1.一种利用溶液限域生长制备光电材料阵列的方法，其特征在于，包括如下制备步骤：
(1)光电材料溶液的制备；
(2)模板的制备；
(3)光电材料阵列的制备。
2.根据权利要求1所述的利用溶液限域生长制备光电材料阵列的方法，其特征在于，包括如下具体制备步骤：
(1)光电材料溶液的制备：将光电材料溶于溶剂中，加热搅拌至完全溶解；
(2)模板的制备：在模板底面上制备阵列化凹槽；
(3)光电材料阵列的制备：取步骤(1)制备的光电材料溶液置于光滑的基底上，盖上步骤(2)制备的模板，恒温干燥，最后揭去模板，即得到在基底上形成阵列化的光电材料。
3.根据权利要求2所述的利用溶液限域生长制备光电材料阵列的方法，其特征在于，步骤(1)中所述的溶剂为水、DMF、DMSO、二氯甲烷、四氢呋喃和丁内酯中的一种或多种的混合溶剂。
4.根据权利要求2所述的利用溶液限域生长制备光电材料阵列的方法，其特征在于，步骤(2)和步骤(3)中所述的模板和基底的材料为刚性材料或柔性材料。
5.根据权利要求4所述的利用溶液限域生长制备光电材料阵列的方法，其特征在于，所述刚性材料为玻璃、硅、铝和铜中的任意一种；所述柔性材料为PDMS、PMMA、PI、PET、PEN、PC、PCO、PES和PAR中的任意一种。
6.根据权利要求5所述的利用溶液限域生长制备光电材料阵列的方法，其特征在于，所述的模板材料为刚性材料时，基底采用柔性材料；所述的模板材料为柔性材料时，基底采用刚性材料或柔性材料。
7.根据权利要求6所述的利用溶液限域生长制备光电材料阵列的方法，其特征在于，所述的模板材料为刚性材料时，采用电子束光刻法、光学光刻法、软光刻法、掩膜法或扫描探针显微镜光刻法在模板底面制备阵列化凹槽。
8.根据权利要求7所述的利用溶液限域生长制备光电材料阵列的方法，其特征在于，所述的光电材料阵列可以通过改变模板底面上阵列化凹槽的尺寸来调控。
9.溶液限域生长制备光电材料阵列的应用，其特征在于，其应用于制备半导体器件。
10.根据权利要求9所述的利用溶液限域生长制备光电材料阵列的应用，其特征在于，所述半导体器件为场效应晶体管、半导体激光器、光发射二极管和光伏器件中的一种。