基板处理装置和处理液供给方法与流程

本发明涉及一种将加热后的处理液供给到基板来对基板进行处理的技术。

背景技术：

在半导体器件的制造工序中，在形成于半导体晶圆等基板(以下也简称为“晶圆”)的处理对象膜之上以规定图案形成抗蚀剂膜，将该抗蚀剂膜作为掩模来对处理对象膜实施蚀刻、离子注入等处理。处理后，从晶圆上去除不需要的抗蚀剂膜。作为抗蚀剂膜的去除方法，经常使用spm处理。spm处理是通过向抗蚀剂膜供给将硫酸和过氧化氢水混合所得到的高温的spm(sulfuricacidhydrogenperoxidemixture：硫酸过氧化氢混合物)液来进行的。

在专利文献1中公开了如下一种基板处理装置：使用设置于硫酸供给路的加热器来进行硫酸的温度调整，由此生成期望的温度的spm液后向基板供给该spm液。关于此处的加热器的运用条件，事前通过实验来掌握混合之前的硫酸温度与从spm喷嘴喷出的spm液的温度之间的关系，基于该关系来决定该加热器的运用条件。

专利文献1：日本特开2013-207080号公报

技术实现要素：

发明要解决的问题

然而，当基板的转速、排气流量、处理液的硫酸浓度等处理条件精细地不同时，存在只在通过实验决定的运用条件下无法向基板上高精度地供给期望的温度的spm液的担忧。

本发明是用于解决上述的问题而完成的，其目的在于能够更准确地进行利用期望的温度的spm液的处理。

用于解决问题的方案

为了解决上述的问题，本发明的基板处理装置的特征在于，具备：处理液供给机构，其将硫酸和过氧化氢水混合来生成硫酸过氧化氢混合物液，并向基板供给所生成的硫酸过氧化氢混合物液；温度调整部，其对从所述处理液供给机构向所述基板供给时的所述硫酸过氧化氢混合物液的温度进行调整；获取部，其获取所述基板的表面上的所述硫酸过氧化氢混合物液的温度信息；以及控制部，其根据由所述获取部获取到的所述温度信息来设定所述温度调整部中的调整量，其中，所述温度调整部基于由所述控制部设定的调整量来对从所述处理液供给机构向所述基板供给时的所述硫酸过氧化氢混合物液的温度进行调整。

发明的效果

本发明具有能够更准确地进行利用期望的温度的spm液的处理的效果。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式所涉及的基板处理系统的概要结构的图。

图2是表示本发明的实施方式所涉及的处理单元的概要结构的图。

图3是第一实施方式所涉及的基板处理系统中的处理液供给系统的具体的结构例。

图4是对本实施方式所涉及的处理单元所执行的基板处理的内容进行说明的图。

图5是表示作为温度信息的晶圆上的spm液的温度分布的一例的图。

图6是对第一实施方式中的spm液的温度调整的控制进行说明的流程图。

图7是对第二实施方式中的spm液的温度调整的控制进行说明的流程图。

图8是第三实施方式所涉及的基板处理系统中的处理液供给系统的具体的结构例。

图9是表示spm液的温度和贮存容器内的硫酸的浓度的时间变化的曲线图。

图10是对第三实施方式中的spm液的温度调整的控制进行说明的流程图。

附图标记说明

16：处理单元；18：控制部；70：处理液供给机构；80：温度传感器；102：贮存容器；109：加热器；303：加热器；308：混合部。

具体实施方式

以下参照附图来说明本发明的实施方式。

(第一实施方式)

