1.一种半导体元件的制作方法，其特征在于，包括：
提供一半导体堆叠层以及一电镀电极于一溶液中，其中该半导体堆叠层具有一入光面及一与该入光面相对的相对面；
对该相对面与该电镀电极施加一电压差；以及
提供一光束至该半导体堆叠层，其中该电压差使该电镀电极提供至少一金属离子至该溶液中并形成一金属离子溶液，该半导体堆叠层适于吸收该光束并产生至少一电子至该入光面，令该金属离子溶液中的该金属离子与该电子形成一第一电极于该半导体堆叠层的该入光面上。
2.根据权利要求1所述的半导体元件的制作方法，其中该半导体堆叠层还包括一绝缘屏蔽层，配置于该入光面上，该绝缘屏蔽层暴露部分该入光面。
3.根据权利要求1所述的半导体元件的制作方法，其中提供该半导体堆叠层以及该电镀电极于该溶液中的步骤包括：
提供一第一型掺杂基材；
形成一第一型掺杂半导体层于该第一型掺杂基材的一正面上且形成一第二型掺杂半导体层于该第一型掺杂基材的一相对于该正面的反面上；以及
形成一第一导电层于该一第一型掺杂半导体层且形成一第二导电层于该第二型掺杂半导体层，其中该入光面位于该第一导电层，该相对面位于该第二导电层。
4.根据权利要求3所述的半导体元件的制作方法，其中形成该第一型掺杂半导体层及该第二型掺杂半导体层的步骤之前还包括：
形成一第一本征层于该第一型掺杂基材的该正面上且形成一第二本征层于该第一型掺杂基材的该反面上，令该第一本征层及该第一型掺杂基材之间形成一异质结，并令该第二本征层及该第一型掺杂基材之间形成另一异质结。
5.根据权利要求4所述的半导体元件的制作方法，其中该第一本征层及该第二本征层的形成方法包括等离子体辅助化学气相沉积、物理气相沉 积、常压化学气相沉积、离子镀膜技术及热扩散炉技术。
6.根据权利要求3所述的半导体元件的制作方法，其中该第一型掺杂半导体层及该第二型掺杂半导体层的形成方法包括等离子体辅助化学气相沉积、物理气相沉积、常压化学气相沉积及热扩散炉技术。
7.根据权利要求3所述的半导体元件的制作方法，其中该第一导电层及该第二导电层的形成方法包括等离子体辅助化学气相沉积、物理气相沉积、常压化学气相沉积、离子镀膜技术及热扩散炉技术。
8.根据权利要求3所述的半导体元件的制作方法，其中形成该第一导电层于该第一型掺杂半导体导电层且形成该第二导电层于该第二型掺杂半导体层的步骤包括：
形成多个抗反射微结构于该第一导电层及该第二导电层。
9.根据权利要求1所述的半导体元件的制作方法，其中该入光面及该相对面的表面粗糙度Ra小于5纳米。
10.根据权利要求1所述的半导体元件的制作方法，其中提供该半导体堆叠层以及该电镀电极于该溶液中的步骤包括：
将该电镀电极电性连接至该半导体堆叠层的一第二电极，该第二电极形成于该相对面。
11.根据权利要求1所述的半导体元件的制作方法，其中该光束的波长不同于该金属离子溶液的吸收波段的波长。
12.一种半导体元件，其特征在于，包括：
一第一型掺杂基材；
一第一型掺杂半导体层，配置于该第一型掺杂基材的一正面；
一第二型掺杂半导体层，配置于该第一型掺杂基材的一反面，其中该反面相对于该正面；
一第一导电层，配置于该第一型掺杂半导体层上，且该第一型半导体层位于该第一导电层及该第一型掺杂基材之间；
一第二导电层，配置于该第二型掺杂半导体层上，且该第二型半导体层位于该第二导电层及该第一型掺杂基材之间；
一第一电极，配置于该第一导电层的一背对该正面的入光面，该第一电极暴露部分该入光面；以及
一第二电极，配置于该第二导电层的一背对该反面的相对面，该第二电极暴露部分该相对面。
13.根据权利要求12所述的半导体元件，其中该第一型掺杂半导体层为N型掺杂半导体层，该第一型掺杂基材为N型掺杂基材，该第二型掺杂半导体层为P型掺杂半导体层。
14.根据权利要求12所述的半导体元件，其中该第一导电层及该第二导电层具有多个抗反射微结构。
15.根据权利要求12所述的半导体元件，其中该入光面及该相对面的表面粗糙度Ra小于5纳米。
16.根据权利要求12所述的半导体元件，其中该第一型掺杂半导体层及该第二型掺杂半导体层的材质包括单晶硅、多晶硅、非晶硅、碳化硅、硅氧化物、硅氮化物或其组合。
17.根据权利要求12所述的半导体元件，其中该第一导电层及该第二导电层的材质包括铟氧化物、锌氧化物、金属氧化物、硅氮化物或其组合。
18.根据权利要求12所述的半导体元件，其特征在于，还包括一配置于该第一型掺杂基材及该第一型掺杂半导体层之间的第一本征层以及配置于该第一型掺杂基材及该第二型掺杂半导体层之间的第二本征层，其中该第一本征层及该第一型掺杂基材之间形成一异质结，该第二本征层及该第一型掺杂基材之间形成另一异质结。