技术总结
本发明涉及一种纳米阵列太阳电池的制备方法，其步骤包括：（1）硅片表面去损伤及制绒；（2）硅片表面腐蚀掩膜制备，掩膜厚度为0.1‑2微米，掩膜的宽度1.0‑3毫米；（3）金属离子湿化学催化腐蚀纳米阵列制备；（4）去除硅片表面腐蚀掩膜；（5）扩散制备PN结；（6）减反射膜制备；（7）丝网印刷金属化；（8）涂敷防抗覆冰附着乳液。本发明的纳米阵列太阳电池的制备方法制备的纳米阵列太阳电池在主栅线外区域具有较低的表面反射率，从而更多的光子被入射到硅片里面，提高了光子利用率；并且增加了电池主栅线区域的电子收集能力，提高了主栅线区域外的光子利用率，从而提高整个电池的光电转换效率。
技术研发人员：宋令枝;朱琛;张子森;赫汉;胡欢欢
受保护的技术使用者：浙江昱辉阳光能源江苏有限公司
文档号码：201611032090
技术研发日：2016.11.22
技术公布日：2017.05.31