处理结束后，断开高频电源25，并且将开关34切换至接地侧，停止从直流电源33施加直流电压，解除基板G的静电吸附。然后，利用升降销(未图示)将基板G升起，打开门阀22利用搬送机构(未图示)将处理后的基板G搬出。
[0053]但是，如图4所示，在现有的基板载置台4'中，为了可靠地吸附基板G，将静电卡盘30'的吸附电极31'设置于尽可能靠基板G的端部近的位置。即使在这种现有的基板载置台4'中，在突台41'的表面不存在副生成物的情况下，对图5 (a)的吸附电极31'施加电压，在吸附电极31'的表面和基板G的表面产生电荷吸附基板G的状态开始至停止电压的施加，如图5 (b)所示，电荷离开吸附电极3P，基板G的表面的电荷也离开，基板G的吸附被解除，所以在使基板G升起时，基板G能够无问题地从基板载置台4'剥离。但是，在使处理气体等离子体化进行等离子体处理的情况下，因反应而生成副生成物，如图6 (a)所示，有时它们作为副生成物51附着在基板载置台4'的表面、特别是突台41'的表面。在该副生成物51有导电性的情况下，对吸附电极3广施加电压时，电荷绕进副生成物51的表面，与吸附电极31'其正下方的部分的电荷结合。在该状态下，即使停止施加电压，如图6(b)所示，成为绕进附着于突台41'的导电性的副生成物51的表面的电荷没有被除去，吸附电极31'的与突台41'对应的部分的电荷残留的状态，成为由突台41'的部分吸附基板G的状态。[0054]另外，现有技术中，如图4所示，重视在静电吸附时与基板G之间的粘着性和抑制来自空间7的泄露，突台41'形成为具有充足的宽度。但是，在微观观看时，如图7 (a)所示，在突台41'和基板G之间存在间隙52时，如图7 (b)所示，该间隙52被因等离子体处理而产生的副生成物51填埋时，因副生成物51的作用而使基板G和突台41'之间牢固地粘着，进一步助长基板G的吸附。
[0055]现有技术中，如上所述，与突台41'对应的部分的电荷的残留、和副生成物51导致的基板G和突台41'之间的过度的粘着，在升起基板G使其从基板载置台4,剥离时，发生由吸附现象导致的基板的破裂和残存的电荷、剥离带电导致的元件的静电破坏(ESD )。
[0056]所以，在本实施方式中，将静电卡盘30的吸附电极31设置为不与突台41接触，使得在上部绝缘部件4c的与突台41对应的部分不存在吸附电极31，且在突台41的上表面形成有槽41a。
[0057]将吸附电极31设置为不与突台41接触，由此，在对吸附电极31施加电压而吸附基板G时，如图8 (a)所示，即使电荷绕进形成在突台41的导电性副生成物51的表面，在其正下方部分不存在吸附电极31，所以与该电荷结合的电荷不存在，当停止施加电压时，如图8 (b)所示，不残留绕进了导电性的副生成物51的表面的电荷，吸附电极31的电荷全都被除去，不产生因电荷导致的基板G的吸附。此外，即使吸附电极31在物理上与突台41对应的部分稍微突出，只要存在于吸附电极31的电荷和存在于突台41 (导电性副生成物)的上表面的电荷不形成存在影响的接合，包含于“吸附电极31不存在于与突台41对应的部分”的状态。
[0058]另外，如图9 (a)和(b)所示，在突台41的上表面设置槽41a，由此在槽41a的部分，副生成物51不吸附于基板G，因此，在不存在突台41的槽41a的部分，基板G被副生成物51吸附，能够减小其面积。因此，能够降低基于副生成物51的存在的基板G的吸附力。
[0059]由此，能够避免静电吸附力被充分解除、基板G和突台41因副生成物而过度吸附的情况，在除电后将基板G升起使其从基板载置台4剥离时，能够防止吸附现象导致的基板的破裂和残存的电荷、剥离带电导致的元件的静电破坏(ESD)的产生。
[0060]另一方面，吸附电极31不存在于基板载置台4的与突台41对应的部分，所以可能周缘部的基板保持力降低，来自空间7的传热气体的泄露增大。但是，使用评价电极进行泄露量调查的结果，吸附电极31存在于与突台41对应的部分的情况下为3.77SCCm，与此相对，在吸附电极31不存在于与突台41对应的部分的情况下为3.8sCCm，几乎没发现差别。所以，即使在吸附电极31不存在于与突台41对应的部分的情况下，也确认能够获得充足的基板保持力。
[0061]另外，通过在突台41设置降低因副生成物导致的吸附的槽41a，基板G的吸附力稍微降低，但是通过确保突台41的与基板G接触的部分的面积，能够几乎不产生传热气体的泄露量的增大等的不良影响。
