技术总结
本发明公开了本发明一方面提供了一种氧化物半导体薄膜晶体管，包括基板，基板上设有图形化的氧化物半导体层，在氧化物半导体层上沉积栅极绝缘层，栅极绝缘层上有图案化的栅极层，氧化物半导体层的一侧上设有第一道氧化铟锡层，氧化物半导体层的另一侧设置有像素电极，在氧化铟锡层、栅极层以及像素电极上沉积有层间绝缘层，在层间绝缘层上刻蚀有过孔，并在层间绝缘层的一侧沉积出图形化的第二道金属层，在第二道金属层上沉积有钝化层并刻蚀有过孔，钝化层上沉积共同电电极层。本发明另一方面提供了一种氧化物半导体薄膜晶体管的制作方法，与现有技术相比，减少了半导体源极和漏极两端的电阻率，既保障了电阻率小的需求，从而提高了产品的稳定性。
技术研发人员：刘勋
受保护的技术使用者：深圳市华星光电技术有限公司
文档号码：201610795669
技术研发日：2016.08.31
技术公布日：2016.12.14