图1是表示本实施方式所涉及的基板处理系统的概要结构的图。以下，为了使位置关系清楚，对互相正交的x轴、y轴及z轴进行规定，将z轴正方向设为铅垂朝上方向。

如图1所示，基板处理系统1具备搬入搬出站2和处理站3。搬入搬出站2和处理站3相邻地设置。

搬入搬出站2具备承载件载置部11和搬送部12。在承载件载置部11上载置有多个承载件c，该多个承载件c用于将多张晶圆w(基板)以水平状态收纳。

搬送部12与承载件载置部11相邻地设置，搬送部12在内部具备基板搬送装置13和交接部14。基板搬送装置13具备用于保持晶圆w的基板保持机构。另外，基板搬送装置13能够在水平方向和铅垂方向上移动并以铅垂轴为中心进行转动，使用基板保持机构在承载件c与交接部14之间搬送晶圆w。

处理站3与搬送部12相邻地设置。处理站3具备搬送部15和多个处理单元16。多个处理单元16以排列在搬送部15的两侧的方式设置。

搬送部15在内部具备基板搬送装置17。基板搬送装置17具备用于保持晶圆w的基板保持机构。另外，基板搬送装置17能够在水平方向和铅垂方向上移动并以铅垂轴为中心进行转动，使用晶圆保持机构在交接部14与处理单元16之间搬送晶圆w。

处理单元16用于对由基板搬送装置17搬送的晶圆w进行规定的基板处理。

另外，基板处理系统1具备控制装置4。控制装置4例如是计算机，具备控制部18和存储部19。在存储部19中保存有用于对在基板处理系统1中执行的各种处理进行控制的程序。控制部18通过读取并执行被存储在存储部19中的程序来控制基板处理系统1的动作。

此外，该程序也可以是记录在可由计算机读取的存储介质中、从该存储介质安装到控制装置4的存储部19中的程序。作为可由计算机读取的存储介质，存在例如硬盘(hd)、软盘(fd)、光盘(cd)、光磁盘(mo)以及存储卡等。

在如上述那样构成的基板处理系统1中，首先，搬入搬出站2的基板搬送装置13将晶圆w自载置于承载件载置部11的承载件c取出，并将取出的晶圆w载置于交接部14。利用处理站3的基板搬送装置17将被载置于交接部14的晶圆w自交接部14取出并将其搬入到处理单元16中。

在利用处理单元16对被搬入到处理单元16中的晶圆w进行处理之后，利用基板搬送装置17将该晶圆w自处理单元16搬出并将其载置于交接部14。然后，利用基板搬送装置13将载置于交接部14的处理完成后的晶圆w返回到载置部11的承载件c。

接下来，参照图2来说明处理单元16的概要结构。图2是表示处理单元16的概要结构的图。本实施方式的处理单元16将硫酸和过氧化氢水的混合液即spm(sulfuricacidhydrogenperoxidemixture)供给到晶圆w。如图2所示，处理单元16具备腔室20、基板保持机构30、喷嘴40以及回收杯50。

腔室20用于收纳基板保持机构30、喷嘴40以及回收杯50。在腔室20的顶部设有ffu(fanfilterunit：风机过滤单元)21。ffu21用于在腔室20内形成下降流。

基板保持机构30具备保持部31、支柱部32以及驱动部33。保持部31将晶圆w水平地保持。支柱部32是沿铅垂方向延伸的构件，其基端部被驱动部33以能够旋转的方式支承，支柱部32在顶端部将保持部31水平地支承。驱动部33用于使支柱部32绕铅垂轴旋转。该基板保持机构30通过使用驱动部33使支柱部32旋转来使由支柱部32支承着的保持部31旋转，由此，使由保持部31保持着的晶圆w旋转。

喷嘴40对晶圆w供给spm液。喷嘴40与处理液供给机构70连接。

回收杯50以包围保持部31的方式配置，用于收集因保持部31的旋转而自晶圆w飞散的spm液。在回收杯50的底部形成有排液口51，自该排液口51将由回收杯50收集到的spm液排出到处理单元16的外部。另外，在回收杯50的底部形成有排气口52，该排气口52用于将自ffu21供给的气体排出到处理单元16的外部。

接着，参照图3来对第一实施方式所涉及的基板处理系统1中的处理液供给系统的具体的结构例进行说明。图3是表示第一实施方式所涉及的基板处理系统1中的处理液供给系统的具体的结构例的图。

