1.一种用于系统级封装的硅通孔转接板，其特征在于，包括：
Si衬底(101)；
第一TSV区(102)和第二TSV区(103)，位于所述Si衬底(101)内且上下贯通所述Si衬底(101)，所述第一TSV区(102)和所述第二TSV区(103)内填充的材料为多晶硅；
第一隔离区(104)和第二隔离区(105)，位于所述第一TSV区(102)和所述第二TSV区(103)之间；
三极管器件区(106)，位于所述第一隔离区(104)和所述第二隔离区(105)之间；
第一互连线(1071)和第二互连线(1072)，设置于所述第一TSV区(102)的第一端面、所述第二TSV区(103)的第一端面和所述三极管器件区(106)上，用于连接所述第一TSV区(102)的第一端面、所述第二TSV区(103)的第一端面和所述三极管器件区(106)；
铜凸点(108)，设置于所述第一TSV区(102)的第二端面和所述第二TSV区(103)的第二端面之上；
所述第一TSV区(102)的第二端面和所述第二TSV区(103)的第二端面上依次设置有钨插塞和铜凸点(108)。
2.根据权利要求1所述的硅通孔转接板，其特征在于，所述三极管器件区(106)包括：器件沟槽(1061)、三极管的埋层(1062)、三极管的集电极接触区(1063)、三极管的基区接触区(1064)和三极管的发射区(1065)；其中，所述三极管的埋层(1062)位于所述器件沟槽(1061)下端；所述三极管的集电极接触区(1063)、所述三极管的基区接触区(1064)和所述三极管的发射区(1065)位于所述器件沟槽(1061)内。
3.根据权利要求2所述的硅通孔转接板，其特征在于，所述第一TSV区(102)的第一端面与所述三极管的基区接触区(1064)和所述三极管的发射区(1065)通过所述第一互连线(1071)连接；所述第二TSV区(103)的第一端面与所述三极管的集电极接触区(1063)通过所述第二互连线(1072)连接。
4.根据权利要求3所述的硅通孔转接板，其特征在于，所述第一TSV区(102)的第一端面、所述三极管的基区接触区(1064)和所述三极管的发射区(1065)与所述第一互连线(1071)之间设置有钨插塞；所述第二TSV区(103)的第一端面和所述三极管的集电极接触区(1063)与所述第二互连线(1072)之间均设置有钨插塞。
5.根据权利要求4所述的硅通孔转接板，其特征在于，所述第一互连线(1071)和所述第二互连线(1072)的材料为铜。