[0062]例如，在突台41沿周向形成I个以上的槽41a，由此能够降低因副生成物的附着导致的基板G与突台41之间的吸附力，但是此时，优选以传热气体泄露量在容许范围的方式确保突台41的槽41a以外的部分的宽度，根据该观点，突台41的宽度优选为除了槽41a之外的载置基板的部分的宽度合计为5mm以上。另外，优选使槽41a为2个以上，以均等的间隔、宽度形成槽41a，由此能够进一步提高降低因副生成物的附着导致的基板G和突台41的间的吸附力的效果和降低泄露的效果这两者，所以优选。即，以均等的间隔、宽度设置槽41a，由此不仅能够单单降低基板一突台间的吸附力，而且即使在基板一突台间产生副生成物，也能够使对基板G的附着力均等地分散，能够防止局部的基板的吸附导致的基板、装置的破损。另外，设置多个槽41a，从高圧的内侧至槽时膨胀(减压)而到达低压的外侧，因此能够进一步降低传热气体的泄露量。进而，为了降低副生成物的附着导致的基板G和突台41之间的吸附力，替代设置这种槽41a，或者除了设置槽41a之外使突台41的表面粗糙等，形成能够避免副生成物对基板G的吸附的其它方式的凹部也是有效的。
[0063]此外，本发明不限于上述实施方式，能够进行各种变形。例如，在上述实施方式中，对将本发明适用于平行平板型等离子体蚀刻装置的例子进行了说明，但是不限于此，也可以使用感应接合型等其它的等离子体生成单元，并且不限于等离子体蚀刻，也能够适用于等离子体灰化、等离子体CVD等其它的等离子体处理装置，并且不限于等离子体处理装置，能够适用于将基板载置于基板载置台进行处理的基板处理装置全部。另外，在上述实施方式中，对适用于Fro用的玻璃基板的例子进行了说明，但是不限于此，当然也能够适用于半导体基板等、其它的基板。
【权利要求】
1.一种基板载置台，其在处理容器内利用处理气体对被处理基板实施处理的基板处理装置中载置基板，该基板载置台的特征在于，包括: 载置台主体，其包括静电卡盘，该静电卡盘在具有载置被处理基板的载置面的上部绝缘部件内设置被施加直流电压的吸附电极； 对所述载置台主体进行温度调节的温度调节机构；和 传热气体供给机构，其在所述载置台主体载置有被处理基板时，对被处理基板的背面侧供给传热气体， 所述上部绝缘部件具有载置被处理基板的周缘部的周缘载置部，所述上部绝缘部件的比所述周缘载置部靠内侧的内侧部分的上表面形成为比所述周缘载置部低，具有在载置有被处理基板时在被处理基板与所述内侧部分的上表面之间被供给所述传热气体的空间，所述吸附电极不存在于所述上部绝缘部件的所述周缘载置部， 所述周缘载置部具有凹部，该凹部使得因所述处理气体而附着于所述周缘载置部的上表面的副生成物不粘着在载置于所述周缘载置部之上的被处理基板的背面。
2.如权利要求1所述的基板载置台，其特征在于: 还包括从所述上部绝缘部件的所述内侧部分延伸至与所述周缘载置部相同高度的位置且在其上表面支承被处理基板的基板支承部。
3.如权利要求1或2所述的基板载置台，其特征在于: 所述凹部为形成在所述周缘载置部的上表面的槽。
4.如权利要求3所述的`基板载置台，其特征在于: 所述槽沿所述周缘载置部上表面的周方向设置。
5.如权利要求4所述的基板载置台，其特征在于: 所述槽具有多个。
6.如权利要求5所述的基板载置台，其特征在于: 所述多个槽以均等的间隔和宽度形成。
7.如权利要求4~6中任一项所述的基板载置台，其特征在于: 所述周缘载置部的不包含槽的部分的宽度为5_以上。
8.如权利要求1~7任一项所述的基板载置台，其特征在于: 所述载置台主体包括导电体部分，所述导电体部分被供给用于生成等离子体的高频电力。
9.一种基板处理装置，其特征在于，具备: 用于对被处理基板实施处理的处理容器； 在所述处理容器内载置基板的权利要求1~7中任一项所述的基板载置台； 对所述处理容器内供给处理气体的处理气体供给机构；和 对所述处理容器内进行排气的排气机构。
10.如权利要求9所述的基板处理装置，其特征在于: 所述基板载置台的所述载置台主体包括导电体部分，所述导电体部分与供给用于生成等离子体的高频电力的高频电源连接， 所述处理气体供给机构包括:在所述处理容器的上部与所述基板载置台相对地设置的用于对所述处理容器内排出所述处理气体的喷淋头，所述基板载置台和所述喷淋头构成一对平行平板电极，利用从所述高频电源供给的高频电力在所述处理容器内形成处理`气体的等离子体。
【文档编号】H01L21/00GK103824800SQ201310573742
【公开日】2014年5月28日 申请日期:2013年11月15日 优先权日:2012年11月15日
【发明者】古屋敦城, 佐佐木芳彦 申请人:东京毅力科创株式会社