处理液供给机构70具备硫酸供给源301、硫酸供给路径(第一路径)302、作为温度调整部的加热器303、阀304来作为硫酸的供给系统。硫酸供给源301用于供给常温(室温)的硫酸。通过阀304从闭状态向开状态进行驱动，在硫酸供给路径302中流通来自硫酸供给源301的硫酸，加热器303对在硫酸供给路径302中流通的硫酸进行加热。

本实施方式中的硫酸的目标温度的初始设定为90度。从硫酸供给源301供给的硫酸为约25度，因此作为温度调整部，使用只具有加热功能的加热器303。但是，在供给预先被保持为高温的硫酸等的情况下，还产生使液温下降到目标温度的必要性，因此作为温度调整部还可以追加具有冷却功能的冷却电子设备等。

处理液供给机构70还具备过氧化氢水供给源305、过氧化氢水供给路径(第二路径)306、阀307来作为过氧化氢水的供给系统。过氧化氢水供给源305用于供给常温(室温)的过氧化氢水。通过阀307从闭状态向开状态进行驱动，在过氧化氢水供给路径306中流通来自过氧化氢水供给源305的过氧化氢水。

处理液供给机构70还具备混合部308。混合部308将从硫酸供给路径302供给的硫酸和从过氧化氢水供给路径306供给的过氧化氢水以预先设定的混合比混合来生成混合液即spm液。所生成的spm液被供给到处理单元16，从喷嘴40(喷出部的一例)喷出。

混合部308具有根据来自控制部18的指示来变更混合比的功能。本实施方式中的混合比的初始设定为硫酸：过氧化氢水＝2：1。

接着，参照图4来说明本实施方式所涉及的处理单元16所执行的基板处理的内容。图4是表示第一实施方式所涉及的处理单元16所执行的基板处理的过程的一例的流程图。按照控制部18的控制来执行图4所示的各处理过程。

首先，在处理单元16中，进行晶圆w的搬入处理(步骤s101)。具体地说，利用基板搬送装置17(参照图1)将晶圆w搬入到处理单元16的腔室20(参照图2)内并保持于保持部31。之后，处理单元16使保持部31以规定的旋转速度(例如50rpm)旋转。

接下来，在处理单元16中，进行spm供给处理(步骤s102)。在spm供给处理中，通过将阀304和阀307打开并持续规定时间(例如30秒)，来从喷嘴40向晶圆w的上表面供给spm。供给到晶圆w的spm由于伴随晶圆w的旋转产生的离心力而在晶圆w的表面扩展涂覆。

在所述spm供给处理中，利用spm中包含的过一硫酸的强氧化力以及硫酸与过氧化氢水之间的反应热，例如来去除形成于晶圆w的上表面的抗蚀剂。

此外，硫酸和过氧化氢水的流量是根据硫酸和过氧化氢水的混合比来决定的。硫酸占spm的比率比过氧化氢水占spm的比率高，因此硫酸的流量设定为比过氧化氢水的流量多的流量。

当结束步骤s102的spm供给处理时，在处理单元16中，进行冲洗处理(步骤s103)。在所述冲洗处理中，从未图示的冲洗液供给部向晶圆w的上表面供给冲洗液(例如diw)。供给到晶圆w的diw由于伴随晶圆w的旋转产生的离心力而在晶圆w的表面扩展涂覆。由此，残存于晶圆w的spm被diw冲走。

接着，在处理单元16中，进行干燥处理(步骤s104)。在所述干燥处理中，使晶圆w以规定的旋转速度(例如1000rpm)旋转规定时间。由此，残存于晶圆w的diw被甩出，从而晶圆w干燥。之后，晶圆w的旋转停止。

然后，在处理单元16中，进行搬出处理(步骤s105)。在搬出处理中，保持于保持部31的晶圆w被传递到基板搬送装置17。当所述搬出处理完成时，针对一张晶圆w的基板处理完成。

