技术总结
本发明涉及一种EEPROM存储器件及其制备方法、电子装置。所述方法包括步骤S1：提供衬底，在所述衬底上形成有栅极结构，在所述栅极结构一侧的所述衬底中形成有漏区，在所述栅极结构和所述漏区之间的所述衬底上还形成有虚拟栅极结构；步骤S2：在所述虚拟栅极结构上方、所述栅极结构靠近所述虚拟栅极结构的一侧上方和漏区中心区域两侧的上方形成自对准硅化物阻挡层；步骤S3：在所述栅极结构远离所述虚拟栅极结构的一侧以及所述漏区中心区域的上方形成自对准硅化物层。所述结构的制备方法仅通过增加两个图案化的掩膜层，即栅极图案化掩膜层和自对对硅化物掩膜层即可实现，工艺步骤简易，不会造成成本的增加，同时能极大的提高器件性能。
技术研发人员：王孝远;金凤吉;郭兵;杨震
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
文档号码：201510566157
技术研发日：2015.09.08
技术公布日：2017.03.15