1.一种集成器件，包括：
被配置为所述集成器件的基底的电介质层；
所述电介质层中的多个重分布金属层；
耦合至所述电介质层的第一表面的第一晶片级管芯；以及
耦合至所述第一晶片级管芯的第二晶片级管芯。
2.如权利要求1所述的集成器件，其特征在于，所述电介质层包括数个电介质层。
3.如权利要求1所述的集成器件，其特征在于，所述第一晶片级管芯通过第一组互连耦合至所述多个重分布金属层。
4.如权利要求1所述的集成器件，其特征在于，所述第二晶片级管芯通过一组互连和一组焊球耦合至所述第一晶片级管芯。
5.如权利要求1所述的集成器件，其特征在于，所述第一晶片级管芯包括多个穿透基板通孔(TSV)。
6.如权利要求5所述的集成器件，其特征在于，所述第二晶片级管芯通过第一组互连、所述多个TSV、第二组互连和一组焊球耦合至所述多个重分布金属层。
7.如权利要求1所述的集成器件，其特征在于，进一步包括封装所述第一晶片级管芯和所述第二晶片级管芯的封装层。
8.如权利要求1所述的集成器件，其特征在于，进一步包括耦合至所述电介质层的所述第一表面的第三晶片级管芯。
9.如权利要求1所述的集成器件，其特征在于，所述第一晶片级管芯是处理器并且所述第二晶片级管芯是存储器管芯。
10.如权利要求1所述的集成器件，其特征在于，所述集成器件被纳入在音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板式计算机、和/或膝上型计算机中的至少一者中。
11.一种装备，包括：
被配置为集成器件的基底的电介质层；
所述电介质层中的重分布互连装置；
耦合至所述电介质层的第一表面的第一晶片级管芯；以及
耦合至所述第一晶片级管芯的第二晶片级管芯。
12.如权利要求11所述的装备，其特征在于，所述电介质层包括数个电介质层。
13.如权利要求11所述的装备，其特征在于，所述第一晶片级管芯通过第一组互连耦合至所述重分布互连装置。
14.如权利要求11所述的装备，其特征在于，所述第二晶片级管芯通过一组互连和一组焊球耦合至所述第一晶片级管芯。
15.如权利要求11所述的装备，其特征在于，所述第一晶片级管芯包括多个穿透基板通孔(TSV)。
16.如权利要求15所述的装备，其特征在于，所述第二晶片级管芯通过第一组互连、所述多个TSV、第二组互连和一组焊球耦合至所述重分布互连装置。
17.如权利要求11所述的装备，其特征在于，进一步包括封装所述第一晶片级管芯和所述第二晶片级管芯的封装装置。
18.如权利要求11所述的装备，其特征在于，进一步包括耦合至所述电介质层的所述第一表面的第三晶片级管芯。
19.如权利要求11所述的装备，其特征在于，所述第一晶片级管芯是处理器并且所述第二晶片级管芯是存储器管芯。
20.如权利要求11所述的装备，其特征在于，所述装备被纳入到以下至少一者中：音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板计算机、和/或膝上型计算机。
21.一种用于制造集成器件的方法，包括：
将第一晶片级管芯置于载体上；
将第二晶片级管芯置于所述第一晶片级管芯上；
用封装层来封装所述第一和第二晶片级管芯；
在经封装的第一和第二晶片级管芯的第一表面上形成电介质层，其中所述第一表面与所述载体相对；以及
在所述电介质层中形成多个重分布金属层。
22.如权利要求21所述的方法，其特征在于，形成所述电介质层包括在经封装的第一和第二晶片级管芯的所述表面上形成数个电介质层。
23.如权利要求21所述的方法，其特征在于，形成所述多个重分布金属层包括将所述多个重分布金属层耦合至所述第一晶片级管芯的第一组互连。
24.如权利要求21所述的方法，其特征在于，将所述第二晶片级管芯放置到所述第一晶片级管芯包括将一组互连和一组焊球耦合至所述第一晶片级管芯。
25.如权利要求21所述的方法，其特征在于，所述第一晶片级管芯包括多个穿透基板通孔(TSV)。
26.如权利要求21所述的方法，其特征在于，将第一晶片级管芯置于载体上包括将所述第一晶片级管芯置于所述载体的粘合层上。
27.如权利要求26所述的方法，其特征在于，进一步包括移除所述载体和/或所述粘合层中的至少一者。
28.如权利要求21所述的方法，其特征在于，进一步包括移除所述载体的至少一部分。
29.如权利要求21所述的方法，其特征在于，所述第一晶片级管芯是处理器并且所述第二晶片级管芯是存储器管芯。
30.如权利要求21所述的方法，其特征在于，所述集成器件被纳入在音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、移动设备、移动电话、智能电话、个人数字助理、固定位置终端、平板式计算机、和/或膝上型计算机中的至少一者中。