接着，对使用温度传感器80(获取部)来获取晶圆w上的spm液的温度信息进行说明。温度传感器80接受作为照射光照射红外线而从晶圆w的表面反射的反射光。关于由温度传感器80接受的反射光，设为在存在于晶圆w上的spm液上反射的成分处于支配地位，将反射光的强度值作为spm液的信息来进行处理。

温度传感器80将接受到的反射光的强度值转换为温度值，获取与包含晶圆w的平面区域有关的温度分布来作为温度信息。在本实施方式中，设为由温度传感器80获取的温度分布的分辨率为10mm×10mm。连续地以规定的时间间隔(例如1秒)向控制部18发送获取到的温度信息。控制部18接收从温度传感器80发送的温度信息，储存于存储部19。

图5是用于对控制部18为了进行后述的温度调整处理而使用的spm液的温度信息进行说明的图。在本实施方式中，控制部18将从温度传感器80获取到的温度信息简化为二十一个区域以易于进行后述的差值运算。具体地说，与晶圆w的位置对应地规定一个中心区域、八个中间区域、十二个周缘区域。在图5的(a)中，将中心区域表示为“c”，将中间区域表示为“m”，将周缘区域表示为“e”。各个区域具有60mm×60mm的大小，相当于三十六个从温度传感器80接收并储存的10mm×10mm每个的温度值。控制部18按对应的区域运算三十六个温度值的平均值，在各区域求出一个温度值。

图5的(b)是表示将喷嘴40的供给位置固定在晶圆w的中心(中心区域c的中心)的情况下的晶圆w的表面上的spm液的温度分布特性的图。

能够看出具有如下倾向：被供给的spm液所着液的中心区域c的温度最高(158度)，随着去向中间区域m、周缘区域e而温度下降。认为其理由有：由于在晶圆周缘部处晶圆w的圆周速度高，因此晶圆周缘部易于被晶圆w的周边的空气冷却；spm液的每单位体积的处理面积大；spm液在由于离心力而向周缘部扩展的过程中与抗蚀剂反应而劣化或被晶圆w夺走热等。

在示出这样的温度分布特性的情况下，如果将spm液的温度调整为在中心区域c最佳，则在周缘区域e无法在规定的处理时间内充分地去除抗蚀剂。因而，优选以周缘区域e中的温度最低的区域为基准进行温度调整。具体地说，存在图5的(b)的周缘区域e中的示出151度的区域，该区域温度最低，求出与设为期望的spm液的温度(160度)具有9度的差异。因而，控制部18将硫酸的温度调整的目标值从90度变更为至少99度以上的值。

在此，对spm液中的过一硫酸浓度和反应温度进行说明。首先，对过一硫酸浓度进行记述。过一硫酸(h2so5)是根据反应式“h2so4+h2o2→h2so5+h2o···(式1)”生成的。当spm液中的过一硫酸浓度高时，spm液的抗蚀剂膜剥离能力高。即使过一硫酸浓度高，对晶圆w的损伤也不怎么增大(相比于spm液的温度高的情况、水分量增加的情况)。因而，期望在尽可能使过一硫酸浓度高的状态下向晶圆w供给spm液。过一硫酸浓度在将硫酸和过氧化氢水混合之后随着时间经过而上升，在达到峰值之后，过一硫酸分解而浓度逐渐减少。

在装置设计之时，在将混合部308中的混合比和混合前的硫酸的温度设为固定并将硫酸和过氧化氢水的流速也设为固定的情况下，能够将喷嘴40与混合部308之间的距离优化为在过一硫酸浓度接近峰值(最大值)的状态下向晶圆w喷出spm液。

另一方面，spm液的温度也示出与过一硫酸浓度的变化相同的倾向，在将硫酸和过氧化氢水混合之后温度随着时间经过而上升，在达到峰值之后，由于经由供给路壁面的放热而逐渐下降。但是，达到过一硫酸浓度峰值为止的时间和达到spm温度峰值为止的时间未必一致。

