技术总结
本发明提供了一种场效应晶体管、集成电路及场效应晶体管的制备方法，涉及半导体技术领域。场效应晶体管包括第一导电类型重掺杂衬底和第一导电类型重掺杂衬底上形成的第一导电类型外延层。第一导电类型外延层的中间向上延伸形成有凸起区域，在凸起区域两侧分别为第一区域和第二区域。在第一导电类型外延层上的预设中心区域设置有硅槽，在硅槽内注入第二导电类型以使在所述第一区域上形成有第二导电类型第一沟道阱区和在第二区域上形成有第二导电类型第二沟道阱区。第二导电类型第一沟道阱区内设置有注入第一导电类型后退火形成的第一源区。第二导电类型第二沟道阱区设置有注入第一导电类型后退火形成的第二源区。以提高场效应晶体管的雪崩耐量。
技术研发人员：吴多武;马清杰;许正一
受保护的技术使用者：南京方旭智芯微电子科技有限公司
技术研发日：2017.12.19
技术公布日：2018.06.12