技术总结
本发明公开一种半导体元件及其制作方法。该半导体元件包含：一基底，二栅极结构，设置在该基底的一通道区的上方，一外延层，设置该两栅极结构之间的该基底内，以及一第一错位，位于该外延层内，其中该第一错位的剖面由至少两不平行的斜线组成，以及一第二错位，该第二错位邻近于该外延层的一上表面，且该第二错位的剖面由至少两不平行的斜线组成。
技术研发人员：刘恩铨;童宇诚
受保护的技术使用者：联华电子股份有限公司
文档号码：201510769647
技术研发日：2015.11.12
技术公布日：2017.05.24