关于本实施方式中的图5的(b)的温度分布特性，将喷嘴40与混合部308之间的距离优化为在spm液的温度接近峰值(最大值)的状态下喷出spm液。其结果，spm液的喷出后的反应热逐渐变弱，还伴随液体去向周缘区域e带来的影响，spm液的温度逐渐下降。

在图5的(b)的例子的情况下，中心区域c为紧接在着液之后的全部的spm液通过且晶圆w的圆周速度也最小的区域，因此能够获得可靠性最高的温度信息。因而，如果能够预先预测去向周缘的温度下降量，则控制部18也可以基于中心区域c的温度值来决定硫酸的温度调整的目标值。例如，如果中心区域c的温度值为158度且周缘区域e处的预测温度下降量为8度，则温度调整的目标值＝90+(160-(158-8))＝100度。

图5的(c)是表示在使喷嘴40的spm液的供给位置在晶圆w的中心与周缘之间反复移动的情况下的、晶圆w的表面上的spm液的温度分布特性的图。

在本实施方式中，设喷嘴40的反复周期为2秒(中心→周缘：1秒，周缘→中心：1秒)。在图5的(c)中，在中心区域c、中间区域m以及周缘区域e之间没有发现特别大的差异。其原因在于，由于喷嘴40的位置变化而处于各种经过时间的状态的spm液在晶圆w上混合。

因而，在图5的(c)的情况下，作为一个方法，求出关于二十一个区域的所有区域的温度值的平均值并以求出的平均值为基准进行温度调整即可。具体地说，在图5的(c)中，计算出平均值为158度，因此与期望的spm液的温度具有2度的差异。控制部18将硫酸的温度调整的目标值从90度变更为至少92度以上的值。作为其它方法，确定二十一个区域的所有区域中的最低的温度值并以该温度值为基准进行温度调整即可。具体地说，在图5的(c)中，确定出最低值为156度，因此与期望的spm液的温度具有4度的差异。控制部18将硫酸的温度调整的目标值从90度变更为至少94度以上的值。

此外，例如，如果喷嘴40的位置往复移动但残留有随着去向外侧的区域而温度下降的倾向，则也可以对周缘区域e中的spm液的温度最低的区域的温度与全部的区域的温度的平均值以规定的权重(例如2：1)进行加权平均，将该运算值与设为期望的spm液的温度之差确定为差值。不限于该例，也可以根据制程来将对使用图5的(b)和(c)所说明的温度值进行规定的加权所得到的值使用在运算中。

参照图6的流程图来对本实施方式所涉及的控制部18所执行的spm液的温度调整的控制进行说明。

首先，在图4的流程图中的s102的spm供给处理开始、在晶圆w的表面上形成有spm液的液膜的状态下，控制部18基于由温度传感器80获取到的温度信息来计算图5所示的spm液的温度分布特性(步骤s201)。

接着，确定与期望的spm液的温度之间的差值(步骤s202)。如使用图5所说明的那样，在本实施方式中，能够使用晶圆w的中央区域c的温度值、周缘区域e的温度值、所有区域的平均值、所有区域的最低温度值这四个值中的至少一个值来求出差值。关于使用哪一个求出方法，根据处理单元16和处理液供给机构70的构造(液体路径的长度等)、spm处理的制程设定的内容等来决定即可。

接着，控制部18基于步骤s202中求出的差值来变更加热器303的设定温度(步骤s203)。如上述那样，将下一个目标值变更为对当前的目标值加上差值所得到的值以上即可，关于变更的程度，根据后述的反馈控制的间隔时间、加热器303的性能等设定为最优的量即可。

接着，控制部18判断从进行步骤s203的温度设定的定时起是否经过了预先决定的间隔时间(步骤s204)。

如前述的那样，直到被加热器303加热后的硫酸在混合部308中混合、从喷嘴40喷出为止具有规定时间，因此在进行设定变更后，进行等待直到反馈控制的作业能够进行确认的程度为止。例如，当将从加热器303到达喷嘴40为止的时间设为1秒、喷出的spm液从喷嘴中心到达周缘的时间为1秒时，间隔时间设定为2秒以上的值、例如设定为5秒。

