1.一种EEPROM存储器件，包括高压场效应晶体管，其中所述高压场效应晶体管包括：
衬底；
栅极结构，位于所述衬底上；
漏区，位于所述栅极结构一侧的所述衬底中；
虚拟栅极结构，位于所述栅极结构和所述漏区之间的所述衬底上；
自对准硅化物层，位于所述漏区的中心区域上方以及所述栅极结构上远离所述漏区的一侧的上方。
2.根据权利要求1所述的EEPROM存储器件，其特征在于，在所述自对准硅化物层的上方还形成有互连结构。
3.根据权利要求1所述的EEPROM存储器件，其特征在于，所述栅极结构和所述虚拟栅极结构的侧壁上还形成有间隙壁，所述栅极结构的所述间隙壁与所述虚拟栅极结构的所述间隙壁接触或隔离。
4.根据权利要求1所述的EEPROM存储器件，其特征在于，所述栅极结构和所述虚拟栅极结构之间下方的所述衬底中形成有深漏掺杂区域。
5.根据权利要求1所述的EEPROM存储器件，其特征在于，所述漏区还形成有深漏掺杂区域。
6.一种基于权利要求1至5之一所述的EEPROM存储器件的制备方法，包括：
步骤S1：提供衬底，在所述衬底上形成有栅极结构，在所述栅极结构一侧的所述衬底中形成有漏区，在所述栅极结构和所述漏区之间的所述衬底上还形成有虚拟栅极结构；
步骤S2：在所述虚拟栅极结构上方、所述栅极结构靠近所述虚拟栅极结构的一侧上方和所述漏区中心区域两侧的上方形成自对准硅化物阻挡层；
步骤S3：在所述栅极结构远离所述虚拟栅极结构的一侧以及所述漏区中心区域的上方形成自对准硅化物层。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述步骤S1中还进一步包括在所述栅极结构和所述虚拟栅极结构之间下方的所述衬底中形成深漏掺杂区域的步骤。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述步骤S1包括：
步骤S11：在所述衬底上形成栅极材料层；
步骤S12：在所述栅极材料层上形成图案化的掩膜层，以定义所述栅极结构和所述虚拟栅极结构的形状；
步骤S13：以所述掩膜层为掩膜蚀刻所述栅极材料层，以形成所述栅极结构和所述虚拟栅极结构。
9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，在形成所述漏区之后还进一步包括在所述漏区执行深漏掺杂的步骤，以形成深漏掺杂区域。
10.一种电子装置，包括权利要求1至5之一所述的EEPROM存储器件。