一种氧化物半导体薄膜晶体管及其制作方法与流程

技术特征：

1.一种氧化物半导体薄膜晶体管，包括基板(1)，其特征在于：所述基板(1)上设有图形化的氧化物半导体层(2)，在氧化物半导体层(2)上沉积栅极绝缘层(9)，栅极绝缘层(9)上形成有图案化的栅极层(5)，在氧化物半导体层(2)的一侧上设有覆盖在氧化物半导体层(2)上的第一道氧化铟锡层(4)，氧化物半导体层(2)的另一侧设置有像素电极(3)，在氧化铟锡层(4)、栅极层(5)以及像素电极(3)上沉积有层间绝缘层(10)，在层间绝缘层(10)上刻蚀有过孔，并在层间绝缘层(10)的一侧沉积出图形化的第二道金属层(6)，在第二道金属层(6)上沉积有钝化层(7)并刻蚀有过孔，所述钝化层(7)上沉积共同电电极层(8)。

2.根据权利要求1所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于：所述栅极层(5)为氮化硅、氧化硅或铝的氧化物的一种或两种的组合。

3.根据权利要求1所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于：所述栅极绝缘层(9)的厚度为50nm-400nm。

4.根据权利要求1所述的氧化物半导体薄膜晶体管，其特征在于：所述基板为玻璃材料。

5.一种氧化物半导体薄膜晶体管的制作方法，包括如下步骤：

步骤一、在基板上采用物理气相沉积方式沉积氧化物半导体层(2)，并进行图形化；

步骤二、采用等离子体增强型化学气相沉积方式在氧化物半导体层(2)和基板上形成栅极绝缘层(9)；

步骤三、在栅极绝缘层(9)上通过物理气相沉积方式形成覆盖整个栅极绝缘层(9)的栅极层(5)；

步骤四、采用光刻工艺在栅极层(5)上做出图形，使栅极层(5)上形成光阻；

步骤五、通过刻蚀工艺刻蚀掉未被光阻保护的栅极层(5)和栅极绝缘层(9)；

步骤六、采用物理气相沉积方式，沉积出第一道的氧化铟锡层(4)；

步骤七、通过光阻剥离机剥离栅极层(5)上的光阻以及氧化铟锡层(4)后，形成像素电极(3)；

步骤八、通过光刻工艺和湿法刻蚀工艺，去除多余的氧化铟锡层(4)；

步骤九、采用等离子体增强型化学气相沉积方式沉积层间绝缘层(10)，沉积过后采用物理气相沉积方式沉积第二道金属层(6)并采用刻蚀工艺对第二道金属层(6)进行图形化处理，采用等离子体增强型化学气相沉积方式沉积钝化层(7)并刻蚀过孔，最后通过物理气相沉积方式沉积共同电极层(8)并依次通过光刻工艺、湿法刻蚀工艺、光阻剥离工艺对共同电极层(8)进行图形化处理，得到氧化物半导体薄膜晶体管。

6.根据权利要求5所述的氧化物半导体薄膜晶体管的制作方法，其特征在于：步骤二中栅极绝缘层(9)的厚度为50nm-400nm。

7.根据权利要求5所述的氧化物半导体薄膜晶体管的制作方法，其特征在于：步骤五中刻蚀工艺采用湿法刻蚀工艺和干法刻蚀工艺，或者采用干法刻蚀工艺。

8.根据权利要求5所述的氧化物半导体薄膜晶体管的制作方法，其特征在于：步骤九中刻蚀工艺采用湿法刻蚀工艺或者干法刻蚀工艺。

9.根据权利要求5所述的氧化物半导体薄膜晶体管的制作方法，其特征在于：步骤五中栅极层刻蚀完成后，保留上面的光阻进行氧化铟锡成膜，所述氧化铟锡的厚度在10nm-200nm。

10.根据权利要求5所述的氧化物半导体薄膜晶体管的制作方法，其特征在于：步骤三中栅极层(5)为氮化硅、氧化硅或铝的氧化物的一种或两种的组合。