技术总结
本实用新型涉及一种用于系统级封装的硅通孔转接板，包括：Si衬底(101)；第一TSV区(102)和第二TSV区(103)，第一隔离区(104)和第二隔离区(105)，三极管器件区(106)；互连线(107)，用于对第一TSV区(102)的第一端面、第二TSV区(103)的第一端面和三极管进行串行连接。本实用新型提供的硅通孔转接板通过在硅通孔转接板上设置三极管作为ESD防护器件，解决了基于TSV工艺的集成电路系统级封装抗静电能力弱的问题，增强了集成电路系统级封装的抗静电能力。
技术研发人员：张捷
受保护的技术使用者：西安科锐盛创新科技有限公司
技术研发日：2017.12.15
技术公布日：2019.02.15