技术总结
本发明公开一种半导体元件以及其制作方法。该半导体元件的制作方法包括下列步骤。在一半导体基底的一存储器区上形成多个选择栅极。在两相邻的选择栅极之间形成两电荷存储结构。在半导体基底中形成一源极区，且源极区形成于两相邻的选择栅极之间。形成一绝缘块，且绝缘块形成于两电荷存储结构之间以及源极区上。在绝缘块上形成一存储栅极，且存储栅极与两电荷存储结构连接。
技术研发人员：张原祥;邱意珊;张志谦;杨建军;张文娟
受保护的技术使用者：联华电子股份有限公司
文档号码：201510764951
技术研发日：2015.11.11
技术公布日：2017.05.17