1.一种半导体元件的制造方法，包括：
于一基底上形成一堆栈层；
图案化该堆栈层，以形成沿着一第一方向延伸的多个堆栈结构，相邻的两个堆栈结构之间具有沿着一第一方向延伸的一沟道，每一沟道具有相互交替的多个宽部和多个窄部，其中这些宽部沿着一第二方向的最大宽度大于这些窄部沿着该第二方向的最大宽度；
形成一电荷储存层，以覆盖这些宽部的底表面与侧壁及填满这些窄部；以及
形成一导体层，以填满这些宽部。
2.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中这些宽部沿着该第二方向的最大宽度为这些窄部沿着该第二方向的最大宽度的2-5倍。
3.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中这些宽部的形状包括圆形、椭圆形、正方形、矩形、菱形或其组合。
4.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中该电荷储存层为一复合层，该复合层包括氧化物层、氮化物层或其组合。
5.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中该堆栈层包括导体层、介电层或其组合。
6.根据权利要求1所述的半导体元件的制造方法，其中每一沟道上的每一宽部在该第二方向与相邻的每一沟道上的每一宽部的排列方式包括并排排列、交替排列或其组合。
7.一种半导体元件，包括：
一基底；
多个堆栈结构位于该基底上，相邻的两个堆栈结构之间具有沿着一第一方向延伸的一沟道，每一沟道具有相互交替的多个宽部和多个窄部，其中这些宽部沿着一第二方向的最大宽度大于这些窄部沿着该第二方向的最大宽度；
一电荷储存层，覆盖这些宽部的底表面与侧壁及填满这些窄部；以及
一导体层，填满这些宽部。
8.根据权利要求7所述的半导体元件，其中这些宽部沿着该第二方向的最大宽度为这些窄部沿着该第二方向的最大宽度的2-5倍。
9.根据权利要求7所述的半导体元件，其中这些宽部的形状包括圆形、椭圆形、正方形、矩形、菱形或其组合。
10.根据权利要求7所述的半导体元件，其中该电荷储存层为一复合层，该复合层包括氧化物层、氮化物层或其组合。
11.根据权利要求7所述的半导体元件，其中这些堆栈结构包括导体层、介电层或其组合。
12.根据权利要求7所述的半导体元件，其中这些沟道上的每一宽部在该第二方向与相邻的这些沟道上的每一窄部的排列方式包括并排排列、交替排列或其组合。