技术总结
本发明提供了一种半导体元件的制作方法。该半导体元件的制作方法包括提供一半导体堆叠层以及一电镀电极于一溶液中；对半导体堆叠层的相对面与电镀电极施加一电压差以及提供一光束至半导体堆叠层，令第一电极形成于半导体堆叠层的入光面上，电压差使电镀电极提供至少一金属离子至溶液中并形成一金属离子溶液，半导体堆叠层的入光面与半导体堆叠层的相对面相对，且半导体堆叠层适于吸收上述光束并产生一电子至入光面，令金属离子溶液中的金属离子与电子形成第一电极于半导体堆叠层的入光面上。基于上述制造方法，一种半导体元件亦被提出。
技术研发人员：刘书谦;詹逸民;吴建树
受保护的技术使用者：英属开曼群岛商精曜有限公司
文档号码：201510566785
技术研发日：2015.09.08
技术公布日：2017.03.22