然后，若判断为经过了间隔时间(步骤s204：“是”)，则判断是否经过了制程上设定的spm处理的过程设定时间(步骤s205)。在判断为没有经过过程设定时间的情况下(步骤s205：“否”)，使用由温度传感器80获取到的晶圆w上的spm液的温度信息来重复进行从步骤s201起的处理。

另一方面，在判断为经过了过程设定时间的情况下(步骤s205：“是”)，结束温度调整，转移到接下来的冲洗处理。

在本实施方式中，具有如下效果：由温度传感器80获取晶圆w的表面上的spm液的温度信息，控制部18根据获取到的spm液的温度信息来设定用于加热硫酸的加热器303中的加热量。由此，能够准确地进行利用期望的温度的spm液的处理。

另外，在本实施方式中，利用加热器303对在混合部308中混合之前的在硫酸供给路径302中流通的硫酸进行加热，因此不需要将用于对在混合部308中混合之后的spm液进行加热的加热器设置在处理单元16内，从而能够防止装置的复杂化。

并且，在本实施方式中，以比spm液的过程设定时间短的间隔时间为单位进行反馈控制，因此能够基于实时的晶圆w上的温度信息来进行spm液的温度调整。

在本实施方式中，基于根据从温度传感器80获取到的温度信息求出的温度分布特性来计算期望的spm液的温度与晶圆w上的spm液的温度之间的差值，基于计算出的差值来决定加热器303的目标温度。由此，能够根据晶圆w上的spm液中的中心区域c的温度值、周缘区域e的温度值、整个表面的平均值以及整个表面的最低值等、装置结构、过程的制程内容来灵活地确定目标温度从而进行温度调整。

(第二实施方式)

在第一实施方式中，对使用加热器303来作为温度调整部的例子进行了说明。但是，作为温度调整部，不限定于具有加热或冷却功能的温度调整部。在本实施方式中，对利用混合部308来作为温度调整部的例子进行说明。

具体地说，通过提高过氧化氢水相对于硫酸的比率来使反应温度上升。在本实施方式中，过氧化氢水是常温(室温)、硫酸被加热到90度，因此通过使硫酸的混合比下降，混合的时间点的spm的液温反而比之前低，但之后的与过氧化氢水与硫酸之间的反应热相应的增加的量在温度调整中处于支配地位。

参照图7的流程图来对本实施方式所涉及的控制部18所执行的spm液的温度调整的控制进行说明。在图7中，在除了s303以外的步骤中分别进行与图6的步骤s201～s205相同的处理，因此在此省略说明。

在步骤s303中，控制部18基于步骤s302中求出的差值来变更混合部308的混合比(步骤s303)。

设为混合部308的初始混合比为2：1。而且，设为步骤s302中求出的差值为5度(低)。在该情况下，控制部18将混合部308的混合比变更为相对地能够估计出5度左右的温度上升的混合比，例如3：2。

在本实施方式中，预先通过实验，测量将其它条件设为相同而只使混合比变化的情况下的晶圆w上(例如中心区域c)的spm液的温度值，求出混合比与晶圆w上的spm液的温度的关系后存储于存储部19。因而，控制部18能够根据该温度关系来设定使混合比进行何种程度的变化即可。

在本实施方式中能够得到与第一实施方式相同的效果。并且，相比于使用加热器303等，在使用混合部308进行控制的情况下，实际的温度变化迅速，因此能够相对缩短反馈控制中的间隔时间，进行响应性好的精细的温度调整。

(第三实施方式)

接着，参照图8来对第三实施方式所涉及的基板处理系统1中的处理液供给系统的具体的结构例进行说明。图8是表示第三实施方式所涉及的基板处理系统1中的处理液供给系统的具体的结构例的图。

