技术总结
本发明公开了一种半导体元件的制造方法。于基底上形成堆栈层。图案化堆栈层，以形成沿着第一方向延伸的多个堆栈结构，相邻的两个堆栈结构之间具有沿着第一方向延伸的沟道，每一沟道具有多个宽部和多个窄部。宽部沿着第二方向的最大宽度大于窄部沿着第二方向的最大宽度。形成电荷储存层，以覆盖宽部的底表面与侧壁及填满窄部。形成导体层，以填满宽部。另提供一种由上述方法所制成的半导体元件。
技术研发人员：詹耀富
受保护的技术使用者：旺宏电子股份有限公司
文档号码：201510144098
技术研发日：2015.03.30
技术公布日：2016.11.23