一种硅基异质结遂穿场效应晶体管的制作方法

技术特征：

1.一种硅基异质结遂穿场效应晶体管结构，包括：

一N型掺杂的硅半导体层；

一本征的硅基半导体层；

一P型硅锗过渡层；

一P型锗半导体层；

一在本征半导体层上生长的氧化铪介质层；

一在氧化铪介质层上形成的栅金属电极；

一在P型锗半导体材料上形成的源电极；

一在N型掺杂的硅半导体层上形成的漏电极。

2.根据权利要求1所述的一种硅基异质结遂穿场效应晶体管结构，其特征在于P型硅锗过渡层厚度为16纳米，材料结构为Si_0.8Ge_0.2(4纳米)，Si_0.5Ge_0.5(4纳米)，Si_0.3Ge_0.7(4纳米)，Si_0.2Ge_0.8(4纳米)，掺杂浓度为5×10¹⁹cm^-3。

3.根据权利要求1所述的一种硅基异质结遂穿场效应晶体管结构，其特征在于P型锗半导体层的厚度为5纳米，掺杂浓度为5×10¹⁹cm^-3。

4.根据权利要求1所述的一种硅基异质结遂穿场效应晶体管结构，其特征在于本征半导体层上的氧化铪介质层厚度为3纳米。

5.根据权利要求1所述的一种硅基异质结遂穿场效应晶体管结构，其特征在于栅金属电极为钨金属，采用ICP刻蚀的方法在垂直结构侧壁形成金属电极。