如图8所示，处理液供给机构70具有用于贮存硫酸的贮存容器102、从贮存容器102出来并返回贮存容器102的循环路径104、从循环路径104分支出来并与各处理单元16连接的多个分支路径112来作为硫酸的供给系统。

对贮存容器102设置有液面传感器s1。液面传感器s1例如配置在贮存容器102的侧面，探测贮存在贮存容器102中的硫酸的液面。具体地说，液面传感器s1为用于探测贮存容器102内的下限液面的传感器。向控制部18输出液面传感器s1的探测结果。

在循环路径104中从上游侧起依次设置有泵106、过滤器108、加热器109以及浓度计110。泵106用于形成从贮存容器102出来经过循环路径104后返回贮存容器102的循环流。过滤器108用于去除硫酸中包含的微粒等污染物质。加热器109由控制部18进行控制，将在循环路径104中循环的硫酸加热到所设定的温度。浓度计110用于检测在循环路径104中循环的硫酸的浓度，向控制部18输出检测结果。

在循环路径104中的比浓度计110靠下游侧的位置连接有多个分支路径112。各分支路径112与各处理单元16的后述的混合部45连接，将在循环路径104中流动的硫酸供给到各混合部45。在各分支路径112设置有阀113。

另外，处理液供给机构70具备过氧化氢水供给路径160、阀161以及过氧化氢水供给源162来作为过氧化氢水的供给系统。过氧化氢水供给路径160的一端经由阀161来与过氧化氢水供给源162连接，另一端与处理单元16的后述的混合部45连接。处理液供给机构70将从过氧化氢水供给源162供给的过氧化氢水经由过氧化氢水供给路径160向处理单元16的混合部45供给。

另外，处理液供给机构70具备供给路径170、阀171以及硫酸供给源172。供给路径170的一端经由阀171来与硫酸供给源172连接，另一端与贮存容器102连接。硫酸供给源172用于供给硫酸。处理液供给机构70将从硫酸供给源172供给的硫酸经由供给路径170向贮存容器102供给。

此外，在此省略了图示，但处理液供给机构70具备用于对处理单元16供给冲洗液的冲洗液供给路径。作为冲洗液，例如能够使用diw(纯水)。

处理液供给机构70具备混合部45。混合部45将从分支路径112供给的硫酸和从过氧化氢水供给路径160供给的过氧化氢水混合来生成混合液即spm液，向喷嘴40(参照图2)供给生成的spm液。

另外，各处理单元16的排液口51经由分支路径53来与排出路径54连接。从排液口51经由分支路径53向排出路径54排出在各处理单元16中使用后的spm液。

此外，在此，设为使用喷嘴40进行spm液的供给和冲洗液的供给，但处理单元16也可以单独具备用于供给冲洗液的喷嘴。

基板处理系统1还具备切换部90、回收路径114以及废弃路径115。切换部90与排出路径54、回收路径114以及废弃路径115连接，按照控制部18的控制来将在排出路径54中流动的使用后spm液的流入目的地在回收路径114与废弃路径115之间切换。

回收路径114的一端与切换部90连接，另一端与回收容器116连接。在回收路径114中从上游侧起依次设置有回收容器116、泵117以及过滤器118。回收容器116暂时贮存使用后spm液。泵117用于形成将贮存于回收容器116的使用后spm液向贮存容器102送出的流动。过滤器118用于去除使用后spm液中包含的微粒等污染物质。

废弃路径115与切换部90连接，向基板处理系统1的外部排出从排出路径54经由切换部90流入的使用后spm液。

在本实施方式的基板处理系统1中，进行控制加热器109来对在循环路径104中循环的硫酸的温度进行调整的循环温度调整处理，以使晶圆w上的spm液的温度保持为固定。

图9的(a)是表示不进行循环温度调整处理的情况下的、spm液的温度和贮存容器102内的硫酸的浓度的时间变化的曲线图。另外，图9的(b)是表示进行了循环温度调整处理的情况下的、spm液的温度和贮存容器102内的硫酸的浓度的时间变化的曲线图。

