技术特征：
技术总结
本发明提供一种3D NAND存储器件的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底中形成有公共有源区；刻蚀所述公共有源区所在的衬底，以形成凸台；在所述凸台两侧形成氧化物的填充层；在所述凸台上形成氮化硅层与氧化硅层交替层叠的堆叠层；刻蚀所述堆叠层，在对应于凸台的区域上形成沟道孔，所述沟道孔暴露凸台表面，所述沟道孔用于形成存储区。该方法无需外延生长获得外延结构的制造方法，无需在刻蚀沟道孔之后，在沟道孔的底部外延生长出外延结构，从而，避免氧化硅层凹陷以及外延结构质量缺陷的问题。
技术研发人员：郭帅;吴俊;程媛;郭海峰;王家友
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：2017.08.31
技术公布日：2018.01.19