如图9的(a)所示，在控制加热器109以使在循环路径104中循环的硫酸的温度(循环温度)为固定的情况下，spm液的温度下降与由于贮存容器102内的硫酸的浓度下降而硫酸与过氧化氢水之间的反应热下降的量相应的量。

因此，控制部18如图9的(b)所示那样控制加热器109以使spm液的温度固定。换言之，控制部18控制加热器109以使贮存容器102内的硫酸的浓度越低则循环温度越高。由此，能够抑制spm处理伴随硫酸的浓度下降而性能下降。

为了实现图9的(b)的控制方法，例如能够预先通过实验来求出9的(a)所示的时间经过与spm温度之间的关系并进行存储，将该关系用于加热处理的温度设定。但是，有时该温度信息与实际供给到晶圆w时的spm液的温度信息产生差异。

在本实施方式中，控制部18从用于测量晶圆w上的spm液的温度的温度传感器80获取温度信息，根据获取到的温度信息来设定加热器109的目标温度。在此，存在多个处理单元16，在本实施方式中，基于从全部的处理单元16获取到的温度信息来进行加热器109的目标温度的设定。

参照图10的流程图来说明本实施方式所涉及的控制部18所执行的spm液的温度调整的控制。

自载置于承载件载置部11的收纳有25张晶圆w的承载件c向多个处理单元16连续性地搬送晶圆w、在处理单元16中开始对最初的晶圆w进行spm处理时开始本流程图。

在图10中，步骤s401和s402进行与第一实施方式的步骤s201和s202相同的处理。其中，在步骤s401中，只从全部的处理单元16中的正在进行spm处理的多个处理单元16获取温度信息。在步骤s402中，将与正在进行spm处理的多个处理单元16有关地计算出的多个差值中的最低值确定为代表的差值。通过将最低值设为代表的差值，能够在温度调整后在全部的单元中进行利用期望的温度以上的spm液的处理。

之后，使用在步骤s402中确定出的代表的差值来决定加热器109的目标温度(步骤s403)。此处的目标温度的决定方法与第一实施方式的方法相同，在此省略说明。

步骤s404为与第一实施方式的步骤s204相同的处理。在本实施方式中，在循环路径104中设置有作为温度调整部的加热器109，因此到达喷嘴40为止的路径长度比第一实施方式中的到达喷嘴40为止的路径长度长，优选的是，间隔时间也设定为相对长。另外，在多个处理单元16中同时并行地执行spm处理，因此可以不依赖于个别过程设定时间、定时来决定间隔时间。

在步骤s405中，如果针对收纳于承载件c的规定张数(在此为25张)的晶圆w的spm处理结束(步骤s405：“是”)，则结束温度调整的控制。

如以上说明的那样，在第三实施方式中，控制部18基于由温度传感器80获取到的温度信息来设定加热器109对在循环路径104中循环的硫酸进行加热的温度。

由此，能够得到与第一实施方式相同的效果。另外，如在第一实施方式和第二实施方式中说明的那样不需要个别地对单元进行控制，能够不使控制复杂化，进行统一的温度调整。并且，向全部的单元供给同样的温度的spm液，因此具有也能够预测回收的spm液的温度、易于进行用于循环利用的温度管理的优点。

在第三实施方式中，从多个处理单元16中的作为实际的处理对象的晶圆w获取温度信息，但并不限定于该方法。例如，也可以是，将处理单元16中的一个单元规定为虚设晶圆用，向与收纳于承载件c的晶圆不同的虚设晶圆上供给spm液，只从该单元的温度传感器80获取温度信息。由此，能够与从承载件c搬出的各晶圆w的处理定时无关地始终获取温度分布特性，因此能够使温度调整的精度提高。

以上，对本发明所涉及的实施方式进行了说明，但也可以在第三实施方式所说明的循环系统中追加设置第一实施方式的温度调整部和第二实施方式的温度调整部。另外，不限于第一实施方式～第三实施方式，在其它系统中也能够应用本发明。